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EXAMEN DE FIN DE CARRERA

La Ley Orgnica de Educacin Superior (LOES) establece que todas las Instituciones de
Educacin Superior (IES) deben acreditarse ante el Consejo de Ev aluacin, Acreditacin y
Aseguramiento de la Calidad de la Educacin Superior ( CEAACES).
El examen de fin de carrera es una herramienta que permite identificar los logros de aprendizaje
de los estudiantes con el fin de diagnosticar su niv el de conocimientos y habilidades para
elaborar e implementar planes de mejoramiento en la perspectiv a de elev ar la calidad
acadmica.

Componentes y referentes conceptuales a evaluar


Se espera que las y los estudiantes demuestren el desarrollo de competencias deriv adas de su
formacin tanto de en ciencias bsicas como en el campo profesional. Se pondr nfasis en los
conceptos y criterios de ingeniera desde el punto de v ista cualitativ o ms que cuantitativ o.
Formacin en Ciencias Bsicas de Ingeniera:
Comprende el conjunto de leyes y conocimientos cientficos, deriv ados de las ciencias naturales
y ciencias bsicas, que permiten la conceptualizacin y el anlisis de los problemas de
ingeniera. Este campo es el puente necesario para la fundamentacin de la ingeniera
profesional y aplicada. Comprende las siguientes reas:

rea de Seales y Sistemas: Incluye las subreas de anlisis de seales y sistemas, en el


dominio del tiempo y frecuencia.
rea de Ciencias Bsicas: Incluye las subreas de programacin, campos
electromagnticos, estadstica y probabilidad orientada a la ingeniera.
rea de Circuitos Elctricos: Incluye las subreas de fundamentos de circuitos elctricos,
respuesta permanente y transitoria de los circuitos elctricos, transferencia de energa,
correccin de factor de potencia y aplicaciones generales.
rea de Circuitos Electrnicos: Incluye las subreas de fsica de semiconductores,
dispositivos semiconductores y su aplicacin, amplificadores de seal y amplificadores
de potencia, osciladores y dispositivos de conmutacin

Campo de Formacin Profesional


Hace referencia al conjunto de conocimientos bsicos de un campo especfico de la ingeniera
mediante los cuales es posible desarrollar conocimientos y tecnologa que permiten la
aplicacin de los principios de las ciencias bsicas de la Ingeniera en Electrnica, Control y
Automatizacin Comprende el saber hacer de la profesin y comprende las siguientes reas:

rea de Instrumentacin y Mediciones: Incluye las subreas de conceptos bsicos de


medicin, instrumentos elctricos de medida, instrumentos electrnicos de medida y
transductores.
rea de Sistemas Digitales: Incluye las subreas de circuitos lgicos y arquitectura y,
organizacin de computadores.
rea de Sistemas de Control: Incluye las subreas de modelamiento de sistemas, control
analgico y control digital.

Cuestionario
En el examen se utilizan preguntas de seleccin mltiple con nica respuesta. Este tipo de
preguntas consta de un enunciado y cuatro opciones (A, B, C, D). Slo una de estas opciones
responde correctamente la pregunta. El estudiante debe seleccionar la respuesta correcta y
marcarla en su Hoja de Respuestas rellenando el v alo correspondiente a la letra que identifica
la opcin elegida.
EJEMPLO:

En el circuito de la figura las capacitancias de los dos condensadores son iguales C1=C2=C. Un
interruptor S est abierto, el condensador C1 est cargado a un v oltaje V y el condensador C2
est descargado:

Despus de cerrar el interruptor S:


A. La tensin en los dos condensadores ser V/2 y la carga almacenada en cada condensador
ser igual a la carga almacenada en C1.
B. La carga almacenada en los dos condensadores ser la misma y la energa almacenada en
el sistema ser igual a la energa inicial almacenada en C1.
C. La tensin en los dos condensadores ser igual a la tensin inicial V en el condensador C1 y l a
energa ser conserv ada.
D. La carga en cada condensador ser igual a la mitad de la carga inicial almacenada en el
condensador C1 y la energa total almacenada en el sistema ser la mitad de la energa inicial
almacenada en C1.
Respuesta correcta: D
Resolucin de la Pregunta:
Circuito abierto:
Carga: q. Energa almacenada en el sistema: 1/2 q2C1 = E
Circuito cerrado:
Carga: q/2 + q/2. Energa almacenada en el sistema: 1/2 (q/2)2 /C1 + 1/2 (q/2)2/C1 = E/2

1. La resistencia elctrica de un material no depende de...


a)
b)
c)
d)

Su resistividad.
La temperatura.
Sus dimensiones
La gravedad.

2. La unidad de medida de las resistencias es el...


a)
b)
c)
d)

Faradio.
Ohmio.
KOhmio.
MOhmio

3. Para un determinado tipo de resistencia, el tamao fila su


a)
b)
c)
d)

Valor hmico
Vida media
Voltaje o potencia
Tolerancia

4. De los smbolos indicados en la figura


a)
b)
c)
d)
5.

R1 y R2 son los smbolos generales de resistencia.


R3 no est normalizado.
Slo se utiliza Rl.
Rl y R2 indican resistencia no reactiva.

Qu valor de potencia nominal no est normalizado en las resistencias de uso


comn?

a)
b)
c)
d)

1/7 W.
1/4 W.
1/2 W.
1 W.

6. Una resistencia de 2M2 ohmios tiene un valor de...


a)
b)
c)
d)

2,2 .
2.200.000 .
220.000.000 .
2.200 .

7. En un montaje reosttico, la potencia mxima que puede disipar la


resistencia variable.
a)
b)
c)
d)

Depende exclusivamente de la temperatura ambiente.


Es constante.
Depende de la posicin del cursor.
Es igual a la nominal.

8. En un montaje potenciomtrico con una resistencia de carga de valor muy


elevado...
a) La potencia que puede disipar la resistencia variable
depende de la posicin del cursor.
b) La corriente por el cursor ser muy alta.
c) La limitacin ms probable es la corriente mxima por
cursor.
d) La tensin de entrada est limitada por la potencia mxima disipable.
9. En una resistencia variable bobinada de potencia...
a)
b)
c)
d)

El recorrido elctrico suele ser inferior al mecnico.


El recorrido elctrico es siempre superior al mecnico.
Los recorridos elctrico y mecnico son siempre iguales.
No hay recorrido elctrico, slo mecnico.

10. La resistencia variable que posee una ley de variacin como la mostrada en la
figura...
a) Debe ser fabricada modificando adecuadamente el espesor
de la pista resistiva.
b) nicamente podr obtenerse utilizando
resistencias
bobinadas.
c) Tendra un tamao exagerado.
d) No es posible fabricarla porque presenta una zona donde la
resistencia disminuye al aumentar la rotacin del cursor.
11. La resolucin de una resistencia variable lineal de pista continua.
a)
b)
c)
d)

Es nula.
Depende del estado de la superficie de la pista resistiva.
Aumenta con la frecuencia de la seal aplicada.
Depende exclusivamente del material con el que se fabrica el cursor.

12. Se conoce como resistencia variable motorizada aquella.


a) Que se utiliza en el control de velocidad de motores.
b) Que se instala en las motos de competicin.
c) En la que el movimiento de rotacin del cursor lo realiza un motor acoplado
al mismo.
d) Accionable manualmente mediante manivela.
13. Si en el montaje del reostato de la figura un movimiento mecnico provoca la
prdida de contacto fsico del cursor, la corriente que circular ser...
a)
b)
c)
d)

La misma.
Cero.
La mxima posible.
La mnima posible.

14. En el Sistema Internacional, la unidad de capacidad es el..


a)
b)
c)
d)

Picofaradio (pF).
Nanofaradio (nF).
Microfaradio (uF).
Faradio (F).

