Efecto Hall y sus Aplicaciones

Héctor Iván Hoyos Daza Pontificia Universidad Javeriana
Imagen extraída de http://www.sabelotodo.org/electrotecnia/imagenes/efect ohall.png

Abstract-Se presenta las características del fenómeno conocido como efecto Hall junto con su respectiva explicación. Así mismo se exhiben ejemplos de aplicaciones que han surgido del estudio de éste. I. INTRODUCCIÓN El efecto Hall es un fenómeno que ocurre en un conductor por el que circula una corriente cuando éste se coloca en un campo magnético perpendicular a la corriente. II. DESCRIPCIÓN DEL FENÓMENO La corriente que atraviesa el conductor empieza a ser deflactada por el campo magnético, lo que da lugar a un campo eléctrico (campo Hall) que es perpendicular tanto al campo magnético como a la corriente, como se observa en la figura. Si la densidad de corriente, J x , es a lo largo de x y el campo magnético, B z , es a lo largo de z, entonces el campo Hall puede ser o bien a lo largo de +y o de ±y dependiendo de la polaridad de las cargas que atraviesan el material.

III. EXPLICACIÓN DEL FENÓMENO Efecto Hall en una muestra donde hay tanto cargas negativas como positivas, por ejemplo electrones y huecos en un semiconductor, implica no sólo la concentración de electrones y agujeros, n y P, respectivamente, sino también de los coeficientes de arrastre del electrón y el hueco, Qe y Qh . Primero se debe reinterpretar la relación entre la velocidad de arrastre y el campo eléctrico, E. Si Qe es el coeficiente de arrastre y v la velocidad de arrastre de los electrones, entonces se ha demostrado que v ! e E esto ha sido derivado al considerar la fuerza neta electrostática, eE, que actúa sobre un solo electrón y la aceleración impartida * a ! eE me . El arrastre es debido a la fuerza neta. F n t ! E , sufridos por los electrones de conducción. Si se tuviese que mantener la fuerza neta F n et que actúa sobre un solo electrón entonces se tendría que encontrar ve ! Qe ffffff F e net
¤ £ ¢ ¡  

` a

1

La ecuación (1) hace hincapié en el hecho de que el arrastre se debe a una fuerza neta, F n et , que actúa sobre un electrón. Una expresión similar se aplicaría también al arrastre de un agujero en un semiconductor. Cuando los electrones y los huecos están presentes en una muestra de semiconductores, los portadores de carga experimentan una fuerza de Lorentz en la misma dirección, ya

El campo magnético B z está fuera del plano del papel.que el arrastre sería en el sentido opuesto como se ilustra en la Figura 1. Los electrones y los huecos son desviados hacia la superficie inferior del conductor y en consecuencia. de la ecuación (1). Supongamos que v ey y v h y son habituales para electrones y son las velocidades de arrastre para los huecos en -y y +y respectivamente. a lo largo de y. por lo tanto ¥ donde v h x y v ex son velocidades de arrastre del hueco y el electrón a lo largo de x. La fuerza neta experimentada por los portadores es F hy ! eE y @ev h y @F ey ! eE y  ev ex B z 4 ` a ! ev ey + Qe ev ey ffffffffffff !e Qe y  ev ex B z c ` .  vfffffffff hy Qh ` a y ! J h  J e ! epv hy  env ey ! 0 vffffffff ` ey ! E y  Qe E x B z 5 Qe 2 De la ecuación (5) se puede sustituir v h y y v ey en la ecuación (3) para obtener E y pQ h  nQ e ! B z E x pQ 2 @nQ e eE x n 6  Es evidente que tanto el electrón o la velocidad de arrastre del hueco debe ser invertido con respecto a su dirección habitual para obtener una red de corriente cero a lo largo de y (en la Figura 1 esto significa que los huecos están siendo arrastrados en b c b  © ev h y ffffffffffff ¨ § Así. en general. La magnitud de la fuerza de Lorentz. Se denota que la fuerza neta que actúa sobre la carga portadora no puede ser cero. hy y de manera que la ecuación 4 se convierte en. será diferente. En la dirección y no hay corriente. Por lo tanto. tanto el electrón como el agujero deben experimentar una fuerza impulsora de arrastre. se determina la velocidad de arrastre por la fuerza neta que actúa sobre un portador de carga. Sustituyendo v hx ! Q h E x y v ex ! Q e E x éstas se convierten en ! E y @Q h E x B z . sin embargo. dirección opuesta a E y ). Esto es imposible cuando se tienen portadores involucrados y que por lo tanto cada portador arrastrado a lo largo de y da una corriente neta J y que es cero. las velocidades de arrastre serán diferentes. no debería haber ninguna corriente que fluya en la dirección y porque tenemos un circuito abierto. Sabemos que. ! ev hy * Q n ey ¦ Efecto Hall para la conducción ambipolar como en los semiconductores donde se encuentran los electrones y huecos. Una vez que se alcanza el equilibrio. Esto es lo que la ecuación (2) representa. Suponiéndose que se han acumulado más agujeros cerca de la superficie inferior de modo que hay un campo eléctrico construido a lo largo de E y en y como se muestra en la Figura 1. !e y Qh @ev h x B z donde v h y y v ey son las velocidades de arrastre del electrone y del hueco a lo largo de y. los huecos y los electrones tienden a acumularse cerca de la superficie inferior. ya que las constantes de arrastre y por lo tanto. se concluye que. De la ecuación (2) obtenemos pv hy ! @nv ey ` a 3 Figura 1. es decir. la tensión Hall depende de las movilidades relativas y las concentraciones de electrones y huecos.

