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TECNICOen ELECTRONICA Ea a | ae USERS | TECNICOen ELECTRONICA PARA ACCEDER AL eBOOK Coordinacién editorial Pala Bus "Nuestros experios Diego Arana Esteban Aree Abjano Feéndez eas Luo Luis Francisco Macias Mauricio Mendoza Norberto More Dave Pacheco Fedesco Pacheco Gerardo Pecaza ‘aranoRabioglo Lucana Red treo ivamar Fern Salguero ‘Asesores tecios Federico Pacoco = REGISTRATE.EN premium.redusers.com No NN TMS Cel OT AN CODIGO “Toorica en aoctorica os ua pubicacin de Fx Andina en con con Daag SA sta puicacion no puede ser repreductarien todo en arte, gor ingin ved ata futuro sin! perio preva y px escro ‘oF Aina S.A, Distbuidores en Ageia: Capit Vaccaro Sire ‘y Gi... Marana 784 ps0 91081), Cufas de Bueos Aes, a 5811 -4842-4081/4032; rer Diskbuidora terplazss SA. (DSA) Pe Luis Sz Poa 1892 (01135ABN), Buenos Aes, Te S¢11-4205-0114 Ba: Aponcta Mador, Gora Acta E0132, Clad coro 452, Goctatea, Tel 591-472-1414 Gh: METAS A, Wir Reb ‘717 - Ruoa- Sartiag, Ta 582-620-170, Colbie: istics Unitas SA, Camera 71 No. 21-73, Bogté 0. Ta 671-486-8000, evar Disandes (istbuidora ds Andes) Cae 7 y A Agustin Free, Guayagl, 2. $542-271651, Néxc:Dstibuior Itermex, SA. eC, Luci Blareo #435, Col San Juan Tihuaca, México DF (02400), Tl 5255 52309643 Par DstidoaBovariana S.A, epbica de Parana 3635 po 2 Sant, La, Ts. 511 4412948 TELE-RHGR-EBO1 a0 21, UrugyEspert SRL, Paraquy 194, Montevideo, Ta 882.904.0766, Veneto Cornet logs de Aras, Ec Bloque de Armas Piso So, A San Marth rue conta A, Laz, Caracas, et. 58212-406-4250. Iroeso on Sevag. lmpreso en genta, Copy Fox Anna SV, MO "enc cre) Aor aoa por au Bus. ‘aod. - Buenos Aes Fox edn Calas, 2012. 576.2019 om - (sas: 23) Isa 76-967-1900-14-4 1 lors L Bot, Pas, oo Ti co 0s En esta clase veremos LOS PRINCIPALES DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, COMO EL DIODO, EL TRANSISTOR, Y SU GENERALIZACION EN MODO DE CIRCUITOS INTEGRADOS. @ Uno de los més importantes avances de la electrénica se dio a raiz de los materiales denominados semicon- ductores. De este tipo de materiales, estén compues: to una gran cantidad de componentes y dispositivos electrénicos, algunos de los cuales conoceremos y estudiaremos en esta clase. El diodo, por ejemplo, es el dispositive semiconductor mas soncillo, que permite o bloquea el paso de co- rriente eléctrica en funcién de su polarizacién. El tran- sistor extiende las funciones del diodo, y puede actuar tanto como lave 0 como regulador de una serial de Corriente alterna, una vez polarizado correctamente. Dentro de los transistores, veremos dos clases: los bipolares y los llamados de efecto de campo, o FETS. Ampliando ol concepto de unirtransistores y somicon- ductores de torma organizada y definida, abordaremos. ‘también el tema de los circuitos integrados y sus usos en Ia actualidad. Como complemento, explicaremos. la necosidad do oliminar la mayor cantidad de calor sgenerada por los componentes durante su utilizacién, por medio del uso de componentes metilicos denomi- nnados disipadores. ‘SUMARIO ELDIODO Conoceremas sus competes 1 s0s tics. © TRANSISTORES Pnciios de tunionanento. _yptinipales uso. ° CIRCUTTOS INTEGRADOS Revisareros a itegracin de circus ys dsipadbes 8 an i 2 =” FLDIODO EN ESTA SECCION, ANALIZAREMOS EL PRINCIPIO DE TODO LO QUE CONOCEMOS COMO TECNOLOGIA. SEMICONDUCTORES ¥ DIODOS, IMPRESCINDIBLES EN EL CAMPO DE LA ELECTRONICA. => Semiconductores Samos ue hs mats se clsizan su tape de cond election: onc tenes srconducon, Pon bo sao eha won es somcordueres, ‘Los materiales semiconduetores pueden uicar- ‘8 en medio de conductores y aislants, ya que precisamente se comportan como conductor 0 ‘slate dependiendo de algunos tactores exter. ‘os, como la uz, la temperatura etcetera ‘Los materiales mas utitzados como semicon- ‘ductres son el silico y el germania, los cuales tienen cuatro electones de valencia, pero en o> forontes dias: ol sicio en la terceray el ge ‘mario en la cuarta, £slcio (89 yet german (Ge) intrinsecos (pu ‘ts, sin alterr) son muy suscepibies a facores ‘externas (por elemplo, el calor); el germanio es ‘més sensible al calor, porue su banda de va lencia ola cuarta, la cual asta mas aljada co! ‘clo. Recordemos que cuanto mas alejado std un electron del nucleo, se encuentra menos ligado a ,porlo tanto, cualquier fuente de ener- ‘la externa puede afectaro,y hacer que algunos lectrones adquioran energia sufcinte como ‘ara saltar aa banda de conduccin y convertir- ‘se en elecrones libres. ‘Los materiales que tenen un comportamiento enire conductor y aislanteno son confiables para ular, sin embargo, poseen otras propiedades ‘que son bastante Ineresanes y que se pueden ‘notar desde el principio desu uso en e dodo. SETH te) UN SEMICONDUCTOR 3 ESTAENTRECONDUCTOR | Clase 06 YAISLANTE; ESTO ES ASI PORQUE TIENE CUATRO ELECTRONES DE VALENCIA & as ‘La imagen muestra una oblea de silicio impresa, lista para ser cortada, de la cual saldrén muchos Circultos integrados. ara que un material semiconductor se comporte ‘de una forma prctca, es dei para poder ser ut- ‘zado en algun dspostvo, 2s necesaro agregar ‘tos elementos alos que se los denorina img ‘eras, ya que el silico y ol germanio por ssoios son materiales puros, esto quiere decir que no tienen ctras materials incluidos en ells. Se. nomina dopado o dopa impurezas a otro material material agregado, se clsifican en mt Py material tipo. la accion de agregar » a Clase 06 // ¥ Atomo de germanio (Ge) Atomo de silicio (Si) cuatro atomos en la banda de valencia Las bandas de valen distancias del nicleo. Material tipo N El material tipo se caracteriza por ser mas negativo, ya que tne elecrones de mas; para qe esto suced, se le deben agregar impurezas desgin lo elemento que sea pentavalen to, lo que quire decir que tone cinco clectones de valencia Los materiales pentevalentes ms utizados en el dopado parla obtencin de mate ip N son: arsnico (As) fsfora (), ismuto @ yanimoni (Sb). Sel material semiconductor Intinsaco de slico que tone cuatro eectrones valencia se une, or eel, con el ntimono (Sb) que tee cinco, esto aria ‘que exisiera un elect tre provenient dl anmoni. Por ser que ofece el electron bre, se conace come dtomo donante, Debemos rsa que nimero de elecrones ras en un mate "al po puede ser conta por la cantiad de impurezas que se agoquen cuatas més impueza, eecones libres eist- an; euartas menos ingurezas, manos elecrones Hes hab. En ‘materia ipo N, los portadores mayertarios so os electrons, porque hay mas eecrones que huecos, In que deja alos huecas amo potadoresminortaios. LACANDA DE VOLTAJE ENUN DIODES IGUAL ASU POTENCIAL DE BARRERA, 7V PARA LOS DIODOS DE SIY3V PARA LOS DE GE. el silicio (Si) y del germanio (Ge) estan a diferentes Material tipo P Elmaterial tipo Ps ceractera por ser mayocmeneposti- ve deci, exstan més huesos. Eno dopae para obtener inate po N, se tzan elementos uvalentes os cuales tinen soo tres electonesdevaleni eto dejaria un hue on elmteil tio P. Los elemertos tivalemes uiiados tel dopaje sn bor (8nd (ny ga (Ga. Sistmateriah senicanductarintinscedesifcia cn uate elecvones do ‘lena le agregamos impure de boro (que tone tes electrones de valencia, jaro un hueco qu es un canino pareloselecrones que crulen or ese materia y, como el tome de bre ofece ol eco, salma tome aceptor porque so qv acetals, La cana de huscos que tens un materi po P se puede ‘contolar por meio del dopado: cuanto mas mata vaente agrequemns, més hecas exstin, Considereros que, en o ‘matealtipo Pls portadores mayortaris son los huecns,y los mortars, os letones. Diodos diodo sun disposi electibnico actvo de dos termi rales que permite el paso de la corienteen un solo seni- io, Ants do ls invenoin del diodo semiconductor de es- ‘ado sido, se utlizaba el tubo de vacio que se basabs en efecto Edison, Los materials tpo Ny tipo no son muy ules por st sols, or aso, si nasotosjuntiramos un materi tip Ny oo po P ‘yl pusiramos cos terminals, una para cada materia. obten- ‘fans un dodo de unin PN. Los lectronos enol matoria N se mueven constatemente en por ser elactones lies al unio, se forma fa unin PN, y los locronss del mata tpo N pasan a lena os hecos del material oo P que se encuentran cerca del unién, Cuando esto sucede, as cargas se anuan, y 2 crea la zona umbral o 6e empobre- cimionto, Esta zona os muy doigada y funciona como barrera entre el ma- terial P y el N la cual consttuye otra caractristca peculiar de un tiodo, En esta frmacién del dod luna zona con material Ny otra con ‘material P; esto quiere decir que hay ‘cargas diferentes, por lo tanto, habla de una diferencia de potencial entre cells. No suena muy prictico que, en ‘un giodo, exista una barrera entre la union PN ya quo estaria obstruyen- o ol pasa de electrones de un lado ‘2 oro, Esta barrera, también canoci- a como fe potencial, pue 4 ser atravesada sin problemas por una cerrene siempre y cuando ot vohaje que se le epique el dodo ses ‘mayora.7 ves para diodos do sicioy 3 volts para diodos de gormanin. dot ‘no conducira un votje meno 2 estas Polatidad El dado tiene polardat esto indica ue debe ser polazado dectamente para (que pueda conduc La zoe po debe iralnegatvo dela tuerte, yla zona tipo P al posto; si se conectase deforma in- versa, a zona al postvo y la zona Pal rnogatvo,o dodo se compartata como un interrupto bier ePor qué sucade esto? Puos bien, cuando polaizamos drectanente el lado, como a zona N va al negtvo de Ja fuente y la zona P al postivo. la 1e- lon de empabrecimionto se Race mas celgac, lo que provoca que se requiera ‘menos enegia para cruzata I negat- vo dea fuente ene muchos dectrones al iual que le za No cual Nace que nega de la fuente repens eletrones de zona Ni permtendo que estos pasen ala zona Py fonenhuecos. Una vez ai, los eecrones se mueven de hueco en Estructura molecular del arseniuro de gallo. EI AsGa ‘es muy complicado de producir; ademas, para eso se utllizan productos quimicos venenosos. Elarseniuro de galio (AsGa) es otro semiconductor: no 0 trata de un elemento, sino de un compussto de arsénico galio. Las propiedades que presenta este compuesto supe- ‘an por mucho alas del germanio e incluso al slcio, ya que el AsGa ofrece una alta respuesta a as sefiales eléctricas, ‘alrededor de cinco veces mas de lo que lo hace el slicio. Debemos considerar que el AsGa es ideal para ampliica: Cores de alta frecuencia: se ulliza en radares, sensores, satéltes, etc, Sin embargo, es muy dificil de product. Electron libre, proveniente del ‘tomo de Antimonio ‘Atomo de impureza pentavalente tipo N, el cual deja un electron libro. El electrén libre 1o cede el antimonio. n Clase 06 1/ Las terminales do un diodo so de- nominan anodo y cétodo; el anodo corresponde al terminal positivo, yeel cétodo, al negativo. “4 hueco hacia postivo dels ene os huecos solo funcionan como unearino para que os decrnes se muevan pola zona, ‘entonces, secre una cores que ye através dl dodo; como ims erterirmene, oie debe ser mayor a7 ‘Avra, qué pasta si lo polarzsramos inversaent, la zona Pon & nagtvo de a fen y fa zanaN con el postive de a fuente? Pues lo que sucede es que fos electones de la zona N ven laid por el positv del fuerte, y ls huecos de la zara P son lenados por los wectrons dl nagavo dea fuente; a la zona de empobreciiento se hace més grande, por tant, no hay erelacién de cont ene! dodo Como poderos ver ol doo se comporta como un iteuptor abet; sn embargo, esto noes del tod cert ya que conduce una core eaivamenie paquets lamade corrente de fuga Yes tn pequea que gereraent se despreia en os clcuios. ‘Algo que deberos tener en cuenta esque, si aumertamos de ‘aside vtae iverso,podemoslegar lo que se denomina vollaje de uptura, que se abreva VBR (Voltage Break) ye ‘todo e desu; por lo general, en as oj de dts del dod, ‘ice cudtn es vata imerso que puede soportar cod artes de dataseo desis. Por ejemplo, a oj de datos o datasheet iodo TN4001 ce que este do ene un vl de ruptra de 354, maximo de vote ners qu epodemas aicar; caro ‘quelo mas recamendabi es