15. Es falso que mediante las franjas de colores pintadas en la superficie de


algunos condensadores podemos conocer...
a)
b)
c)
d)

El valor de su capacidad.
Su tolerancia.
La tensin mxima que soportan.
La rigidez dielctrica del aislante.

16. Los condensadores electrolticos.


a)
b)
c)
d)

Constructivamente son iguales a los dems.


Pueden ser conectados de cualquier forma.
Trabajan siempre con tensiones elevadas.
Tienen polaridad y alta capacidad con respecto a su tamao.

17. Un condensador...
a)
b)
c)
d)

Almacena energa en forma de campo magntico.


Almacena energa en forma de campo elctrico.
No almacena energa.
Produce energa por procedimientos qumicos.

18. La capacidad de un condensador puede variarse mediante...


a)
b)
c)
d)

El sistema
El sistema
El sistema
Cualquiera

I.
II.
III.
de los anteriores.

19. Si se aplica una tensin de 1 Va un condensador de 1 F, almacena una carga


de...
a) 1 culombio.

b) 1 newton.
c) 1 tesla.
d) 1 weber.
20. Mediante el smbolo mostrado se representa el condensador...
a)
b)
c)
d)

De estator dividido.
Diferencial.
Pasamuros.
Con toma de corriente.

21. En el condensador de pelcula plano de la figura, es falso que


a)
b)
c)
d)

Las bandas de color I y II indican la 1a y la 2a cifra.


La banda III es el coeficiente multiplicador.
La banda IV corresponde al coeficiente de temperatura.
La banda V representa la tensin mxima.

22. El condensador de la figura tiene una tolerancia de...


a)
b)
c)
d)

2,5%.
5%.
10%.
20%.

23. El condensador de la figura tiene un valor de...


a)
b)
c)
d)

0,047 F.
470 pF.
4,7 uF.
47 nF.

24. El condensador de polister metalizado de la figura tiene...


a) Una capacidad de 250 nF.
b) Una tolerancia del 33%.
c) Una tensin de trabajo de 250 V.
d) Un coeficiente de temperatura de 250 ppm/C.
25. Una bobina...
a) Almacena energa en forma de campo elctrico.
b) Se opone a las variaciones
de
la
corriente
elctrica.
c) No almacena energa.
d) Genera energa cintica.
26. Una bobina de 10 mH presenta al paso de una corriente alterna senoidal de
100 llz una reactancia de...
a)
b)
c)
d)

6,28 .
1000
27.
0 .

27. En CA senoidal una bobina pura o ideal...

a) Produce un desfase de 180 entre tensin e intensidad.


Adelanta la intensidad 90 respecto a la tensin.
b) Hace que tensin e intensidad estn en fase.
s
c) Retrasa la intensidad 90 respecto a la tensin.
28. En el conexionado de bobinas en serie y despreciando la induccin mutua, la
inductancia equivalente del conjunto es siempre...
a)
b)
c)
d)

Mayor que la mayor de ellas.


Igual al producto de todas ellas.
Menor que la mayor de ellas.
Menor que la menor de ellas.

29. En el conexionado de bobinas en paralelo y despreciando la induccin mutua,


la inductancia equivalente del conjunto es siempre...
a)
b)
c)
d)

Mayor que la mayor de ellas.


Mayor que la menor de ellas..
Igual al producto de todas ellas.
Menor que la menor de ellas.

30. La constante de tiempo de una bobina es...


a)
b)
c)
d)

= R/L.
= RC.
v = L/R.
f = 2fL.

31. Cuanto mayor es la inductancia de una bobina, la resistencia CC.


a)
b)
c)
d)

Aumenta.
Disminuye
No vara.
Tiende a cero.

32. En la bobina de la figura...


a) La corriente elctrica entra por el terminal 2 y sale por el
1.
b) El polo norte est a la derecha.
c) No hay campo magntico.
d) Las espiras estn en cortocircuito.
33. En el circuito de la figura, en el instante t-0 justo despus de cerrar SI es
mxima.
a)
b)
c)
d)

La
La
La
La

intensidad de corriente
tensin en la resistencia
intensin en la bobina
reactancia inductiva

34. En un transformador.
a) Cada devanado puede ser utilizado como primario o como
secundario indistintamente debido a que es reversible.
b) El devanado con mayor nmero de espiras es el primario.
c) El devanado con mayor nmero de espiras es el secundario.
d) Solamente si el primario y el secundario tienen el mismo nmero
de espiras es reversible.
35. El transformador permite...
a)
b)
c)
d)

Separar elctricamente e independizar circuitos.


Amplificar o atenuar tensin continua.
Filtrar los parsitos de la red.
Rectificar seales alternas.

36. De los tres smbolos indicados en la figura.


a)
b)
c)
d)

Dos son transformadores trifsicos.


Ninguno tiene ncleo.
T3 es multifilar.
Todos corresponden a transformadores.

37. En un transformador siempre se cumple que...


a)
b)
c)
d)

La
La
La
La

potencia elctrica del primario es igual a la potencia del secundario.


tensin del secundario es igual a la tensin del primario.
intensidad del primario es igual a la intensidad del secundario.
resistencia del primario es igual a la resistencia del secundario.

38. Si en un transformador la relacin de transformacin rt > I, entonces.


a)
b)
c)
d)

Es elevador de tensin.
Tiene ms espiras en el arrollamiento primario que en el secundario.
Es reductor de intensidad.
Es elevador de potencia.

39. Los transformadores de aislamiento o de separacin de


circuitos...
a)
b)
c)
d)

Son elevadores.
Son reductores.
Tienen una r, = 1.
Funcionan con CC.

40. El transformador centro derivado se caracteriza porque..


a) Tiene una toma auxiliar que une primario y secundario a tierra.
b) No tiene ncleo central.
c) Posee una toma media en el secundario que lo divide en dos, con polaridades
opuestas a dicha toma.
d) Es de tipo toroidal y la tensin del secundario es exactamente la mitad de la
del primario.

41. El transformador de la figura es.


a)
b)
c)
d)

Apantallado.
Con acoplamiento variable.
Con imn mvil.
Con ncleo ajustable.

42. Los transformadores que no se pueden fabricar con ncleo de hierro sino
con ferrita, aire, metal en polvo prensado, etc., son los...
a)
b)
c)
d)

De alimentacin.
Aulotransformadores.
De aislamiento.
De radiofrecuencia.

43. Cul de los transformadores citados a continuacin tienen el


inconveniente de que el secundaria no est aislado
elctricamente del primario?
a)
b)
c)
d)

Transformadores adaptadores de impedancias.


Autotransformadores.
Transformadores de audiofrecuencia.
Ninguno.

44. Trabajan con saturacin magntica del ncleo los transformadores.


a)
b)
c)
d)

De aislamiento.
De audiofrecuencia.
De impulsos para disparo de tiristores.
Con toma media en el secundario.

45. Al medir con un voltmetro de alta impedancia la tensin en bornes de una


pila gastada...
a)
b)
c)
d)

Puede ser la misma que cuando estaba nueva.


Cae rpidamente cuando se conecta a un receptor.
Las dos respuestas anteriores son ciertas.
Obtenemos una lectura que corresponde con la mitad de su tensin nominal.

46. Las pilas en forma de botn...


a) Son hermticas.
b) Tienen una descarga espontnea muy pequea.
c) Son de tamao reducido.
d) Todas las respuestas anteriores son ciertas.
47. La tensin entre los puntos a b valen
a) Vab = 12 V.
b) Vab = 6 V.
c) Vab = 10 V.
d) Vab = 5 V.
48. La tensin entre los puntos a b valen
a) Vab = 17 V.

b) Vab = 3 V.
c) Vab = 10 V.
d) Vab = 7V.
49. Si las dos pilas de la figura son iguales, la tensin Vab vale...
a)
b)
c)
d)

Vab = V1/V2.
Vab = VV1 + V2 .
Vab = VI .V2.
Vab = 0.

50. En la conexin serie de varios generadores CC iguales, la batera


resultante...
a) Puede entregar una intensidad de corriente que
es la misma que entregara cualquiera de los
elementos que la forman.
b) Tiene una resistencia interna cuyo valor coincide
con el de cualquiera de los elementos que la forman.
c) Proporciona una tensin que es igual al inverso
de la suma de los inversos de las tensiones parciales.
d) Proporciona una mayor tensin de salida a medida que disminuye el n de
elementos que la forman.
51. Para conectar varias pilas en paralelo es conveniente que tengan...
a)
b)
c)
d)

Igual fem y Ri.


Igual fem y distinta Ri.
Distinta fem y distinta Ri.
Distinta fem e igual Ri.

52. La tensin de la batera de plomo de la figura depende de...


a)
b)
c)
d)

El nmero de bornes.
El nmero de pares de placas que hay en cada vaso.
El nmero de vasos o clulas.
Sus dimensiones.

53. Respecto al mantenimiento de una batera de plomo cido sabemos que...


a) En el proceso de descarga hay un aumento de la concentracin del cido.
b) Para conocer el estado de carga de cada acumulador es necesario medir la
densidad del electrolito.
c) En el proceso de carga, la tensin nunca llega a sobrepasar el valor nominal.
d) No existe gaseado durante la carga y, por tanto, no hay que tomar
precauciones.
54. Dada la grfica de la figura, que muestra la capacidad de descarga de una
batera de plomo en funcin de la corriente,
deducimos que...
a)
b)
c)
d)

II >12 >13 >14.


I1<I2<I3<I4.
1 1 = 1 2 = 13 = 14.
La grfica es falsa.

55. Para rellenar las bateras de plomo cido se emplea...


a)
b)
c)
d)

Agua
Agua
Agua
Agua

corriente.
destilada.
mineral.
oxigenada

56. Estructuralmente un diodo se compone de...


a)
b)
c)
d)

Tres cristales dopados y dos terminales externos de conexin.


Dos uniones semiconductoras.
Dos cristales dopados y dos terminales externos
de conexin.
Tres uniones semiconductoras.

57. Cuando en un diodo directamente polarizado existe un flujo de electrones


de valencia
movindose hacia la izquierda, significa que los huecos
fluyen hacia...
a)
b)
c)
d)

La derecha.
La izquierda.
Todas las direcciones, errticamente.
No se mueven.

58. En un diodo de silicio no polarizado y a temperatura ambiente, los iones de


la zona de deplexin producen una barrera de potencial de...
a)
b)
c)
d)

0,2
0,3
0,7
1,5

V.
V.
V.
V.

59. Dentro de la estructura cristalina de un diodo, los elementos que no


pueden desplazarse son...
a)
b)
c)
d)

Los electrones libres.


Los huecos.
Los portadores mayoritarios.
Los iones.

60. En el diseo de un diodo rectificador, interesa una banda prohibida ancha


porque...
a)
b)
c)
d)
estrecha.

La corriente inversa de saturacin ser mayor.


La temperatura afectar menos al semiconductor.
La tensin umbral ser menor.
Ninguna respuesta es cierta, la banda prohibida debe ser

61. Cuando una unin PN est polarizada segn indica el esquema de bloques
de la figura.
a)

Circula una intensa corriente elctrica a travs de la


unin que se cierra por el circuito exterior.

b)
c)
d)

Disminuye el campo elctrico que se establece en la unin, lo que


favorece su capacidad de conduccin.
Aumenta la barrera de potencial y el ancho de la zona de transicin, con
lo que ser imposible que se establezca por ella una corriente directa.
Su zona de trabajo se encuentra en el primer cuadrante de la curva
caracterstica.

62. Cul de las caractersticas de un diodo citadas a continuacin puede


encontrarse en su datasheet?
a)
b)
c)
d)

El color de la cpsula.
Vida media del componente.
Intensidad media mxima.
Tensin inversa mnima.

