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IMPERFECCIONES QUIMICAS

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IMPERFECCIONES QUIMICAS

IMPERFECCIONES QUIMICAS.
DEFECTOS E IMPERFECCIONES CRISTALINAS
Realmente no existen cristales perfectos sino que contienen varios tipos de
imperfecciones y defectos, que afectan a muchas de sus propiedades físicas y
mecánicas y también influyen en algunas propiedades de los materiales a nivel de
aplicación ingenieril tal como la capacidad de formar aleaciones en frío, la
conductividad eléctrica y la corrosión.
Las imperfecciones se clasifican segn su geometría y forma así!
• "efectos puntuales o de dimensión cero.
• "efectos lineales o de una dimensión llamados también dislocaciones.
• "efectos de dos dimensiones.
DEFECTOS PUNTUALES
VACANTE
#onstituye el defecto puntual más simple. $s un hueco creado por la perdida de
un átomo que se encontraba en esa posición. %uede producirse durante la
solidificación por perturbaciones locales durante el crecimiento de los cristales.
&ambién puede producirse por reordenamientos atómicos en el cristal ya formado
como consecuencia de la movilidad de los átomos.
'on las imperfecciones más comunes en los cristales. 'e dan hasta una por cada
()))) átomos.
Las vacantes de no equilibrio tienen tendencia a agruparse formando clusters, que
forman divacantes o trivacantes.
Las vacantes pueden trasladarse cambiando su posición con sus vecinos. $ste
proceso es importante en la migración o difusión de los átomos en el estado
sólido, sobre todo a altas temperaturas donde la movilidad de los átomos es
mayor.
CUATRIMESTRE: SEPTIEMBRE-DICIEMBRE SEPTIEMBRE 06 DEL 2010
IMPERFECCIONES QUIMICAS
DEFECTOS INSTERSTICIALES
*lgunas veces, un átomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una
posición que normalmente no está ocupada formando un defecto llamado
+ "efecto intersticial, .
-eneralmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones
en los alrededores puesto que normalmente el átomo es sustancialmente más
grande que la posición intersticial en la que se sita. #onsecuentemente la
formación de este defecto no es muy probable.
'e pueden introducir en una estructura por radiación.
IMPUREZAS EN SÓLIDOS
$ste defecto se introduce cuando un átomo es reempla.ado por un átomo
diferente. $l átomo sustituyente puede ser más grande que el átomo original y en
ese caso los átomos alrededor están a compresión ó puede ser más peque/o que
el átomo original y en este caso los átomos circundantes estarán a tensión. $ste
defecto puede presentarse como una impure.a o como una adición deliberada en
una aleación.
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IMPERFECCIONES QUIMICAS
"ependiendo de la clase de impure.a que se halle en el cristal, de su
concentración y de la temperatura se formará en el cristal una SOLUCIÓN
SÓLIDA.
#uando se habla de solución sólida hay que hacer claridad sobre algunos
términos!
'oluto! $s el elemento o compuesto dentro de la solución sólida, que se encuentra
en menor concentración 01mpure.as2.
'olvente! $s el elemento dentro de la solución sólida, que se encuentra en mayor
concentración.
3na solución sólida se forma cuando átomos de soluto se adicionan al material y
la estructura cristalina original se mantiene. 'e puede asimilar a una solución
líquida en la que también los átomos que constituyen las impure.as 0soluto2 están
distribuidos al a.ar y uniformemente dispersos dentro del sólido.
Los defectos puntuales de impure.as dentro de las soluciones sólidas pueden
generarse por dos mecanismos!
• 'ustitución! *quí el soluto o las impure.as reempla.an a átomos originales.
$sto se da cuando los átomos que constituyen el soluto y el solvente
cumplen los siguientes requerimientos 0Reglas de 4ume5Rothery2!
• Los radios atómicos no difieran más del (67.
• Las estructuras cristalinas deben ser las mismas.
• Las electronegatividades deben ser similares ya que de otra manera
reaccionarían y se formarían nuevos compuestos.
• "eben tener la misma valencia.
3n e8emplo de solución sólida en metales lo constituyen el #obre y el 9íquel!
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• 1ntersticial! *quí los átomos de las impure.as llenan los vacíos o intersticios
dentro del material original. $n la mayoría de los materiales metálicos el
empaquetamiento atómico es alto y los intersticios son peque/os.
#onsecuentemente los diámetros de los átomos que constituyen las impure.as
intersticiales deben ser sustancialmente más peque/os que los del material
original, ra.ón por la cual este defecto es mucho menos comn.
3n e8emplo de este tipo de impure.a por sustitución lo constituyen el carbón y el
hierro. $n una solución sólida de estos dos elementos, el carbón puede sustituir al
hierro en no más del :7.

DEFECTO FRENKEL
$s una imperfección combinada ;acancia < "efecto intersticial. =curre cuando un
1on salta de un punto normal dentro de la red a un sitio intersticial de8ando
entonces una vacancia.
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DEFECTO SCHOTTKY
$s un par de vacancias en un material con enlaces iónicos. %ara mantener la
neutralidad, deben perderse de la red tanto un catión como un anión.

=tro defecto puntual importante ocurre cuando un 1on de una carga reempla.a
otro 1on de diferente carga. %or e8emplo un 1on de valencia >: reempla.a a un 1on
de valencia >(. $n este caso una carga extra positiva se introduce dentro de la
estructura. %ara mantener un balance de carga, se debe crear una vacante de una
carga positiva 0$nlaces iónicos2.
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DEFECTOS DE LINEA O LINEALES
DISLOCACIONES.
'on defectos que dan lugar a una distorsión de la red centrada en torno a una
línea. 'e crean durante la solidificación de los sólidos cristalinos o por deformación
plástica, por condensación de vacantes.
4ay dos tipos de dislocaciones, las de cu/a y las helicoidales. &ambién puede
darse una combinación de ambas, denominada dislocación me.cla.
DISLOCACIÓN DE CUÑA
'e crea por inserción de un semiplano adicional de átomos dentro de la red. Los
átomos a lado y lado del semiplano insertado se encuentran distorsionados. Los
átomos por encima de la línea de dislocación, que se encuentra perpendicular al
plano de la página, en el punto donde termina el semiplano insertado, se
encuentran comprimidos y los que están por deba8o se encuentran apartados.
$sto se refle8a en la leve curvatura de los planos verticales de los átomos mas
cercanos del extra semiplano. La magnitud de esta distorsión decrece con la
distancia al semiplano insertado.
La distancia de despla.amiento de los átomos en torno a una dislocación se llama
"$'L1?*@1$9&= o vector de Aurgers y es perpendicular a la línea de dislocación
de cu/a.
DISLOCACIÓN HELICOIDAL
$sta dislocación se forma cuando se aplica un esfuer.o de ci.alladura en un cristal
perfecto que ha sido separado por un plano cortante.
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*quí el vector de Aurgers o de despla.amiento es paralelo a la línea de
dislocación.
DISLOCACIONES MIXTAS
#on frecuencia los cristales exhiben me.cla de las dislocaciones anteriores. 'u
vector de Aurgers no es ni perpendicular ni paralelo a la línea de dislocación, pero
mantiene una orientación fi8a en el espacio. La estructura atómica local en torno a
la dislocación mixta es difícil de visuali.ar, pero el vector de Aurgers proporciona
una descripción conveniente y sencilla.
SIGNIFICADO DE LAS DISLOCACIONES.
*unque los desli.amientos o despla.amientos atómicos pueden ocurrir en
cerámicos y polímeros, estos procesos son particularmente tiles para entender el
comportamiento mecánico de los metales. %rimero que todo, el desli.amiento
atómico explica por que la resistencia de los metales es mucho mas ba8a que el
valor teórico predicho de los enlaces metálicos. #uando los desli.amientos
ocurren, solo una peque/a fracción de todos los enlaces metálicos a lo largo de la
interfase necesita ser roto y la fuer.a requerida para deformar el metal es
peque/a. 'egundo, los desli.amientos proveen ductilidad en los metales.
'i no estuvieran presentes las dislocaciones, una barra de hierro sería frágil y los
metales no podrían ser moldeados por varios procesos tales como for8ado.
&ercero, es posible controlar las propiedades mecánicas de un metal o aleación
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interfiriendo con el movimiento de las dislocaciones. 3n obstáculo introducido
dentro del cristal evita que una dislocación se deslice a menos de que se aplique
una fuer.a muy grande. $s posible encontrar un gran nmero de dislocaciones en
los materiales. La densidad de las dislocaciones o longitud total de las
dislocaciones por unidad de volumen, se usa generalmente para representar la
cantidad de dislocaciones presentes.
DEFECTOS DE DOS DIMENSIONES. DEFECTOS
INTERFACIALES O SUPERFICIALES
Los defectos superficiales son los límites o bordes o planos que dividen un
material en regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina
pero diferente orientación.
BORDES DE GRANO
'e puede definir como la superficie que separa los granos individuales de
diferentes orientaciones cristalográficas en materiales policristalinos.
$l límite de grano es una .ona estrecha en la cual los átomos no están
uniformemente separados, o sea que hay átomos que están muy 8untos causando
una compresión, mientras que otros están separados causando tensión. "e
cualquier forma los limites de grano son áreas de alta energía y hace de esta
región una mas favorable para la nucleación y el crecimiento de precipitados.
MACLAS
3na macla es un tipo especial de límite de grano en el cual los átomos de un lado
del límite están locali.ados en una posición que es la imagen especular de los
átomos del otro lado.
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IMPORTANCIA DE LOS DEFECTOS DE SUPERFICIE.
$n todos los casos provocan irregularidades en la red cristalina del material y, por
tanto, proporcionan puntos adicionales para fi8ar y detener el desli.amiento de las
dislocaciones.
*demás de *umentar la resistencia del material 0particularmente las fronteras de
grano2.
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IMPERFECCIONES QUIMICAS

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA
DE TECAMACHALCO
MANTENIMIENTO ÁREA INDUSTRIAL
INGENIERIA DE MATERIALES
IMPERFECCIONES QUIMICAS: DEFECTOS PUNTUALES,
LINEALES Y SUPERFICIALES
PROFESOR: ING. ISAAC OSUNA MARMOLEJO
ALUMNO: AGUSTIN FLORES ASCENCIÓN
GRUPO: !D"
CUATRIMESTRE: SEPTIEMBRE-DICIEMBRE SEPTIEMBRE 06 DEL 2010
IMPERFECCIONES QUIMICAS
BIBLIOGRAF#A
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*utor! Billiam ". #allister, Cr.
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1ntroducción a la ciencia de los materiales para ingenieros
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$ditorial! %earson $ducation.
CUATRIMESTRE: SEPTIEMBRE-DICIEMBRE SEPTIEMBRE 06 DEL 2010

El átomo sustituyente puede ser más grande que el átomo original y en ese caso los átomos alrededor están a compresión ó puede ser más pequeño que el átomo original y en este caso los átomos circundantes estarán a tensión. Este defecto puede presentarse como una impureza o como una adición deliberada en una aleación.IMPERFECCIONES QUIMICAS DEFECTOS INSTERSTICIALES Algunas veces. Se pueden introducir en una estructura por radiación. IMPUREZAS EN SÓLIDOS Este defecto se introduce cuando un átomo es reemplazado por un átomo diferente. CUATRIMESTRE: SEPTIEMBRE-DICIEMBRE SEPTIEMBRE 06 DEL 2010 . Consecuentemente la formación de este defecto no es muy probable. Generalmente este tipo de defecto introduce relativamente grandes distorsiones en los alrededores puesto que normalmente el átomo es sustancialmente más grande que la posición intersticial en la que se sitúa. un átomo extra se inserta dentro de la estructura de la red en una posición que normalmente no está ocupada formando un defecto llamado ³ Defecto intersticial´ .

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