martenerse por debajo de este vor Curva caracteristica de un diodo Cuando polarizamos directamente un dodo con una fuente de voltae, se produce en é una corente ada coriente de potarizacign directa; se abrevia IF (Forward Currend, igual que el vt tomar nombre de VF (Forward Votag). La curva del cindo se raficaen un plano cartesiano con dos ‘es; an el je vertical, s@ mide la cortonte, y, en al horizon- ta, macimas el volaja. La curva del dodo se caractrza Hueco que se encuentra en el dtomo de boro \ ce Atomo de impureza trivalente tipo P,en el cual ‘existe un hueco. El hueco es por parte del boro. porque empieza @ conduc alrededor de los 7V para los dio- dos de sco y, cuanto mas vote le apliquemos a iodo, la contiente aumentara. Ademas, en el mismo plano se gratica cuando le aplicaros un vtaeinversoy observamos cémo, al alcanzare otal irverso, est llega alo que ya hablamos icho; se lama voltae de ruptura o VER. En est punto, a cartiente aumentarpidamente lo que supondia un dao ire parable pata dodo. Debemos tener en cuenta que las curvas caracteristicas 6e las diodos se pueden encontrar en las hojas de datos que proporcionan os fabricantes de estos dispositive; una ot las paginas de donde se dascargan estos datasheets es WWM. dalasheetcatalog.com: en estas hojas, muchas veces no se nuestra la curva de polaizacin invorsa, pero lad polarza clon drcta sy esto 2s més que suiiente Estructura de un diode Material tipo P Material tipo N OF Co] 2]% @ 09 00~) | Se @® Teinatpostve | ° BO”) 8 lo? ns ® Anodo + | @ + oo F080 i mynd DOO 6 Fle Oe Las huecos son Las clectrones son > portadores mayonitarios, portadores mayoritarios Simbolo a WENNER Circuitos con diodos Imaginemos un cruto con un dodo. Tenors una esstancia de 1 ken serie von un dodo yuna fuente de vlae de 10VDC, (queremos saber 8 cules la cada de voi enl dodo, ) qué Corentecrcula por l dodo, ) cual sla aid deve en la resistencia y 6) qué coon ciula por a resistencia. Lo que ya sabermos es que el odo teneunpotencil de barra de 7 (que necesta pare conduc; la caida de vote en un coco es ‘igual a su potencia de barera,entonces ya tenemas su cata e vole: a) 70. Paral cortinte, dabemos esta a caida de vale de od (7\) alter (100) ue90, iio ene esistncia; para «eo sams ley de Ohm (Formula 1). Por tatarse de un circu seri [a inensidad que ckcua pr el Cceuto sta misma para tods Ins elemertos, entonces, 9.7 la corrnto que también cular por la resistencia d 1 KA, orl ato, ¢) 3 mA, vaso faa cine a cal de ole de laresistncia de 1 KO, con ky de Ot a obteneros mulpt- Cando la coin porlaresistenclay nos queda: (Férmula 2). Tipos A cortruai, se nace una breve dessipeion de agurs do los dados ae exten y su tos 6 reaps: "¥ Diodo rectiieadar:es un ispstivo que permite el paso de |acorente en un soo sentido, “Y Diode Zener: este odo mantene un voltae constante entre ‘sus terminals cuando se polarzainversament; si se polariza en forma deca funciona como un dodo com, “¥ Diodo le: este dado erie una cuando le aplicaras un vole deteminado; debe serpolarzado drectamete Se uta en parts decries como idcado,en|émpars 0 autos, "Y iodo Schottky estos toc hechos de sicio son lama~ os ambien dados de recuperation rapid, ya que tienen una caida de vote de,25V 0 menos; son utizads en apicaiones donde se manejan as frecuencia. a Del lado Izquierdo del diodo, se puede obser- var el cristal semiconductor oscuro de forma cuadrada, Probar un diodo Muchas veces nos encontaremas con un dad que ro sive, para probato selecionamos enol mutimtio el simbolo del dio; desputs,localizamos el dnodo y el lod del coda ¥ Bor atmo, tocamos con la punta postva del multimetro #1 terminal postivo del ciodo (énodo) y, con fa punta negat- va, tocamos a terminal negatvo del dodo (catodo). Ahora, debernos probar el dodo en vers, en esta ocasion el mul- ‘timetro debe marcar OL, que marca como cirutoabierto, to que quiere decir qu el dodo estaen buen estado Sen cam Dio, mutimeto siempre marcase OL 0 Ve ado no sive ya {que est birt intemamenteo se eneventra en certootcuto. ee NS Clase 064 (Formula 1) (Formula 2) VR = 93mAx1KO = 9.3V =9.3mA —b)9.3mA oo3v » 8 Clase 06 17 TLRANSISTGRES LOS APARATOS ELECTRONICOS ESTAN COMPUESTOS POR MILES DE ELEMENTOS FUNCIONALES; SIN LOS TRANSISTORES, MUCHAS APLICACIONES HOY SERIAN IMPOSIBLES E INIMAGINABLES. Transistor bipolar ae neer irom aercone naples es pes neta es sda tras sos Conor cmon cae Eset, be roma bis cae tauren sil e's Y sl te o cord: ese enero dat Jas ome a oss ane ‘Aededor del 1947, se buscaba un dspostvo que cir rempazar los rls wizados pare teeona 7s laboratoros Ba de a AT, fbicran un dsposivo de tes temindes que fucinaba como tun conmutador de estado sélido (un solo compo- nent, al que. denominaron transistor bipolar (ranster Resistor o resistencia als vansferencial, Fue ivetado por ins ganadoces del Premio Nobel de Fsica Jon Bardeen, Waker Houser Bat y Wa. Bractors Shockey. Est dspostvo remand recta rent a valla de vacio también conoida como val termaidica) ue estaba presente ena mayor elas componente elections dea epoca, Un transistor es un dispestvo electonico fabri cado a parr de materiales semiconductres que cumple fa funcin de permit o Impede paso de sil lecricas apart d una seal de mando, y funciona como elementaampticador de sefal nu origen, se canola que el contacto de un alam- bre mtico yl suture lomo (gala) pari paso dela corenteen una sola drecccn (que conforma el uncionarierta de un dogo, pero se neces incorporar una rela, el tercer elecodo, ‘que funciona como un ampiicado. Para conse uireste efecto, ue necesario modticarlaconduct- TAMANO DE LOS TRANSISTORES vidad de os sericonductoreswttzando el pinciio 4 nivlas do aneryjia do los atoms para controlar los matefales; de este mado, se loyraron matrles ‘conacidos como tipo My tipo P. Los dodos son constuidos a parr def union do matte Ny Pel transistor de PNP o NPN tabi es lamaca tried, Apart de os wansistores, sugieron ls ransstres (Ge elcta de campo (FET, Field Eitect Transistor), |quefuncionaban a par de un campo aléctico que se establecia en un cana. Posteormenta, fue mec- rad con un semiconductor de éndo-meal denom= nado MOSFET (Metal rid Semiconductor Field Effect Transistor), que pei la miniatracion primordial para cea os cuts itegras. En a actualdd, se usizan fs CMOS (Complementary MOS) que a aplcacion de dos MOSFET astirtos. Para un tansstor convencionl, vrs a encontrar um encapsuadoo sus, por lo general, de crist- les oe sii, y tes seamenios (ambén denoninge ome Algunos modelos de transistores bipolares. ssegtin el uso y la aplicac LOS TRANSISTORES OCUPAN UN. wo Clase 064 1? ROL MUY IMPORTANTE EN TODOS LOS COMPONENTES ELECTRONICOS E INFORMATICOS ACTUALES. » 10 Clase 06 // os terres) undo ene si. Emisor(), Base (8) y Colector (©), donde cada segmento esta dopado ends candace. miso ene un dope mucho ms alto que lbaseyrodea a re- on dal emisr para qu os electonesinyectados ena base no seescapen dell; a base ene un dope mayor qu el colctor, st fscament ocalzada erro clector yo emisor, apenas pada, yposee una ata essa dopaje que se le asigna es una contaminacén intencional rpalzada al materal en cantitades dotoinadas con etn de obtener un comportamiento deseado. El matril dopado con esas camidades obtine propiadades eéctricasespeciicas, y aumenta el numero de potadores de carga ibe. Para materials tpo Nos ortadores de carga son los elec- ‘tones; para ls materiales tipo Pls portadoes son huecos {que equivalen a carps postvas, La union de els produce los odes, como ya se expe. Paraeltransisor elemisoreniteportares (tuecos); colecior los recolect,y la base mocuia el paso de os portadores. Me lane este tuneoraiorto,obtnemes un dispositva que, cn ‘ulado por conte, cosigue ura rueracortenteampificad, ‘TRANSISTOR BASICO TRANSISTOR BC547 TRANSISTOR BD137 ‘cotector elector Base y Base Emisor Saito ‘TRANSISTOR SIMBOLICO I" i Vue Si Funcionamiento Un barsistor funciona mediante la potarzaion adecvada do sus conexiones. Se utiza crete continua para que este cumpla su funcén; se sitia una fuente de coniente entre PR (oase-emisor)polrizaa directamenta en fa caunion NP (seat, plaza verse. Cuando laters de la base emisorsupere ks ,7V (bse ina), ences ‘ransstor oat, orl tia, urcionaré de manera coreci, €s deci etedemns que el tans ee la cepacia de cor 6 i 6 ; Is s Transistor Transistor JFET canal P* JFET canal P 6 ce ag 8 é le Pur Darlington (Uniunion programable) NPN e " B ie E Fototransistor NPN Multiemisor NPN Deavalancha NPN _ Transistor Schottky NPN le 8 le Darlington a ‘Simbologia de transistores en todos sus usos. Cuando se disefian circultos electrénicos, ‘es importante diferenciarlos unos de otros. activo, En este estado, las rgiones dl colectory del emisor iwiorten sufuncionamionto, No maxims el porencisl altransistr. “Y Estado de corte: sila cortente de base Ib =0,laexpresion ‘esuita en le = 0 sin importar el valor def, por lo que no ‘conduce cotientey se lo considera a tansistor como una lav abierta, sin pasa. La tensién entre los terminales os Ia misma que la de slimentacién; al no heber cortiente ‘iculando, no hay cada de tonsion Ee ery ‘Y Estado do satracin: cuando la corinte do base alcanea Uunvalor muy ato [para ol wansistor a expresin nose cumple ‘ya qu, por ms que fb aumente, no aumontar ae we Imax. Se dice que el vansistor est saturado ya que no puede ‘empificarmaslasana.y toda coment aplicada en elemisor ‘rela por el cleetor como un intereuptorcerado, pao oa Enla clecténica analégic, se utiiza ol estado activo ya que permite una amplifcacién de seal en varios puntos. Mion- ‘1a que los estedos do saturacin y corte son tiles para Sa ¥ v vv la elactrénica clgal, ya que repre: sentan los dos estados fundamenta- les: abierta y cerrado [1 y Estructura Los transistors estructura poseen us tes regones no simetieas, por lo (ue intsambiar ef emisor eon el colec- torimplca que cee de fucionar de modo acto yfucione en modo imeso, ya que ‘son constuides y optimizads para fun- ‘cnar en mad activo dsinuyendo el La faa de simetria se debe ala tasa de dope entre emisorftrente dopado} yeolector figeramente dopado) ‘Se provee de un emisor attamente dopado pare sumentar le eficscie do ntrega do portadores en ‘comparacién con la base, que no be influ mucho en Ia operacién, ‘Do esta manera, obtenemas una gran anancia de corrente siempre que Jos portadores inyectados provengan el omisor. Existen ransstores simétries utzados on CMOS quo presentan bajos dosompefos debido Emisor a“ 4 que no hay ciferencia entre ta ‘operacién en modo activo 0 inverso. Lacorionte que circua enol onisor Yel colector puede sor controlada por Ia comente o la tensin baso-emisor, Ya que ambes astin lgadas en su funcionamianto y se describen en ccurvas de funcionamiento, Dependiendo del dope ala capas del transis, podomos configura como [NPNoPNP,dondelabasesiompreestaré representada por a letra det medio. La configuracin NPN se caractoriza por sor la mas utlizada acualmente. Ny P hacen referencia a los portadores de carga mayortaros dentvo de las Gstrtas capas dol transistor, on as Yon esta configuracién, los electrones ‘seen mayor movildaé que los huecos pemitindo mayores correntes. y vlocidades de funcionamionto, La configuracién PNP os poco usado, ‘ya. que su desempefo no es muy ofcionte. Posoe una capa dopada Ny des capas dopadas P, LOS TRANSISTORES. POSEEN TRES REGIONES NO SIMETRICAS, ESTO SE DEBE ALAFALTA DE DOPAJE, Ys0n conectades mediante el colector ‘amasa yo omisor ala trial posta do la fuente de cononta. Extenda la base mediante una pequefa coriente, ermita una eoriarta mayor dosdo 0 ‘misor a coectr A pert de ls cistintas necesidades do gonerar un modolo lineal para alzar circuitos.electdnicos. con Colector Esquema del principio de funcionamiento de los transistores al paso de los electrones. y los portadores, asi como también su sentido de circulacién. B » » Clase 6 17 olde Ebere y Moll, Uansisores, se plantearon diversos ‘modelos matomaticos pare anaizaros. Enve estos modelos, encontramas 3 do pardmatos hh y © que representa al transistor bipolar gondrico y con cuslquir tipo 60 polarizavion. Sin ombatgo, su ‘modelo no lineal hace que cuaguler circuito que se pretonda analizrutlice solucones numéricas y célculos con ‘ordenador Poo, si se utliza un punto ‘de operacin dadoy una zona isica de funcianamiorto, os posblrestingirlas arabes yas utizer un madelo neal ‘que fact andi de ls cieuitos, x £1 modelo bers y Mol se usa paras transistores bipolres y puede ser ut- lzado en todos sus estado. Se usaba previo a las apicaciones. computacio- “ ‘Transistores en los procesadores, Lalficil de creer? Créanlo. Millones de transistores interrelacionados para funcionar. DTC ae oO Los transistores de potencia vienen preparados para ser acoplados a disipadores de calor y evitar que- marse debido a la gran temperatura que levantan.. Dobido al paso y la ampificacin de la coment que circula Poros transistores de potencia, se producen atas tempe- raturas por la interaccicn del elctrones y los canales. Estructuralmente, ls tansisiores de alta ganancia vienen fabricades con una placa que ayuda ala disipaciin do calor y, en os casos, preparads para ser acoplados 4 disipadores fisicos impiciendo que se quemen. Transistor de efecto de campo rales y apa ls principio de dos co os ideals y dos fuentes. Cade diodo representa la union emisor-basey base coecto Las fuantes de energa sn as responsable de hacer circular ls pore {adores a las huecos. Ms all de sus varlantesy models, os ‘ransstores son wlizados po lo general fen proyectos de pequeta escala para Aomostar su funcionamiento, como os amliicadares de voz, ulzando un mi- crofona o ura sada de aio de baa in {ensidad. Se aimenta ef emisor con una saa, eg, s@ la potenciaexctando fa base y lamando como sada al colectr, este proceso es unleago varias voces para modular el tuncionamiento Deberos tener en cuenta que, ena eec- trea de precstin comainmet tama ‘lectnica digital os tansistores son ut {zaos como laves de pas; ss somete 2 estados do corto y de saturactn para simular el comportaminta de puerss 0 Ineruptoes abies y cerats gracias 2 ‘una sail de saturacion en a base. Todos estos efectos combinados logan ares la méxima utlidad @ ests com- onertes prosonta on todos los tispo- sitios actuate. Antes dela creacién de os tansistoesbipolares, tueron in vertados los tranistres de efecto de campo, perono sles ‘enconidutiidad o aplcacén inmediata hasta el desaralo e los transistoresbipolares. Racian decadas despuas de estos, se empazaron a desarollaryaplicr en forma masiva, Log transistores do efecto de campo (FET, Field Effect Transistor) son transistores basados en campos elécti- 0s, que cortrolan el paso de electronos por los canalos Gracias a una diterencia de potencial, Tengamos en cuenta (Ue Ios transistres bipolares contotan el ujo de elec- trones mediante una excitacion de la base con cortente, ‘mientras que los FET son conttolados metiante este cam- a eléctrco y se plantean como resistencias contoladas por diferencias de potencal En los FET, la corrent se contra mediante tensidn, Si son uilzados como ampiicadores, suministran una coriente e sala proporcional ala tension apicada en la entrada, En la base o terminal de conta, na se absorbe coriente, eS Ww ase 06 a Los transistores funcionan permitiendo el paso de los electrones y los portadores, teniendo fen cuenta su sentido de circulacién LOS TRANSISTORES PRESENTAN UNA GANANCIA B QUE NOS INDICA EL FACTOR DE AMPLIFICACION DE SENAL DEL TRANS! OR, lo quo posbilta que la tnsion que si controla soa muy pe- uefa (una seal de audio de baiaintensidad, por ejempo) permiténdole a esta tension generar ol campo eléctrica, Com ls transistores bipoaes que se ivden en NPN y PN los FET titnen ds tipos de canal, denominados n yp: estos dependen de la tensin en la puerta éTE RESULTA UTIL? Ce ee dae Me ee Sten) exer Pees Cell, ets ot Ne eae ae COR epee Las caractersticas de los FET son par ‘iculares principalmerte porque, en la rad, tlonan una rsistoncla muy ata (100M), no poseen un vote de unin cuando se utizan como iteruptoes, on inmunes a fa radacon, so aplican ara proporionar mayor estaba mica yresuitan menos ridosos. 16 Clase 06 1, Entre los dstints tipos de FET ue exstn,encontramos: ENIAC ora un equipo que pesaba mas de treinta toneladas MOSFET; ei Oxide. Somicondsctor- y consumia 200 kilovatios. Tenia alrededor de 18.000 valvulas, Foa-oct- Transistor, se ala con x0 de las cuales cada dia se quemaban algunas. 6 slicioSi02, Con respect a los bipo- DETECTOR DE NIVEL DE AGUA PASO A PASO > . ° . [Nocesitamos 1 protoboard, 1 batria 9, 1 conector, 1 ‘Conectamos al transistor (80548) las resstoncias ~zumbador 3 resistoncas (Rt 2.2 KO. R2 100 KO, R470 ey Fa en la base y masa El omisora Rt, y esta al KO), 2transistores (71 y T2 BC548), cable. canal (+), vo (+), €l cable negro al emisor de T2. cable (+ ), 2° cable a R2, Conector a canales + y~ h CConectamos ol umbador: el cable rojo al canal posit (olocamos dos cables, los "sensores de nivel: peimer RANT TTR TTT les, ccupan menos espacio y son mas uizados en cicutos intgrads. & su ve, en los tansistoves MOSFET los te co- noctres se denominan: Puerta (6, Ga), Fuente (S, Source) 1 Drengje (0, Drain), FET: Juction-Fild-Efoct-Transistor, ula ura unin PN. MESFET Mfetl-SemiconductorFeld-iect Transistor, sust- ‘uye union PN con una bere Scho, HEMT: High-Electron-Movlly Transistor, conocido también ‘camo HFET, fa banda dopada con portadres forma e aise, lacirada y el cuerpo del transistor, {GBT Insuated-ate-Bpotar- Transistor, ispostvo para ‘Conectamos el T2 con Tt: ala base de T2, co- rnectamos o} colector de Tt, el emisar de T2, amasa, Introducimos los sensores deriro de un vaso en {dos posiciones fuera de! nwvel del agua, relena 'mos para probar. LOS FET SON PARTICULARES. PORQUE EN LA ENTRADA TIENEN UNA RESISTENCIA MUY ALTA, SON INMUNES A LA RADIACION Y RESULTAN MENOS RUIDOSOS. & conol de potencia, Se utiza cuando rango de potent en- ‘te el coletorbaseseubica entre 200 y 3000 FREDFET. 