CAB 1 CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS 1.

a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB ≅ 0 b) Halle el rango de valores de β para el que la aproximación anterior es válida (considerando despreciable si 1<<50) c) Calcule el punto de trabajo para β = 35 DATOS: VγE ≅ 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 kΩ; RC = 8 kΩ; RE = 20 kΩ

+VEE

RB1

RE

RB2

RC

2. Suponiendo |VBE| ≅ 0,7 V y β → ∞, calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos

+5V Q10 Q11

+10V Q1 Q3

+10V Q4

R5
1kΩ

R2
2kΩ

R1
10kΩ +5V

R4
1kΩ Q9 Q8 Q7 Q2

R3
1kΩ Q6 Q5

-10V

-10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA según indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulación en la configuración de espejo de corriente mostrada. a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cuál ha de ser +VDD=5V éste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy S S brevemente la respuesta. T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturación. G G D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relación de aspecto, Z/L), calcular las tensiones D VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2). d) ¿Cuál ha de ser la relación de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA? I0=1mA

S T2 D

G

DATOS: Todos los transistores tienen |VT| = 0,7 V y κ ′ = 0,1 mA ⋅ V -2 (κ=κ’Z/L)

Actualizado Octubre 03

VEE R2 RC3 T1 I C1 RC1 O O T2 I C2 T3 C vs Req Amplificador EC vo Fuente Widlar DATOS: β1 = β2 >>1. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por cuatro transistores pnp. VEE = 10 V.025 V IS = 7. T3. VT Q3 Io Vo Q4 IREF R2 5. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua. VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas. de deplexión.6V b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor que IREF.65 kΩ.CAB 2 4. VT = 25 mV. calcule: a) La corriente IREF suponiendo VEB2 ≅ VEB4 ≅ 0. Notar que en estas condiciones la corriente continua a través de la carga RL es nula. para realizar esta polarización se requiere una fuente Widlar con transistores pnp. considerando que para todos los transistores I C ≅ I S exp DATOS: R2 = 4. R1 calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA. c) Las tensiones VEB1. de 50 µA. VDD calcular R1 para que el nivel de continua a la salida sea VO=0 V. ¿cuál es el valor de β del transistor T3?.2 V. b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200. son idénticos y trabajan siempre en saturación. se encuentra en activa. el transistor medido. VEB2. con κ=0. RC1 = 4. a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V.5. Para ello se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base (IB3=IC2) fija. Desprecie las corrientes de base respecto a las demás del circuito. Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita. RC3 = 1 kΩ.10-14A VEE R1 VEE Q1 Q2 VEB . VCEsat=0.7 V ≠VEB2 (en activa). efectivamente. C = 100 µF 6. La fuente de corriente continua es ideal.4 kΩ VEE = 10 V VT = 0. a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T3. mediante un circuito Widlar. vI(t)= AV=vo/vi. VI+ Vi senωt c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idéntico al anterior como se ve en la figura 2.5 mA/V2 y ⎜VT⎜=4 V 2 Figura 1 Figura 2 Actualizado Octubre 03 . Dado que el transistor T3 es de tipo npn. VEB1 = VBE3 = 0. c) Para el valor de β obtenido en b) comprobar que. El circuito de la figura permite medir el parámetro β del transistor T3 a través de la ganancia de tensión en pequeña señal Av=vo/vs. cumpliendo -VDD -VDD I D = κ (VGS − VT ) . b) Calcular entonces la ganancia de pequeña señal. IO=2 mA IO vO(t)= VO+ Vo senωt RL=10 kΩ R2 DATOS: Los transistores FET. Sabiendo que todos los transistores operan en activa.