REFERENCIAS [1] Wikipedia. Direct Industry. Disponible en http://content.ac. Primer Semestre de 2010. Disponible en http://www. es muy importante y ha desarrollado aplicaciones para medir campos magnéticos. APLICACIONES Sensor de efecto Hall de alta sensibilidad: Se sirve del efecto Hall para la medición de campos magnéticos o corrientes o para la determinación de la posición. Mayo 2010.de/matwis/amat/mw2_ge/kap_2/backbon e/r2_1_3.html [4] Honeywell.warwick. [Online].di rectindustry. Muchas investigaciones se orientaron a reducir el offset y el ruido.google. eE y nQ e  pQ h ! B x J x pQ 2 @nQ 2 h e El coeficiente de Hall. ³Hall effect sensing and applications´.es/images_di/photo-g/sensor-de-posicionde-efecto-hall210266.co/imgres?imgurl=http://img. notas de la clase de Física de Semiconductores a cargo del Docente Luis Camilo Jiménez.es/pr od/melexis/sensor-de-posicion-de-efecto-hall-12118210266. La utilización de sensores basados en el principio del efecto Hall. Mayo 2010. [Online]. . intensidad de corrientes eléctricas. Pontificia Universidad Javeriana. movilidad de una partícula cargada eléctricamente junto con la utilización de éstas mediciones por ejemplo en motores aceleradores de plasma. Facultad de Ciencias.jpg&imgrefurl=http://www. b h   c ` a J x ! epv h x  env ex ! p n e eE x 7 Se puede usar la ecuación (7) para sustituir E x en la ecuación (6). [Online]. ³Efecto fotoeléctrico´. Departamento de Física.wikipedia. Disponible en http://www. pero pocas obras se llevaron a cabo para mejorar la sensibilidad de estos sensores.unikiel.com.htm [3] ³The Hall Effect´.html&usg=__t2h7yuVZ7uTUWu35c5OYaEPhn4=&h=1000&w=940&sz=107&hl=es&start=1&um=1 &itbs=1&tbnid=qqMnkXM28g0NCM:&tbnh=149&tbn w=140&prev=/images%3Fq%3Dsensor%2Bde%2Befe cto%2Bhall%26um%3D1%26hl%3Des%26sa%3DX% 26tbs%3Disch:1 IV. por definición. es R H ! E y * J x B z de modo que pQ2 @nQ 2 ffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffff e RH ! b h c2 e pQ h  nQ e Extraído de http://www.uk/~phsbm/fqhe. Disponible en http://es. La sensibilidad de los sensores de Efecto Hall convencionales es muy limitado por el efecto de corto-circuito.com/sensing/prodinf o/solidstate/technical/hallbook. la enciclopedia libre.techfak. Mayo 2010.directindustry.honeywell. [2] ³Fractional Quantum Hall Effect´. [Online].pdf [5] ³Física de Semiconductores´.org/wiki/Efecto_Hall. la densidad de corriente total es finita y está dada por la expresión habitual. Mayo 2010. para obtener b c2 b c Sensor magnético de movimiento y posición. Esta nueva forma de dispositivo integrado horizontal de efecto Hall se ha desarrollado para minimizar los efectos de corto circuito a través de la reducción de la resistencia media del sensor.Considerando ahora lo que sucede a lo largo de la dirección x.

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful