Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como

un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o

magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se
encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la
tabla adjunta.
El elemento semiconductor ms usado es el silicio, el segundo el germanio, aunque idntico
comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y 13 con los de
los grupos 16 y 15 respectivamente (GaAs, PIn, AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente
se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que
son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp.

Tipos de semiconductores[editar]

Semiconductores intrnsecos[editar]
Es un cristal de silicio o germanio que forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos, en la figura representados en el
plano por simplicidad. Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos
electrones pueden absorber la energa necesaria para saltar a la banda de
conduccin dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energas

requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV y 0,67 eV para el silicio y el germanio

respectivamente.
El proceso inverso tambin se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el
estado energtico correspondiente a la banda de conduccin, a un hueco en la banda de
valencia liberando energa. A este fenmeno se le denomina recombinacin. Sucede que, a
una determinada temperatura, las velocidades de creacin de pares e-h, y de recombinacin
se igualan, de modo que la concentracin global de electrones y huecos permanece
constante. Siendo "n" la concentracin de electrones (cargas negativas) y "p" la concentracin
de huecos (cargas positivas), se cumple que:
ni = n = p
siendo ni la concentracin intrnseca del semiconductor, funcin exclusiva de la
temperatura y del tipo de elemento.
Ejemplos de valores de ni a temperatura ambiente (27 C):
ni(Si) = 1.5 1010cm-3
ni(Ge) = 2.4 1013cm-3
Los electrones y los huecos reciben el nombre de portadores. En los
semiconductores, ambos tipos de portadores contribuyen al paso de la corriente
elctrica. Si se somete el cristal a una diferencia de potencial se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los electrones libres
de la banda de conduccin, y por otro, la debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos
(2), originando una corriente de huecos con 4 capas ideales y en la direccin
contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a la de la
banda de conduccin.

Semiconductores extrnsecos[editar]
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo
porcentaje de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el
semiconductor se denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Las
impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al
correspondiente tomo de silicio. Hoy en da se han logrado aadir impurezas de
una parte por cada 10 millones, logrando con ello una modificacin del material.
Semiconductor tipo N[editar]
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso
de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder

aumentar el nmero deportadores de carga libres (en este caso negativos

o electrones).
Cuando se aade el material dopante, aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante, ya que da algunos de sus electrones.
El propsito del dopaje tipo n es el de producir abundancia de electrones
portadores en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo
n considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia
atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los
tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales
como los del grupo 15 de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As)
o antimonio (Sb), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio,
entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado.
Este electrn extra da como resultado la formacin de "electrones libres", el
nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en
ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son
losportadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de
valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donadores.
Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion
dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene
una carga elctrica neta final de cero.
Semiconductor tipo P[editar]
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,
aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el
nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Cuando se aade el material dopante libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin
conocido comomaterial aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido
un electrn son conocidos como huecos.
El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del
silicio, un tomo tetravalente (tpicamente del grupo 14 de la tabla peridica) se le
une un tomo con tres electrones de valencia, tales como los del grupo 13 de la
tabla peridica (ej. Al, Ga, B, In), y se incorpora a la red cristalina en el lugar de un
tomo de silicio, entonces ese tomo tendr tres enlaces covalentes y un hueco
producido que se encontrar en condicin de aceptar un electrn libre.

As los dopantes crean los "huecos". No obstante, cuando cada hueco se ha

desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve
"expuesto" y en breve se ve equilibrado como una cierta carga positiva. Cuando
un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan
ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son
los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores
minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que
contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que
se produce de manera natural.

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El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar una seal de
salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones
de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la contraccin
eningls de transfer resistor (resistor de transferencia). Actualmente se encuentra
prcticamente en todos los aparatos electrnicos de uso diario tales
como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de
cuarzo, computadoras,lmparas fluorescentes, tomgrafos, telfonos celulares, aunque casi
siempre dentro de los llamados circuitos integrados.