a) b) c) d) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en función de RE = RE1+RE2 Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. VT = 25 mV. VCC = 10 V. la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. Calcule ahora el valor numérico de IC Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en función de RE1 Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3. Obtenga la relación vo/vi (suponga que el diodo no conduce). IB y VCE). Debido al condensador CE. β = 200 (β >> 1 para todos los cálculos) VBB RE2 CE V SS=15V R G =1M Ω C →∞ G S iD D RD =10kΩ RS =1kΩ 9. RC = 1 kΩ. VBB = 3 V. b) Se aplica una señal vi variable con el tiempo. CE = CC → ∞ VγE ≈ 0. VCE. en función de vin(t) d) ¿Para qué valor instantáneo de la tensión de salida vo(t) de pequeña señal se corta el transistor? Actualizado Octubre 03 . Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensión instantánea en el nodo S. obteniéndose: + vin (t) vS(t) = 14 V + 0. Esto permite un mejor diseño del punto de trabajo y el margen dinámico. La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado por un generador vin(t) de pequeña señal alterna y frecuencia media.9 vin(t) Se le pide: a) Calcular las tensiones que se medirían en los nodos D. En el circuito de la figura: VCC VD + RC RB vi vO=Vo+vo a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC. c) ¿Para qué valor instantáneo de vi se produce la ruptura inversa (Zéner) del diodo? DATOS: VCC = 6 V. RC =2 kΩ. El diodo Zéner puede estar en tres estados posibles: comience el análisis para el caso de que se encuentre en inversa con ⎜VD⎜< VZ (valor absoluto de la tensión de disrupción del diodo). El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor común con resistencia de emisor.2 V. VγE = 0. 8.5 V.6 V.sat ≈ 0.CAB 3 7. β=100. O. ro → ∞.7 V. VZ=3 V. VCEsat=0. C→∞. G y S si O la señal fuera anulada (vin(t) = 0) C→∞ b) Razonar de qué tipo (acumulación o deplexión) es el transistor R L=10k Ω c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la señal presente. RB =70 kΩ. siendo |vce|max la máxima excursión de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura VCC RC vo CC RB vi + RE1 DATOS: RB = 10 kΩ.

025 V Transistor: β = 100. VGG = -10 V.CAB 4 10. R3 = 10 kΩ.7 V. Calcule a continuación el valor mínimo de β para que el error cometido en el cálculo de IC sea menor de 2% y que la precisión en el cálculo de VCE sea mejor que ±0. VγE ≅ 0. RL = 10 kΩ. VA → ∞ RBC 100 kΩ VCC I0 0. VγE = 0. con k = 1 mA⋅V-2.sat ≅ 0. R4 = 0. VA → ∞) NOTA: en este circuito rπ << R3 de forma que rπ || R3 ≅ rπ. VγE ≅ 0. Para el circuito amplificador de la figura: a) Calcule el punto de trabajo (VGS. ro → ∞ VCC RB RC C Ii C Vo RL vi 13. ID. R3= 5. C → ∞. desprecie el efecto Early (ro → ∞. IC. VCC = 12 V BJT: β = 100. Para el circuito de la figura: a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo β → ∞. el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2.025 V. Vt = 0. indicando los valores numéricos de los parámetros del circuito equivalente del transistor c) Calcule la ganancia de tensión Av = vo/vi VGG R1 VDD R3 D G S VO+vo DATOS: C → ∞. Suponer que βRL >> rπ Con este valor de RB: b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE. Ri = vi(t)/ii(t) DATOS: C → ∞.025 V. dando el valor de los parámetros gm y rπ c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias.1 MΩ. R1 = 9.9 kΩ.1V b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensión vo/vs en pequeña señal suponiendo β → ∞ DATOS: Vt = 0. RC = 2.2 V.9 MΩ.7 V. VDS) del transistor. |VT| = 2 V C R2 R4 vi 11. Determine la región de funcionamiento b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal.1 kΩ En saturación. Para el circuito seguidor de emisor (colector común) de la figura: a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 kΩ. IB c) Obtener el margen dinámico (máxima amplitud de la señal senoidal a la salida sin distorsión) DATOS: VCC = 15 V. VDD = 10 V.5 mA vo C→∞ Ri RS 50 Ω RL 1 kΩ C→∞ vs 12. R2 = 0.8 kΩ. Para el amplificador en colector común de la figura. se pide: VCC ii(t) C vi(t) R1 R3 R2 C RE vO(t) a) Calcular la corriente de colector de polarización IC b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal. R1 = R2 = 20 kΩ. aproximación que puede usar si lo juzga conveniente Actualizado Octubre 03 . VT = 0. RE = 2 kΩ.7 V. VCE.

