CAB 1 CIRCUITOS AMPLIFICADORES BÁSICOS 1.

a) Calcule el punto de trabajo (IC, VEC) del transistor del circuito suponiendo IB ≅ 0 b) Halle el rango de valores de β para el que la aproximación anterior es válida (considerando despreciable si 1<<50) c) Calcule el punto de trabajo para β = 35 DATOS: VγE ≅ 0,7 V; VEE = 10 V; RB1 = RB2 = 10 kΩ; RC = 8 kΩ; RE = 20 kΩ

+VEE

RB1

RE

RB2

RC

2. Suponiendo |VBE| ≅ 0,7 V y β → ∞, calcule la corriente que circula por todas las ramas del circuito y el voltaje en todos los nodos

+5V Q10 Q11

+10V Q1 Q3

+10V Q4

R5
1kΩ

R2
2kΩ

R1
10kΩ +5V

R4
1kΩ Q9 Q8 Q7 Q2

R3
1kΩ Q6 Q5

-10V

-10V

3. Se quiere construir una fuente de corriente continua que suministre una corriente I0 = 1 mA según indica la figura. Para ello se utilizan MOSFETs de acumulación en la configuración de espejo de corriente mostrada. a) Si todos los transistores del circuito son del mismo tipo, indicar cuál ha de ser +VDD=5V éste (canal n o canal p) para que la fuente funcione correctamente. Justifique muy S S brevemente la respuesta. T1 T3 b) Demostrar que T1 y T2 trabajan en saturación. G G D c) Si T1 y T2 son iguales (misma relación de aspecto, Z/L), calcular las tensiones D VGS de ambos transistores (VGS1 y VGS2). d) ¿Cuál ha de ser la relación de aspecto Z/L de T3 para que I0 = 1 mA? I0=1mA

S T2 D

G

DATOS: Todos los transistores tienen |VT| = 0,7 V y κ ′ = 0,1 mA ⋅ V -2 (κ=κ’Z/L)

Actualizado Octubre 03

VEB3 y VEB4 con tres cifras significativas. considerando que para todos los transistores I C ≅ I S exp DATOS: R2 = 4. VT Q3 Io Vo Q4 IREF R2 5. mediante un circuito Widlar. La fuente de corriente continua es ideal. son idénticos y trabajan siempre en saturación. cumpliendo -VDD -VDD I D = κ (VGS − VT ) . efectivamente. Sabiendo que todos los transistores operan en activa. Desprecie las corrientes de base respecto a las demás del circuito. c) Para el valor de β obtenido en b) comprobar que. VEB2. ¿cuál es el valor de β del transistor T3?.65 kΩ.7 V ≠VEB2 (en activa). de 50 µA.CAB 2 4. calcule: a) La corriente IREF suponiendo VEB2 ≅ VEB4 ≅ 0. Notar que en estas condiciones la corriente continua a través de la carga RL es nula.4 kΩ VEE = 10 V VT = 0. a) Si el nivel de continua a la entrada es VI=3 V. VEB1 = VBE3 = 0. se encuentra en activa. Para ello se polariza un circuito en emisor común con una corriente de base (IB3=IC2) fija. El circuito de la figura permite medir el parámetro β del transistor T3 a través de la ganancia de tensión en pequeña señal Av=vo/vs. vI(t)= AV=vo/vi. RC1 = 4. RC3 = 1 kΩ. para realizar esta polarización se requiere una fuente Widlar con transistores pnp.025 V IS = 7.6V b) El valor de la resistencia R1 para que la corriente I0 sea 5 veces menor que IREF. VEE = 10 V.5. El circuito de la figura 1 muestra un desplazador de nivel de continua. a) Calcular la corriente IC1 y la resistencia R2 para obtener esa corriente de base en T3. El circuito de la figura muestra una fuente de corriente compuesta por cuatro transistores pnp. b) Si la ganancia medida a frecuencias medias vale Av=vo/vs=-200.5 mA/V2 y ⎜VT⎜=4 V 2 Figura 1 Figura 2 Actualizado Octubre 03 . R1 calcular R2 para tener la corriente I0=2 mA. T3. IO=2 mA IO vO(t)= VO+ Vo senωt RL=10 kΩ R2 DATOS: Los transistores FET. de deplexión. Suponga en este apartado que el transistor T3 se encuentra en activa y que la resistencia equivalente en pequeña señal de la fuente Widlar vista entre los terminales BE de T3 es infinita.10-14A VEE R1 VEE Q1 Q2 VEB .2 V. VDD calcular R1 para que el nivel de continua a la salida sea VO=0 V. el transistor medido. VI+ Vi senωt c) Si la fuente de corriente se realiza con otro FET idéntico al anterior como se ve en la figura 2. Dado que el transistor T3 es de tipo npn. b) Calcular entonces la ganancia de pequeña señal. VEE R2 RC3 T1 I C1 RC1 O O T2 I C2 T3 C vs Req Amplificador EC vo Fuente Widlar DATOS: β1 = β2 >>1. c) Las tensiones VEB1. VT = 25 mV. con κ=0. VCEsat=0. C = 100 µF 6.

El diodo Zéner puede estar en tres estados posibles: comience el análisis para el caso de que se encuentre en inversa con ⎜VD⎜< VZ (valor absoluto de la tensión de disrupción del diodo). Debido al condensador CE.CAB 3 7. CE = CC → ∞ VγE ≈ 0. IB y VCE). La figura muestra un amplificador con MOSFET de canal p atacado por un generador vin(t) de pequeña señal alterna y frecuencia media. a) b) c) d) Calcule el punto de trabajo (IC y VCE) en función de RE = RE1+RE2 Determine el valor de RE para que VCE = 5 V. obteniéndose: + vin (t) vS(t) = 14 V + 0. RC =2 kΩ. El circuito de la figura muestra un amplificador en emisor común con resistencia de emisor. Con el transistor saturado (activa) se ha medido la tensión instantánea en el nodo S. G y S si O la señal fuera anulada (vin(t) = 0) C→∞ b) Razonar de qué tipo (acumulación o deplexión) es el transistor R L=10k Ω c) Calcular las tensiones alternas en los mismos nodos con la señal presente. Obtenga la relación vo/vi (suponga que el diodo no conduce). β = 200 (β >> 1 para todos los cálculos) VBB RE2 CE V SS=15V R G =1M Ω C →∞ G S iD D RD =10kΩ RS =1kΩ 9. C→∞. VCEsat=0. 8. c) ¿Para qué valor instantáneo de vi se produce la ruptura inversa (Zéner) del diodo? DATOS: VCC = 6 V. VγE = 0. ro → ∞.9 vin(t) Se le pide: a) Calcular las tensiones que se medirían en los nodos D. VCE.sat ≈ 0.6 V. en función de vin(t) d) ¿Para qué valor instantáneo de la tensión de salida vo(t) de pequeña señal se corta el transistor? Actualizado Octubre 03 . Esto permite un mejor diseño del punto de trabajo y el margen dinámico. VBB = 3 V. O. RC = 1 kΩ. siendo |vce|max la máxima excursión de vCE en torno al punto de trabajo tal que el transistor ni se corta ni se satura VCC RC vo CC RB vi + RE1 DATOS: RB = 10 kΩ. VZ=3 V. Calcule ahora el valor numérico de IC Calcule en alterna las relaciones ic/vce y vo/vce en función de RE1 Determine el valor de RE1 para que |vce|max = 3.7 V.5 V. b) Se aplica una señal vi variable con el tiempo. VCC = 10 V.2 V. β=100. la resistencia de emisor es diferente para el circuito de continua y para el circuito de alterna. En el circuito de la figura: VCC VD + RC RB vi vO=Vo+vo a) Encuentre el punto de trabajo del transistor (IC. VT = 25 mV. RB =70 kΩ.

7 V. |VT| = 2 V C R2 R4 vi 11.7 V. C → ∞. R4 = 0. R1 = R2 = 20 kΩ. desprecie el efecto Early (ro → ∞.5 mA vo C→∞ Ri RS 50 Ω RL 1 kΩ C→∞ vs 12.1V b) Calcule la resistencia de entrada Ri y la ganancia de tensión vo/vs en pequeña señal suponiendo β → ∞ DATOS: Vt = 0. indicando los valores numéricos de los parámetros del circuito equivalente del transistor c) Calcule la ganancia de tensión Av = vo/vi VGG R1 VDD R3 D G S VO+vo DATOS: C → ∞. VDD = 10 V.1 kΩ En saturación. el transistor JFET obedece la ecuacion iD = k (vGS-VT)2.2 V.7 V. se pide: VCC ii(t) C vi(t) R1 R3 R2 C RE vO(t) a) Calcular la corriente de colector de polarización IC b) Dibujar el circuito equivalente de pequeña señal. IB c) Obtener el margen dinámico (máxima amplitud de la señal senoidal a la salida sin distorsión) DATOS: VCC = 15 V. Para el circuito seguidor de emisor (colector común) de la figura: a) Calcular RB para que la impedancia de entrada Ri = vi/ii = 500 kΩ.1 MΩ. aproximación que puede usar si lo juzga conveniente Actualizado Octubre 03 . VCE. VGG = -10 V.9 MΩ. VγE = 0. con k = 1 mA⋅V-2. Suponer que βRL >> rπ Con este valor de RB: b) Determinar el punto de trabajo del transistor VCE. IC. R3= 5. RC = 2.9 kΩ.025 V.8 kΩ. Para el circuito amplificador de la figura: a) Calcule el punto de trabajo (VGS. R1 = 9. R2 = 0. VA → ∞) NOTA: en este circuito rπ << R3 de forma que rπ || R3 ≅ rπ. RE = 2 kΩ. RL = 10 kΩ.025 V Transistor: β = 100. VT = 0. VA → ∞ RBC 100 kΩ VCC I0 0. dando el valor de los parámetros gm y rπ c) Calcular la resistencia de entrada que ofrece el circuito a frecuencias medias.025 V. Para el amplificador en colector común de la figura. ID. ro → ∞ VCC RB RC C Ii C Vo RL vi 13. Vt = 0. Para el circuito de la figura: a) Calcule los valores de continua de IC y VCE suponiendo β → ∞. R3 = 10 kΩ. Calcule a continuación el valor mínimo de β para que el error cometido en el cálculo de IC sea menor de 2% y que la precisión en el cálculo de VCE sea mejor que ±0.sat ≅ 0. VCC = 12 V BJT: β = 100.CAB 4 10. VDS) del transistor. Ri = vi(t)/ii(t) DATOS: C → ∞. Determine la región de funcionamiento b) Dibuje el circuito equivalente de pequeña señal. VγE ≅ 0. VγE ≅ 0.

resistencia equivalente de la fuente de corriente Q2 vista desde su drenador c) Ganancia de tensión de pequeña señal vo/vi d) Resistencia de salida en pequeña señal.7 V. tensión de Early VA = 50 V -2 +VDD D G Q1 S D G Q2 S vi vo Ro -VSS 15. RB = 1. VCE. Se pide: 8R +VCC=12V RC=5kΩ vo TN a) b) c) d) e) f) Calcular el punto de trabajo de los transistores Dibujar el circuito equivalente para alterna y pequeña señal Decir en qué configuración trabaja cada transistor Calcular la ganancia de pequeña señal Av = vo/vi Calcular la impedancia de entrada al amplificador.sat = VEC. Rg = RL = 1 kΩ.VBE >> kT/e c) Expresar y dibujar aproximadamente en la gráfica de la Figura 2 la función |Z|/R en la región en que se cumple ω0 << ω << βω0. Calcule la ganancia vo/vg y el margen dinámico del amplificador de dos etapas de la figura. Considerando que ambos transistores son idénticos y trabajan en saturación. Ro a) DATOS: k = 1 mA⋅V . VA → ∞.5kΩ DATOS: Para ambos transistores: β = 100. se pide: Valor de continua de la corriente de drenador ID2 y de la tensión puerta a fuente VGS de cada uno de los transistores (ignore el efecto Early. La señal alterna vi. El circuito de la figura es un amplificador seguidor de fuente realizado con JFETs en el que Q2 actúa como fuente de corriente. VA → ∞ A la frecuencia de la señal los condensadores pueden tratarse como cortocircuitos TP Ri R -VCC =-12V 17. Para el circuito de la figura 1. se pide: a) Expresar el valor de rπ/R b) Expresar la relación |Z| = |Vg/Id| de pequeña señal en función de la frecuencia.43 MΩ.7 V. donde ω0 = 1/rπC DATOS: β >> 1. los efectos capacitivos en el transistor son despreciables iD vg VCC R log(Z R ) C ω log( ω 0 ) Figura 2 Figura 1 Actualizado Octubre 03 . DATOS: VCC = 15 V.CAB 5 14. ro → ∞.sat ≅ 0 V +VCC RB Rg C→∞ vg RC RB C→∞ RC vo C→∞ RL 16. VBE(ON) = VEB(ON) = 0. VγE = 0. siendo Vg e Id las amplitudes complejas (fasores) de vg e id y sabiendo que VCC .sat ≅ 0 V.4kΩ RE =0. de pequeña amplitud. es amplificada por el circuito de la figura. sólo en este apartado) b) En pequeña señal. Ri Calcular el margen dinámico del amplificador vi R=2. RC = 4 kΩ β = 200.VCE. |VT| = 1 V.

5 V 2 I D3 = κ ′ 4 a) b) I D3 Z 1 (VSG 3 − VT )2 ⇒ Z = = ≅ 3. Todas las corrientes de colector son iguales entre sí e iguales a 1. VC3=3.6 − 0.8 2 L3 I REF = VEE − VEB 2 − VEB 4 10 − 0.6 = = 2 mA R2 4.97 µA ⇒ IC=209 µA.98 V.86 V. V − VE = 5.03 V c) Ahora no puedo suponer IB <<IC.7 V ⇒ IE=IC= EE = 215 µA.5V e ID3 = I0 = 1 mA. luego VE=5. se tendrá: VDD = 2. VC11=1.7 V. Al ser VSG1+VSG2=VDD resulta: VSG1 = VSG 2 = d) Puesto que VSG3 = VSG1 =2.1 L 3 κ ′(VSG 3 − VT )2 0.1 × 1.7k ⎫ ⎪ V EB 2 = VEB1 + I 0 R1 ⎪ I I 0 R1 = VT ln REF ⎪ I I0 ⎪ V EB 2 = VT ln REF ⎬ VT I REF IS ⎪ R = = 100.5 . IB IB I C (RB1 + RB 2 )I C La más restrictiva. 3 a) Si ha de entregar corriente. VEC=3. VC6=3.3 V. los transistores presentarán VT = VSG (umbral ) = 0.7 V. VEC=4. VC2=-9.6Ω ln 1 I0 I0 ⎪ I V EB1 = VT ln 0 ⎪ ⎪ IS ⎭ I c) v EB1 = v EB 3 = VT ln 0 = 0. VC4= VC5=0.86 mA . β ≥50. VC1=9.600 V IS Actualizado Octubre 03 .CAB 6 SOLUCIONES 1 RB 2 V − VE = 5.7 V .14 V. VC7= VC8=-1.3 V.3 V. En ambos transistores VSD = VSG > VSG − VT = VSD . se tiene que VSG1=VSG2. IB <<IB1(= IB2) ⇒ ≥ 50 ⇒ = ≥ 50 ⇒ β ≥ 21.72 V.72 mA. VC9= VC10=4. R1 Resolviendo mallas calculamos el resto de corrientes y tensiones: IR4=3. el transistor cuyo drenador proporciona la corriente constante ha de ser de canal p b) Siendo de canal p y de acumulación. I B = EE RE ( β + 1) a) VE = VEB + VB = VγE + VEE 2 10 − VEB1 − VEB 2 + 10 = I C1 = I C 2 = 1.86 mA. pero sí IB <<I. RE RB1 + RB 2 I βVEE βI I b) IB <<IC ⇒ C ≥ 50 ⇒ β ≥ 50.86 V. sat c) Como ambos transistores son iguales (κ1 = κ2) y ID1 = ID2.560 V IS I v EB 2 = VEB 4 = VT ln REF = 0.

VCE = VCC − ( I C + I B ) RC = 2 V > 0. I C = 2 mA Comprobamos transistor en activa: I B > 0. pues la otra solución no hace VGS>VT d g vi b) Circuito equivalente: gmvgs ⎫ vo = g m v gs RL s 2 R1 + RL v o - ⎪ vo g m RL ⎬ = ⎪ vi 1 + g m ( R1 + RL ) vi = v gs + v s = v gs (1 + g m ( R1 + RL ))⎭ v Como gm=2κ(VGS-VT)=2 mS ⇒ o = 0.25 kΩ IB c) − VD = vCE − v BE = (VCE + vce ) − (VBE + vbe ). sustituyendo 3 = 1. I C = βI B .706 vi v s = g m v gs ( R1 + RL ) c) I D = κ (VGS − VT ) . VCE = VEE − I C 3 RC 3 = 5 V > VCEsat 6 Al ser transistores de canal n deplexión. y además vo = −155. VS = −V DD + I D R2 ⇒ R2 = 1 kΩ 2 7 a) Diodo cortado ⇒ ID=0.4 − 156. VT=VGsumbral=-4 V 2 a) I RL = 0 ⇒ I R1 = 2 mA = I D = κ (VGS − VT ) = κ (V I − I D R1 − VT ) ⇒ R1 = 2.CAB 7 5 a) I C1 = VEE − VEB1 = 2 mA.5vi ⇒ vi = −10.5 kΩ . vce = vo .025 rπ = = 0. VCC = ( I C + I B ) RC + I B RC + V BE . con VCE = 2 V .5 kΩ ⇒ β = − AV π = 100 I B3 RC 3 c) I C 3 = βI B 3 = 5 mA.2 Comprobamos diodo cortado: VD = VBE − VCE = −1.025 donde rπ = = 1. luego I B = 0.02 mA. b) Circuito equivalente: vi − v o ⎫ RC − βib RC ⎪ RB ⎛ RC βRC ⎞ vo ⎪ ⎛ RC ⎞ + ⎬vo ⎜1 + ⎜ R ⎟ = vi ⎜ R − r ⎟ ⇒ v = −155.5 ⎟ ⎜ ⎟ v B ⎠ π ⎠ i ⎝ B ⎪ ⎝ i b rπ vo vi ib = i βib R C ⎪ rπ ⎭ 0.5vi Cuando − VD = VZ = 3 V se produce la ruptura. sin llegar a ruptura. VG = −V DD .4 V < 0.6 V . RC1 VEB1 = VEB 2 + I E 2 R2 = VEB 2 + β2 +1 I C 2 R2 ≈ VEB 2 + I C 2 R2 β2 ⎛I R ⎞ ⎛ V − VEB 2 ⎞ I C1 ⎟ = exp⎜ C 2 2 ⎟ ⇒ R2 = 1.2 mV RΒ vo = Actualizado Octubre 03 . VBE = 0.84 kΩ ≈ exp⎜ EB1 ⎟ ⎜ V ⎟ ⎜ IC2 VT ⎠ ⎝ T ⎠ ⎝ b) i=0 + vs Req→∞ ib rπ βib RC3 - vo vo = − βRC 3ib ⎫ vo β ⎬ AV = = − RC 3 vs = rπ ib vs rπ ⎭ r 0. vbe = vi .

hay que fijarse en el corte: I C (RC + RE1 ) = vce max ⇒ RE1 = IC − RC = 0. las ecuaciones del circuito: Circuito de alterna VBB = I B RB + VBE + (I C + I B )RE VCC = I C RC + VCE + (I C + I B )RE Suponiendo el transistor en activa directa I C = βI B : VBB = IC β (RB + (β + 1)RE ) + VBE ⇒ I C IC =β VCE = VCC − β (βRC + (β + 1)RE ) = VCC − βRC + (β + 1)RE (VBB − VBE ) ≈ VCC − β RC + RE (VBB − VBE ) RB + βRE RB + (β + 1)RE VBB − VBE V − VBE ≈ β BB RB + (β + 1)RE RB + βRE b) Despejando RE de la última fórmula: VCC − VCE RB − βRC V − VBE = 0.53 kΩ Actualizado Octubre 03 .corte Como la saturación no limita. saturación =5V = I C (RC + RE1 ) iC = I C + i c ≥ 0 ⇒ i c = − vce ≥ − I C ⇒ vce ≤ I C (RC + RE1 ) ⇒ vce RC + RE1 vce max max. con RE = RE1 + RE 2 .76 kΩ ⇒ I C ≈ 2.CAB 8 8. sat = vce max.84 mA RE ≈ BB ⎛ VCC − VCE ⎞ β ⎜1 − ⎜ V −V ⎟ ⎟ BB BE ⎠ ⎝ c) En alterna. dado que ic = βib >> ib: ⎫ RC + RE1 vo ⎬vce = vc − ve = −(RC + RE1 )ic = ve = RE1 (ic + ib ) ≈ RE1ic ⎭ RC De donde: vo = vc = − RC ic ic v RC 1 =− . o = vce RC + RE1 vce RC + RE1 d) La condición de que el transistor no se sature: vCE = VCE + vce ≥ VCE . VCC RC RB RB rπ ib ve v o= v c vi RE1 RE2 + RE1 β ib RC VBB Circuito de continua a) En continua. sat ⇒ vce Y de que no se corte: max. saturación ≤ VCE − VCE .23 kΩ Y de aquí R E 2 = R E − RE1 = 0.

1 La raíz negativa se ha desechado desde el principio pues llevaría a VGS-VT negativo.VDS = VDD − I D (R3 + R4 ) = 4 V > 1 V = VGS − VT Así que efectivamente está saturado.9 + 2) =1V 2 × 1 × 0.83 ⎬⇒ vo = − g m R3 v gs = g m R3 v s v i 1 + g m R4 ⎪ ⎭ Actualizado Octubre 03 . Con este valor: I D = 1 mA. incompatible con la suposición de que el transistor conduce. Como no hay corriente por RL: VO = 0 V. VSS RG IG=0 G D RD S RS ID VS ID a) En continua. VG = VSS = 15 V. puesto que no hay corriente de puerta. está conduciendo con VSG = VS-VG = -1 V < 0.: VG = VGG VO Por otra parte si el transistor está saturado I D = k (VGS − VT ) que introducido en la primera de las ecuaciones precedentes conduce a: 2 VDD = VDS + I D (R3 + R4 ) R2 = VGS + I D R4 R1 + R2 R2 R4 VG = VGS + kR4 (VGS − VT ) ⇒ VG − VT = VGS − VT + kR4 (VGS − VT ) ⇒ 2 2 ⇒ kR4 (VGS − VT ) + VGS − VT − (VG − VT ) = 0 ⇒ 2 ⇒ VGS − VT = − 1 ± 1 + 4kR4 (VG − VT ) 2kR4 = − 1 + 1 + 4 × 1 × 0. De la medida de VS = 14 V ⇒ ID = (VSS-VS)/RS = 1 mA. Entonces ID circula por RD y VD = IDRD = 10 V O RL b) El transistor.5vin (t ) + vin (t) i D (t ) = I D + vo (t ) VSS − VS v (t ) v (t ) = + o = 1 mA + o 5 kΩ RD RL RS RD RL Cuando la corriente iD se anula vo(t) = –1 mA 5 kΩ = –5 V 10 VGG R1 VDD R3 D G S Los transistores JFET son de deplexión.CAB 9 9. lo que quiere decir que el transistor funciona con tensiones VGS negativas y ha de ser por tanto VT = -2 V a) Las ecuaciones del circuito de continua son. de canal p. g m = 2k (VGS − VT ) = 2 mΩ -1 G c) g m v gs = g m (v g − v s ) = − g m v s v s = vi + g m R4 v gs = vi − g m R4 v s ⇒ vi = (1 + g m R4 )v s ⎫ vo g m R3 ⎪ = = 9. R4 vi gmvgs S D vo R3 b) En pequeña señal la puerta está a tierra por efecto del condensador C.1 × (− 0. ro no está presente (es infinita) pues en la expresión de la corriente de drenador no aparece el efecto Early. Pero además en este circuito VG < 0 mientras que VS > 0. como IG = 0. Por tanto ha de ser de deplexión D=O ig=0 G id S id RG RS RD RL c) Del circuito vg(t) = vin(t) y de la medida vs(t) = 0.9 vin(t) id(t) = -vs(t)/RS ⇒ vo (t ) = vd (t ) = id (t ) R D R L = −v s (t ) d) La corriente total de drenador es: RD RL RS = −4.

Entonces. real Una ecuación de malla para calcular VCE: VCE = V BE + I B R BC > V BE > VCE . sast I0 RS El transistor no puede estar saturado.02 ⇒ β ≥ 50 β IC I C .1 b) En pequeña señal por efecto de los condensadores la base queda a tierra y RBC en paralelo con RL. real − I C . ib ≅ 0. La fuente ideal de corriente continua es un circuito abierto.5 × 100 = = 500 0. El valor de VCE: VCE = V BE + β R BC ≈ V BE ≈ 0. aprox ∆I C − IB 1 = = = ≤ 0.: − g m R L R BC v be g m R L R BC v e g m R L R BC ⎫ vs v .7 V Si β es muy grande. puesto que ib = 0. en continua y activa directa.1 V 0. Por ejemplo: vs v e = −ib rπ = v s + R S (β + 1)ib ⇒ ib = − rπ + (β + 1)R S g m v be = − g m v e β R L R BC R L R BC R L R BC R L R BC v o − β R L R BC ib = = = → = ≈ 10 vs vs rπ + (β + 1)R S rπ β + (1 + 1 β )R S rπ β + R S 1 g m + R S 12.CAB 10 11. Al final. Los elementos del circuito equivalente del transistor: Ri RS vs ib βib=gmvbe E C vo RBC||RL Esto quiere decir que ib es también muy pequeña en alterna. VCC I0 a) En el colector del transistor. se hacen tender rπ y β a infinito teniendo en cuenta que su cociente es finito. o = = = ≈ 10 ⎬ ⇒ ve = v e = v x + g m R S v be ⎭ vs vs 1 + g m RS v s 1 + g m RS v be Ri = − = 1 g m = 50 Ω − g m v be Otra solución es trabajar con ib.1 V ⇒ β > I 0 R BC 0. Para que el error cometido en VCE por despreciarIB fuera menor de 0.1 V (que es más o menos la precisión que se tiene en VBE y por tanto no merece la pena afinar más): ∆VCE = I 0 R BC β < 0.y con β arbitrariamente grande: I0 = I B + IC ≈ IC El error cometido en el cálculo de IC: VO RL RBC I C . a) El circuito equivalente de pequeña señal queda: Ii Vi RB rπ Ib βIb RL de donde Ri = vi = RB (rπ + ( β + 1) RL ) ≅ RB βRL con lo que RB = 1 MΩ ii Actualizado Octubre 03 . rπ y β normalmente como si tuvieran valor finito y derivar las fórmulas. real I C . pero desde luego no implica que ic sea nula: el producto βib está indeterminado Una solución es trabajar con gm que tiene un valor finito: B rπ rπ = Vt I B = β Vt I C → ∞ g m = I C Vt = 20 mΩ -1 Un BJT con una β muy grande se parece pues en alterna a un JFET: la base está en circuito abierto y el generador de corriente está gobernado por la tensión base – emisor.

RY = RE||R1||R2 ≅ 1. sat β I C R L (β + 1) iC = I C + i c = I C + v o RL (β + 1)RL β ≥ 0 ⇒ vo ≥ − β ≅ − I C R L = −7. dado que rπ || R3 ≅ rπ. VCC a) Para el circuito de continua se puede utilizar la expresión habitual: R1 R3 R2 RE Donde V BB = VCC V BB − V BE ≅ 2.65 Vp (11.5 mΩ-1.sat = 5.4 mA R B + (β + 1)R E R2 RR = 6 V y R B = R3 + 1 2 = 20 kΩ son la tensión y la resistencia R1 + R2 R1 + R2 IC = β equivalentes de Thévenin.85 − 0.67 kΩ v i = v be + v o ⎫ ⎪ v be = ii R X ⎬v i = ii (R X + (1 + g m R X )RY ) ⇒ Ri = R X + (1 + g m R X )RY ≅ 148 kΩ v o = (1 + g m R X )RY ii ⎪ ⎭ O bien. VCE = VCC − I C ( RC + c) Margen al corte: VCC − V BE 143 ≅ = 0.sat ⇒ v o ≤ VCE − VCE .715 mA R B + (β + 1)R L 2000 β +1 R L ) ≅ 15 − 0. Por tanto: v i = ib rπ + v o ⎫ ⎬v i = ib (rπ + (1 + β )RY ) ⇒ Ri ≅ rπ + (1 + β )RY ≅ 170 kΩ v o ≅ (1 + β )RY ib ⎭ Actualizado Octubre 03 .CAB 11 VCC RB RC b) En continua: VCC = I B R B + V BE + (β + 1)I B R L ⇒ I C = βI B = β I B = 7.15 V Margen a la saturación: v CE = VCE + v ce = VCE − v o ≥ VCE . del circuito que polariza la base b) El circuito de pequeña señal queda: ii(t) vi(t) vbe rπ||R3 gmvbe= =βib vo(t) RE||R1 ||R2 Donde gm = IC/Vt = 95. se tendrá que ii ≅ ib.2 = 5.85 V > VCE .91 kΩ. respectivamente.8 ≅ 5.715 ⋅ 12.3 Vpp) 13.15 µA. rπ = β/gm ≅ 1 kΩ c) Llamando RX = rπ||R3 ≅ 0.65 V Las relaciones entre las magnitudes de pequeña señal se obtienen del circuito equivalente (apartado a)) Luego la máxima amplitud de la señal de salida simétrica es 5.

5 kΩ: vg βib1 βib2 Actualizado Octubre 03 . en saturación e ignorando el efecto Early. y por tanto los parámetros de su circuito equivalente de pequeña señal son iguales: gm = 2k(VGS-VT) = 2 mΩ-1. El circuito equivalente de la fuente es: Y se pide Req = vx/ix: i x D + ro S≡G gmvgs Req = vx vx = ix vx g m v gs + vx ro = (v gs = 0) = ro ≈ 50 kΩ - c) El circuito equivalente de pequeña señal. su corriente es: I D1 = k (VGS 1 − VT ) 2 Puesto que el nudo de salida está abierto. : I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = kVT = 1 mA 2 2 Como Q1 está también saturado. con la fuente de corriente reducida a su resistencia equivalente. el enunciado asegura la saturación y no se pide la comprobación.CAB 12 14. como afirma el enunciado. Sin embargo. la tensión umbral ha de ser negativa VT = -1 V. se tiene 2 2 I D 2 = k (VGS 2 − VT ) = k (VGS 1 − VT ) = I D1 ⇒ VGS 1 = VGS 2 = 0 Y como el nivel de continua en la puerta de Q1 es cero: 0 = VGS1 = VG1-VS1 = 0-VO ⇒ VO = 0 Nótese que no se ha utilizado el valor de las tensiones de alimentación: sería preciso conocerlas para calcular el valor de VDS y verificarla saturación de los transistores y la coherencia de los resultados. La ecuación de la corriente de drenador para Q2. a) Los transistores JFET son de deplexión.98 D1≡D2 ≡G2 d) La resistencia de salida es la relación entre la tensión aplicada a la salida y la corriente que entra por ella con las fuentes de señal anuladas: G1 ix gmvgs1 ro Req S1≡ S2 + vx v gs1 = v g1 − vs1 = −v x ix = − g m v gs1 + vx v v = g m v x + x ⇒ Ro = x = 1 g m ro Req = 490 Ω ro Req ro Req ix D1≡D2 ≡G2 15. con rπ = Vt/IB = 2. La polarización es la misma en las dos etapas.VCE = VCC − I C RC = 7 V > VCE. I C = βI B = 2 mA. que tiene puerta y fuente cortocircuitados. : G1 S1≡ S2 vo v gs1 = v g1 − vs1 = vi − vo vi gmvgs1 ro Req vo = g m v gs1 ro Req = g m ro Req (vi − vo ) ⇒ vo = g m ro Req 1 + g m ro Req = 0. ro ≅ VA/ID = 50 kΩ. es. véase además que VGS2 = 0: si conduce.sat RB RG ib1 RB rπ ic1 vce1 RC RB ib2 rπ ic2 vo≡ vce2 RC RL En pequeña señal. b) Los dos transistores son iguales y están polarizados con la misma corriente de drenador. Con los transistores en activa directa: IB = VCC − VBE = 10 µA.

25 kΩ. a) +VCC IX 8R IC/β TN IX-IC/β RE (1+1/ β)IC RC I C La corriente de emisor de los transistores es la misma.sat = −7 V Luego el margen dinámico está limitado por el corte del segundo transistor y vale 1 Vp. El primer transistor no se satura: vCE1 = VCE + vce1 ≥ VCE . Observando la diferencia de tensión entre las bases de los dos transistores: R IC/β RI X = 2VBE ( ON ) + (1 + 1 β )RE I C ⇒ I C ≅ RI X − 2VBE ( ON ) RE = 2 mA TP IX R IC/β = 0.1 V -VCC b) En pequeña señal el circuito equivalente es el siguiente.6 V vce1 iC 2 = I C + ic 2 = I C − vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC RL = 2 × 0.CAB 13 ib1 = rπ RB R G + rπ RB rπ vg − βib 2 RC RL − βib1 rπ RC RB − β RC RL − β rπ RC vo v v = o ce1 = = −40 × −40.sat ) = −40.02 mA << 1 mA = IX.sat ⇒ vce 2 = vo ≥ −VCE + VCE . lo que justifica la aproximación anterior.5 = 1 V RC RL El segundo transistor no se satura: vCE 2 = VCE + vce 2 ≥ VCE . Notar que la desigualdad cambia de sentido al multiplicar ambos lados por vo/vce1 que es negativo.3 V vce1 rπ RC RB Donde se ha aprovechado el valor de vo/vce1 que se dedujo al calcular la ganancia. 16. IC (por cierto. Como la segunda etapa tiene mucha ganancia variaciones de tensión muy grandes a la salida corresponden a variaciones de tensión mucho más pequeñas a la salida de la primera etapa.8 = 1632. Y para verificar el funcionamiento en modo activo directo: VCEN = VCC − I C RC − (VCC − 8 RI X − VBE ( ON ) ) = 9.8 × 2 × 0. ni mucho menos. TP B ibP rπP R/2 βibP E RE ibN βibN E TN C vi rπN B RC vo C c) TP trabaja en colector común.8 × −7 = 285.714 = −58. y TN en base común d) En los nodos de emisor: (β+1)ibN = -(β+1)ibP ⇒ ibN = -ibP Actualizado Octubre 03 .sat ⇒ vce1 ≥ −VCE + VCE .9 V VECP = −VCC + RI X + VEB ( ON ) − (− VCC ) = 3. este razonamiento es válido tanto en continua como en alterna) La caída de tensión a lo largo del divisor resistivo: 2VCC = R(10 I X − I C β ) ≅ 10 RI X ⇒ I X ≅ 2VCC / 10 R = 1 mA Donde se ha despreciado la corriente de base frente a 10IX. por ésta.sat ⇒ vo ≤ El segundo transistor no se corta: vo (− VCE + VCE .6 rπ RB ≈ rπ R G + rπ v g vce1 vg ib 2 rπ ib1rπ (R G + rπ RB ) Para calcular el margen dinámico se examina cuánto ha de valer vo para que ningún transistor se corte ni se sature: El primer transistor no se corta: iC1 = I C + ic1 = I C − vce1 v ≥ 0 ⇒ vce1 ≤ I C rπ RC RB ⇒ vo ≥ o I C rπ RC RB = −40. lo que puede validarse a posteriori. las corrientes de colector son iguales. así que es lógico que el margen dinámico no venga limitado. si están ambos en activa directa y dada la igualdad de las βs y la ausencia del efecto Early. donde rπN = rπP ≡ rπ = kT/e β/IC = 1.

sat a) En continua: IB = VCC − V BE r kT e kT e ⇒ π = = R R RI B VCC − VBE b) En alterna: Id Vg R Ib rπ C Z= Vg Id = I b rπ + R(I b + I b jωCrπ ) rπ + R(1 + jωCrπ ) = ≅ βI b + I b + I b jωCrπ β + 1 + jωCrπ βIb ⎛ rπ << R ⎞ 1 + jωCrπ 1 + jω ω0 ≅⎜ ⎜ β >> 1 ⎟ ≅ R β + jωCr = R β + j ω ω ⎟ ⎝ ⎠ π 0 Y tomando el módulo Z = R β 2 + (ω ω 0 ) 1 + (ω ω 0 ) 2 2 c) En la región de interés ω/ω0 es despreciable frente a β y 1 frente a ω/ω0: Z ≅R ω ω0 ⇒ log( Z R ) ≅ log(ω ω 0 ) − log β .9 V ⎛ rπ rπ ⎞⎬ ⇒ vo ≥ rπ ⎟⎪ = −icn RC + icn = vo ⎜1 − ⎜ βR ⎟ 1− β C ⎠⎭ ⎝ βRC Y la de TP: ⎫ ⎪ − r β + (1 + 1 β )RE R ⎬⇒ ≅ − vo E ⎪ vecp = −ibn rπ + iep RE = icn (− rπ β + (1 + 1 β )RE ) = −vo π RC ⎭ RC R R ⇒ −vo E ≥ −VECP + VEC . limitado por la saturación de TN.sat ⇒ vo ≥ C (VECP − VEC .2 kΩ 2 2 f) El corte de los dos transistores sería simultáneo por la igualdad de las corrientes de colector: iCN = iCP = I C + ic = I C − vCEN = VCEN + vcen ≥ VCE .sat ) ≅ 31 V RE RC Luego el margen dinámico.5 vi ibP (rπP + (β + 1)R E ) − rπN ibN (β + 1)R E + 2rπ 52.9 Vp 17.5 kΩ = Ri = vi vi + ibP R2 vi vi − ibN R2 = = vi vi v + o R 2 βRC = 1 A 1 + v R 2 βRC = 1 1 1 + R 2 (β + 1)RE + 2rπ = R ((β + 1)RE + 2rπ ) ≅ R = 1. es 9.CAB 14 Av = e) vo βRC − βRC ibN 500 kΩ = = = = 9. que en los ejes pedidos es una recta: β log( Z R ) 0 Z =R Z =R β ω ω0 = 1 0 ω ω0 = β + 1 log(ω ω 0 ) Actualizado Octubre 03 .sat vcen vo ≥ 0 ⇒ vo ≤ I C RC = 10 V RC La no-saturación de TN impone: ⎫ − VCEN + VCE .sat ⎪ ≅ −VCEN = −9. ID VCC R IB v ECP = VECP + vecp ≥ VEC .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful