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Semiconductor
Semiconductor
PRCTICA N 3
CIRCUITOS NO LINEALES
3.1. Semiconductores
Un semiconductor es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y
mayor que la de un aislante. La conductividad o conduccin de cualquier sustancia depende, en
parte, del nmero de electrones libres que posee. En un conductor, el nmero de electrones libres
est en el orden de ~1023 electrones/cm3, mientras que para los semiconductores es del orden de
~1013 electrones/cm3 y para un aislante es muchsimo menor. Este nmero de electrones libres en
un semiconductor depende de una serie de factores como: calor, luz, campos elctricos y
magnticos, as como de la cantidad de impurezas presentes en la sustancia.
A continuacin se estudiarn algunas caractersticas de las substancias empleadas en la
construccin de semiconductores, como son el germanio y el silicio.
Un cristal de germanio o de silicio puro carece de electrones libres y no es conductor. Slo
a altas temperaturas se produce cierto grado de conduccin debido al rompimiento de los enlaces.
Sin embargo, estas sustancias pueden hacerse conductoras aadiendo al cristal cierta cantidad de
impurezas.
Las impurezas son tomos de una sustancia que, aadidos al germanio o silicio, entran a
formar parte de su estructura cristalina, aumentando la conductividad. Pueden ser donadoras,
cuando sus tomos tienen cinco electrones en la capa exterior, como el arsnico, el fsforo, el
antimonio, etc.; y aceptadoras, cuando sus tomos tienen tres electrones en la ltima capa, como
el aluminio, el indio, el galio, etc.
Cuando un tomo de una impureza donadora sustituye a un tomo del semiconductor,
comparte cuatro de sus electrones de valencia con sus respectivos cuatro tomos vecinos (ver
Figura 31). El quinto electrn de valencia de la impureza no ser compartido y estar en libertad
de moverse, contribuyendo de esta manera a la conductividad del material. As, habr en el
material un exceso de portadores negativos (electrones). Los semiconductores as constituidos
son llamados tipo N.
Figura 31
Las impurezas aceptadoras estn constituidas por tomos de valencia tres, como, por
ejemplo, galio o indio. Al ser sustituido un tomo de un semiconductor intrnseco por un tomo
de una impureza aceptadora, slo tres tomos de la impureza pueden ser compartidos, quedando
un enlace incompleto o hueco (ver Figura 32), el cual puede ser ocupado por un electrn de un
enlace vecino, producindose el movimiento de un hueco en sentido contrario al del movimiento
del electrn. Por esto, los responsables de la conduccin sern los huecos. A los semiconductores
con este tipo de impurezas se les llama tipo P, ya que hay un exceso de portadores de cargas
positivas o huecos.
Figura 32
Es importante tener presente que la conduccin en los semiconductores tipo N es debida a
los electrones no compartidos, crendose as una corriente electrnica o de portadores negativos,
mientras que en los semiconductores tipo P la conduccin se debe a los huecos (ausencia de carga
negativa) o portadores de corriente positiva. En este ltimo caso, los huecos no se mueven
realmente, pero el desplazamiento de electrones entre huecos hace que stos aparezcan en sitios
diferentes del cristal y provocando un movimiento equivalente (ya mencionado) en sentido
contrario al del electrn. Cuando se aplica un campo elctrico al cristal dopado, se observa que
los huecos se desplazan hacia el potencial negativo. La Figura 33 muestra cmo se
desplaza el hueco a travs del cristal (la figura se encuentra representada en dos dimensiones para
simplificar la comprensin, aunque el movimiento se da en tres dimensiones).
Todo tomo que pierde o gana un electrn recibe el nombre de in. Los tomos donadores
producen iones positivos; los aceptadores, iones negativos.
Figura 33
Figura 34
A simple vista se puede considerar que los huecos y los electrones se neutralizarn en todo
el cristal. Sin embargo, esto sucede slo en una regin prxima a la unin, ya que los electrones
de la seccin N inmediatos a la unin se difunden por la seccin P, es decir, los electrones del
material tipo N se recombinan con los huecos del material tipo P; esto en una zona cerca de la
unin. Esto hace que en las inmediaciones de la junta queden sin equilibrio iones negativos del
cristal P e iones positivos del cristal N, quedando as un dficit de electrones en la porcin tipo N
de la junta (polaridad positiva) y un dficit de huecos en la porcin tipo P (polarizacin negativa).
r
De esta manera se produce un campo elctrico E *, que va del material tipo N hacia el tipo P (ver
r
Figura 34). A este campo elctrico E est asociada una diferencia de potencial V (potencial de
barrera o conduccin) ** y se le denomina carga espacial, barrera de unin o regin de
agotamiento. Cuando la magnitud de este campo alcanza un valor determinado cesa la difusin,
porque los electrones carecen de energa para vencer el campo y se produce el equilibrio en el
resto del cristal.
Se puede hacer que exista conduccin a travs de la carga espacial aplicando a los extremos
del diodo semiconductor una diferencia de potencial o tensin, la cual recibe el nombre de
polarizacin y permite que los electrones adquieran suficiente energa para vencer dicha carga
espacial.
*
Campo electrosttico, ya que en las inmediaciones de la unin quedan sin equilibrar iones negativos del cristal P e
iones positivos del cristal N.
**
ste es el mnimo potencial al cual hay que someter al diodo semiconductor para que comience a conducir
corriente en el orden de los miliamperes.
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En la Figura 35 se presenta el smbolo del diodo semiconductor.
Figura 35
3.1.2. Polarizacin Directa
La polarizacin directa, o paso fcil, se produce cuando el terminal positivo de la fuente de
tensin est unido al cristal tipo P y el terminal negativo al tipo N.
Figura 36
Los huecos del cristal tipo P y los electrones del N son repelidos por los respectivos
terminales de la fuente hacia la unin y neutralizan a los iones negativos y positivos situados en
los lmites de la carga espacial. De esto, la fuente en polarizacin directa reduce la carga espacial.
La conduccin se produce debido a la energa suministrada por la fuente y a que la carga
espacial es ahora ms dbil. Los electrones del material N pasan al P y se combinan con los
huecos. Por cada hueco que entra en combinacin se rompe un enlace en el material tipo P para
neutralizar la carga negativa y uno de sus electrones es atrado por el terminal positivo de la
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fuente, abandonando el semiconductor. Simultneamente, para neutralizar la carga positiva que
qued en el cristal N por la prdida del electrn combinado con el hueco del material tipo P, entra
en el diodo semiconductor otro electrn, proveniente del terminal negativo de la fuente. La
combinacin contina mientras se tenga aplicada la diferencia de potencial, con lo cual se
mantiene el flujo de electrones (corriente) desde el cristal P al N a travs del circuito exterior.
Si se aumenta la polarizacin directa, aumenta la corriente. Sin embargo, existe una
pequea limitacin en el paso fcil debida al potencial de barrera de la junta, el cual, para diodos
de silicio, se encuentra entre 0,6 V y 0,7 V, y para los de germanio, entre 0,3 V y 0,4 V. Para
voltajes externos superiores al potencial de barrera, el diodo comienza a producir corrientes
grandes, en el orden de los miliamperes. Si es excesiva la polarizacin directa, se rompe la
estructura cristalina. La tensin empleada normalmente en este tipo de polarizacin es de 1 V a
1,5 V.
Figura 37
Un aspecto interesante que ocurre en este tipo de polarizacin y para ciertos diodos, es
cuando el voltaje inverso aplicado excede un cierto valor caracterstico del tipo de diodo
semiconductor, la corriente inversa aumenta violentamente debido a la produccin de pares libres
electrnhueco que tienen movilidad y que son generados por dos mecanismos: la ruptura de
enlaces covalentes debida al campo elctrico aplicado y/o el efecto de avalancha originado por
portadores que ganan suficiente energa cintica como para poder ionizar tomos con los cuales
chocan. Los dos mecanismos pueden estar presentes en el mismo semiconductor. El rango de
voltaje donde ocurre la ruptura depende del mecanismo que predomine de acuerdo al tipo de
diodo. Los diodos semiconductores diseados para trabajar bajo esta condicin de polarizacin
inversa se denominan diodos Zener y su smbolo es el mostrado en la Figura 38.
.
Figura 38
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3.1.4. Curva Caracterstica del Diodo Semiconductor
Figura 39
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estas impurezas se les llama portadores minoritarios, porque son muy pocos comparados con los
portadores mayoritarios que, como sabemos, son los huecos en el cristal P y los electrones en
el N.
Como puede observarse, cuando la polarizacin inversa es muy grande, aparece una
corriente inversa muy alta sin aumento, prcticamente de la tensin. A esta tensin se le
denomina tensin Zener.
De lo expuesto anteriormente se puede establecer que un diodo ofrece una baja resistencia
cuando est polarizado directamente y ofrece una alta resistencia cuando est polarizado
inversamente.
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Diodo Zener. Como se mencion en el punto que trata la polarizacin inversa, estos diodos
tienen la propiedad de conducir una elevada corriente cuando estn polarizados inversamente. Se
utilizan como reguladores de voltaje, entre otras aplicaciones.
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Figura 40
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el inverso de la pendiente la resistencia del material. La pendiente (constante de
proporcionalidad) es independiente de la diferencia de potencial.
Figura 41
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Figura 42
Esta variacin en la grfica se debe a que, cuando aumenta la corriente elctrica y, por lo
tanto, la potencia disipada, se produce un aumento de temperatura en el conductor, producindose
as una variacin de la resistividad del material () y, por ende, de la resistencia.
En el caso de conductores metlicos, como el tungsteno, la resistividad aumenta con la
temperatura y la resistencia tambin, ya que, el incremento en la resistividad predomina sobre el
cambio de longitud y superficie en el conductor (debido al pequeo efecto de dilatacin trmica).
Esto explica por qu la pendiente de la grfica I(V) disminuye al aumentar la corriente.
Un elemento mal conductor, como el carbn, muestra una caracterstica con una curvatura
inversa, como consecuencia de una disminucin de la resistividad con el incremento de la
temperatura.
Se puede definir una resistencia (aunque existe una nolinealidad) mediante la relacin
R = V/I, pero la resistencia no ser constante, sino que depender de la corriente R(I). A esta
resistencia se le denomina esttica y se diferencia de la dinmica, definida como R = dV/dI, la
cual tambin depende de la corriente, pero describe con ms precisin las variaciones que ocurren
alrededor del punto de operacin.
Un filamento de tungsteno usualmente se representa por el smbolo
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Figura 43
En la regin C de la figura anterior, los procesos de creacin de portadores son en
definitiva ms importantes que los de recombinacin. Al disminuir la tensin son desfavorecidas
las ionizaciones y la descarga cesa (VAP, voltaje de apagado).
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Figura 44
1.b. Vare la tensin V0 y mida el voltaje Vd y la corriente Id (considere para Vd ocho valores
entre 0 V y 0,5 V e, igualmente, entre 0,5 V y 1 V). Vace los valores obtenidos en una
tabla.
1.c. Invierta el diodo y vare V0 entre 0 y 20 V. Considere diez medidas en dicho intervalo.
Realice previamente un dibujo donde esquematice cmo conectar el o los multmetros
para medir Vd e Id en este caso.
1.d. Con los puntos obtenidos en los apartes 1.a y 1.b, realice la grfica I(V) para el diodo
semiconductor.
1.e. A partir de la curva tensincorriente obtenida, determine el voltaje de conduccin del
diodo semiconductor (indquelo en la grfica y tabla de valores).
2.
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Figura 45
2.b. Vare V0 hasta observar que el bombillo se enciende. Vuelva la perilla de la fuente a
cero y considere quince valores entre ste y un voltio por encima del valor de voltaje
para el cual se encendi el bombillo. Mida los valores de Vb y de ib (observe de nuevo
el voltaje de encendido).
2.c. Grafique los valores obtenidos [V(i)] e indique el voltaje de encendido.
2.d. Para cada par de valores de voltaje e intensidad, calcule la resistencia del filamento del
bombillo aplicando la ley de Ohm. Represente estos valores junto a la tabla de Vb e ib.
2.e. Haga un grfico de Rb en funcin de ib en papel milimetrado y semilog. Deduzca la
relacin entre las dos magnitudes.
Nota. Si obtiene una recta en papel semilog, aplique el mtodo de mnimos cuadrados y
obtenga la relacin emprica.
3.
Comportamiento de un LED.
3.a. Monte el circuito de la experiencia 1, colocando en este caso el LED que
se encuentra en su tablero de trabajo. El LED soporta una tensin nadoctodo aproximadamente de 1,5V y una corriente de 20mA.
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3.b. Alimente el circuito con una tensin de 9V, mida el voltaje en el LED y en la
resistencia de proteccin. Calcule la intensidad de corriente que circula por la
resistencia, conocidos los datos de la seccin (3.a.). Analice sus resultados.
3.c. Invierta el LED y repita todo el procedimiento de la seccin (3.b.). Analice sus
resultados.
3.d. Considere para las medidas realizadas en (3.b. y 3.c), que el LED tiene las siguientes
caractersticas Vd = 2V y Id = 30mA. Repita los clculos rezados en las secciones
anteriores.