Semiconductores extrínsecos

Un semiconductor extrínseco es aquel en el que se han introducido pequeñas

cantidades de una impureza con el objeto de aumentar la conductividad eléctrica
del material a la temperatura ambiente. A este proceso se le conoce como
dopado. Así, por ejemplo, el número de portadores negativos (electrones) puede
aumentar si se dopa el material con átomos de un elemento que tenga más
electrones de valencia que el que compone dicho material semiconductor. El nivel
de dopado no debe de ser muy alto (1 átomo por cada 10 9 átomos del material de
partida) para que sea efectivo.

Los semiconductores extrínsecos contienen impurezas. Si en una red cristalina

se introducen átomos de impureza, aparecen estados de energía o bandas
auxiliares en el interior de la banda prohibida. Estos nuevos niveles contribuyen a
la conducción. Para obtenerlos se recurre al dopage o impurificación del
semiconductor (por métodos de difusión o epitaxiales) con elementos
pentavalentes o trivalentes. La presencia de estas impurezas se traduce en le
aumento del número de portadores de carga.

Los semiconductores intrínsecos son puros, en los que la conducción se debe

al aumento de electrones en la banda de conducción originado por la temperatura.
Los portadores de carga son los electrones y los huecos. Los semiconductores
intrínsecos no presentan impurezas en su estructura, y están constituidos
únicamente por el elemento tetravalente semiconductor (del grupo IV de la tabla
periódica): silicio o germanio puro.