Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
GIÁO TRÌNH
Tất cả các mạch thí nghiệm đều sử dụng trực tiếp nguồn điện xoay chiều 220V. Do đó
khi thực tập sinh viên phải luôn cảnh giác giữ an toàn về người lẫn thiết bị thí nghiệm.
Để bảo đảm an toàn sinh viên phải tuyệt đối chấp hành các qui định sau đây:
1. Không được chạm vào mạch điện khi đã mở nguồn cấp điện.
2. Khi mắc điện xong, phải báo cáo cho cán bộ hướng dẫn kiểm tra, có sự đồng ý của
cán bộ hướng dẫn mới được mở nguồn cấp điện.
3. Khi đo điện áp, dòng điện hoặc xem dạng sóng cần phải:
− Sử dụng đúng giai đo.
− Đặt que đo đúng chỗ, đúng cực.
− Khi xem dạng sóng ở những điểm có điện thế cao phải dùng bộ điện cực
(probe) có giảm áp.
4. Sắp xếp thiết bị và dây dẫn điện ngăn nắp, gọn gàng, thao tác chính xác, tập trung
làm bài, không đùa giỡn.
5. Không được di dời các thiết bị thí nghiệm từ bài này sang bài khác.
6. Khi thực tập xong phải tắt điện, sắp xếp gọn gàng các thiết bị trước khi ra về.
Sinh viên sẽ chịu trách nhiệm về các sự cố và bồi thường thiết bị hư hỏng nếu không
chấp hành đúng các qui định trên.
Năm 2001, Bộ môn Viễn thông và điều khiển tự động, Khoa Công nghệ
thông tin & truyền thông, Trường Đại học Cần Thơ, đã thực hiện thiết kế lại
các bài thí nghiệm Điện tử công suất. Các bài thí nghiệm này đã được thiết kế
bao gồm thiết bị thí nghiệm và giáo trình, phục vụ cho các chuyên ngành Điện
tử, Viễn thông, Tự động hóa, Kỹ thuật điện,…
Giáo trình thí nghiệm Điện tử công suất được thực hiện lần này là sự bổ sung
và cải tiến giáo trình thí nghiệm Điện tử công suất năm 2001. Giáo trình được
biên soạn gồm 9 bài thực tập cho học phần 2 tín chỉ, thời lượng là 60 tiết thực
tập, mỗi bài được thực hành với thời gian 6 tiết, 6 tiết còn lại dành cho kiểm tra
học phần. Tuy nhiên, ta cũng có thể chọn ra 5 bài cho học phần 1 tín chỉ.
Tôi xin chân thành cám ơn quí thầy cô trong Bộ môn Viễn thông & Kỹ
thuật điều khiển, Khoa Công nghệ thông tin & Truyền thông, hiện nay là Bộ
môn Viễn thông và Bộ môn Tự động hóa, khoa Công nghệ, đã tham gia thực
hiện các bài thí nghiệm năm 2001.
Cảm ơn ThS. Phạm văn Tấn, ThS. Nguyễn Hoàng Dũng, TS. Trần Thanh
Hùng và quí thầy, cô khác đã có nhiều đóng góp để hoàn thành giáo trình này.
lớn (trong thực tế IB lớn từ 2 đến 5 lần IBSAT) để bảo đảm BJT dẫn điện tốt. Tất
nhiên, ta phải thiết kế sao cho BJT hoạt động không vượt quá các định mức.
BJT là lọai linh kiện công suất có thể kích ngắt.
Ví dụ:
a) Tải đặt ở chân E (Hình 1.1)
VCE
- Khi SW ở vị trí 1 (nối mass), BJT ngưng dẫn (ngắt): R CE = →∞
IC
BJT như một SW ở vị trí hở (OFF, ) và Vo= 0, IL = 0.
VCE
- Khi SW ở vị trí 2, BJT chuyển sang trạng thái dẫn : R CE =
IC
Khi BJT dẫn bảo hòa (VCE ≈ 0, thực tế từ 0.1V → 0.2V) thì RCE ≈ 0 (BJT như một
SW đóng mạch - ON), V0 ≈ Vi
IC # IL IL
Vi Vo
RL
RB
• SW
2 • •1
B+
Hình 1.1
- Việc điều khiển như trên có bất lợi là B+ phải lớn hơn VCC nếu không thì BJT
không bão hòa tuyệt đối (phải phân cực thuận cả nối BC và BE).
Để cải thiện ta có thể:
b) Đặt tải ở chân C (Hình 1.2)
-
c) Điều khiển gián tiếp (Hình 1.3):
1.2.3. SCR
a. Ký hiệu (Hình 1.5)
- SCR không dẫn điện khi VAK còn nhỏ, khi tăng VAK (bằng cách tăng VAA) đến
trị số VBO (điện thế quay về) thì SCR chuyển sang trạng thái dẫn, lúc này VAK giảm
xuống còn khoảng 0.7V và hoạt động như Diode chỉnh lưu. Điện áp VBO thường khá lớn
(từ vài chục volt đến vài trăm volt tùy SCR).
- Thực tế người ta thường tạo dòng kích IG để SCR có thể dẫn điện ngay mà
không chờ điện thế cao. Dòng kích IG tối thiểu và tối đa tùy thuộc vào mỗi SCR nhưng
nói chung các dòng này càng lớn (từ vài mA đến vài chục mA) khi SCR có công suất
càng lớn.
- Khi SCR đã dẫn, nếu ta bỏ dòng kích thì SCR vẫn tiếp tục dẫn điện (không thể
tắt SCR bằng cực cổng).
c. Khi phân cực nghịch: VA <VK
SCR không dẫn điện cho dù có dòng kích IG
d. Tóm lại: SCR chỉ dẫn điện một chiều từ Anode sang Cathode khi có dòng kích IG
thích hợp.
1.2.4. TRIAC
Ký hiệu (Hình 1.7)
T2 (đầu cuối)
IG VT1T2
G (Gate)
T1 (đầu cuối)
Hình 1.7
Triac còn được gọi là SCR lưỡng hướng.
Khi VT2 >VT1, Triac dẫn điện từ T2 sang T1 khi kích bằng dòng cổng IG dương
(VGT1>0)
Khi VT1 >VT2, Triac dẫn điện từ T1 sang T2 khi kích bằng dòng cổng âm.
Khi Triac ⏐VT2T1⏐# 0,7V
Như vậy Triac dùng trong điện xoay chiều thuận lợi hơn SCR. Cũng như SCR, dòng
cổng tối thiểu và tối đa cũng tuỳ thuộc vào mỗi Triac.
a) Bật SW về vị trí mass. Đo điện thế của các chân Q1, Q2, Q3. Giải thích kết quả.
b) Bật SW về vị trí +5V. Lập lại câu 1.
V0
c) Bật SW về vị trí +5V. Đo V0 suy ra IC ( IC# ) của Q1
RL
d) Bật SW về vị trí +5V. Đo VCE suy ra RCE của Q1
1.3.2. MOSFET:
Mạch thực tập có dạng (Hình 1.19):
Tải
vi
Vi
470Ω/5W
47K VD
RG
VR
10K
47Ω
47K 0.33Ω
Hình 1.19
a) Đo VD chỉnh VR xác định điện thế thềm VGS(th)
b) Đo VD chỉnh VR đến khi MOSFET bảo hòa. Xác định thị số tối thiểu của VGS
làm FET bảo hòa. Suy ra IDSAT .
So sánh VDS(SAT) với VCESAT của BJT. Nhận xét.
1.3.3. SCR
A. Mắc mạch như hình sau: (Hình 1.20):
a) Lần lượt bật SW về vị trí 1, 2, 3 quan sát led (được mắc song song với tải, khi
SCR dẫn led cháy sáng). Giải thích kết quả.
b) Đặt SW về vị trí 2 quan sát tải, xong bật về vị trí 1. Nhận xét giải thích.
c) Đổi cực của nguồn Vi, lập lại câu a, giải thích kết quả.
Hình 1.21
1.3.4. TRIAC
A. Mắc mạch như hình sau (Hình 1.22):
a. Lần lượt bật SW về vị trí 1, 2, 3 quan sát led và giải thích kết quả.
b. Đặt SW về vị trí 2 quan sát tải, xong bật về vị trí 1. Nhận xét giải thích.
c. Đổi cực của nguồn VI, lập lại câu a và b, giải thích kết quả.
2,2K
Tải
∼ 50K
VR
47Ω
Hình 1.23
a. Giải thích nguyên tắc hoạt động của mạch (nêu rõ chức năng các linh kiện
trong mạch điều khiển pha).
b. Chỉnh VR, quan sát tải, vẽ lại dạng sóng hai đầu tải.
c. Thử nêu vài ứng dụng của mạch này.
Khi phân cực thuận, dòng điện qua diode tăng nhanh, vì thế phải hạn chế dòng điện qua
diode để nó không bị đánh thủng. Khi diode dẫn diện, điện áp phân cực thuận V=0,3 Volts
đối với diode Ge và V=0,7 Volts đối với diode Si. Do đó, V/Vt > 10 và exp(V/Vt) >>1.
⎛V ⎞
Suy ra: I ≈ I S exp⎜⎜ ⎟⎟
⎝ Vt ⎠
Công thức trên chỉ đúng khi dòng điện qua mối nối khá lớn. Với dòng điện nhỏ (vài
mA trở xuống) dòng điện qua diode là:
I ≈ Is[exp(V/ηVt)-1]
Trong đó: η=1 đối với diode Ge, η=2 đối với diode Si
Trong thí nghiệm, mạch phân cực để vẽ đặc tuyến của diode như sau:
2.2.2. TRANSISTOR
Cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương Ebers-Moll của transistor NPN lần lượt được
trình bày trong hình 2.2 (a), (b), (c). •C
IC
C
VBC IR
N ICC
C (ICS)
B B IB
P B• •
(IES)
N E VBE IEC
IF
E
IE
•
(a) (b) (c) E
Hình 2.2
•C •C
IC IC
VBC IEC/αR
ICC IEC/βR
(IS/αR)
IB IB
B• •
B• •
ICC -IEC
(IS/αF) (IS/βF)
VBE IEC ICC/βF
ICC/αF
IE IE
• • (b)
(a) E
Hình 2.3 E
Nói chung các tham số αF và αR thường không được dùng để mô hình hóa
transistor, người ta thay thế bằng các tham số thân thiện hơn, đó là:
βF=αF/(1-αF) và βR=αR/(1-αR)
βF và βR lần lượt là độ lợi dòng điện thuận và độ lợi dòng điện ngược của transistor
mắc cực E chung. Mô hình Ebers-Moll có thể được thay đổi bằng cách thay thế ICC và IEC
bởi một nguồn dòng duy nhất có biểu thức như sau:
ICT = ICC – IEC = IS[exp(VBE/VT) - exp(VBC/VT)]
2.2.2.2. Thực hành: [1], [3], [7], [8], [9], [10], [11]
1) Dựa vào mô hình toán học, hãy viết chương trình vẽ đặc tuyến ngõ vào với VBE
biến thiên từ 0 đến 0.7V của BJT loại Silicon bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc
ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình thường. Chạy thử chương trình và so sánh kết
quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
2) Dự vào mô hình toán học, hãy viết chương trình vẽ đặc tuyến ngõ ra với VCE
biến thiên từ 0 đến 24V của BJT loại Silicon bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc
ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình thường. Chạy thử chương trình và so sánh kết
quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
3) Dự vào mô hình toán học, hãy viết chương trình vẽ đặc tuyến truyền của BJT loại
Silicon bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình thường,
với VCE biến thiên từ 0 đến 24V và VBE biến thiên từ 0 đến 0.7V . Chạy thử
chương trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
4) Dùng phần mềm Multisim V6.20 hoặc 5.12 (Electronics WorkBench) để vẽ đặc
tuyến ngõ vào và đặc tuyến ngõ ra của BJT, so sánh với kết quả ở câu 1, câu 2 và
câu 3. Cho nhận xét.
Gợi ý:
Dựa vào mô hinh cấu trúc này ta tìm được:
IC= IS(VBE/Vt)-exp(VBC/Vt)]-IS/βR[exp(VBC/Vt)-1]
IB= IS/βR[exp(VBC/Vt)-1]+ IS/βR[exp(VBE/Vt)-1]
IE=IS[(VBE/Vt)-exp(VBC/Vt)]-IS/βR[exp(VBE/Vt)-1]
Phương trình đặc tuyến ngỏ vào của transistor:
IB=f(VBE)|VCE
IB= IS/βR[exp(VBC/Vt)-1]+ IS/βR[exp(VBE/Vt)-1]
Thay VBC=VBE-VCE, suy ra:
IB= IS/βR[exp(VBC/Vt)-1]+ IS/βR{exp(VBE--VCE)/Vt]-1}
Phương trình đặc tuyến ngỏ ra của transistor:
IC=f(VCE)|IB
IC= IS(VBE/Vt)-exp(VBC/Vt)]-IS/βR[exp(VBC/Vt)-1]
Thực tế VBE<<-Vt, suy ra:
IC=ISexp(VBE/Vt)
Phương trình đặc tuyến truyền của transistor:
IC=f(VBE)|VCE
IC= IS(VBE/Vt)-exp(VBC/Vt)]-IS/βR[exp(VBC/Vt)-1]
Thay VBC=VBE-VCE ta được:
IC= IS{(VBE/Vt)-exp[(VBE-VCE)/Vt]}-IS/βR{exp[(VBE-VCE)/Vt]-1}
Hình 2.4
Hoạt động
Khi VGS<0, do không có thông lộ nối liền giữa hai vùng thoát và nguồn, nên mặc dù
có nguồn điện thế VDS áp vào hại cực thoát và nguồn, điện tử cũng không thễ di chuyển
nên không có dòng thoát ID (ID=0) lúc này chỉ có một dòng rỉ rất nhỏ chạy qua.
Khi VGS>0 một điện trường được tạo ra ở vùng cổng. Do cổng mang điện tích
dương nên hút các điện tử trong nền P _ (là hạt tải điện thiểu số ) đến tập trung ở mặt đối
diện của vùng cổng. Khi VGS đủ lớn, lực hút mạnh các điện tử đến tập trung nhiều và tạo
thành một thông lộ tạm thời nối liền giữa hai vùng nguồn S và thoát D. Điện thế VGS mà
từ đó dòng điện thoát ID bắt đầu tăng được gọi là điện thế thềm cổng nguồn VGS(th). Khi
VGS tăng lớn hơn VGS(th), dòng điện thoát ID tiếp tục tăng nhanh..
Dòng điện thoát ID được xác định theo từng điều kiện sau:
ID=0 ,VGS<Vth
ID=β[VGS-Vth-(VDS/2)]VDS ,VGS>Vth and VGS-VDS>Vth
ID=(β/2)(VGS-Vth)2 ,VGS>Vth and VGS-VDS<=Vth
Với β=kP(W/L) gọi là tham số độ hỗ dẫn
Thực hành [1], [3], [6], [7], [8], [9], [10], [11]
1) Xây dựng mô hình toán học, viết chương trình vẽ đặc tuyến ngõ ra của MOSFET
kênh N bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình
thường, với VDS biến thiên từ 0 đến 24V và VGS = -2V; -1V; 0V; 1V; 2V; 3V;
4V; 5V; 6V. Chạy thử chương trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc
tuyến lý thuyết đã học.
2) Xây dựng mô hình toán học, viết chương trình vẽ đặc tuyến truyền của
MOSFET kênh N bằng ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ
bình thường, với VGS biến thiên từ 0 đến 10V và VDS= 24V. Chạy thử chương
trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
3) Dùng phần mềm Multisim V6.20 hoặc 5.12 (Electronics WorkBench) để vẽ đặc
tuyến ngõ ra và đặc tuyến truyền của MOSFET, so sánh với kết quả ở câu 1 và
câu 2. Cho nhận xét.
Hình 2.5
- Để SCR khóa ta không thể kích bằng dòng IG. Để SCR khóa phải thỏa điều kiện
sau: VAK ≤ 0 .
2.2.4.1.Các thông số kỹ thuật cơ bản của SCR là:
- Dòng điện thuận định mức: In (A)
- Điện áp ngược cực đại Vinmax (V)
- Điện áp rơi ΔV (V)
- Điện áp điều khiển VG (V)
- Dòng điện điều khiển IG (mA).
- Tốc dộ tăng dòng điện di/dt (A/μs)
- Tốc dộ tăng điện áp dv/dt (V/μs)
- Dòng điện rỉ ICO (mA)
2.2.4.2. Thực hành [1], [3], [6], [7], [8], [9], [10], [11]
1) Xây dựng mô hình toán học, viết chương trình vẽ đặc tuyến truyền của SCR bằng
ngôn ngữ MATLAB (hoặc ngôn ngữ tuỳ ý), ở nhiệt độ bình thường. Chạy thử
chương trình và so sánh kết quả mô phỏng được với đặc tuyến lý thuyết đã học.
2) Dùng phần mềm Multisim V6.20 hoặc 5.12 (Electronics WorkBench) để vẽ đặc
tuyến ngõ ra và đặc tuyến truyền của SCR, so sánh với kết quả ở câu 1. Cho
nhận xét.
Hình 2.6
- Triac dẫn cả 2 chiều.
- Triac được kích đóng (dẫn) bằng dòng điện IG
- Để đưa Triac từ trạng thái dẫn sang trạng thái khóa phải có 2 điều kiện là : IG=0
và điện áp nguồn đổi chiều.
Triac có thể được kích đóng trong 4 trường hợp sau :
a/. VD>0, VG>0, IG>0 (chiều dương là chiều mũi tên)
b/. VD>0, VG<0, IG<0
c/. VD<0, VG>0, IG>0
d/. VD<0, VG<0, IG<0
Triac ít nhạy nhất trong trường hợp c/.
Giáo trình thí nghiệm điện tử công suất Trang 22
3.2.2. Sinh viên tìm hiểu và giải thích nguyên tắc hoạt động của mạch tạo xung kích:
Board tạo xung kích dùng để tạo và cấp xung kích cho board công suất tại những thời
điểm mong muốn.
Hoạt dộng của nó được mô tả bằng giản đồ dạng sóng tín hiệu trong hình 3.1.
Sơ đồ mạch thí nghiệm được trình bày trong hình 3.2 ở cuối bài thí nghiệm này.
TP3
TP4
Qua so sánh
TP5
TP6
TP7
TP8
TP9
Q2
R2 R3
6
MOC3021 Q1 R6
C 1 U1 E 1 U2 SCR
SCR MOC3021
2 2
R1 R4 TP2
D D
4
1
D3
Board Taûi
TP1 Dm
Q3
R2
6
Q4 MOC3021 R5
R2 E
6
MOC3021 1 U3 SCR
C 1 U4 SCR
2
2 R1
R1
D
4
D
4
Hình 3.3
3.3.3. Khảo sát chỉnh lưu cầu dùng 4 diode công suất:
Mắc mạch như hình 3.4:
•
A 220K
• TP1 Vo
Vin Board tải
•
• TP2
B 5K •
Hình 3.4
Q2
R2 R3
6
MOC3021 Q1 R6
C 1 U1 E 1 U2 SCR
SCR MOC3021
2 2
R1 R4 TP2
D D
4
1
D3
Board Taûi
TP1 Dm
1
D1 D2 R5
Hình 3.5
a. Để hở Dm, nối tải R (bóng đèn 75W)
- Điều chỉnh góc mở α của T1 và T2 bằng π/3 và π/3+π (tương ứng với xung kích
tại TP8 và TP9). Vẽ lại dạng sóng điện áp AC ( nên lấy ở ngõ vào trên mạch tạo
xung, tại điểm TP3), xung kích của T1 và T2, và điện áp ngõ ra Vo
- Tính công suất trên tải.
b. Thay đổi góc mở α của T1 và T2 là 2π/3 và π+2π/3
- Cho nhận xét về độ sáng của đèn.
- Tính lại công suất trên tải.
c. Mắc tải R-L (gồm đèn và cuộn cảm nối tiếp).
- Lập lại câu a và b ( không cần tính công suất trên tải).
-Nối Dm vào mạch, thay đổi thời điểm kích xung của T1 và T2. Quan sát dạng sóng
trên tải và nêu nhận xét.
- Cho biết công dụng của Dm.
6
MOC3021 Q1 R6
C 1 U1 E 1 U2 SCR
SCR MOC3021
2 2
R1 R4 TP2
D D
4
4
1
D3
Board Taûi
TP1 Dm
Q3
R2
1
Q4 MOC3021 R5
R2 E
6
MOC3021 1 U3 SCR
C 1 U4 SCR
2
2 R1
R1
D
4
D
4
Hình 3.6
Hình 4.1: Chỉnh lưu 3 pha mạch tia không điều khiển tải thuần trở.
Chú ý chiều dương điện áp được qui ước như sau: + → -
Giáo trình thí nghiệm điện tử công suất Trang 30
function ham=phuongtrinh1(x,i)
function ham=phuongtrinh2(x,i)
% Định nghĩa phương trình vi phân cho hàm ode23s
global u R L E f u_m
ham(1)=(-i(1)*R/L+ u_m*sin(x-2*pi/3)/L-E/L)/(2*pi*f);
function ham=phuongtrinh3(x,i)
% Định nghĩa phương trình vi phân cho hàm ode23s
global u R L E f u_m
ham(1)=-i(1)*R/(2*pi*f*L)+ u_m*sin(x-4*pi/3)/(2*pi*f*L)-E/(2*pi*f*L);
b. Câu hỏi:
1. Hoàn thành các khoảng trống trong hệ phương trình mô tả trạng thái mạch điện
(hình 4.1) sau đây:
Hình 4.2: Chỉnh lưu 3 pha mạch tia có điều khiển tải R_L_E.
Chú ý chiều dương điện áp được qui ước như sau: + → -
% cl_diode_RLE_dk(u,r,l,e,al,F) mô phỏng mạch chỉnh lưu tia 3 pha có điều khiển dùng
% diode, tải R-L-E, tính điện áp và dòng điện chỉnh lưu trên tải, vẽ đồ thị của các đại lượng
% này với cùng thang đo trên trên trục góc pha x = wt = 2*pi*f*t, w là tần số góc của
% nguồn điện 3 pha. Đối số vào (input argument) u là giá trị hiệu dụng của điện áp
nguồn, r
% và l là giá trị của điện trở và cuộn dây trên tải, e sức điện động trên tải hoặc nguồn dc
% trên tải, F là tần số của điện áp nguồn. Đối số ra (Output argument) i_d là dòng điện qua
% tải , u_d là điện áp trên tải. Các đồ thị được vẽ theo biến x . Vì giá trị của dòng điện rất
% nhỏ so với điện áp, nên để có thể quan sát dạng sóng của dòng điện tốt hơn, trước khi vẽ
% đồ thị, dòng điện đã được tăng lên từ 3 đến 10 lần so với giá trị thật.
f=50;
else
f=F;
end
% Tính dòng điện qua tải.
if L==0
i_d1=(u_m*sin(x1-4*pi/3)-E)/R;i_d2=(u_m*sin(x2)-E)/R;
i_d3=(u_m*sin(x3-2*pi/3)-E)/R;i_d4=(u_m*sin(x4-4*pi/3)-E)/R;
i_d=[i_d1 i_d2 i_d3 i_d4];
else
[k_1,id1]=ode23s('phuongtrinh3',[0:0.01:pi/6+a],u_m/(R+2*pi*f*L));
[k_1,id2]=ode23s('phuongtrinh1',[pi/6+0.01+a:0.01:5*pi/6+a],id1(length(id1)));
[k_1,id3]=ode23s('phuongtrinh2',[5*pi/6+0.01+a:0.01:9*pi/6+a],id2(length(id2)));
[k_1,id4]=ode23s('phuongtrinh3',[9*pi/6+0.01+a:0.01:13*pi/6],id3(length(id3)));
i_d=[id1' id2' id3' id4'];
end
for k=1:length(i_d) % Nếu giá trị âm thì cho bằng zero.
if i_d(k)<0
i_d(k)=0;
end
end
i_d3=3*i_d; %Tăng thang đo của dòng điện lên 3 lần, để dễ nhìn thấy trên đồ thị.
for n=1:length(x)
if (x(n)<=pi/6+a) % Giả sử tại thời điểm t=0, D3 đóng
u_d(n)=u_3(n);
u_v1(n)=(u_1(n)-u_3(n));
i_v1(n)=0;
elseif (x(n)>pi/6+a)&(x(n)<=5*pi/6+a) % D1 đóng.
u_v1(n)=0;
u_d(n)=u_1(n);
i_v1(n)=i_d(n);
elseif (x(n)>5*pi/6+a)&(x(n)<=9*pi/6+a) % D2 đóng.
u_v1(n)=u_1(n)-u_2(n);
u_d(n)=u_2(n);
i_v1(n)=0;
elseif (9*pi/6+a<x(n)&x(n)<=13*pi/6) % D3 đóng
u_d(n)=u_3(n);
u_v1(n)=(u_1(n)-u_3(n));
i_v1(n)=0;
end
end;
% Vẽ đồ thị
subplot(311);
plot(x,u_1,'r',x,u_2,'g',x,u_3,'b');
grid on
xlabel('x'),ylabel('u');
legend('u_1','u_2','u_3');
subplot(312);
plot(x,u_d,'b',x,i_d3,'r');
grid on
xlabel('x'),ylabel('u_d i_d');
legend('u_d','3*i_d');
subplot(313);
plot(x,u_v1,'b',x,10*i_v1,'r');
grid on
xlabel('x'),ylabel('u_D_1 i_D_1');
legend('u_D_1','10*i_D_1');
end;
b. Câu hỏi:
1. Hoàn thành các khoảng trống trong hệ phương trình mô tả trạng thái mạch điện
(hình 3.1) sau đây:
+ Khi 0 < x ≤ π/6 + α và 9π/6 + α <x ≤ 13π/6 (D3 dẫn, D1, D2 ngắt):
id = …… ; iD1 = …….; iD2 =…….; ud = …….