VCE. ro → ∞. La señal alterna vi. los efectos capacitivos en el transistor son despreciables iD vg VCC R log(Z R ) C ω log( ω 0 ) Figura 2 Figura 1 Actualizado Octubre 03 . VCE.sat = VEC. siendo Vg e Id las amplitudes complejas (fasores) de vg e id y sabiendo que VCC .sat ≅ 0 V +VCC RB Rg C→∞ vg RC RB C→∞ RC vo C→∞ RL 16. Se pide: 8R +VCC=12V RC=5kΩ vo TN a) b) c) d) e) f) Calcular el punto de trabajo de los transistores Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal Decir en qué configuración trabaja cada transistor Calcular la ganancia de pequeña señal Av = vo/vi Calcular la impedancia de entrada al amplificador. resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde su drenador c) Ganancia de tensión de pequeña señal vo/vi d) Resistencia de salida en pequeña señal. Considerando que ambos transistores son idénticos y trabajan en saturación. VA → ∞ A la frecuencia de la señal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos TP Ri R -VCC =-12V 17. de pequeña amplitud. VγE = 0. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs en el que Q2 actúa como fuente de corriente. donde ω0 = 1/rπC DATOS: β >> 1.sat ≅ 0 V. |VT| = 1 V. RB = 1. VA → ∞. DATOS: VCC = 15 V. se pide: a) Expresar el valor de rπ/R b) Expresar la relación |Z| = |Vg/Id| de pequeña señal en función de la frecuencia.4kΩ RE =0. Para el circuito de la figura 1.CAB 5 14.7 V. Calcule la ganancia vo/vg y el margen dinámico del amplificador de dos etapas de la figura. VBE(ON) = VEB(ON) = 0.5kΩ DATOS: Para ambos transistores: β = 100.VBE >> kT/e c) Expresar y dibujar aproximadamente en la gráfica de la Figura 2 la función |Z|/R en la región en que se cumple ω0 << ω << βω0. Rg = RL = 1 kΩ. Ro a) DATOS: k = 1 mA⋅V .7 V. es amplificada por el circuito de la figura. Ri Calcular el margen dinámico del amplificador vi R=2. sólo en este apartado) b) En pequeña señal.43 MΩ. RC = 4 kΩ β = 200. se pide: Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensión puerta a fuente VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early. tensión de Early VA = 50 V -2 +VDD D G Q1 S D G Q2 S vi vo Ro -VSS 15.

97 µA ⇒ IC=209 µA. IB <<IB1(= IB2) ⇒ ≥ 50 ⇒ = ≥ 50 ⇒ β ≥ 21. β ≥50. I B = EE RE ( β + 1) a) VE = VEB + VB = VγE + VEE 2 10 − VEB1 − VEB 2 + 10 = I C1 = I C 2 = 1. Al ser VSG1+VSG2=VDD resulta: VSG1 = VSG 2 = d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2. el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p b) Siendo de canal p y de acumulación. R1 Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3.7 V.7 V.3 V. V − VE = 5.72 mA. VC4= VC5=0.5 V 2 I D3 = κ ′ 4 a) b) I D3 Z 1 (VSG 3 − VT )2 ⇒ Z = = ≅ 3.6 = = 2 mA R2 4. 3 a) Si ha de entregar corriente.7 V ⇒ IE=IC= EE = 215 µA. RE RB1 + RB 2 I βVEE βI I b) IB <<IC ⇒ C ≥ 50 ⇒ β ≥ 50. Todas las corrientes de colector son iguales entre sí e iguales a 1.1 L 3 κ ′(VSG 3 − VT )2 0. sat c) Como ambos transistores son iguales (κ1 = κ2) y ID1 = ID2.600 V IS Actualizado Octubre 03 . En ambos transistores VSD = VSG > VSG − VT = VSD . VEC=3.14 V.6Ω ln 1 I0 I0 ⎪ I V EB1 = VT ln 0 ⎪ ⎪ IS ⎭ I c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0. VC7= VC8=-1.03 V c) Ahora no puedo suponer IB <<IC.72 V.86 mA .560 V IS I v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0. VC9= VC10=4. VC2=-9. se tiene que VSG1=VSG2.5V e ID3 = I0 = 1 mA. VC6=3. se tendrá: VDD = 2. IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C La más restrictiva.98 V.86 V.8 2 L3 I REF = VEE − VEB 2 − VEB 4 10 − 0.7k ⎫ ⎪ V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 ⎪ I I 0 R1 = VT ln REF ⎪ I I0 ⎪ V EB 2 = VT ln REF ⎬ VT I REF IS ⎪ R = = 100.7 V .86 mA.5 .3 V. los transistores presentarán VT = VSG (umbral ) = 0. pero sí IB <<I.3 V.86 V. VC3=3. luego VE=5.1 × 1. VEC=4. VC1=9.CAB 6 SOLUCIONES 1 RB 2 V − VE = 5.6 − 0. VC11=1.

4 V < 0. RC1 VEB1 = VEB 2 + I E 2 R2 = VEB 2 + β2 +1 I C 2 R2 ≈ VEB 2 + I C 2 R2 β2 ⎛I R ⎞ ⎛ V − VEB 2 ⎞ I C1 ⎟ = exp⎜ C 2 2 ⎟ ⇒ R2 = 1. b) Circuito equivalente: vi − v o ⎫ RC − βib RC ⎪ RB ⎛ RC βRC ⎞ vo ⎪ ⎛ RC ⎞ + ⎬vo ⎜1 + ⎜ R ⎟ = vi ⎜ R − r ⎟ ⇒ v = −155.84 kΩ ≈ exp⎜ EB1 ⎟ ⎜ V ⎟ ⎜ IC2 VT ⎠ ⎝ T ⎠ ⎝ b) i=0 + vs Req→∞ ib rπ βib RC3 - vo vo = − βRC 3ib ⎫ vo β ⎬ AV = = − RC 3 vs = rπ ib vs rπ ⎭ r 0. I C = βI B . con VCE = 2 V . VG = −V DD . VBE = 0.706 vi v s = g m v gs ( R1 + RL ) c) I D = κ (VGS − VT ) .4 − 156.5 kΩ .6 V .5 kΩ ⇒ β = − AV π = 100 I B3 RC 3 c) I C 3 = βI B 3 = 5 mA.5vi ⇒ vi = −10. VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE . VCE = VEE − I C 3 RC 3 = 5 V > VCEsat 6 Al ser transistores de canal n deplexión.025 rπ = = 0.5 ⎟ ⎜ ⎟ v B ⎠ π ⎠ i ⎝ B ⎪ ⎝ i b rπ vo vi ib = i βib R C ⎪ rπ ⎭ 0. y además vo = −155. sin llegar a ruptura.02 mA. vbe = vi . vce = vo .CAB 7 5 a) I C1 = VEE − VEB1 = 2 mA. pues la otra solución no hace VGS>VT d g vi b) Circuito equivalente: gmvgs ⎫ vo = g m v gs RL s 2 R1 + RL v o - ⎪ vo g m RL ⎬ = ⎪ vi 1 + g m ( R1 + RL ) vi = v gs + v s = v gs (1 + g m ( R1 + RL ))⎭ v Como gm=2κ(VGS-VT)=2 mS ⇒ o = 0.25 kΩ IB c) − VD = vCE − v BE = (VCE + vce ) − (VBE + vbe ). I C = 2 mA Comprobamos transistor en activa: I B > 0. sustituyendo 3 = 1.2 mV RΒ vo = Actualizado Octubre 03 .5vi Cuando − VD = VZ = 3 V se produce la ruptura. VS = −V DD + I D R2 ⇒ R2 = 1 kΩ 2 7 a) Diodo cortado ⇒ ID=0. luego I B = 0.025 donde rπ = = 1.2 Comprobamos diodo cortado: VD = VBE − VCE = −1. VCE = VCC − ( I C + I B ) RC = 2 V > 0. VT=VGsumbral=-4 V 2 a) I RL = 0 ⇒ I R1 = 2 mA = I D = κ (VGS − VT ) = κ (V I − I D R1 − VT ) ⇒ R1 = 2.

o = vce RC + RE1 vce RC + RE1 d) La condición de que el transistor no se sature: vCE = VCE + vce ≥ VCE . sat ⇒ vce Y de que no se corte: max.53 kΩ Actualizado Octubre 03 .CAB 8 8.84 mA RE ≈ BB ⎛ VCC − VCE ⎞ β ⎜1 − ⎜ V −V ⎟ ⎟ BB BE ⎠ ⎝ c) En alterna.76 kΩ ⇒ I C ≈ 2. sat = vce max. las ecuaciones del circuito: Circuito de alterna VBB = I B RB + VBE + (I C + I B )RE VCC = I C RC + VCE + (I C + I B )RE Suponiendo el transistor en activa directa I C = βI B : VBB = IC β (RB + (β + 1)RE ) + VBE ⇒ I C IC =β VCE = VCC − β (βRC + (β + 1)RE ) = VCC − βRC + (β + 1)RE (VBB − VBE ) ≈ VCC − β RC + RE (VBB − VBE ) RB + βRE RB + (β + 1)RE VBB − VBE V − VBE ≈ β BB RB + (β + 1)RE RB + βRE b) Despejando RE de la última fórmula: VCC − VCE RB − βRC V − VBE = 0.corte Como la saturación no limita. saturación =5V = I C (RC + RE1 ) iC = I C + i c ≥ 0 ⇒ i c = − vce ≥ − I C ⇒ vce ≤ I C (RC + RE1 ) ⇒ vce RC + RE1 vce max max. dado que ic = βib >> ib: ⎫ RC + RE1 vo ⎬vce = vc − ve = −(RC + RE1 )ic = ve = RE1 (ic + ib ) ≈ RE1ic ⎭ RC De donde: vo = vc = − RC ic ic v RC 1 =− .23 kΩ Y de aquí R E 2 = R E − RE1 = 0. VCC RC RB RB rπ ib ve v o= v c vi RE1 RE2 + RE1 β ib RC VBB Circuito de continua a) En continua. con RE = RE1 + RE 2 . saturación ≤ VCE − VCE . hay que fijarse en el corte: I C (RC + RE1 ) = vce max ⇒ RE1 = IC − RC = 0.

5vin (t ) + vin (t) i D (t ) = I D + vo (t ) VSS − VS v (t ) v (t ) = + o = 1 mA + o 5 kΩ RD RL RS RD RL Cuando la corriente iD se anula vo(t) = –1 mA 5 kΩ = –5 V 10 VGG R1 VDD R3 D G S Los transistores JFET son de deplexión. VSS RG IG=0 G D RD S RS ID VS ID a) En continua.1 La raíz negativa se ha desechado desde el principio pues llevaría a VGS-VT negativo. Pero además en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0. VG = VSS = 15 V. R4 vi gmvgs S D vo R3 b) En pequeña señal la puerta está a tierra por efecto del condensador C. ro no está presente (es infinita) pues en la expresión de la corriente de drenador no aparece el efecto Early. lo que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V a) Las ecuaciones del circuito de continua son. Con este valor: I D = 1 mA.: VG = VGG VO Por otra parte si el transistor está saturado I D = k (VGS − VT ) que introducido en la primera de las ecuaciones precedentes conduce a: 2 VDD = VDS + I D (R3 + R4 ) R2 = VGS + I D R4 R1 + R2 R2 R4 VG = VGS + kR4 (VGS − VT ) ⇒ VG − VT = VGS − VT + kR4 (VGS − VT ) ⇒ 2 2 ⇒ kR4 (VGS − VT ) + VGS − VT − (VG − VT ) = 0 ⇒ 2 ⇒ VGS − VT = − 1 ± 1 + 4kR4 (VG − VT ) 2kR4 = − 1 + 1 + 4 × 1 × 0.VDS = VDD − I D (R3 + R4 ) = 4 V > 1 V = VGS − VT Así que efectivamente está saturado. Como no hay corriente por RL: VO = 0 V.83 ⎬⇒ vo = − g m R3 v gs = g m R3 v s v i 1 + g m R4 ⎪ ⎭ Actualizado Octubre 03 .9 vin(t) id(t) = -vs(t)/RS ⇒ vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = −v s (t ) d) La corriente total de drenador es: RD RL RS = −4.CAB 9 9. puesto que no hay corriente de puerta. como IG = 0. está conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0. g m = 2k (VGS − VT ) = 2 mΩ -1 G c) g m v gs = g m (v g − v s ) = − g m v s v s = vi + g m R4 v gs = vi − g m R4 v s ⇒ vi = (1 + g m R4 )v s ⎫ vo g m R3 ⎪ = = 9. de canal p. Por tanto ha de ser de deplexión D=O ig=0 G id S id RG RS RD RL c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0.1 × (− 0. incompatible con la suposición de que el transistor conduce.9 + 2) =1V 2 × 1 × 0. Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V O RL b) El transistor. De la medida de VS = 14 V ⇒ ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA.

real Una ecuación de malla para calcular VCE: VCE = V BE + I B R BC > V BE > VCE .y con β arbitrariamente grande: I0 = I B + IC ≈ IC El error cometido en el cálculo de IC: VO RL RBC I C . sast I0 RS El transistor no puede estar saturado. El valor de VCE: VCE = V BE + β R BC ≈ V BE ≈ 0. ib ≅ 0. pero desde luego no implica que ic sea nula: el producto βib está indeterminado Una solución es trabajar con gm que tiene un valor finito: B rπ rπ = Vt I B = β Vt I C → ∞ g m = I C Vt = 20 mΩ -1 Un BJT con una β muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base está en circuito abierto y el generador de corriente está gobernado por la tensión base – emisor. real − I C . real I C . se hacen tender rπ y β a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito.: − g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC ⎫ vs v .7 V Si β es muy grande. puesto que ib = 0. Los elementos del circuito equivalente del transistor: Ri RS vs ib βib=gmvbe E C vo RBC||RL Esto quiere decir que ib es también muy pequeña en alterna. o = = = ≈ 10 ⎬ ⇒ ve = v e = v x + g m R S v be ⎭ vs vs 1 + g m RS v s 1 + g m RS v be Ri = − = 1 g m = 50 Ω − g m v be Otra solución es trabajar con ib.02 ⇒ β ≥ 50 β IC I C .CAB 10 11. Por ejemplo: vs v e = −ib rπ = v s + R S (β + 1)ib ⇒ ib = − rπ + (β + 1)R S g m v be = − g m v e β R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC v o − β R L R BC ib = = = → = ≈ 10 vs vs rπ + (β + 1)R S rπ β + (1 + 1 β )R S rπ β + R S 1 g m + R S 12. Entonces. Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0. en continua y activa directa.1 b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a tierra y RBC en paralelo con RL. Al final. aprox ∆I C − IB 1 = = = ≤ 0.1 V (que es más o menos la precisión que se tiene en VBE y por tanto no merece la pena afinar más): ∆VCE = I 0 R BC β < 0. VCC I0 a) En el colector del transistor.5 × 100 = = 500 0.1 V ⇒ β > I 0 R BC 0. a) El circuito equivalente de pequeña señal queda: Ii Vi RB rπ Ib βIb RL de donde Ri = vi = RB (rπ + ( β + 1) RL ) ≅ RB βRL con lo que RB = 1 MΩ ii Actualizado Octubre 03 .1 V 0. rπ y β normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las fórmulas. La fuente ideal de corriente continua es un circuito abierto.

RY = RE||R1||R2 ≅ 1.85 − 0.2 = 5.sat ⇒ v o ≤ VCE − VCE .67 kΩ v i = v be + v o ⎫ ⎪ v be = ii R X ⎬v i = ii (R X + (1 + g m R X )RY ) ⇒ Ri = R X + (1 + g m R X )RY ≅ 148 kΩ v o = (1 + g m R X )RY ii ⎪ ⎭ O bien.65 Vp (11.8 ≅ 5.15 µA. del circuito que polariza la base b) El circuito de pequeña señal queda: ii(t) vi(t) vbe rπ||R3 gmvbe= =βib vo(t) RE||R1 ||R2 Donde gm = IC/Vt = 95.715 ⋅ 12.15 V Margen a la saturación: v CE = VCE + v ce = VCE − v o ≥ VCE . rπ = β/gm ≅ 1 kΩ c) Llamando RX = rπ||R3 ≅ 0.3 Vpp) 13.5 mΩ-1.715 mA R B + (β + 1)R L 2000 β +1 R L ) ≅ 15 − 0. sat β I C R L (β + 1) iC = I C + i c = I C + v o RL (β + 1)RL β ≥ 0 ⇒ vo ≥ − β ≅ − I C R L = −7. VCE = VCC − I C ( RC + c) Margen al corte: VCC − V BE 143 ≅ = 0.sat = 5. respectivamente. se tendrá que ii ≅ ib.4 mA R B + (β + 1)R E R2 RR = 6 V y R B = R3 + 1 2 = 20 kΩ son la tensión y la resistencia R1 + R2 R1 + R2 IC = β equivalentes de Thévenin.65 V Las relaciones entre las magnitudes de pequeña señal se obtienen del circuito equivalente (apartado a)) Luego la máxima amplitud de la señal de salida simétrica es 5. dado que rπ || R3 ≅ rπ.CAB 11 VCC RB RC b) En continua: VCC = I B R B + V BE + (β + 1)I B R L ⇒ I C = βI B = β I B = 7. Por tanto: v i = ib rπ + v o ⎫ ⎬v i = ib (rπ + (1 + β )RY ) ⇒ Ri ≅ rπ + (1 + β )RY ≅ 170 kΩ v o ≅ (1 + β )RY ib ⎭ Actualizado Octubre 03 .85 V > VCE .91 kΩ. VCC a) Para el circuito de continua se puede utilizar la expresión habitual: R1 R3 R2 RE Donde V BB = VCC V BB − V BE ≅ 2.

como afirma el enunciado. : I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = kVT = 1 mA 2 2 Como Q1 está también saturado. ro ≅ VA/ID = 50 kΩ. I C = βI B = 2 mA. a) Los transistores JFET son de deplexión. con rπ = Vt/IB = 2. Con los transistores en activa directa: IB = VCC − VBE = 10 µA. La ecuación de la corriente de drenador para Q2. su corriente es: I D1 = k (VGS 1 − VT ) 2 Puesto que el nudo de salida está abierto. es.VCE = VCC − I C RC = 7 V > VCE.sat RB RG ib1 RB rπ ic1 vce1 RC RB ib2 rπ ic2 vo≡ vce2 RC RL En pequeña señal. Sin embargo. b) Los dos transistores son iguales y están polarizados con la misma corriente de drenador. La polarización es la misma en las dos etapas.98 D1≡D2 ≡G2 d) La resistencia de salida es la relación entre la tensión aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes de señal anuladas: G1 ix gmvgs1 ro Req S1≡ S2 + vx v gs1 = v g1 − vs1 = −v x ix = − g m v gs1 + vx v v = g m v x + x ⇒ Ro = x = 1 g m ro Req = 490 Ω ro Req ro Req ix D1≡D2 ≡G2 15. que tiene puerta y fuente cortocircuitados. con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente. : G1 S1≡ S2 vo v gs1 = v g1 − vs1 = vi − vo vi gmvgs1 ro Req vo = g m v gs1 ro Req = g m ro Req (vi − vo ) ⇒ vo = g m ro Req 1 + g m ro Req = 0.5 kΩ: vg βib1 βib2 Actualizado Octubre 03 . en saturación e ignorando el efecto Early. se tiene 2 2 I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = k (VGS 1 − VT ) = I D1 ⇒ VGS 1 = VGS 2 = 0 Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO ⇒ VO = 0 Nótese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentación: sería preciso conocerlas para calcular el valor de VDS y verificarla saturación de los transistores y la coherencia de los resultados.CAB 12 14. la tensión umbral ha de ser negativa VT = -1 V. véase además que VGS2 = 0: si conduce. El circuito equivalente de la fuente es: Y se pide Req = vx/ix: i x D + ro S≡G gmvgs Req = vx vx = ix vx g m v gs + vx ro = (v gs = 0) = ro ≈ 50 kΩ - c) El circuito equivalente de pequeña señal. y por tanto los parámetros de su circuito equivalente de pequeña señal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 mΩ-1. el enunciado asegura la saturación y no se pide la comprobación.

las corrientes de colector son iguales. donde rπN = rπP ≡ rπ = kT/e β/IC = 1. así que es lógico que el margen dinámico no venga limitado. y TN en base común d) En los nodos de emisor: (β+1)ibN = -(β+1)ibP ⇒ ibN = -ibP Actualizado Octubre 03 . ni mucho menos.sat ⇒ vce1 ≥ −VCE + VCE . Y para verificar el funcionamiento en modo activo directo: VCEN = VCC − I C RC − (VCC − 8 RI X − VBE ( ON ) ) = 9.CAB 13 ib1 = rπ RB R G + rπ RB rπ vg − βib 2 RC RL − βib1 rπ RC RB − β RC RL − β rπ RC vo v v = o ce1 = = −40 × −40. si están ambos en activa directa y dada la igualdad de las βs y la ausencia del efecto Early. Como la segunda etapa tiene mucha ganancia variaciones de tensión muy grandes a la salida corresponden a variaciones de tensión mucho más pequeñas a la salida de la primera etapa.714 = −58.25 kΩ. lo que justifica la aproximación anterior.1 V -VCC b) En pequeña señal el circuito equivalente es el siguiente. este razonamiento es válido tanto en continua como en alterna) La caída de tensión a lo largo del divisor resistivo: 2VCC = R(10 I X − I C β ) ≅ 10 RI X ⇒ I X ≅ 2VCC / 10 R = 1 mA Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX. 16.8 × 2 × 0.3 V vce1 rπ RC RB Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia.9 V VECP = −VCC + RI X + VEB ( ON ) − (− VCC ) = 3. lo que puede validarse a posteriori. El primer transistor no se satura: vCE1 = VCE + vce1 ≥ VCE . por ésta.sat = −7 V Luego el margen dinámico está limitado por el corte del segundo transistor y vale 1 Vp. a) +VCC IX 8R IC/β TN IX-IC/β RE (1+1/ β)IC RC I C La corriente de emisor de los transistores es la misma. Observando la diferencia de tensión entre las bases de los dos transistores: R IC/β RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 β )RE I C ⇒ I C ≅ RI X − 2VBE ( ON ) RE = 2 mA TP IX R IC/β = 0.sat ⇒ vo ≤ El segundo transistor no se corta: vo (− VCE + VCE .sat ⇒ vce 2 = vo ≥ −VCE + VCE .6 V vce1 iC 2 = I C + ic 2 = I C − vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC RL = 2 × 0.5 = 1 V RC RL El segundo transistor no se satura: vCE 2 = VCE + vce 2 ≥ VCE . IC (por cierto.sat ) = −40. Notar que la desigualdad cambia de sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo.8 × −7 = 285.6 rπ RB ≈ rπ R G + rπ v g vce1 vg ib 2 rπ ib1rπ (R G + rπ RB ) Para calcular el margen dinámico se examina cuánto ha de valer vo para que ningún transistor se corte ni se sature: El primer transistor no se corta: iC1 = I C + ic1 = I C − vce1 v ≥ 0 ⇒ vce1 ≤ I C rπ RC RB ⇒ vo ≥ o I C rπ RC RB = −40. TP B ibP rπP R/2 βibP E RE ibN βibN E TN C vi rπN B RC vo C c) TP trabaja en colector común.02 mA << 1 mA = IX.8 = 1632.

9 Vp 17. limitado por la saturación de TN.9 V ⎛ rπ rπ ⎞⎬ ⇒ vo ≥ rπ ⎟⎪ = −icn RC + icn = vo ⎜1 − ⎜ βR ⎟ 1− β C ⎠⎭ ⎝ βRC Y la de TP: ⎫ ⎪ − r β + (1 + 1 β )RE R ⎬⇒ ≅ − vo E ⎪ vecp = −ibn rπ + iep RE = icn (− rπ β + (1 + 1 β )RE ) = −vo π RC ⎭ RC R R ⇒ −vo E ≥ −VECP + VEC . ID VCC R IB v ECP = VECP + vecp ≥ VEC .5 vi ibP (rπP + (β + 1)R E ) − rπN ibN (β + 1)R E + 2rπ 52. que en los ejes pedidos es una recta: β log( Z R ) 0 Z =R Z =R β ω ω0 = 1 0 ω ω0 = β + 1 log(ω ω 0 ) Actualizado Octubre 03 .2 kΩ 2 2 f) El corte de los dos transistores sería simultáneo por la igualdad de las corrientes de colector: iCN = iCP = I C + ic = I C − vCEN = VCEN + vcen ≥ VCE .5 kΩ = Ri = vi vi + ibP R2 vi vi − ibN R2 = = vi vi v + o R 2 βRC = 1 A 1 + v R 2 βRC = 1 1 1 + R 2 (β + 1)RE + 2rπ = R ((β + 1)RE + 2rπ ) ≅ R = 1.CAB 14 Av = e) vo βRC − βRC ibN 500 kΩ = = = = 9.sat ⎪ ≅ −VCEN = −9.sat vcen vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC = 10 V RC La no-saturación de TN impone: ⎫ − VCEN + VCE .sat a) En continua: IB = VCC − V BE r kT e kT e ⇒ π = = R R RI B VCC − VBE b) En alterna: Id Vg R Ib rπ C Z= Vg Id = I b rπ + R(I b + I b jωCrπ ) rπ + R(1 + jωCrπ ) = ≅ βI b + I b + I b jωCrπ β + 1 + jωCrπ βIb ⎛ rπ << R ⎞ 1 + jωCrπ 1 + jω ω0 ≅⎜ ⎜ β >> 1 ⎟ ≅ R β + jωCr = R β + j ω ω ⎟ ⎝ ⎠ π 0 Y tomando el módulo Z = R β 2 + (ω ω 0 ) 1 + (ω ω 0 ) 2 2 c) En la región de interés ω/ω0 es despreciable frente a β y 1 frente a ω/ω0: Z ≅R ω ω0 ⇒ log( Z R ) ≅ log(ω ω 0 ) − log β . es 9.sat ⇒ vo ≥ C (VECP − VEC .sat ) ≅ 31 V RE RC Luego el margen dinámico.