FOTODIODO Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible oinfrarroja.

Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en elánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre decorriente de oscuridad. Principio de Operación Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se ll ma polarización a directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. Composicion El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de cualquier otro material semiconductor. Material Longitud de onda (nm)

Silicio

190±1100

Germanio

800±1700

Indio galio arsénico (InGaAs) 800±2600

 Usados en fibra óptica  Investigacion La investigación a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de células solares económicas. y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar unfotodetector orgánico. recuperando la información grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. incidente . Fotodiodo. Luz Sentido de la corriente generada Esta corriente eléctrica fluye ensentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. pero estos requieren refrigeración por nitrógeno líquido. miniaturización y mejora de los sensores CCD y CMOS. pero tiene una característica que lo hace muy especial: es un dispositivo queconduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la cantidad deluz que lo incide (lo ilumina). Diodo detector de luz El fotodiodo se parece mucho a undiodo semiconductor común. el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad.  Se usa en los lectores de CD.sulfuro de plomo <1000-3500 También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarroj s o medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm). Desde 2005 existen también semiconductores orgánicos. así como de fotodiodos más rápidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra óptica. Uso A diferencia del LDR . Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. basado en fotodiodos orgánicos.

es decir. sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1µm). Los LED presentan un espectro de emisión más ancho que los láser. Por estas razones. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. la corriente en inversa es casi despreciable y se denomina corriente obscura. Sin embargo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. Debido a su construcción. Cuando está polarizado en inversa. El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. Fotodiodo Avalancha El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicación por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrón. lo mismo es cierto para el fotodiodo. el coste es alto. sensible a la incidencia de la luz visible oinfrarroja. Si el fotodiodo quedara conectado. Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar. o de cualquier otro material semiconductor. Ancho de Banda Un ancho de banda típico de un LED es de 200 MHz. A diferencia del LDR o fotorresistencia. estrechamente controlada. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas.El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz. un diodo rectificador tiene una corriente de fuga inversa muy pequeña. con rendimientos de 50mW/mA. . o sea que sólo funciona en presencia de la luz. Cuando no hay luz incidente. tiene un ancho entre 30 y 50 nm. colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el cátodo del diodo apuntado al colector del transistor). germanio para luz infrarroja(longitud de onda hasta aprox. Suelen estar compuestos de silicio. Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. El fotodiodo es un dispositivo de unión pn que opera con polarización en inversa. un fotodiodo difiere de un diodo rectificador en que la corriente en inversa crece con intensidad luminosa en la unión pn. El fotodiodo tiene una peqeña ventana transprente que permite que la luz incida en la unión pn. el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad. de manera que por él circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo). Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. pues convierte la luz en electricidad y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en elánodo y el negativo en el cátodo. 1. el equilibrio entre ruido y ganancia es difícil de conseguir y como consecuencia.). y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una tensión de alimentación de valor elevado (100-300 v. la luz que lo incide no tendría efecto sobre él y se comportaría como un diodo semiconductor normal. de manera que su reacción a la luz sea más evidente. Un LED de 850 nm. se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor.8 µm ). el fotodiodo de avalancha tiene limitadas aplicaciones.

El diodo se polariza hac adelante y ia la ³corriente oscura´ comienza a fluir a través de la ensambladura en la dirección frente al photocurrent. el flujo de photocurrent del dispositivo es restricto y un voltaje se acumula. mientras que el extremo más largo es ánodo. Vea abajo para un dibujo esquemático del lado del ánodo y del cátodo. una célula solar es justa un arsenal de fotodiodos grandes del área. Cuando a fotón de suficientes huelgas de la energía el diodo. es decir.2 Modo fotoconductor o 2. básicamente siguiente la flecha. convertir luz en Los fotodiodos son similares a regular semiconductor diodos salvo que pueden o ser expuestos (detectar vacío UV oRadiografías) o empaquetado con una ventana o fibra óptica conexión para permitir que la luz alcance la pieza sensible del dispositivo.1 Modo Photovoltaic o 2. La corriente pasará del ánodo al cátodo.en hecho. estos portadores son barridos de la ensambladura por el campo incorporado de la región de agotamiento. Esto aumenta la anchura de la capa de agotamiento. o una longitud de difusión lejos de ella . Muchos diodos diseñaron para el uso específicamente pues un fotodiodo también utilizará a PERNO ensambladuramás bien que el típico Ensambladura del PN.2 P-N contra PERNO fotodiodos 6 Arsenal del fotodiodo 7 Vea también 8 Referencias 9 Acoplamientos externos Guía de referencia rápida La mayoría de los fotodiodos parecerán el cuadro a la derecha. para que es la base células solares. Modo Photovoltaic Cuando está utilizado en cero diagonal o el modo photovoltaic. dependiendo del modo de operación. Así los agujeros se mueven hacia el ánodo. Teoría de operación Un fotodiodo es a Ensambladura del PN o PERNO estructura. Este modo es responsable de efecto photovoltaic.1 Comparación con los photomultipliers o 5. El diagonal reverso induce solamente una cantidad pequeña de corriente (conocida como corriente de la saturación o de la parte posteriora) a lo largo de su dirección mientras que el photocurrent del restos iguales virtualmente. viniendo del fondo.Fotodiodo A fotodiodo es un tipo de fotodetector capaz de cualquiera actual o voltaje. Si la absorción ocurre en la región de agotamiento de la ensambladura. . que disminuye la ensambladura capacitancia dando por resultado tiempos de reacción más rápidos. y se produce un photocurrent. y electrones hacia el cátodo. Tendrán dos plomos. Modo fotoconductor En este modo el diodo está a menudo (pero no siempre) en polarización negativa reverso. excita un electrón de tal modo que crea un electrón móvil y un agujero positivamente cargado del electrón.3 El otro modo de operación 3 Materiales 4 Características 5 Usos o 5. o alambres. Contenido y y y y y y y y y 1 Guía de referencia rápida 2 Teoría de operación o 2. similar a a diodo electroluminoso. El final más corto de los dos es cátodo.

éstas pueden todavía causar a muchos ICs al malfuncionamiento debido a las foto-corrientes inducidas. Observe eso aunque los fototransistores tienen un más alto responsivity para la luz no pueden detectar los niveles bajos de la luz mejores que los fotodiodos. debido a los photocurrents inducidos. porque c solamente fotones con la suficiente energía a excitar electrones a través del material bandgap producirá photocurrents significativos. Puesto que los transistores e ICs se hacen de semiconductores.) El otro modo de operación Fotodiodos de la avalancha tenga una estructura similar a los fotodiodos regulares. Los electrones que son generados por los fotones en la ensambladura del base-colector se inyectan en la base. Los materiales de uso general producir los fotodiodos incluyen: Material Gama de longitud de onda (nanómetro) Silicio 190±1100 Germanio 400±1700 Arseniuro de galio del indio 800±2600 Sulfuro del plomo <1000-3500 Debido a su mayor bandgap. no trabajarán correctamente si están iluminados. Características La parametrización para la optimización del tratamiento crítica de un fotodiodo incluye: . Muchos componentes. casi cada componente activo es potencialmente un fotodiodo. Fototransistores también consista en un fotodiodo con aumento interno. los fotodiodos silicio-basados generan menos ruido que los fotodiodos germanio-basados. Un fototransistor no es esencialmente nada más que a transistor bipolar encajonar eso en un caso transparente para luz puede alcanzar base-colector ensambladura. y esta corriente son amplificados por la operación del transistor. Los fototransistores también tienen tiempos de reacción más lentos. así que se colocan en una cubierta opaca.Aunque este modo es más rápido. pero los fotodiodos del germanio se deben utilizar para las longitudes de onda más de largo que aproximadamente 1 µm. Esto permite cada unofotogenerado portador que se multiplicará cerca interrupción de la avalancha. Puesto que las cubiertas no son totalmente opacas a las radiografías o a la otra radiación de la alta energía.[citación necesitada] (La corriente de la salida de un buen PERNO diodo es tan baja < 1nA que Ruido de Johnson-Nyquist de carga la resistencia en un circuito típico domina a menudo. y contienen ensambladuras del P-N. especialmente ésos sensibles a las corrientes pequeñas. que aumenta el eficazresponsivity del dispositivo. Materiales El material hacía un fotodiodo es crítico a definir sus característi as. dando por resultado aumento interno dentro del fotodiodo. En la mayoría de los componentes esto no se desea. el modo photovoltaic tiende para exhibir menos ruido electrónico. pero se funcionan con un diagonal reverso mucho más alto.

expresado típicamente adentro A/W cuando está utilizado en modo fotoconductor. corriente oscura La corriente a través del fotodiodo en ausencia de la luz. La corriente oscura se debe explicar cerca calibración si un fotodiodo se utiliza para hacer una medida óptica exacta de la energía. . La característica relacionada detectivity (d) es lo contrario del NEP. También se utilizan adentro monitores del gas de sangre. El responsivity se puede también expresar como a eficacia del quántum. Tienen generalmente una respuesta mejor. radios de reloj (las que amortiguan la exhibición cuando son oscuros) y luces de calle. Los fotodiodos son de uso frecuente para la medida exacta de la intensidad de luz en ciencia e industria. que es la energía de entrada mínima requirió para el receptor para alcanzar especificada cociente de error de pedacito. energía ruido-equivalente (NEP) la energía óptica de la entrada mínima de generar photocurrent. photoconductors son de uso frecuente más bien que los fotodiodos. Los fotodiodos del P-N no se utilizan para medir intensidades de la luz corta extremadamente. cuando se funciona en modo fotoconductor. y photomultiplier tubos. espectroscopia. contribuyen a sensibilidad del receptor óptico. Cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicación óptic estos parámetros a. y los receptores para los mandos a distancia adentro VCRs y televisiones.responsivity El cociente de photocurrent generada a la energía de la luz del incidente. Son también ampliamente utilizados en varios usos médicos. y por lo tanto sea de uso frecuente para comunicaciones ópticas y en la regulación de iluminación. detectores de humos. y la está también una fuente de ruido cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicación óptica. por ejemplo photoconductors. En lugar. El NEP es áspero la energía de entrada perceptible mínima de un fotodiodo. si la alta sensibilidad es necesaria. Usos Los fotodiodos del P-N se utilizan en usos similares a otro fotodetectores. 1/NEP. PERNO diodos sea mucho más rápido y más sensible que los diodos de ensambladura ordinarios del p-n. más linear que los photoconductors. . En otros artículos del consumidor por ejemplo cámara fotográfica fotómetros. fotodiodos de la avalancha. equipo de la visión de la noche y rangefinding del laser. aunque en principio cualquiera podría ser utilizada. y detectivity específico () es el detectivity normalizado al área (a) del fotodetector. o el cociente del número de photogenerated los portadores a fotones del incidente y así a una cantidad unitless. tales como detectores para tomography computado (juntado conscintillators) o instrumentos para analizar muestras (immunoassay). La corriente oscura incluye photocurrent generada por la radiación de fondo y la corriente de la saturación de la ensambladura de semiconductor. Los fotodiodos se utilizan adentro electrónica de consumidor dispositivos por ejemplo disco compacto jugadores. dispositivos acoplados de carga eléctrica. dispositivos acoplados de carga eléctrica intensificados o photomultiplier los tubos se utilizan para los usos por ejemplo astronomía. igual a la corriente del ruido del rms en un 1hertzios anchura de banda.

generalmente refrescados. 3. que reduce el cociente de S/N. El Vr también introduce la corriente del ruido. un PERNO fotodiodo debe ser en polarización negativa reverso (Vr)[la citación necesitó]. 5. Las linearidades excelentes de la corriente de salida en función del incidente se encienden Respuesta espectral a partir del 190 nanómetro a 1100 nanómetro ( silicio). 3. Un fotodiodo del PN es más conveniente para los usos de la luz corta porque permite la operación imparcial. 3. que se puede utilizar como a sensor de posición. y reduce la capacitancia de tal modo que aumenta la anchura de banda. 6.10 comparado a hasta 108 para el photomultiplier) Una sensibilidad total mucho más baja Fotón que cuenta solamente posible con los fotodiodos especialmente diseñados. más de largo longitudes de onda con otromateriales del semiconductor De poco ruido Ruggedized a la tensión mecánica Bajo costo Acuerdo y peso ligero Curso de la vida largo Alto eficacia del quántum. 2. 5.   . 8. El Vr aumenta la región de agotamiento permitiendo un volumen más grande para la producción de par del electrón -agujero.025mmx1m m por cada uno dispuestos como arsenal unidimensional. un diagonal reverso se recomienda para usos más altos de la anchura de banda y/o los usos donde se requiere una gama dinámica ancha. 4. 9. 4. 2. solamente su aumento es típicamente 10 el ² .Comparación con los photomultipliers Ventajas comparadas a photomultipliers: 1. Debido a la capa intrínseca. Área pequeña Ningún aumento interno (excepto fotodiodos de la avalancha. con los circuitos electrónicos especiales El tiempo de reacción para muchos diseña es más lento P-N contra PERNO fotodiodos 1. Una ventaja de los órdenes del fotodiodo (PDAs) es que permiten el paralelo de la velocidad leído hacia fuera puesto que la electrónica que conduce no se puede construir adentro como un sensor tradicional del Cmos o del CCD. 2. 7. Arsenal del fotodiodo Fotodiodos de los centenares o de los millares (hasta 2048) del área sensible típica 0. Por lo tanto. el típicamente 80% Ningún alto voltaje requirió Desventajas comparadas a photomultipliers: 1.

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