63. Atenindonos a su cdigo de designacin, cul de los siguientes


componentes es un diodo de unin?
a)
b)
c)
d)

2N3055.
1N4148.
7400.
ZF12.

64. Cul de las siguientes afirmaciones es cierta?


a) Cuando varios diodos estn conectados en paralelo, la mxima
corriente que puede entregar el conjunto est limitada a la del
diodo que menos corriente admite.
b) Los diodos no pueden conectarse en serie.
c) En la conexin de diodos en paralelo es preciso colocar una
resistencia de pequeo valor en serie con cada uno de ellos para
compensar las disimetras.
d) Los diodos slo pueden conectarse en anti paralelo
65. Un rectificador monofsico en puente de Graetz est formado por...
.
a)
b)
c)
d)

1 diodo.
2 diodos.
3 diodos.
4 diodos.

66. En un puente rectificador integrado...


a)
b)
c)
d)

Los terminales marcados con el smbolo ~ corresponden a la


salida de tensin alterna.
Los terminales marcados con los signos + y - corresponden a
la entrada de tensin continua pulsatoria simple.
Es obligatorio el uso de radiador.
Los terminales marcados con los smbolos ~ son los de
entrada de tensin alterna, y los marcados con los signos + y son los de salida de tensin continua pulsatoria doble.

67. Cuando se conectan en serie varios diodos de potencia del mismo tipo...
a)
b)
c)
d)

La tensin inversa aplicada a la rama se reparte


por igual entre todos ellos.
El tiempo de recuperacin inversa ser el mismo
para todos.
Los diodos ms rpidos dejarn de conducir antes, lo que les es favorable
pues soportarn una tensin inversa menor.
La distribucin de la tensin inversa entre los diodos de la rama puede
equilibrarse mediante la conexin de una resistencia en paralelo con cada
uno.

68. Cuando se conectan en paralelo varios diodos de potencia del mismo tipo...
a)

La dispersin de las caractersticas estticas de los diodos


hace que puedan provocarse fuertes desequilibrios en sus
respectivas contribuciones a la corriente de carga.
b)
Se crea un desequilibrio que se hace menos patente con el
aumento de la temperatura, ya que es positivo el coeficiente
de temperatura de la tensin en los diodos.
c)
Es preciso conectar una resistencia en paralelo con cada
diodo a fin de uniformar sus caractersticas.
d)
El valor de la resistencia a conectar en serie con
cada diodo ser tanto
mayor cuanto mayor sea la corriente que deba circular por dicha rama.
69. El valor de la corriente que un diodo de potencia puede soportar, si sus
picos se repiten cada 20 ms con una duracin del pico de 1 ms y para una
cierta temperatura de la cpsula, se denomina...
a)
b)
c)
d)

I FA VI FRM IfSMIFRMS

70. El tipo de encapsulado de un diodo de potencia


depende de...
a)
b)
c)
d)

La
La
La
La

intensidad nominal del diodo.


caida de tensin directa.
temperatura ambiente.
corriente de fugas.

71. Del espesor d de la capa N- del diodo de potencia de la figura depende...


a)
b)
c)
d)

La
La
La
La

comente directa media.


tensin de ruptura.
tensin de umbral.
tensin directa de pico repetitiva.

72. Los diodos zener trabajan habitualmente...


a)
b)
c)
d)

En polarizacin directa.
En polarizacin inversa.
En ambas polarizaciones, directa e inversa.
Por ctodo a masa.

73. En la caracterstica inversa correspondiente a un diodo zener de la figura,


el punto de trabajo...
a)
Ql es el adecuado porque aun no se ha producido la
ruptura.
b)
c)
d)

Q3 est dentro de la zona de regulacin.


Q5 es idneo para circuitos con corrientes fuertes.
Q2 o Q4 estn prohibidos.

74. Los diodos zener se tit Hi-tin principalmente en...


a)
Estabilizacin de tensiones, circuitos recortadores y proteccin contra
sobretensiones.
b)
Rectificacin de potencia.
c)
Amplificacin de seales de audio.
d) Sintonizacin FM.
75. Cul de los smbolos de la figura no representa al diodo zener?
a)
b)
c)
d)

Dl.
D2.
D3.
D4.

76. El efecto zener y el efecto avalancha...


a)
b)

Son iguales.
Se producen con polarizaciones diferentes: uno en directa y el otro en

inversa.
c)
d)
Germanio.

Se diferencian en que uno es controlable y el otro destruye la unin PN.


Solo se producen si el material semiconductor usado en la unin es el

77 . Los transistores BJT o bipolares reciben este nombre porque...


a)
b)
c)
d)

Basan su funcionamiento en dos tipos de portadores de carga: electrones y huecos.


Tienen tres uniones PN.
Pueden trabajar de dos modos diferentes: como conmutador y como amplificador.
Necesitan dos fuentes de alimentacin para ser polarizados.

78. El smbolo representado corresponde a un transistor...


a)
b)
c)
d)

NPN
PNP
PPN
NPP

79. El transistor bipolar fue inventado en el ao 1948 por


a)
b)
c)
d)

John Bardeen.
Walter H. Brattain.
Willian B. Shockley.
Los tres anteriores

80. Un transistor bipolar tiene

a)
b)
c)
d)

Dos zonas dc dopado.


Dos zonas de deplexion.
Tres tipos de portadores de carga.
Dos terminales.

81. Un transistor sin polarizar es similar a


a)
b)
c)
d)

Dos diodos contrapuestos. Q


Una resistencia variable.
Un interruptor cerrado.
Una red RC.

82. En un transistor NPN los portadores mayoritarios en la base son


a)
b)
c)
d)

Los huecos.
Los electrones libres.
Los iones positivos.
Los iones negativos.

83. En las caractersticas de salida de un transistor bipolar mostradas en la figura, la


zona rayada corresponde a...
a)
b)
c)
d)
84.
a)
b)
c)
d)

La zona de saturacin.
La zona de corte.
La zona activa.
La zona prohibida.
Para que un transistor BJT este polarizado en la zona activa debe tener.
La unin
La unin
La unin
La unin

E-B y la unin C-B directamente polarizadas. Q


E-B y la unin C-B inversamente polarizadas.
E-B directamente polarizada y la unin C-B inversamente polarizada.
E-B inversamente polarizada y la unin C-B directamente polarizada.

85. En un transistor NPN que trabaja en sum rue ion se verifica que...
a)
b)
c)
d)

VCE = 0V.
Ic - 0 A.
VCE = VCC. Q
Ic = IM.

86. Un transistor NPN con los valores indicados se encuentra


a)
b)
c)
d)

En la zona activa.
Saturado.
En corte. LI
Bloqueado

87 . Habiendo realizado a un transistor NPN con un hmetro analgico las medidas


indicadas, sabemos que...
a)
b)

Esta estropeado.
Aparentemente se encuentra en buen estado.

c)
d)

Puede funcionar solamente como conmutador.


Tiene fugas pero funciona bien.

88. El punto de trabajo de un transistor se conoce como.


a) Punto
reposo.
b) Punto
c) Punto
d) Punto

Q, que signifies Quiescent point, es decir, punto quieto, inmvil o de


W, del ingles Working point, es decir, punto de trabajo.
C, del ingles Charge point, es decir, punto de mxima carga.
T, en castellano.

89. Que montaje bsico del transistor tiene una ganancia de corriente prxima a la
unidad?
a) Emisor comn.
b) Base comn.
c) Colector comn.
d) Ninguno.
90. El montaje en colector comn tiene...
a) Alta impedancia
b) Alta impedancia
c) Baja impedancia
d) Baja impedancia

de entrada y baja de salida.


de entrada y alta de salida.
de entrada y alta de salida.
de entrada y baja de salida.