+ Khi π/6 + α < x ≤ 5π/6 + α ( D1 dẫn, D2 , D3 ngắt):
id = …… ; iD3 = …….; iD2 =…….; ud = ……..
+ Khi 5π/6 + α < x ≤ 9π/6 + α ( D2 dẫn, D1 , D3 ngắt):
id =….. ; iD1 = …..; iD3 = ….; ud = …..
Quan hệ giữa dòng điện tải id và điện áp trên tải ud: id = ……
Điện áp trên các diode, ví dụ D1:
+ uD1 = ….. khi D1 dẫn ( π/6 + α < x ≤ 5π/6 + α )
+ uD1 = …... khi D1 ngưng dẫn.
2. Chương trình mẫu 1 cl_diode_RLE khác với chương trình mẫu 2 phần nào?
3. Chạy chương trình MATLAB cl_diode_RLE_dk với điện áp hiệu dụng của
nguồn 3 pha là 220V, điện trở tải là R=10 Ω, E=0V, α = π/4 rad, F=50Hz, lần lượt với
các giá trị L khác nhau: L=0H, L=0.001H, L=0.01H và L=0.1H. Nhận xét (so sánh các
trường hợp L khác nhau và so với lý thuyết).
4. Chạy chương trình MATLAB cl_diode_RLE_dk với điện áp hiệu dụng của
nguồn 3 pha là 220V, điện trở tải là R=10 Ω, E=0V, L=0.01H, F=50Hz, lần lượt với các
giá trị α khác nhau: α = 0 rad, α = π/4 rad, α = π/3 rad . Nhận xét (so sánh các trường
hợp α khác nhau và so với lý thuyết).
5. Mở PSIM, ráp mạch như hình 4.2 (phải thêm vào mạch tạo xung kích) và chạy
chương trình mô phỏng trên PSIM lần lượt với các thông số của R-L-E như câu 4.2.4. So
sánh kết quả với câu 4.2.4 và cho nhận xét. (Nhớ mắc thêm các ampere kế và volt kế vào
các vị trí cần đo điện áp và dòng điện).
Trường hợp có hiện tượng trùng dẫn tải R_L và cảm kháng của nguồn LC không thể
bỏ qua (LC ≠ 0).
Hình 4.3: Chỉnh lưu 3 pha mạch tia có điều khiển tải R_L, LC ≠ 0.
Chú ý chiều dương điện áp được qui ước như sau: + → -
Câu hỏi:
6. Hiện tượng trùng dẫn là gì?
7. Mở PSIM, lắp ráp mạch như hình 4.3 (phải thêm vào mạch tạo xung kích mắc
thêm các ampere kế và volt kế vào các vị trí cần đo dòng điện và điện áp) và chạy
chương trình mô phỏng trên PSIM lần lượt với các thông số:
R=10, L= 0.01 H, α = π/3 rad, LC = 0.001 H.
So sánh kết quả với câu 4.2.4 và cho nhận xét.
Chạy PSIM
Quay Nối dây dẫn Dán nhãn Chạy SIMVIEW
Chọn phần tử
trong mạch
Cửa sổ thiết kế
Hình 5.1
Trên menu, từ File ta chọn New (thực hiện mạch điện mới) hoặc Open (để mở
project cũ đã lưu dưới dạng file có phần mở rộng là “.sch”).
Các thao tác cơ bản để thực hiện một mạch điện mới:
o Chọn linh kiện, nguồn tín hiệu và các thành phần khác từ Elements trên
menu hoặc trên thanh công cụ ở phía dưới màn hình ( nhấp chuột trái vào
phần tử muốn chọn. Sau đó nhấp chuột vào vị trí muốn đặt phần tử đó trên
cửa sổ thiết kế, có thể quay phần tử đã chọn từ Rotate trên menu Edit hoặc
nhấp chuột trái vào biểu tượng tương ứng trên menu bar).
o Thực hiện các đường mạch nối các linh kiện và các thành phần khác: chọn
Wire trên menu Edit hoặc biểu tượng tương ứng trên menu bar, sau đó rê
chuột giữa các điểm muốn nối.
o Đặt các tham số của các linh kiện: nhấp chuột trái vào biểu tượng “mũi tên”
trên menu bar, rồi nhấp chuột trái vào thành phần muốn đặt tham số, sau đó
chọn Attributes trên menu Edit (hoặc ấn phím tắt F4), một cửa sổ con hiện
ra, cho phép ta nhập các tham số cần thiết. Chú ý các tham số và đơn vị
tính của các linh kiện.
o Dán nhãn: chọn Label trên menu Edit (hoặc ấn phím tắt F2) , nếu cần.
o Chạy chương trình mô phỏng: chọn Run Simulation trên menu Simulate,
hoặc ấn phím tắt F8, hoặc nhấp chuột trên biểu tượng tương ứng trên menu
bar. Ở chế độ mặc định (Auto-Run SIMVIEW), một cửa sổ con “Data
Display Selection” hiện ra cho phép ta chọn các biến cần hiển thị đã liệt kê
sẵn (theo các thiết bị và điện áp có trong mạch điện). Nếu muốn hiển thị đồ
Giáo trình thí nghiệm điện tử công suất Trang 40
thị của một đại lượng (biến) nào đó, ta cần phải đặt thiết bị đo lường tướng
ứng vào vị trí đó trên mạch điện.
o Sinh viên cần tham khảo trước về PSIM trong các tài liệu [6].
Hình 5.2: Mạch chỉnh lưu điều khiển một pha nửa chu kỳ.
- Thiết lập các giá trị phù hợp.
- Vẽ lại trên bài phúc trình dạng sóng điện thế tải ud, dạng sóng dòng điện tải id.
- Giải thích dạng sóng ud, id.
- Dựa vào đồ thị dạng sóng điện áp tải, tính giá trị điện áp trung bình giữa 2
đầu tải
b. Thay đổi V1 để thay đổi góc kích α. Vẽ lại trên bài phúc trình dạng sóng ứng với
góc kích α= 2π/3 (V1 = 120 Volt).
c. Thiết lập L=0.05H. Vẽ lại trên bài phúc trình dạng sóng ud, id. So sánh với dạng
sóng ở câu a và giải thích.
5.3.2. Mạch chỉnh lưu điều khiển một pha hai nửa chu kỳ:
a. Vẽ mạch chỉnh lưu điều khiển một pha hai nửa chu kỳ như sau (Hình 5.3):
Hình 5.3: Mạch chỉnh lưu điều khiển một pha hai nửa chu kỳ.
- Thiết lập các giá trị phù hợp.
- Vẽ lại trên bài phúc trình dạng sóng điện thế tải ud, dạng sóng dòng điện tải id.
- Giải thích dạng sóng ud, id.
b. Thay đổi V2 để thay đổi góc kích α. Vẽ lại trên bài phúc trình dạng sóng ứng với
góc kích α = π/3 (V2 = 120 Volt).
c. Thiết lập L = 0H. Vẽ lại trên bài phúc trình dạng sóng ud, id. So sánh với dạng
sóng ở câu a và giải thích.
+ +
vi Ổn áp vo RL
- -
Hình 6.1
+ +
C1 C2
- So sánh Lấy mẫu RL
-
Chuẩn
- Công suất ổn áp: Thường là một transistor công suất lớn, hoạt động như một điện
trở thay đổi.
- So sánh: So sánh điện thế lấy mẫu và điện thế chuẩn để tạo thành điện thế điều khiển
VDK để điều khiển mạch kích tạo dòng kích cho công suất.
- Chuẩn: Tạo điện thế chuẩn Vref cho mạch so sánh (thường dùng zener).
- Lấy mẫu: Lấy một phần điện thế ngõ ra so sánh với điện thế chuẩn (điện thế lấy mẫu
thay đổi theo điện thế ngõ ra vo).
Nguyên tắc hoạt động: vo=vi-AV
Giả sử khi vo thay đổi (vì lý do nào đó), điện thế lấy mẫu thay đổi theo trong khi điện
thế chuẩn không đổi nên ngõ ra VDK của mạch so sánh thay đổi, điện thế VDK này điều
khiển mạch kích và công suất thay đổi độ hoạt động (chạy mạnh/chạy yếu) để thay đổi
AV sao cho vo ổn định.
Mạch căn bản có dạng:
R
Q1
+ +
R2 R3 IL
vi R1
Q2 vo
C1 C3 RL
+
- + VR
C2
- Q3
D R4 -
Hình 6.3
xung vuông làm transistor bảo hòa, mức thấp làm transistor ngưng. Như vậy công suất ổn
áp hoạt động như một chuyển mạch (switch).
- Dao động tạo xung vuông có thể là đa hài (công suất độc lập với mạch dao động)
hoặc thông dụng hơn là dao động blocking (công suất tham gia vào mạch dao động) do
cách ly được mass điện.
+ AV -
Công suất ổn áp
+
vi
+
Chuẩn
-
-
vo
SW
vi vo
⇒
0
Tx
Hình 6.4
- Khi chưa mắc tụ lọc ngõ ra, v0 có dạng xung với biên độ đỉnh bằng vi khi SW ở
trạng thái ON và v0=0 khi SW ở trạng thái OFF. Trị trung bình của v0 là
Tx
vo = vi
T
Ta thấy: Để thay đổi trị trung bình ngõ ra vo ta có thể:
- Thay đổi thời gian SW ở trạng thái ON (Transistor dẫn bảo hòa)
- Thay đổi tần số của mạch dao động (Tức thay đổi chu kỳ T)
- Hoặc thay đổi cả hai
Thực tế, để tiện việc thiết kế và kiểm soát, thường người ta giữ nguyên tần số dao động
(thực tế trong máy thu hình, monitor máy tính…. Người ta dùng xung quét ngang đưa về
để giữ cho tần số dao động bằng với tần số quét ngang), tín hiệu lấy mẫu chỉ làm thay đổi
độ rộng của xung vuông tức thay đổi thời gian dẫn-ngưng của transistor công suất, tức Tx.
- Để ổn định vo, thí dụ khi vi cao người ta giảm Tx, khi vi giảm người ta tăng Tx.
- Mạch thường được thiết kế ở tần số khá cao (hơn 10KHz) nên tụ lọc ngõ ra không
cần lớn mà vẫn bảo đảm được việc giảm tối đa sóng dư (vo gần lý tưởng).
- Để tạo ra nhiều loại điện áp khác nhau, nhất là cách ly được mass điện và mass máy
(chống giật), người ta thường thiết kế bộ nguồn có biến áp xung. Tùy theo tần số hoạt động
của mạch và số vòng cuộn sơ cấp, thứ cấp mà ta có được các điện áp khác nhau theo yêu cầu.
D
B+ B1
+
-
D
B2
+
OSC
-
SW
Hình 6.5
Hình 6.6
c/ Chỉnh VR để vo=+12V, cho vi thay đổi từ +15V →+20V, đo vo, lập bảng theo mẫu
sau và vẽ đồ thị vo=f(vi). Nhận xét.
vo
d/ Cấp vi=+18V, Đo vo khi thay đổi IL (bằng cách thay đổi RL)
IL
vo
+300V
7 8
220VAC
+
C1
-
47K/2W
272/1K
B1
47K/2W 5 + RL1 +
9
100μF/
K794 100V
- -
47Ω
B2
10
47K
47K/2W
+ RL2 +
11
1KΩ
.33Ω/2W
- -
.0022 22K
+ .001
13
-
.1
15
4 5
47Ω
out
3 6
100μF/
100p 1MΩ 25V 47Ω 3
2 Vcc 7
.KA3842
+
18K 100Ω
1 8
-
100K Vz=18V
5K .1
.22 3.3K 1KΩ
Hình 6.7
SCR K794
G D S
7 Vcc
Vref 29V
8 5V SET
Vref RESET
5 GND
INTERNAL UVLO
BIAS
LOGIC
½ Vref
ERROR Amp C.S Comp
VFB +
1/3
2
-
1V
PWRVC
Comp
1 7
R
CS
out
3
22V 6
Sense
S
PWR
GND
RT/CT
> T 5
4 OSCILLATOR
Hình 6.8
IC KA3842 là IC dao động điều khiển mạch nguồn Switching được sử dụng rất nhiều
trong các mạch nguồn monitor máy tính. IC này hoạt động theo kiểu biến điệu độ rộng
xung (pulse width modulation). IC có khả năng tạo nguồn chuẩn Vref=+5V tại chân 8,
mạch so sánh cảm nhận về điện áp để khoá mạch biến điệu độ rộng xung bên trong. Chân
4 mắc R, C định tần số dao động, xung biến điệu độ rộng được thực hiện bởi mạch FF RS
cấp cho mạch khuếch đại Push-Pull thông qua cổng OR.
Khi mở máy, chân 7 được cấp nguồn từ điện thế 300V để khởi động mạch, sau đó
điện thế cảm ứng lấy từ cuộn 1-3 sẽ đuợc chỉnh lưu để cấp nguồn ổn định cho IC3842.
Cuộn 1-3 còn được dùng để lấy mẫu ngõ ra để đưa về mạch so sánh (chân 1-2). Zener
18V và SCR giữ vai trò bảo vệ khi điện áp vượt quá cao.
6.3.2.2. Sinh viên khảo sát mạch và thực hiện các công việc sau:
1. Để hở công suất nguồn, khảo sát IC3842
a/ Đo điện áp DC chân 7 khi mạch hoạt động ổn định. Lúc này zener 18V và SCR
dẫn hay ngưng?
b/ Đo điện áp DC tại chân 2. Điện áp này dùng làm gì? Có thay đổi theo điện áp
ngõ ra B1 và B2 không? Tại sao?
c/ Quan sát và vẽ lại dạng sóng chân số 4
d/ Quan sát và vẽ lại dạng sóng tại ngõ ra (chân 6). Chỉnh biến trở 5K, dạng sóng
ngõ ra thay đổi như thế nào?
2. Nối công suất nguồn vào mạch
4.7
a/ Đo B1 khi RL = KΩ
2
b/ Thay đổi RL bằng cách không nối rồi nối lần lượt JP1, JP2, JP3, đo B1, lập bảng:
4 .7 4 .7 4 .7 4 .7
RL(KΩ) 2 3 4 5
B1
B1
IL =
RL
VG
VS IG G
Tải IG
VL t
Mạch tạo xung kích
VL
t
Hình 7.1
Hình 7.2
Vì Triac dẫn cả 2 chiều nên chỉ có 2 trạng thái dẫn và khóa. Triac được kích đóng
(dẫn) bằng dòng điện IG và để đưa Triac từ trạng thái dẫn sang trạng thái khóa phải có 2
điều kiện là : IG=0 và điện áp nguồn đổi chiều.
Triac có thể được kích đóng trong 4 trường hợp sau :
a/. VD>0, VG>0, IG>0
b/. VD>0, VG<0, IG<0
c/. VD<0, VG>0, IG>0
d/. VD<0, VG<0, IG<0
Triac ít nhạy cảm nhất trong trường hợp c/.
Với VS là nguồn điện xoay chiều hình sin, công suất tiêu thụ phụ thuộc vào góc mở α
(hay góc trễ). Dạng sóng của điện áp nguồn VS, dòng điện kích đóng IG (hoặc điện áp
VG), điện áp trên tải VL được vẽ trong hình 7.2.
- Sơ đồ mạch điều khiển công suất AC dùng Triac được trình bày trong hình 7.3 ở
cuối bài thí nghiệm này.
Lưu ý rằng, để xác định góc trễ và xung kích xuất hiện đúng thời điểm, mạch tạo
xung kích cần phải có thông tin về pha của điện áp nguồn.
- Trường hợp điện áp nguồn có dạng sin : VS=VMsinωt= 2 VSsinθ.
Với VM : giá trị cực đại,VS : giá trị hiệu dụng,θ=ωt=2πft
Điện áp hiệu dụng trên tải là :
2 π
∫α 2 VS
2
VL=[ sin2θdθ ]1/2
2π
1 sin 2α 1/2
Hay: VL=VS[ (π-α+ )]
π 2
Ta thấy, khi α biến thiên từ 0->π thì VL biến thiên từ VS->0. Điều này chứng tỏ công
suất tiêu thụ trên tải phụ thuộc vào α.
TP1
TP2
TP5
TP3
TP5
TP9
TP6
TP7
Hình 7.4
2. Với tải R, dùng Oscilloscope quan sát điện áp trên tải, ước lượng góc mở, đo điện
áp hiệu dụng (hoặc dòng điện hiệu dụng) trên tải, lập bảng 1, nhận xét và so sánh với lý
thuyết.
α 00 300 600 900 1200 1500 1800
VL
2
V
P= L
RL Hình 7.5
3. Mắc tải R_L vào mạch điều khiển công suất AC, dùng oscilloscope xem và vẽ lại
dạng sóng điện áp trên tải, so sánh với trường hợp tải trở, giải thích.
4. Với tải R_L, lặp lại câu 2 (chú ý: VL là điện áp giữa 2 đầu R) . Nhận xét.
Id1 Lf Id2
f1 ~ - f1
Cf Ud2
- ~
Mạch tạo
Hình 8.1 xung kích
Pha
.01μF/400V • •
Lf Lf
• • Pha
• •
AC110/50Hz 330μF/400V
330μF/400V
Pha
• •
• • Dây trung hòa
•
(a) (b)
b. Bộ nghịch lưu áp
Bộ nghịch lưu áp 1 pha:
Bộ nghịch lưu áp dùng BJT mắc theo dạng mạch cầu (Hình 8.3.a) có 4 công
tắc (BJT) và 4 diode mắc đối song.
Xung kích được đưa vào điều khiển bộ nghịch lưu được cách ly bằng biến thế.
•
+280VDC
10 10
1N5408 1N5408
C2939 C2939
• •
10 10
1N5408 1N5408
C2939 C2939
-
•
• •
Tải
(a)
S1, S2
S3, S4
Utả +
i
(b)
U/2 S1 S3 S5
S1 S3 S5
+
U -
S4 S6 S2
S4 S6 S2
U/2
-
•
J1 •
J2 •
J3
BOP
DIN10
U,V,W,PE
Hình 8.6
Hình 8.7
c. Sử dụng
G110 có thể điều khiển động cơ bằng nhiều cách:
+ Thông qua các DIP trên G110
+ Keypad
+ PC (mode USS).
- Để điều khiển hoạt động của G110, người điều khiển phải nhập vào các tham
số (Parameter). G110 sẽ lấy giá trị các tham số này, tính toán và thực hiện điều khiển
tương ứng ở ngõ ra.
Sử dụng BOP để truy nhập vào các tham số tương đối đơn giản:
1. Nhấn để vào chọn các tham số.
2. Nhấn đến khi tham số cần hiệu chỉnh hiển thị trên màn hình.
3. Nhấn để hiển thị giá trị hiện tại của tham số.
4. Nhấn hoặc để chọn giá trị cần thiết lập.
5. Nhấn để chấp nhận giá trị vừa thay đổi.
6. Lặp lại từ bước 2 cho các thông số kế tiếp.
Cho nhận xét về sự phụ thuộc của công suất vào tần số.
c. Dùng oscilloscope xem và vẽ lại dạng sóng điện áp ra trên tải trên một pha
xác định (chú ý : dùng dây lấy tín hiệu cho oscilloscope có mạch giảm áp) , nhận xét.
2. Mắc tải R_L vào mạch biến tần theo kiểu Y, chọn tần số 40Hz, dùng
Oscilloscope xem và vẽ lại dạng sóng điện áp trên tải (trên một pha xác định)
3. Thay tải R_L bằng motor 3 pha, thay đổi tần số và quan sát tốc độ quay của
motor. Suy ra sự phụ thuộc của tốc độ quay vào tần số của nguồn điện cấp cho motor.
Lúc khởi động motor, nguồn cấp điện cho motor có tần số thấp hay cao? Tại sao?
P1082=50 Hz
P1120=10
P1121=10
P3900=1
: Khởi động motor ( ON) Æ Motor chạy với tần số 5Hz.
: Dừng Motor (OFF).
: Đảo chiều quay Motor.
: Nhấn giữ Motor sẽ tăng dần đến tần số đã đặt.( P1058 )Æ tần số hoạt động
motor tăng dần đến 5Hz.
- Vẫn gi ữ các thông số về motor trên nhưng ta thay đổi thêm một số tham số:
P0003=3
P0010=0
P1040=30 Æ thay đổi tần số MOP.
P1058 = 20 Æ thay đổi tần số JOG.
Thực hiện cài đặt lại 3 tham số:
P0700=1
P0719=0
P1000=1
: Khởi động motor ( ON) Æ Motor chạy với tần số 30Hz.
: Dừng Motor (OFF).
: Đảo chiều quay Motor.
: Nhấn giữ Motor sẽ tăng dần đến tần số đã đặt.( P1058 )Æ tần số hoạt động
motor tăng dần đến 20Hz.
- Nhấn giữ trong khoảng 2-3s, sau đó nhấn tiếp từng lần để xem các thông số
hoạt động của motor. Muốn trở về mode các tham số thì ấn giữ trong khoảng 2-3s.
Yêu cầu:
- Cho nhận xét về hoạt động của động cơ, khi ta thay đổi tần số MOP và JOP.
- Cho biết ý nghĩa của 2 tham số MOP và JOP.
cạnh xuống và 1 cạnh lên) được tạo ra từ một mạch dao động tạo sóng sin có tần số rất
thấp gọi là tín hiệu điều khiển.
Hình 9.1. Nguyên tắc hoạt động của biến tần trực tiếp
bằng cách ‘cắt từng đoạn’ điện thế cung cấp.
Ngõ ra của mạch so sánh thứ 1 được dùng để điều khiển Q1 trong khi ngõ ra của
mạch so sánh thứ 2 dùng để điều khiển Q2. Kết quả là góc mở các SCR Q1 và Q2 sẽ
giảm dần từ giá trị lớn nhất (ứng với điểm đầu của cạnh lên tín hiệu điều khiển, tín hiệu ở
TP3) đến giá trị nhỏ nhất (ứng với điểm cuối của cạnh lên) rồi sau đó tăng dần đến giá trị
lớn nhất (ứng với điểm cuối của cạnh xuống tín hiệu điều khiển). Như vậy điện thế ngõ ra
sẽ tăng dần từ giá trị nhỏ nhất, đạt cực đại ở điểm giữa tín hiệu răng cưa rồi giảm dần đến
giá trị thấp nhất.
Như vậy mạch ở hình 9.3 tạo được 1 bán kì dương của điện thế ngõ ra. Để điều
khiển bán kì còn lại, sinh viên tự tìm hiểu (xem phần CÂU HỎI và thực hành)
Q1
Q2 g1
T2
5Pha1
g2 R_Load
1
6 Giua
220V AC in
4
8 Pha2 Q3
g3 Q4
g4
Hình 9.2. Mạch công suất biến tần trực tiếp 2 pha
∫
+
pha1 2
1
+ Tới g1
-
TP4 -
3 So sánh 1
∫
+
1
Pha2 2
-
Tới g2
+
3
∫
+ -
1
2
-
TP2 TP3
So sánh 2
TP1
Mạch dao động Chỉnh tần số
tạo sóng sin
VTB=?
0
π
α
g2
t
VL
Nhận xét về trị trung bình của điện thế trên tải VL.
Để tạo chu kì âm của điện thế trên tải, thì mạch điều khiển phải cải tiến như thế nào?
Nối tải thuần trở (bóng đèn) vào mạch công suất. Cấp điện mạch công suất.
- Để các biến trở chỉnh tần số mạch dao động trên mạch điều khiển ở mức giữa,
điều chỉnh lại biến trở VR, chỉnh thang biên độ máy hiện sóng về vị trí lớn nhất. Quan sát
tín hiệu điện thế trên 2 đầu tải. Vẽ lại dạng sóng điện thế trên tải. Dòng điện qua tải có
dạng thế nào?
- Chỉnh biến trở về vị trí thấp nhất, quan sát dạng tín hiệu trên tải. Nhận xét.
R1 2,2K
1 2
C2
- Tăng dần tần số sóng sin, điều chỉnh lại biến trở VR như phần trên, quan sát tín
hiệu trên tải, nhận xét.
a. Ngắt điện mạch công suất. Nối tụ C2 song song với tải R1. Lập lại thí nghiệm
như phần II.1. Điện thế trên tải thay đổi thế nào so với phần II.1.
R1
1 2 L2
2,2K
C2
b. Ngắt điện mạch công suất. Mắc tải như hình bên. Lập lại thí nghiệm như
phần II.1. Điện thế trên tải thay đổi thế nào so với 2 trường hợp trên.
Trường hợp nào tín hiệu tốt nhất (gần sin nhất).
c. Cho biết công dụng của 2 tụ C1, C2 nối giữa G và K của Q1 & Q2?
d. Mắc tải R&L nối tiếp, R=2,2K, quan sát tín hiệu ra, nhận xét?
e. Mắc tải motor, thay đổi tần số, quan sát tốc độ quay của motor, cho nhận xét
về sự phụ thuộc của tốc độ quay và công suất vào tần số điện áp ra.
f. Sinh viên cho biết mạch thí nghiệm thích hợp sử dụng với loại tải nào ? Không
thích hợp với loại tải nào? Giải thích tại sao? Nêu hướng khắc phục để mạch có thể sử
dụng trong thực tế?