FOTODIODO Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN, sensible a la incidencia de la luz visible oinfrarroja.

Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construcción, los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en elánodo y el negativo en el cátodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre decorriente de oscuridad. Principio de Operación Un fotodiodo es una unión PN o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energía llega al diodo, excita un electrón dándole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorción ocurre en la zona de agotamiento de la unión, o a una distancia de difusión de él, estos portadores son retirados de la unión por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Los diodos tienen un sentido normal de circulación de corriente, que se ll ma polarización a directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente eléctrica y prácticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que varía con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de manera inversa. Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la luz. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados al ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. Composicion El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1µm); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 µm ); o de cualquier otro material semiconductor. Material Longitud de onda (nm)

Silicio

190±1100

Germanio

800±1700

Indio galio arsénico (InGaAs) 800±2600

recuperando la información grabada en el surco del Cd transformando la luz del haz láser reflejada en el mismo en impulsos eléctricos para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados. Uso A diferencia del LDR . y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño.  Se usa en los lectores de CD. Diodo detector de luz El fotodiodo se parece mucho a undiodo semiconductor común. así como de fotodiodos más rápidos y sensibles para su uso en telecomunicaciones con fibra óptica. incidente . Antiguamente se fabricaban exposímetros con un fotodiodo de selenio de una superficie amplia. el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad. basado en fotodiodos orgánicos. miniaturización y mejora de los sensores CCD y CMOS. Desde 2005 existen también semiconductores orgánicos. Luz Sentido de la corriente generada Esta corriente eléctrica fluye ensentido opuesto a la flecha del diodo y se llama corriente de fuga. pero estos requieren refrigeración por nitrógeno líquido. Fotodiodo. La empresa NANOIDENT Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar unfotodetector orgánico. pero tiene una característica que lo hace muy especial: es un dispositivo queconduce una cantidad de corriente eléctrica proporcional a la cantidad deluz que lo incide (lo ilumina).  Usados en fibra óptica  Investigacion La investigación a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente en el desarrollo de células solares económicas.sulfuro de plomo <1000-3500 También es posible la fabricación de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarroj s o medios (longitud de onda entre 5 y 20 µm).

Cuando no hay luz incidente. El fotodiodo tiene una peqeña ventana transprente que permite que la luz incida en la unión pn. Sin embargo. la corriente en inversa es casi despreciable y se denomina corriente obscura. Fotodiodo Avalancha El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicación por avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-electrón. la luz que lo incide no tendría efecto sobre él y se comportaría como un diodo semiconductor normal. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Debido a su construcción. con lo que se producirá una cierta circulación de corriente cuando sea excitado por la luz. estrechamente controlada. y puede utilizarse en circuitos con tiempo de respuesta más pequeño. es decir. o sea que sólo funciona en presencia de la luz. Los LED presentan un espectro de emisión más ancho que los láser. de manera que su reacción a la luz sea más evidente. Suelen estar compuestos de silicio. Ancho de Banda Un ancho de banda típico de un LED es de 200 MHz. El fotodiodo es un dispositivo de unión pn que opera con polarización en inversa. Por estas razones. tiene un ancho entre 30 y 50 nm. de manera que por él circule la corriente en el sentido de la flecha (polarizado en sentido directo). Si el fotodiodo quedara conectado. Cuando está polarizado en inversa. un diodo rectificador tiene una corriente de fuga inversa muy pequeña. en ausencia de luz exterior generan una tensión muy pequeña con el positivo en elánodo y el negativo en el cátodo. se obtiene el circuito equivalente de un fototransistor. sensible a la luz visible (longitud de onda de hasta 1µm). colocando el fotodiodo entre el colector y la base del transistor (con el cátodo del diodo apuntado al colector del transistor). Si se combina un fotodiodo con una transistor bipolar. Un LED de 850 nm.El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz. pues convierte la luz en electricidad y esta variación de electricidad es la que se utiliza para informar que hubo un cambio en el nivel de iluminación sobre el fotodiodo. La mayoría de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la cantidad de luz que lo incide. o de cualquier otro material semiconductor. germanio para luz infrarroja(longitud de onda hasta aprox. los fotodiodos se comportan como células fotovoltaicas. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una tensión de alimentación de valor elevado (100-300 v. 1. el equilibrio entre ruido y ganancia es difícil de conseguir y como consecuencia. con rendimientos de 50mW/mA. un fotodiodo difiere de un diodo rectificador en que la corriente en inversa crece con intensidad luminosa en la unión pn. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente. El material empleado en la composición de un fotodiodo es un factor crítico para definir sus propiedades. el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a iluminación y viceversa con mucha más velocidad. lo mismo es cierto para el fotodiodo. el coste es alto. A diferencia del LDR o fotorresistencia. sensible a la incidencia de la luz visible oinfrarroja. . el fotodiodo de avalancha tiene limitadas aplicaciones.8 µm ). Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unión PN. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.).

Esto aumenta la anchura de la capa de agotamiento. estos portadores son barridos de la ensambladura por el campo incorporado de la región de agotamiento. El diodo se polariza hac adelante y ia la ³corriente oscura´ comienza a fluir a través de la ensambladura en la dirección frente al photocurrent. Vea abajo para un dibujo esquemático del lado del ánodo y del cátodo. dependiendo del modo de operación. Contenido y y y y y y y y y 1 Guía de referencia rápida 2 Teoría de operación o 2.2 P-N contra PERNO fotodiodos 6 Arsenal del fotodiodo 7 Vea también 8 Referencias 9 Acoplamientos externos Guía de referencia rápida La mayoría de los fotodiodos parecerán el cuadro a la derecha. es decir. una célula solar es justa un arsenal de fotodiodos grandes del área. que disminuye la ensambladura capacitancia dando por resultado tiempos de reacción más rápidos. similar a a diodo electroluminoso. el flujo de photocurrent del dispositivo es restricto y un voltaje se acumula.1 Modo Photovoltaic o 2. La corriente pasará del ánodo al cátodo. Cuando a fotón de suficientes huelgas de la energía el diodo. . Este modo es responsable de efecto photovoltaic. Muchos diodos diseñaron para el uso específicamente pues un fotodiodo también utilizará a PERNO ensambladuramás bien que el típico Ensambladura del PN.2 Modo fotoconductor o 2. convertir luz en Los fotodiodos son similares a regular semiconductor diodos salvo que pueden o ser expuestos (detectar vacío UV oRadiografías) o empaquetado con una ventana o fibra óptica conexión para permitir que la luz alcance la pieza sensible del dispositivo. Teoría de operación Un fotodiodo es a Ensambladura del PN o PERNO estructura. Modo Photovoltaic Cuando está utilizado en cero diagonal o el modo photovoltaic. y electrones hacia el cátodo. y se produce un photocurrent.3 El otro modo de operación 3 Materiales 4 Características 5 Usos o 5. o alambres. para que es la base células solares. excita un electrón de tal modo que crea un electrón móvil y un agujero positivamente cargado del electrón.1 Comparación con los photomultipliers o 5. Si la absorción ocurre en la región de agotamiento de la ensambladura. mientras que el extremo más largo es ánodo.Fotodiodo A fotodiodo es un tipo de fotodetector capaz de cualquiera actual o voltaje. o una longitud de difusión lejos de ella . Tendrán dos plomos. viniendo del fondo. El diagonal reverso induce solamente una cantidad pequeña de corriente (conocida como corriente de la saturación o de la parte posteriora) a lo largo de su dirección mientras que el photocurrent del restos iguales virtualmente.en hecho. básicamente siguiente la flecha. Modo fotoconductor En este modo el diodo está a menudo (pero no siempre) en polarización negativa reverso. El final más corto de los dos es cátodo. Así los agujeros se mueven hacia el ánodo.

Observe eso aunque los fototransistores tienen un más alto responsivity para la luz no pueden detectar los niveles bajos de la luz mejores que los fotodiodos.) El otro modo de operación Fotodiodos de la avalancha tenga una estructura similar a los fotodiodos regulares. casi cada componente activo es potencialmente un fotodiodo. Materiales El material hacía un fotodiodo es crítico a definir sus característi as.Aunque este modo es más rápido. no trabajarán correctamente si están iluminados. Puesto que los transistores e ICs se hacen de semiconductores. debido a los photocurrents inducidos. los fotodiodos silicio-basados generan menos ruido que los fotodiodos germanio-basados. pero los fotodiodos del germanio se deben utilizar para las longitudes de onda más de largo que aproximadamente 1 µm. Los fototransistores también tienen tiempos de reacción más lentos. Fototransistores también consista en un fotodiodo con aumento interno. que aumenta el eficazresponsivity del dispositivo. así que se colocan en una cubierta opaca. Un fototransistor no es esencialmente nada más que a transistor bipolar encajonar eso en un caso transparente para luz puede alcanzar base-colector ensambladura. En la mayoría de los componentes esto no se desea. el modo photovoltaic tiende para exhibir menos ruido electrónico. éstas pueden todavía causar a muchos ICs al malfuncionamiento debido a las foto-corrientes inducidas. Los materiales de uso general producir los fotodiodos incluyen: Material Gama de longitud de onda (nanómetro) Silicio 190±1100 Germanio 400±1700 Arseniuro de galio del indio 800±2600 Sulfuro del plomo <1000-3500 Debido a su mayor bandgap. Esto permite cada unofotogenerado portador que se multiplicará cerca interrupción de la avalancha. dando por resultado aumento interno dentro del fotodiodo. Características La parametrización para la optimización del tratamiento crítica de un fotodiodo incluye: . pero se funcionan con un diagonal reverso mucho más alto. Muchos componentes. y contienen ensambladuras del P-N.[citación necesitada] (La corriente de la salida de un buen PERNO diodo es tan baja < 1nA que Ruido de Johnson-Nyquist de carga la resistencia en un circuito típico domina a menudo. especialmente ésos sensibles a las corrientes pequeñas. y esta corriente son amplificados por la operación del transistor. porque c solamente fotones con la suficiente energía a excitar electrones a través del material bandgap producirá photocurrents significativos. Los electrones que son generados por los fotones en la ensambladura del base-colector se inyectan en la base. Puesto que las cubiertas no son totalmente opacas a las radiografías o a la otra radiación de la alta energía.

equipo de la visión de la noche y rangefinding del laser. cuando se funciona en modo fotoconductor. y detectivity específico () es el detectivity normalizado al área (a) del fotodetector. detectores de humos. aunque en principio cualquiera podría ser utilizada. El responsivity se puede también expresar como a eficacia del quántum. El NEP es áspero la energía de entrada perceptible mínima de un fotodiodo. si la alta sensibilidad es necesaria. La corriente oscura incluye photocurrent generada por la radiación de fondo y la corriente de la saturación de la ensambladura de semiconductor. contribuyen a sensibilidad del receptor óptico. Los fotodiodos del P-N no se utilizan para medir intensidades de la luz corta extremadamente. expresado típicamente adentro A/W cuando está utilizado en modo fotoconductor. Los fotodiodos se utilizan adentro electrónica de consumidor dispositivos por ejemplo disco compacto jugadores. dispositivos acoplados de carga eléctrica. La corriente oscura se debe explicar cerca calibración si un fotodiodo se utiliza para hacer una medida óptica exacta de la energía. También se utilizan adentro monitores del gas de sangre. energía ruido-equivalente (NEP) la energía óptica de la entrada mínima de generar photocurrent. más linear que los photoconductors. . por ejemplo photoconductors. Usos Los fotodiodos del P-N se utilizan en usos similares a otro fotodetectores. corriente oscura La corriente a través del fotodiodo en ausencia de la luz. En lugar. y por lo tanto sea de uso frecuente para comunicaciones ópticas y en la regulación de iluminación. Cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicación óptic estos parámetros a. PERNO diodos sea mucho más rápido y más sensible que los diodos de ensambladura ordinarios del p-n.responsivity El cociente de photocurrent generada a la energía de la luz del incidente. y photomultiplier tubos. Son también ampliamente utilizados en varios usos médicos. y la está también una fuente de ruido cuando un fotodiodo se utiliza en un sistema de comunicación óptica. . 1/NEP. que es la energía de entrada mínima requirió para el receptor para alcanzar especificada cociente de error de pedacito. dispositivos acoplados de carga eléctrica intensificados o photomultiplier los tubos se utilizan para los usos por ejemplo astronomía. radios de reloj (las que amortiguan la exhibición cuando son oscuros) y luces de calle. espectroscopia. o el cociente del número de photogenerated los portadores a fotones del incidente y así a una cantidad unitless. igual a la corriente del ruido del rms en un 1hertzios anchura de banda. Tienen generalmente una respuesta mejor. y los receptores para los mandos a distancia adentro VCRs y televisiones. fotodiodos de la avalancha. photoconductors son de uso frecuente más bien que los fotodiodos. En otros artículos del consumidor por ejemplo cámara fotográfica fotómetros. Los fotodiodos son de uso frecuente para la medida exacta de la intensidad de luz en ciencia e industria. La característica relacionada detectivity (d) es lo contrario del NEP. tales como detectores para tomography computado (juntado conscintillators) o instrumentos para analizar muestras (immunoassay).

El Vr también introduce la corriente del ruido. con los circuitos electrónicos especiales El tiempo de reacción para muchos diseña es más lento P-N contra PERNO fotodiodos 1. Debido a la capa intrínseca. 4. 9. 2. y reduce la capacitancia de tal modo que aumenta la anchura de banda. el típicamente 80% Ningún alto voltaje requirió Desventajas comparadas a photomultipliers: 1. un diagonal reverso se recomienda para usos más altos de la anchura de banda y/o los usos donde se requiere una gama dinámica ancha. Las linearidades excelentes de la corriente de salida en función del incidente se encienden Respuesta espectral a partir del 190 nanómetro a 1100 nanómetro ( silicio). 3. solamente su aumento es típicamente 10 el ² . 6. 3. 5. Un fotodiodo del PN es más conveniente para los usos de la luz corta porque permite la operación imparcial. 2.Comparación con los photomultipliers Ventajas comparadas a photomultipliers: 1. Por lo tanto. 3.10 comparado a hasta 108 para el photomultiplier) Una sensibilidad total mucho más baja Fotón que cuenta solamente posible con los fotodiodos especialmente diseñados. un PERNO fotodiodo debe ser en polarización negativa reverso (Vr)[la citación necesitó]. 8. que reduce el cociente de S/N. que se puede utilizar como a sensor de posición. generalmente refrescados. 7. 4. Arsenal del fotodiodo Fotodiodos de los centenares o de los millares (hasta 2048) del área sensible típica 0.   . más de largo longitudes de onda con otromateriales del semiconductor De poco ruido Ruggedized a la tensión mecánica Bajo costo Acuerdo y peso ligero Curso de la vida largo Alto eficacia del quántum. 5.025mmx1m m por cada uno dispuestos como arsenal unidimensional. Área pequeña Ningún aumento interno (excepto fotodiodos de la avalancha. Una ventaja de los órdenes del fotodiodo (PDAs) es que permiten el paralelo de la velocidad leído hacia fuera puesto que la electrónica que conduce no se puede construir adentro como un sensor tradicional del Cmos o del CCD. El Vr aumenta la región de agotamiento permitiendo un volumen más grande para la producción de par del electrón -agujero. 2.

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