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BJT

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TRANSISTOR BIPOLAR TRANSISTOR BIPOLAR

• Funcionamiento general
• Estructura, dopados, bandas de energía y potenciales
• Curvas, parámetros relevantes
• Niveles de concentración de portadores
d • Ecuaciones de DC
• Modelo de Ebers-Moll
• Modelo de pequeña señal Modelo de pequeña señal
• Polarización
• Análisis de circuitos
• Aplicaciones
Introducción a la Electrónica
Generalidades Generalidades Generalidades Generalidades
• Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) son componentes de 3
terminales, y representan la extensión natural de los diodos, por el hecho que terminales, y representan la extensión natural de los diodos, por el hecho que
están compuestos por un par de junturas P-N.
• Bipolar → Entran en juego tanto electrones como huecos.
• Existen dos variantes posibles de configuración, llamadas PNP y NPN, en
función de la naturaleza del dopado que tengan.
• A los terminales se los llama “Emisor”, “Base” y “Colector”. A los terminales se los llama Emisor , Base y Colector .
• Constructivamente, el Emisor tiene un dopaje mucho más alto que la Base; y a su
vez la Base también tiene un dopaje mayor que el Colector.
Introducción a la Electrónica
Configuraciones Configuraciones Configuraciones Configuraciones
• Representación esquemática:
• Posibles configuraciones (modelo cuadripolo):
Introducción a la Electrónica
Curvas Curvas Curvas Curvas
• Estos dispositivos presentan curvas
parametrizadas, debido al número de p
corrientes y tensiones presentes.
• Existe una zona llamada de saturación,
una de corte y una activa. y
• Un transistor:
– Está en corte si la juntura BE no está
polarizada. polarizada.
– Está en saturación si la juntura CB
queda polarizada en directa.
– Caso contrario se encuentra trabajando Caso contrario se encuentra trabajando
en la zona activa, siempre que la juntura
BE esté en directa y CB en inversa.
Introducción a la Electrónica
Zonas de trabajo Zonas de trabajo Zonas de trabajo Zonas de trabajo
• Si bien el transistor BJT pareciera ser Si bien el transistor BJT pareciera ser
un dispositivo simétrico (Colector-
Emisor), constructivamente el
Colector tiene una superficie mucho p
mayor que el Emisor. Por este
motivo, si bien es posible el
funcionamiento en inversa, las
características son totalmente
diferentes y la performance en
amplificación es muy pobre.
Introducción a la Electrónica
Electrostática Electrostática Electrostática Electrostática
• En condiciones de equilibrio, sin potenciales
eléctricos externos, se lo puede ver
simplemente como la unión de dos diodos. p
• Los anchos de las zonas de vaciamiento son
diferentes debido a las diferencias de los
dopajes en cada sector Recordar que a mayor dopajes en cada sector. Recordar que a mayor
dopaje, menor es el ancho.
Introducción a la Electrónica
Electrostática Electrostática Electrostática Electrostática
• Para un transistor NPN →
• Volviendo al BJT PNP, si polarizamos la
juntura BE en directa y la CB en inversa
(modo de trabajo en zona activa), los
niveles de energía en el transistor serán →
• La barrera de potencial de la juntura BE p j
disminuye a causa de la polarización
directa, mientras que la de la juntura CB
aumenta por la polarización inversa.
Introducción a la Electrónica
Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento
• La polarización directa de la juntura BE origina
una circulación de corriente por difusión. una circulación de corriente por difusión.
• Los huecos que pasan de Emisor a Base son
acelerados por el campo eléctrico presente en la
d i i CB ll l C l zona de vaciamiento en CB y llegan al Colector.
Asimismo existe una corriente de electrones de
Base a Emisor. Como el dopado de Base es
mucho menor que el de Emisor, la corriente de
electrones será inferior a la de huecos, siendo en
este caso un dispositivo que funciona en base a p q
huecos.
• La Base debe tener un ancho menor a la longitud
de difusión para minimizar la recombinación de difusión para minimizar la recombinación.
Introducción a la Electrónica
Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento
• I
EP
= Corriente de difusión de huecos desde E a B.
• I
CP
= Corriente de difusión de huecos que logra atravesar la B y llega a C. Si la Base está I
CP
Corriente de difusión de huecos que logra atravesar la B y llega a C. Si la Base está
bien diseñada, la recombinación de huecos en esa zona es prácticamente nula → I
EP
≈ I
CP
.
• I
EN
= Corriente de difusión de electrones de B a E (<< I
EP
)
• I = Corriente de s t r ión in ers de ele trones (<< I ) • I
CN
= Corriente de saturación inversa de electrones (<< I
CP
)
• I
B
= Corriente de Base. Muy pequeña, debido a que I
E
≈ I
C
Introducción a la Electrónica
Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes
• Para el caso antes visto de un transistor PNP,
en la configuración Emisor común, la en la configuración Emisor común, la
corriente de salida vendrá dada por I
C
(huecos), mientras que la de entrada será la I
B
(electrones) (electrones).
• En este caso habrá una ganancia de corriente
que vendrá dada por I
C
/I
B
.
• Parámetros de mérito en un transistor:
– Eficiencia del Emisor
Factor de transporte – Factor de transporte
– Ganancia de corriente en Base común
– Ganancia de corriente en Emisor común
Introducción a la Electrónica
Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes
• Eficiencia del Emisor
La relación entre la corriente de huecos que va de E a B (caso PNP) y la de – La relación entre la corriente de huecos que va de E a B (caso PNP) y la de
electrones que viaja de B a E depende de la relación de dopado que exista
entre ambas zonas. Cuanto mayor sea la diferencia, menor será la corriente de
l ( d l I ) electrones (y por ende la I
B
)
– La relación existente entre la corriente de portadores del Emisor y la corriente
total del Emisor se lo conoce como “Eficiencia del Emisor”.
– Cuanto más cercano a 1 sea γ, menor será la I
B
y mayor será la ganancia de
corriente en configuración Emisor común.
Introducción a la Electrónica
Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes
• Factor de transporte de Base
– Los portadores mayoritarios inyectados desde el Emisor a la Base por difusión Los portadores mayoritarios inyectados desde el Emisor a la Base por difusión
se convierten en minoritarios en esa zona. Parte de ellos se recombinan en la
Base y parte llegan a la juntura CB para continuar su trayectoria por el
Colector.
– La relación entre la corriente que llega a la juntura CB y la que ingresa por la
juntura BE se denomina “Factor de transporte de la Base” y viene expresada
por: por:
L i d bi ió d b i d l i I – La corriente de recombinación debe ser provista por parte de la corriente I
B
,
por lo cual cuanto más cercano a 1 sea este factor, menor será la I
B
.
Introducción a la Electrónica
Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes
• Ganancia de corriente en Base común
– En la zona activa de trabajo, la I
C
puede ser representada por: En la zona activa de trabajo, la I
C
puede ser representada por:
l d α
dc
es la ganancia de corriente en Base común.
I
CBO
es la corriente de Colector con I
E
= 0.
Por otro lado:
S bi d Sabiendo que:
Llegamos a: g
Introducción a la Electrónica
Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes Parámetros relevantes
• Ganancia de corriente en Emisor común
En la zona activa de trabajo la I puede ser representada – En la zona activa de trabajo, la I
C
puede ser representada
por:
β
dc
es la ganancia de corriente en Emisor común.
I
CEO
es la corriente de Colector con I
B
= 0.
Con la ecuación , sabiendo que
b obtenemos:
Igualando con la 1º ecuación se llega a →
Como I
CEO
es despreciable, la ganancia de corriente será:
Introducción a la Electrónica
Transistor en zona activa directa Transistor en zona activa directa Transistor en zona activa directa Transistor en zona activa directa
• En la zona de trabajo activa se aplica
un potencial en directa en la juntura
Base-Emisor, e inversa en Base-
Colector.
n
pB
(0) = n
pB
*e
Vbe/UT
(0) *
Vbe/UT
p
nE
(0) = p
nE
*e
Vbe/UT
• Los gradientes de concentración Los gradientes de concentración
generan una densidad de corriente por
difusión, cuyo valor vendrá dado por:
N P N
j = D*q*Δ
n

x
N P N
Introducción a la Electrónica
Funcionamiento activa directa Funcionamiento activa directa Funcionamiento activa directa Funcionamiento activa directa
• Corriente de electrones desde el
Emisor (mayoritarios) a la Base
(minoritarios) (minoritarios).
• Corriente de menor amplitud de
huecos de Base a Emisor.
• Pequeña corriente de huecos entre • Pequeña corriente de huecos entre
Base y Colector (corriente de fuga)
Introducción a la Electrónica
Ecuaciones en zona activa directa Ecuaciones en zona activa directa Ecuaciones en zona activa directa Ecuaciones en zona activa directa
Introducción a la Electrónica
Transistor en zona activa inversa Transistor en zona activa inversa Transistor en zona activa inversa Transistor en zona activa inversa
• En la zona de trabajo inversa se aplica
un potencial en directa en la juntura un potencial en directa en la juntura
Base-Colector, e inversa en Base-
Emisor.
n
pB
(W
B
) = n
pB
*e
Vbc/UT
p
nC
(W
B
) = p
nC
*e
Vbc/UT
p
nC
(
B
) p
nC
• Los gradientes de concentración
generan una densidad de corriente por
difusión, cuyo valor vendrá dado por:
j = D*q*Δ /Δ
N P N
j D q Δ
n