2s un FET espcialzado que se ha disefado para brindaruna recuperacion maxima el rans. DDNAFED: ot tip especializad de FET que acta como bio- sensor para deectr cadenas de ADN idntcas ‘TET Thin-Filn-Transisor, un tipo especial de FET fabvcado a arr de capas fas de semiconductors, como capa de mata let ycontacos metic, sobre un sutra de soporte Origen Como sateras, el tani es un dipostvo deci se miconductr ue curl cversasfurciones, et elas api cade, st, connaladro eta. DDebemos consterar que el término transistor se origina de ‘transfer resistor (esislencia e transterencia). Atuaimente se los encuentra pécticamente en todos los dsposiivas domés- ticos do uso do, coma radios, tlaisores,prabadoas,re- productores de audi y video, lavadoras, automdvies,equpos de retigeracién, alarmas, relojes de cuarzo, computadores, calculadoras, impresoras, limparas Nuorescentes, quipos erayos X,tomégrafos,eoégratos, aprocuctres mp3, oeki- lores, ene os, Los transistors se encargan de sustiur alas antiguas vil las tarmoinicas de tres elacrodos o todo. transistor bipolar fue inventado en los Laboratorios Bel, de EE. UU, en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Bratiain y Wiliam Bradford Shockley, quienes fueron geardo- rads con el Premio Nobo de Fisica en 1956. Gracias a elas, fue posible la constuccin de receptors de rac portals llamado cominments transistors. mit » any lee) Clase 06 // ‘Artes de parecer os raises os aparcos de vals tian ‘2 trabajar con tensions basta as, tardaban mis dents segmdos en empezar funciona y en ringin caso podian un- ‘ionar a plas, did al gran consumo que presetaban Transistor versus valvula ionica Antes dela apaiion del transistor, los ingenirosuttzaban elementos actvos lamados valulas termoidncas. Las val- ‘ulas tienen caracterstcas eéctricas similares alas do los lransistoes de efecto de campo (FET): la corente que los straviesa depende dea tesidn en el bore de comand la- ‘mado rela. Las razones por las que el transistor reemplazo ‘la valtatermoionce son varias ‘Y Las vatiastermoidnicas necesitan tensiones muy atas, el orden de as centenas de votns, tensones qu son letales paral se human. ‘¥ Las valvuas consumen mucha energa, lo que las wel partiuarmente poco es para el uso con bates, iy El primer transistor ensamblado que fue creado en los laboratorios Bell en 1947. Era robusto compara- do con los actuales. "¥ Probablemente, uno dos problemas més importantes es paso, E chasis necesario para ajaras vals as trans- formadores requridos para suinistr laa tensin, todo ‘oo sumaba un peso importants, quo iba cesde algunos kos ‘algunas decenas de kos "¥ El tempo medio ene falls de ls vlvlastermoidricas es muy corto comparado con el del vansistr, sobre todo a ‘causa dl calor genarado, _¥ Ades, fs valu temas tardan mucho para poder ser liad Estas vldasnecastan estar cles para funconat Principales usos Los transistors poseen un fan cari de apiacoes "¥ Ampieacion de odo too (aco, tein, instumentacion "¥ Generacion de seal (oseiadores,generadores de ondas, ‘misi6n de raotecuencia), wey ¥ YY Conmutacidn, actuando de inte= rruptores (control de rel, fuentes e alimentacién conmutadas, contol de lamparas, modulacion por anchu- ade impulsos PUN) YY Deteccién de radiacion luminosa (fototansistore). ‘¥ Se usan gonralmenta on a ect nica analégca y en la elactonicacil- fal como la tecnologia TL o BICMOS. "¥ Son empleados an conversoras es tacos de potencia,cotroles para mo- tores y laves de ata potencia (en es- pecialinversores), aunque su principal so est4basado en la ampliicacion de corrente dentro de un circulto cerrado, Consideraciones finales Debermos ter en cvena qua hoy, ama ya dels cout se construyen con teonologla CMOS, La tecnologia CMOS (Complementary MOS 0 WOS Comple- rmentaro) es un dseto con dos ae- renles MOSFET, que se complementan ‘mutuarentey consumen muy poca co- rere en un funcionamiento sin carga, Enel seo de circuits, alos transisto- 1s Se las considera un elmento acto a diferencia de los resistors, condensa- tes inductors, que son elementos pasios. Su furcinamieno solo puede ‘exglcarse mediante mecénicacudntca ‘De manera simplficada la coriete que Ccreula pore coletor a tuncion arpl- ficada dela que se inyecta on el emisor, ero el ransistor sol radial corrien- te que citcula através desi mismo s necesario toner en cuetta que de manera simplticada, a coriente que se encarga de cireular por et clector co- mosponde a una funn ampiiicada de la cortete que se inyenta en al miso “eieno esto en venta deters ecordar quel ransistor sol es capaz de grauaria coniente que cul atavis de sis, Se a RATT Tey NANNY RATT ¥ Wy ¥ ES See 19 i tlase 064 Bateria al Esquema de la conexién correspondiente al medi- dor de nivel de agua con zumbador. Utilizamos una bateria de SV en circulto cerrado. I Este proyecto nos sirve para mostrar como actan dos tansistores funcionando en saturacion y corte, Cuando el nivel de equa aiin no llega a los conectores, el T1 se fencuentra en corte y funciona como una llave abierta. Cuando el agua llega al segundo conector, circula co- rriente a la base de Tt y se satura permitiendo el paso de corriente del emisor al conecior. Esta corriente excita ala base de T2 y lo satura, permitiendo que pase corien- te desde el terminal + de la bateria por ol zumbador a, que activa, y la alarma suena, Este esquerna nos permite ver dos situaciones. En la primera, cuando el nivel esté bajo, no circula coriente por hingin instrumento ya que ambos transistores estén en Corte ollaves abiertas, no hay circulacion. En el momento len que los cables entran en contacto gracias al agua (ele- ‘mento conductor), saturamos a1, y este saturaaT2 abriendo la compuerta,y abrimos la orculacién por el elemento _larmante, en este caso @ zumbador Las resistencias utlizadas R1 (en el emisor),R2 y F3.en la base del Tt 96 usan pata reducir la tension de entrada, Recordemos que solo necesitamos 0,7V en la base de Tt para que entre en estado de saturacion. Se busca que, con las resistoncias, so liiten las tenciones para impedir el mal ‘uncionamiento y regular la tensién circulante, Sireem- plazamos ol agua con otro medio, como la piel humana, btendremos distinios niveles de serial, » 20 mw CIRCUOS NFEGRADOS COMPONENTES ELECTRONICOS MUY UTI REALIZA‘ DE DIVERSOS PROVECTOS EN ELECTRONICA, DEBIDO A SU GRAN CAPACIDAD DE INTEGRACION Y SU ESTABILIDAD, (0s cireutosintegrados, tambien amados chips, son pasillas semiconductoras do slicio on las ‘cuales se halln, segin su composicién, miles © millones de disposivos lecténices, como transistores, resistencias, diodos y capacitores, Ierconectados ene si para formar un circuto ectnico especitico. Estos cuits elections se encuentran dentro de ‘un ancapsulad de plisticn o ceric, ol cul po- 8, en Su exer, conductores matics lamados pines, que se halan conectados aa pasilaintera, Fabricacién de los circuitos integrados proces par cea Ge coutos epados ‘uo se encunan acme on cvasos pode tos ebctnios es muy comely En, ntervienen rumsas eas de ftp proceso que consis en vanseun pan esd na feta cara, devominata rteul, al sperie oe una shanna ce mater seniority coinmecte de sii, ana amb se ian semionulores compuesto par apiacoos mas espectcs. Clasiticacién de los circuitos integrados Segin el nimero de carpanentes qu posea,po- ‘mos clstiafos soi su nivel d inepracon; ‘ete ols enconvanos: ¥ 881 (Small Scale Integration) Iiegacion a po- ‘uefa scares la escla de integracion mas peque- ‘ia de todas y comprende todos aqueosinterados ‘ue cotiznen hasta ez componente. ‘¥ MSI (Medium Scale integration) iegracon a media escal: a esta escala ertnecen todos ls in- trades que continen entre 10, 100 componente, ‘Son mey comunesenlos sumadores y mutplenres, _yeran muy utzadosenlaspimeras compass. ‘VLSI (Large Scale integration) Iegrcion a gran ‘scala: comirende todos os itegrats que contie- ‘en de 100 2 1000 componentes. La apaién de ‘esta scala de itegracon eo gar ala contrucion ‘de microprocesadoes, ya que puedonreaar ope- ‘alongs bisicas de una calculadora o amacenar ‘ua cierta catia de bits. ‘¥ VLSI (Very Large Scale ntgraion) Ingracion ‘a muy gia escal: esos nteracos posean de 1000, ‘Ya que las pastillas de silicio son muy delicadas, los circuitos integrados ‘se encuentran protegidos por medio de encapsulados. 10000 comgonetes. Con su pain dan nici a tumagranera ce comprestn dens spss, hacn- cada vez mis coin ol uso de equipos porte, Lo que conocemos como micraeleetronica debe su nombre al volumen muy pequeno de sus compe- ones, incluso de dimensiones microsedpeas, qua son vlzados para la producidn de cispostives a ‘amerte funcional a pesar do sureduié tamato. Segin sus furciones,podernas casicafos en dos rads upos: ‘¥ Circutos integrados analégicos: puoden cor- tener un nimero determinado de transistors sin conexin alguna ente els, 0 ciruitos compos ¥ funcionales, como amplcadores, oscladorese, inouso, receptors de audio Circuits integrads digitales: pueden ser com eras lgicas biseas, AND, OR, NOT, o ain mas compljs, microprocesadoresomicrocontroadores. Tipos de encapsulados Tocoslos cps esti encanto te sits or ras y tats, depen df nein ue van a curr Adora, cata a de encapsldpaser tna istbucon y asain de pes, ue pote ras cons nas is oe dats respectas. En i actaldad, existe una gran variedad oe en- capsulados, entre los cuales podemos encontrar algunos como: '¥ Encapsulados DIP (Dual In line Package): es- tos son el to de encapsulado mas aniguo; estan recubiertos por una carcasa oe pléstco rectangular con wa fla de pines cada ado, El ndmero mismo » Estos integrados son capaces de borrar de forma automa- tica los datos guardados en ellos, mediante una radi ’ Clase 06 17 = ultravioleta. AL REALIZAR ALGUN CIRCUIT CTRONICO, SIEMPRE DEBEMOS LEER LA HOJA DE DATOS DEL COMPONENTE JTILICEMOS. Entre los tipos mas comunes de integrados, encontramos los que vemos en la imagen, que son muy utilizados en reguladores de tensién y transistores de potencia. Ae pines de estas encapsulados suele sor de 48, Ess encapsulados pueden su soldadas en los orcas reazados en [a placas, «tambien pueden ser in- swtadas en zcalos dspuesos. Los DIP son utizados para circuitos in teoratos de pequera y median escala coirtogracen. "¥ Encapsulados SIP (Single In line Package): a igual que los DP, son fos lencapsulados més anguos y pesenan tuna fla rica d pines para la coneson; 2! nimero maxi de estos sucle ser de 24 También, al iqual que los DIP estos lencapsulados pueden ser soldados en iis realzados en las paces, y son ilzados para cicuios integrados de pequefiay median escala de igri, Encapsulados SOIC (Sal! Cutine Integrate Cirui) estos encapsulados son los aquivalentes de los DIP. pero de monaie superficial ya. que sus pi- nes estan eispunstos on forma de alas e gavota. por lo que se los denomina gulhving packages. Fueron los primeros on inode una istancia may paqueta ete sus pies y, ‘éeesta manera, obtener un mayer nme "0, generamerte, mas de 64 ‘Y Encapsulados OFP (0uad Fiat Pac age): os terminals de este tipo da en- ‘apsulados son del miso tipo que los ‘OIC, pero se caractarizan por ener p- nes en os cua ados el compart Estos también son de un montae super ficial, liqual que los antes nomrados, "Y Encapsuados $04 (Sra! One’ Lead): estos encapslados nen pies sol @ dos lado oe spose. La ea el nome se debe a que los terminals tienen la forma de dha, Son muy u- Izaos en tenologias SMD y, tain, 2 ‘ahora de mortars chips DRAM quo se ‘ican con encapsulados DP ‘¥ Encapsuiados BGA (Bl! ld Aray) ests tpas de encapsulados aparecen ante la necesidad de incrementar el rdmero de entadas y saldas de ci- calls integrados sin qu sea nocesario aumertay, en gran canada tamato el disposi 0 que aparezcan pines demasiado finas.Poseen pines, que te- nen forma de bolas de estat o ploma, bicados en la supetci inferior del componente. Con esta cistibucién de pines, se evtan terminals y distancias GUNOS FABRICANTES Poderos encontrar una gran varieded de fabricantes de ci ito integrados, cada uno de ellos para un fn especitico. ‘Todos estos fabricantes frecen una hoja de datos de cada componente que intogran al mercado, para dar a conocer al usuario el comportamiento de estos componentes, y que este pueda dsehar circuits elecrénicos utitzéndolos. Ente los fabricantes, podemos encontrar algunos como Micro: chip, ntl, Samsung, Toshiba, Motorola, entre otros varios. cente es. Aunque son muy pequeios, a soldacur, a estar bajo dol cco integra, no quodara ala vista Hojas de datos Tambin devorinatos datasheets, son documertos que nos rrr da concent o conpartamenta Ys carectersicas dees compneres electrics, ind os orl propos fairies. Contenen sufinesdetales para que posamos rear cui crcuto eeerénico t= tla on cuenta Sch ifomactn. Ere as co a5, sncartarames siete nomad: 1 Datos del fabricate ¥ Numero y denominacion, ‘¥ Dstrbucion de pines. YY Propidades 1 Deserpcion de su funciona ‘¥ Esquoma de coneniones tpicas 1 Tersen de alertacn y consumo. "¥ Condiciones adecuadas para su coments operation. ‘¥ Esquerras de ondas de entadasala Informacion sobre normas de seguridad y uso. Disipadores Un dispar 0s un instrument, por lo general de amino, (que se utiliza para disminui a temperatura de algunos eom- ponentes electénicas, como crcutos interados, evacuando ce calor do este hacia lite. (Coma consecuencia de eso, se reduce la tempera de ta- bajo del cspostvo, ya que la catiad de calor en les menor ‘ben un dspace cisco es un insurer de extrusion de luni o una capa de aio dblada con prfraones para el mona de sintos circuits ttgraos, en a acialdad el ost del lumii nos Bova attr de rsohere problema de d= ‘pacn de calor por obos métodos qu son menos radicionaes Estos, en una primera istanci, parecen ser mas caro, pero terminan resutando mas econémicos que cualquier dipador cisco ale hore de dispar arendes potencis. Un ejemplo de dsipadores sonlos coolers pare computador, En- ‘reestos se pueden ancanrarcspacores de menos do0.5°CWa ‘rcs relive jos debi a su gran esa de febicacén (Oro ejomplo son as colds Ptr, que, al crular ura corer cléctica pre mater, producen una diferencia de temperatura EI LM317 es un regulador de tension ajustable con tres terminales, que, en condiciones normales, puede suministrar hasta 1,5 A en un rango de 1,2 a 37 volts. Este circuto integrado nos permite regular tna tensién en un determinado rango. Pra su empleo, no requiere mas que dos re- sistoncias quo se conactan a él para obiener un valor de tension determinado ala salida, Estos. tlisposinos poseen proteccién por linitacion de correntey exceso de temperstura, que los res- {Quardan en caso de sobrecarga. Normalmento, no uilzan capacitoressise encuentran cerca dl {ito de a fuerte de almentacién. en ambos lados. Estas pueden trabalar perfectamente coma instruments dsipadores de calor, aunque su bajo rend rmiento precisa de una fuente de alimentacion muy a Estas celdas basan su funcionamiento en la utlizacen del efecto inverso al Seebeck Ley de Ohm térmica igual queen ta os ces altos, pcsmas ctr unaly de Ob ens creas de yj ee ats do 0, esposbl ect eles tics. pane de masa del circuit elécrco esté compuesto por lar, que adopt una temperatura ambien de unos 25°C. La lerencia de potencialelécrica encuentra su simitud con lacltrenca de terparatura, La poten‘a pnerada on forma de calor en el cspostvo posee su equivalent en la coranteecica que es enregad por la ‘vente de tensin.Y,p0r imo, aresstenciaetcice encuentra su semojarza ona resistncia toica medida on 20, quo son los rads Celsius por cada wa. N 3 UW Glase O64 » 24 pense YY CARGADOR DE BATERIAS PASOAPASO —_____ sa. ‘in conectar el wanstormador ala red de all- ‘mentacién doméstica, conectamos la salida alas borneras en ol protoboard. LLuego, conectamos os diodos o puentes de diodos que vayamos a utilizar para rectiicar la sal entrogada ‘por ol vansformador. Una ver conectades los dlodos 0 puentes de diodes, conectamos el capaciior para obtener un menor rizado dels sofa ‘Una vez que cbtengaros un menor izado de la sail, podemos conectar nuestro regulador de tension con sus eapactores defito, D7 ‘Anora,colocaremos la salida del circuto Ln lusble de protecci6n y leds indieadores ‘con resistencias limitadoras de coriante, Para ralzar nuestro cargador, conectamos ‘este un puerto de sala Debido ‘su gran uso, ullizamos un USB hembra. PROXIMA ENTREGA VIDDDIoooeoccoooccoooCCO Construccion de circuitos EN EL PROXIMO FASCICULO CONOCEREMOS LA FORMA EN LA QUE SE CONSTRUYEN LOS CIRCUITOS, EL PROCESO DE FABRICACION. YY COMO UTILIZAR UN CIRCUITO IMPRESO UNIVERSAL. > e-- ELECTRONICA n Construccio de oe i or ‘ es us co) ees a an cory rc aca macy peo — TECNICOen ELECTRONICA PROFESORES EN LINEA rolesor@redserscom SERVICIOS PARA LECTORES CONCERTOS FUNDAMENTALES ¥ PRACTICA PROFESIONAL Useshapa@redses com SOBRELACOLECCION . ee yp Leo) tee) iia) ea) Cunso msuaLypedcica QUE BANDA CnceToS @ a :ntaooucciON 4 Las REDES INFORMATICAS Y GONSE,OS NECESARIOS PARA CONVERTIRSE EN UM “TECNICO EXPERTO EN ELECTRONICA. LA OBRA INCLUYE © «principios be evectRéwica Recuasos ppAcricos como WroGRads, GUIAS 7 \SUALES VPROCEDIMIENTOS EALADOS PASO A © «cL .asoraronio DE ELECTRONICA PASO PARA NEJORAR EL APRENOIANE 7 © « conniente conniwua rt © «connie aurenna 1 @ Dispositivos ELECTRONICOS @ + coustrucoon oe crcuTos © movecros. wees avovonirueas viwcRorowo ra ° ‘y DISENO DE CIRCUITOS IMPRESOS © +y SIMULACION DE CIRCUITOS EN LA PC ® ‘y ELECTRONICA DIGITAL Y COMPUERTAS LOGICAS ® y TECNICAS DIGITALES APLICADAS © ~icrocontaovavores Pic @ + provecro:awauzaon oe esPecrRo con ic © wcoNEcTIVIDAD POR CABLE z ona mejor metadologa, esta es una colecién @ vcONECTIVIDAD INALAMBRICA perfect para ls aficionados aa eectrnice que 1 dese oles ydate mar tebicossy ED) DISPLAYS ‘cid yp todos aquostéonzas ue moan (Fy seNsoRes Y TRANSDUCTORES actuaizaryprofundzr sus conocinintos. @) PROYECTO: MODIFICADOR DE VOZ 7 @) FUENTES DE ALIMENTACION ELECTRONICA) 9.9906 i @) ~PLATAFORMAS ABIERTAS 7 ® PLATAFORWA ARDUINO ol7gog7ile49i44 2) v PROVECTO: SisTEMA DE TELEMETRIA CON ARDUINO _____ iene,