Universidad Jurez Autnoma de Tabasco

Divisin Acadmica de Ingeniera y Arquitectura

3er Examen Parcial de Fsica de Semiconductores
Nombre:

Fecha:

I. Conteste las siguientes preguntas.

I.

Represente grficamente a

una unin N/P, enfatizando al flujo de

portadores mayoritarios.
II. Dibuje el diagrama de banda de una unin N/P, mencionando el nivel de
Fermi, el potencial interno, la direccin del campo elctrico que se forme
y la zona de carga espacial.
III. Grafique la curva corriente-voltaje para una unin N/P, mencionando la
corriente de saturacin, polarizacin inversa y directa.
II. Resuelve los siguientes ejercicios.
1. Determine el potencia interno para una unin N/P formado de Silicio, si la concentracin
aceptora y donadora es de 1022 y 1020, respectivamente.

2. Determine la densidad de corriente de un diodo de silicio a un potencia de 0.5 V y con

corriente de saturacin de 10-4 A y un rea de 2 cm2.