x
N P N
Introducción a la Electrónica
Funcionamiento activa inversa Funcionamiento activa inversa Funcionamiento activa inversa Funcionamiento activa inversa
• Corriente de electrones desde el
Colector (mayoritarios) a la Base
(minoritarios).
• Corriente de menor amplitud de
huecos de Base a Colector.
• Debido a la diferencia de dopados, la
rri nt d B rá m r l d corriente de Base será mayor a la de
Colector (ganancia pobre).
Introducción a la Electrónica
Ecuaciones en zona activa inversa Ecuaciones en zona activa inversa Ecuaciones en zona activa inversa Ecuaciones en zona activa inversa
Introducción a la Electrónica
Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales
Introducción a la Electrónica
Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales
Introducción a la Electrónica
Modelo Modelo Ebers Ebers Moll Moll (NPN) (NPN) Modelo Modelo Ebers Ebers--Moll Moll (NPN) (NPN)
Introducción a la Electrónica
Modelo simplificado Modelo simplificado Ebers Ebers Moll Moll Modelo simplificado Modelo simplificado Ebers Ebers--Moll Moll
P f i i i • Para funcionamiento en zona activa se
desprecia la corriente inversa:
Introducción a la Electrónica
Modelo de pequeña señal Modelo de pequeña señal Modelo de pequeña señal Modelo de pequeña señal
• Modelo Lineal Incremental (MLI).
• Válido en un entorno del punto de operación.
• Útil para cálculos manuales.
• Modelo de parámetros h (híbrido).
• M d l d p á t ( d it i ) • Modelo de parámetros y (admitancia).
• Modelo de parámetros s (scattering).
• Notación:
b
Q
B B
i I i + =
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
• Válido para la zona de trabajo Activa.
P i d l i d l d l i lifi d d Eb M ll • Partimos de las ecuaciones del modelo simplificado de Ebers Moll:
T BE
U v
ES E
e I i
/
÷ =
B F E F C
i i i | o = ÷ =
E
F
B
i i
1
1
+
÷ =
|
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
• Resistencia de entrada:
B
U v
ES B
I e I i
T BE
|
|

|
c c 1
/
T
B
F
ES
BE
Q
BE
B
ie
ie
U v v h
g =
|
|
.

\
+ c
=
c
÷ =
1 |
U U |
C
F T
B
T
ie i
I
U
I
U
h r
|
= = =
• Responde a la inversa de la pendiente de la
curva i
B
vs v
BE
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
• Transferencia Directa:
F
b
c
Q
B
C
fe
i
i
i
i
h | = =
c
c
÷
Q
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
• Conductancia de Salida:
Ef E l C ió ió d i • Efecto Early → Corrección ecuación de i
C
.
|
|
.
|

\
|
+ =
CE
C C
V
v
i i 1 '
|
.

\ A
C C
V
C C
oe o
V
I
v
i
h g =
c
c
÷ =
A
Q
CE
V v c
C
A
o
I
V
h
r = =
1
C oe
I h
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
• Efecto Early
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
• Transferencia Inversa:
C BE C BE BE
I v i v v
h
c c c c
÷
A
C
C
BE
CE
C
C
BE
Q
CE
BE
re
V i v i v
h
c
=
c c
=
c
÷
T BE BE
U v v c c 1
C
T
B
BE
F C
BE
I i i
=
c
=
c |
T C T
U I U
h = =
• Habitualmente se lo desprecia (250μV/V)
A A C
re
V V I
h = =
Introducción a la Electrónica
Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos Modelo de parámetros Híbridos
M d l Híb id b j f i • Modelo Híbrido para bajas frecuencias
• Modelo altas frecuencias. Incorpora capacidades de difusión y de
vaciamiento en las junturas. j
Introducción a la Electrónica
Curvas típicas Curvas típicas Curvas típicas Curvas típicas
Introducción a la Electrónica
M d l Híb id M d l Híb id Modelo Híbrido Modelo Híbrido ππ
T
C
Q
BE
C
m
U
I
v
i
g =
c
c
÷
Transconductancia
Q
ie
h r ÷
H
oe
o
h
r
1
÷
oe
Introducción a la Electrónica
Modelo de alta frecuencia Modelo de alta frecuencia Modelo de alta frecuencia Modelo de alta frecuencia
• Para contar con un modelo de pequeña señal que sea válido también en altas
frecuencias, es necesario agregar las capacidades que surgen a partir de las
j nt r d l tr n i t r f n i n mi nt int rn junturas del transistor y su funcionamiento interno.
• Capacidades inherentes al funcionamiento de un BJT:
– Capacidad de Difusión. p
– Capacidades de Vaciamiento.
Introducción a la Electrónica
Capacidad de Difusión Capacidad de Difusión Capacidad de Difusión Capacidad de Difusión
• Variaciones de tensión directa provocan variaciones en la concentración de
portadores en la Base.
Introducción a la Electrónica
Capacidad de Difusión Capacidad de Difusión Capacidad de Difusión Capacidad de Difusión
• Carga de electrones minoritarios en Base:
• Multiplicando y dividiendo por D
nB
/W
B
se llega a:
• Tiempo de tránsito de Base: Tiempo de tránsito de Base:
Introducción a la Electrónica
Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento
• Variaciones de tensión inversa en la juntura provocan variaciones en el ancho
de la zona de vaciamiento.
• Para la juntura BE en directa tenemos: Para la juntura BE en directa tenemos:
• Capacidad de entrada total del BJT:
Introducción a la Electrónica
Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento
• En la juntura BC la tensión aplicada en zona activa es inversa, por lo cual se
produce un efecto de modulación en el ancho de la zona de vaciamiento.
• En el caso de transistores integrados, debe agregarse la capacidad entre
Colector y Sustrato.
Introducción a la Electrónica
Modelo pequeña señal alta frecuencia Modelo pequeña señal alta frecuencia Modelo pequeña señal alta frecuencia Modelo pequeña señal alta frecuencia
Introducción a la Electrónica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
• Calcular la ganancia de tensión Vo/Vi para el siguiente circuito: • Calcular la ganancia de tensión Vo/Vi para el siguiente circuito:
• Considerar:
I
C
= 1mA
20V
C
β
F
= 200
V
A
= 100V
• S l ió
BC548
10k
Vo
• Solución:
– h
ie
= β
F
*U
T
/I
C
= 5KΩ
– h
fe
= β
F
= 200
BC548
1k


Vi
f
– 1/h
oe
= V
A
/I
C
= 100KΩ
– h
re
= U
T
/V
A
= 250*10
-6
Vo/Vi ≈ 330
Introducción a la Electrónica
Polarización Polarización Polarización Polarización
La polarización de un circuito define el punto de operación del dispositivo
activo. En base a esto quedan determinadas sus características de
funcionamiento y los parámetros del modelo de pequeña señal. y p p q
• Polarización fija
• Polarización con divisor resistivo
• Polarización con resistencia de emisor
• Polarización por realimentación de Colector • Polarización por realimentación de Colector
Introducción a la Electrónica
Análisis gráfico Análisis gráfico Análisis gráfico Análisis gráfico
Introducción a la Electrónica
Análisis gráfico Análisis gráfico Análisis gráfico Análisis gráfico
Introducción a la Electrónica
Polarización fija Polarización fija Polarización fija Polarización fija
• Es simple de realizar, pero trae problemas de estabilidad del punto de trabajo.
Introducción a la Electrónica
Polarización con divisor resistivo Polarización con divisor resistivo Polarización con divisor resistivo Polarización con divisor resistivo
Introducción a la Electrónica
Polarización con resistencia de Emisor Polarización con resistencia de Emisor Polarización con resistencia de Emisor Polarización con resistencia de Emisor
• Muy buena estabilidad térmica y
• Realimentación negativa
Introducción a la Electrónica
Polarización realimentación Colector Polarización realimentación Colector Polarización realimentación Colector Polarización realimentación Colector
• Muy buena estabilidad térmica y
• Realimentación negativa
Introducción a la Electrónica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
• Hallar los puntos de trabajo de ambos BJT. h
FE
= β=100 p j J
FE
β
Introducción a la Electrónica
Configuración Emisor Común Configuración Emisor Común Configuración Emisor Común Configuración Emisor Común
• Alta impedancia de entrada • Alta impedancia de entrada
• Gana en tensión
• Gana en corriente
Introducción a la Electrónica
Configuración Base común Configuración Base común Configuración Base común Configuración Base común
• Gran ancho de banda • Gran ancho de banda.
• Baja impedancia de entrada
• Gana en tensión
• No gana en corriente
Introducción a la Electrónica
Configuración Colector común Configuración Colector común Configuración Colector común Configuración Colector común
• Buen ancho de banda • Buen ancho de banda.
• Alta impedancia de entrada
• Baja impedancia de salida j p
• No gana en tensión
• Gana en corriente
• Seguidor de Emisor
Introducción a la Electrónica
Teorema de Miller Teorema de Miller Teorema de Miller Teorema de Miller
• Un componente dispuesto entre el puerto de entrada y salida puede trabajarse • Un componente dispuesto entre el puerto de entrada y salida puede trabajarse
de la siguiente forma:
• K = ganancia de tensión entre puerto de salida y entrada
Introducción a la Electrónica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
• Resolver el siguiente circuito • Resolver el siguiente circuito
Introducción a la Electrónica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
• Resolver el siguiente circuito: • Resolver el siguiente circuito:
Introducción a la Electrónica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
• Capacitor en Emisor • Capacitor en Emisor
Introducción a la Electrónica
Configuración Configuración Cascode Cascode Configuración Configuración Cascode Cascode
• Alta impedancia de entrada • Alta impedancia de entrada
• Gran ancho de banda
• Alta impedancia de entrada p
• Gana en tensión y corriente
Introducción a la Electrónica
Amplificador clase B Amplificador clase B Amplificador clase B Amplificador clase B
• Se utiliza en etapas de potencia como
ser amplificadores de audio
• Al carecer de polarización presenta
distorsión de cruce por cero distorsión de cruce por cero
• Logra una eficiencia del 78%
Introducción a la Electrónica
Amplificador clase AB Amplificador clase AB Amplificador clase AB Amplificador clase AB
• Se polariza para eliminar la distorsión de cruce por cero
• Disminuye levemente la eficiencia
Introducción a la Electrónica
Aplicaciones Aplicaciones Inversor lógico Inversor lógico Aplicaciones Aplicaciones - - Inversor lógico Inversor lógico
• Utilizado en las primeras familias lógicas para implementar una función • Utilizado en las primeras familias lógicas para implementar una función
NOT
Introducción a la Electrónica
Aplicaciones Aplicaciones Driver de relé Driver de relé Aplicaciones Aplicaciones –– Driver de relé Driver de relé
Introducción a la Electrónica
Fuente de Corriente básica Fuente de Corriente básica Fuente de Corriente básica Fuente de Corriente básica
Introducción a la Electrónica
Fuente de Corriente básica Fuente de Corriente básica Fuente de Corriente básica Fuente de Corriente básica
I id d R I
C
considerando R
0
Variación de I
C2
en función de V
CE2
Resistencia de Salida
Equivalente Thevenin
Introducción a la Electrónica
Fuente de Corriente modificada Fuente de Corriente modificada Fuente de Corriente modificada Fuente de Corriente modificada
Introducción a la Electrónica
Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar
Se utiliza para aplicaciones que requieran
corrientes de polarización de baja intensidad
(del orden de los 5 μA), sin tener que utilizar
resistencias elevadas. Este circuito también resistencias elevadas. Este circuito también
presenta una impedancia de salida mayor.
Va = ∞
Introducción a la Electrónica
Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar
Va = ∞
Se debe iterar para hallar I
C2
en función de I
R
.
Introducción a la Electrónica
Fuente de Corriente Wilson Fuente de Corriente Wilson Fuente de Corriente Wilson Fuente de Corriente Wilson
La fuente de corriente Wilson proporciona
una resistencia de salida grande, como así
también una baja dependencia de la corriente
de salida respecto a β
F
.
VVa = ∞
Introducción a la Electrónica

Generalidades
• Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) son componentes de 3 terminales, y representan la extensión natural de los diodos, por el hecho que están compuestos por un par de junturas P-N. • Bipolar → Entran en juego tanto electrones como huecos. • Existen dos variantes posibles de configuración, llamadas PNP y NPN, en función de la naturaleza del dopado que tengan. • A los terminales se los llama “Emisor”, “Base” y “Colector”. Emisor , Base Colector . • Constructivamente, el Emisor tiene un dopaje mucho más alto que la Base; y a su vez la Base también tiene un dopaje mayor que el Colector.

Introducción a la Electrónica

Configuraciones
• Representación esquemática:

• Posibles configuraciones (modelo cuadripolo):

Introducción a la Electrónica

debido al número de corrientes y tensiones presentes. – Está en saturación si la juntura CB queda polarizada en directa. Introducción a la Electrónica . • Existe una zona llamada de saturación.Curvas • Estos dispositivos presentan curvas p parametrizadas. – Caso contrario se encuentra trabajando en la zona activa. siempre que la juntura BE esté en directa y CB en inversa. una de corte y una activa. • Un transistor: – Está en corte si la juntura BE no está polarizada.

Por este motivo. constructivamente el p Colector tiene una superficie mucho mayor que el Emisor. si bien es posible el funcionamiento en inversa.Zonas de trabajo • Si bien el transistor BJT pareciera ser un dispositivo simétrico (ColectorEmisor). las características son totalmente diferentes y la performance en amplificación es muy pobre. Introducción a la Electrónica .

sin potenciales eléctricos externos. Introducción a la Electrónica . se lo puede ver simplemente como la unión de dos diodos. dopaje.Electrostática • En condiciones de equilibrio. menor es el ancho. p • Los anchos de las zonas de vaciamiento son diferentes debido a las diferencias de los dopajes en cada sector Recordar que a mayor sector.

mientras que la de la juntura CB aumenta por la polarización inversa. si polarizamos la juntura BE en directa y la CB en inversa (modo de trabajo en zona activa). Introducción a la Electrónica .Electrostática • Para un transistor NPN → • Volviendo al BJT PNP. los niveles de energía en el transistor serán → • La barrera de potencial de la j p juntura BE disminuye a causa de la polarización directa.

Como el dopado de Base es mucho menor que el de Emisor. la corriente de electrones será inferior a la de huecos. • Los huecos que pasan de Emisor a Base son acelerados por el campo eléctrico presente en la zona d vaciamiento en CB y llegan al Colector. de i i ll lC l Asimismo existe una corriente de electrones de Base a Emisor. siendo en este caso un dispositivo q funciona en base a p que huecos. recombinación Introducción a la Electrónica . • La Base debe tener un ancho menor a la longitud de difusión para minimizar la recombinación.Funcionamiento • La polarización directa de la juntura BE origina una circulación de corriente por difusión.

Si la Base está bien diseñada. ICP = Corriente de difusión de huecos que logra atravesar la B y llega a C. debido a que IE ≈ IC Introducción a la Electrónica .Funcionamiento • • • • • IEP = Corriente de difusión de huecos desde E a B. Muy pequeña. la recombinación de huecos en esa zona es prácticamente nula → IEP ≈ ICP. IEN = Corriente de difusión de electrones de B a E (<< IEP) ICN = Corriente de saturación inversa de electrones (<< ICP) s t r ión in ers ele trones IB = Corriente de Base.

mientras que la de entrada será la IB (electrones). • Parámetros de mérito en un transistor: – – – – Eficiencia del Emisor Factor de transporte Ganancia de corriente en Base común Ganancia de corriente en Emisor común Introducción a la Electrónica .Parámetros relevantes • Para el caso antes visto de un transistor PNP. (electrones) • En este caso habrá una ganancia de corriente que vendrá dada por IC/IB. la corriente de salida vendrá dada por IC (huecos). en la configuración Emisor común.

Introducción a la Electrónica . – Cuanto más cercano a 1 sea γ. Cuanto mayor sea la diferencia.Parámetros relevantes • Eficiencia del Emisor – La relación entre la corriente de huecos que va de E a B (caso PNP) y la de electrones que viaja de B a E depende de la relación de dopado que exista entre ambas zonas. menor será la corriente de electrones (y por ende la IB) l ( d l – La relación existente entre la corriente de portadores del Emisor y la corriente total del Emisor se lo conoce como “Eficiencia del Emisor”. menor será la IB y mayor será la ganancia de corriente en configuración Emisor común.

Introducción a la Electrónica . – La relación entre la corriente que llega a la juntura CB y la que ingresa por la juntura BE se denomina “Factor de transporte de la Base” y viene expresada por: – L corriente de recombinación d b ser provista por parte d l corriente IB. menor será la IB.Parámetros relevantes • Factor de transporte de Base – Los portadores mayoritarios inyectados desde el Emisor a la Base por difusión se convierten en minoritarios en esa zona. La i d bi ió debe i de la i por lo cual cuanto más cercano a 1 sea este factor. Parte de ellos se recombinan en la Base y parte llegan a la juntura CB para continuar su trayectoria por el Colector.

la d ICBO es la corriente de Colector con IE = 0. la IC puede ser representada por: αdc es l ganancia de corriente en Base común. Por otro lado: Sabiendo S bi d que: Llegamos a: g Introducción a la Electrónica .Parámetros relevantes • Ganancia de corriente en Base común – En la zona activa de trabajo.

sabiendo que obtenemos: b Igualando con la 1º ecuación se llega a → Como ICEO es despreciable.Parámetros relevantes • Ganancia de corriente en Emisor común – En la zona activa de trabajo la IC puede ser representada trabajo. Con la ecuación . ICEO es la corriente de Colector con IB = 0. la ganancia de corriente será: Introducción a la Electrónica . por: βdc es la ganancia de corriente en Emisor común.

cuyo valor vendrá dado por: j = D*q*Δn/Δx N P N Introducción a la Electrónica .Transistor en zona activa directa • En la zona de trabajo activa se aplica un potencial en directa en la juntura Base-Emisor. e inversa en BaseColector. npB(0) = npB*eVbe/UT pnE(0) = pnE* Vbe/UT *e • Los gradientes de concentración generan una densidad de corriente por difusión.

• Pequeña corriente de huecos entre Base y Colector (corriente de fuga) Introducción a la Electrónica .Funcionamiento activa directa • Corriente de electrones desde el Emisor (mayoritarios) a la Base (minoritarios). (minoritarios) • Corriente de menor amplitud de huecos de Base a Emisor.

Ecuaciones en zona activa directa Introducción a la Electrónica .

Transistor en zona activa inversa • En la zona de trabajo inversa se aplica un potencial en directa en la juntura Base-Colector. npB(WB) = npB*eVbc/UT pnC(WB) = pnC*eVbc/UT ( • Los gradientes de concentración generan una densidad de corriente por difusión. cuyo valor vendrá dado por: j = D*q*Δn/Δx D q Δ N P N Introducción a la Electrónica . e inversa en BaseEmisor.

• Debido a la diferencia de dopados.Funcionamiento activa inversa • Corriente de electrones desde el Colector (mayoritarios) a la Base (minoritarios). Introducción a la Electrónica . la corriente d B será m r a l d rri nt de Base rá mayor la de Colector (ganancia pobre). • Corriente de menor amplitud de huecos de Base a Colector.

Ecuaciones en zona activa inversa Introducción a la Electrónica .

Ecuaciones globales Introducción a la Electrónica .

Ecuaciones globales Introducción a la Electrónica .

Modelo Ebers-Moll (NPN) Ebers- Introducción a la Electrónica .

Modelo simplificado Ebers-Moll Ebers• P funcionamiento en zona activa se Para f i i i desprecia la corriente inversa: Introducción a la Electrónica .

Útil para cálculos manuales. Modelo de parámetros (admitancia). Modelo de parámetros h (híbrido). Válido en un entorno del punto de operación. M d l d p á t y ( d it i ) Modelo de parámetros s (scattering).Modelo de pequeña señal • • • • • • Modelo Lineal Incremental (MLI). iB  I B Q  ib Introducción a la Electrónica • Notación: .

Modelo de parámetros Híbridos Introducción a la Electrónica .

• P i Partimos de las ecuaciones del modelo simplificado de Ebers Moll: d l i d l d l i lifi d d Eb M ll iE   I ES e vBE / U T iC   F iE   F iB iB   1 iE F 1 Introducción a la Electrónica .Modelo de parámetros Híbridos • Válido para la zona de trabajo Activa.

Modelo de parámetros Híbridos • Resistencia de entrada: 1 i g ie   B hie vBE   vBE  I ES e vBE / U T    F 1  IB   U T  Q ri  hie  UT UT  F  IB IC • Responde a la inversa de la pendiente de la curva iB vs vBE Introducción a la Electrónica .

Modelo de parámetros Híbridos • Transferencia Directa: h fe  iC iB  Q ic  F ib Introducción a la Electrónica .

Modelo de parámetros Híbridos • Conductancia de Salida: • Ef Efecto Early → C E l Corrección ecuación d iC. ió ió de  vCE i 'C  iC 1   V A      g o  hoe  iC vCE  Q IC VA ro  1 VA  hoe I C Introducción a la Electrónica .

Modelo de parámetros Híbridos • Efecto Early Introducción a la Electrónica .

Modelo de parámetros Híbridos • Transferencia Inversa: hre  vBE vCE  Q vBE iC v I  BE C iC vCE iC VA vBE 1 vBE U T   iC  F iB IC hre  UT IC UT  I C VA VA • Habitualmente se lo desprecia (250μV/V) Introducción a la Electrónica .

Incorpora capacidades de difusión y de vaciamiento en las junturas. j Introducción a la Electrónica .Modelo de parámetros Híbridos • M d l Híb id para b j f Modelo Híbrido bajas frecuencias i • Modelo altas frecuencias.

Curvas típicas Introducción a la Electrónica .

Modelo Híbrido M d l Híb id π iC gm  vBE r  hie Q IC  UT Transconductancia 1 ro  hoe Introducción a la Electrónica .

Modelo de alta frecuencia • Para contar con un modelo de pequeña señal que sea válido también en altas frecuencias. Introducción a la Electrónica . • Capacidades inherentes al funcionamiento de un BJT: – Capacidad de Difusión. es necesario agregar las capacidades que surgen a partir de las junturas del transistor j nt r d l tr n i t r y su f n i n mi nt int rn funcionamiento interno. p – Capacidades de Vaciamiento.

Capacidad de Difusión • Variaciones de tensión directa provocan variaciones en la concentración de portadores en la Base. Introducción a la Electrónica .

Capacidad de Difusión • Carga de electrones minoritarios en Base: • Multiplicando y dividiendo por DnB/WB se llega a: • Tiempo de tránsito de Base: Introducción a la Electrónica .

• Para la juntura BE en directa tenemos: • Capacidad de entrada total del BJT: Introducción a la Electrónica .Capacidades de Vaciamiento • Variaciones de tensión inversa en la juntura provocan variaciones en el ancho de la zona de vaciamiento.

por lo cual se produce un efecto de modulación en el ancho de la zona de vaciamiento. debe agregarse la capacidad entre Colector y Sustrato. • En el caso de transistores integrados. Introducción a la Electrónica .Capacidades de Vaciamiento • En la juntura BC la tensión aplicada en zona activa es inversa.

Modelo pequeña señal alta frecuencia Introducción a la Electrónica .

Ejemplo • Calcular la ganancia de tensión Vo/Vi para el siguiente circuito: • Considerar: 20V IC = 1mA βF = 200 VA = 100V 10k Vo BC548 Vi 1k • S l ió Solución: – – – – hie = βF*UT/IC = 5KΩ hfe = βF = 200 f 1/hoe = VA/IC = 100KΩ hre = UT/VA = 250*10-6 Vo/Vi ≈ 330 Introducción a la Electrónica .

p p q • • • • Polarización fija Polarización con divisor resistivo Polarización con resistencia de emisor Polarización por realimentación de Colector Introducción a la Electrónica . En base a esto quedan determinadas sus características de funcionamiento y los parámetros del modelo de pequeña señal.Polarización La polarización de un circuito define el punto de operación del dispositivo activo.

Análisis gráfico Introducción a la Electrónica .

Análisis gráfico Introducción a la Electrónica .

Polarización fija • Es simple de realizar. pero trae problemas de estabilidad del punto de trabajo. Introducción a la Electrónica .

Polarización con divisor resistivo Introducción a la Electrónica .

Polarización con resistencia de Emisor • Muy buena estabilidad térmica y • Realimentación negativa Introducción a la Electrónica .

Polarización realimentación Colector • Muy buena estabilidad térmica y • Realimentación negativa Introducción a la Electrónica .

hFE = β=100 p j J β Introducción a la Electrónica .Ejemplo • Hallar los puntos de trabajo de ambos BJT.

Configuración Emisor Común • Alta impedancia de entrada • Gana en tensión • Gana en corriente Introducción a la Electrónica .

Configuración Base común • • • • Gran ancho de banda. banda Baja impedancia de entrada Gana en tensión No gana en corriente Introducción a la Electrónica .

Configuración Colector común • • • • • • Buen ancho de banda. banda Alta impedancia de entrada Baja impedancia de salida j p No gana en tensión Gana en corriente Seguidor de Emisor Introducción a la Electrónica .

Teorema de Miller
• Un componente dispuesto entre el puerto de entrada y salida puede trabajarse de la siguiente forma:

• K = ganancia de tensión entre puerto de salida y entrada

Introducción a la Electrónica

Ejemplo
• Resolver el siguiente circuito

Introducción a la Electrónica

Ejemplo
• Resolver el siguiente circuito:

Introducción a la Electrónica

Ejemplo • Capacitor en Emisor Introducción a la Electrónica .

Configuración Cascode • • • • Alta impedancia de entrada Gran ancho de banda Alta impedancia de entrada p Gana en tensión y corriente Introducción a la Electrónica .

Amplificador clase B • Se utiliza en etapas de potencia como ser amplificadores de audio • Al carecer de polarización presenta distorsión de cruce por cero • Logra una eficiencia del 78% Introducción a la Electrónica .

Amplificador clase AB • Se polariza para eliminar la distorsión de cruce por cero • Disminuye levemente la eficiencia Introducción a la Electrónica .

Inversor lógico • Utilizado en las primeras familias lógicas para implementar una función NOT Introducción a la Electrónica .Aplicaciones .

Aplicaciones – Driver de relé Introducción a la Electrónica .

Fuente de Corriente básica Introducción a la Electrónica .

Fuente de Corriente básica IC considerando R0 id d Variación de IC2 en función de VCE2 Resistencia de Salida Equivalente Thevenin Introducción a la Electrónica .

Fuente de Corriente modificada Introducción a la Electrónica .

Este circuito también presenta una impedancia de salida mayor. sin tener que utilizar resistencias elevadas. Va = ∞ Introducción a la Electrónica .Fuente de Corriente Widlar Se utiliza para aplicaciones que requieran corrientes de polarización de baja intensidad (del orden de los 5 μA).

Introducción a la Electrónica Va = ∞ .Fuente de Corriente Widlar Se debe iterar para hallar IC2 en función de IR.

como así también una baja dependencia de la corriente de salida respecto a βF.Fuente de Corriente Wilson La fuente de corriente Wilson proporciona una resistencia de salida grande. Va = ∞ Introducción a la Electrónica .

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/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->