91. En un transistor, bipolar , discreto conectado en emisor comn, el fenmeno de


embalamiento trmico
a) No existe.
b) Se produce al someter al componente a temperaturas inferiores a las de trabajo
recomendadas.
c) No puede evitarse aunque se coloquen dispositivos de estabilizacin trmica, pero su
efecto es despreciable.
d) Es un proceso acumulativo provocado por una elevacin de temperatura, que a su vez
aumenta la IC as sucesivamente, hasta destruir el transistor.
92. Los transistores de efecto de campo de unin...
a) Estn dotados de dos puertas que suelen estar conectadas internamente constituyendo
un nico terminal exterior.
b) Se conocen abreviadamente como MOSFET debido a su constitucin interna.
c) De doble puerta tiene un campo de aplicacin mucho ms amplio que los de puerta
nica.
d) No presentan ningn tipo de analoga con respecto a los BJT.
93. A medida que la tensin de puerta de un JFET canal N es ms negativa, eI canal
se hace...
a) Ms ancho.
b) Ms estrecho.
c) Ms conductor.
d) Ms largo.
94. La diferencia ms clara entre el JFET y el MOSFET de empobrecimiento es

que...
a) Uno se gobierna por tensin y el otro por corriente.
b) El MOSFET puede trabajar con tensiones de puerta tanto positivas como negativas.
c) Las dos respuestas anteriores son ciertas.
d) En el FET el sustrato es accesible desde el exterior.
95. El circuito de polarizacin de la figura
a) Es correcto para la configuracin en surtidor comn.
b) Tiene la pila V66 conectada al revs.
c) Est en montaje drenador comn.
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.
96. El transistor JFET difiere del bipolar en que...
a) Su velocidad de conmutacin es alrededor de 10 veces
menor.
b) Su impedancia de entrada es mucho menor.
c) Tiene mucha menos ganancia de tensin.
d) Para magnitudes elevadas de tensin, la corriente no se
mantiene constante y en aplicaciones con altas intensidades
no presenta prdidas.
97. En los caractersticas de drenador de un JFET canal N de la figura se cumple
que
a) VGS4 <V GS3 <V GS2 <V GS1 .
b) VGS4 >V GS3 >V GS2 >V GS1 .
c) VGS4 =V GS3 =V GS2 =V GS1 .
d) VGS4 = 0 V
98. En los transistores MOSFET, el sustrato se suele unir internamente a...
a)
b)
c)
d)

La fuente
El drenador
La puerta
La capsula

99. El smbolo del MOSFET de acumulacin canal N es el de...


a)
b)
c)
d)

Q1.
Q2.
Q3.
Q4.

100.
Los transistores MOSFET de acumulacin se conocen tambin por el
nombre de
a)
b)
c)
d)

MOS de empobrecimiento.
MOS de enriquecimiento o de canal inducido.
MOS de deplexin.
MOS de canal difuso.

101.

En el circuito de polarizacin del MOSFET de la figura.

a) Si se invierte la polaridad de

disminuye la corriente de cargas a travs del

canal.
b) Los electrones libres circulan por el canal desde el drenador hacia la fuente.
c) Observamos que no tiene la puerta aislada del canal.
d) La tensin negativa de puerta
controla el ancho del canal, funcionando en
estas condiciones como un FET.
102 . El TRIAC es un elemento...
a)
b)
c)
d)

Unidireccional.
Bidireccional.
Conductor nicamente en corriente contina.
Rectificador.

103. TRIAC son las siglas de...


a)
b)
c)
d)

Corriente altema trifsica.


Trato industrial de alta corriente.
Trodo de corriente alterna.
Tiristor resistente a la corriente altema.

104. Un TRIA equivale a...


a)
b)
c)
d)

Dos transistores en serie.


Dos tiristores en anti paralelo.
Dos tiristores en serie y oposicin.
Dos DIAC en serie.

105. Los TRIAC se 11tiH7.au preferentemente en


.
a)
Convertidores estticos de corriente continua.
b)
Regulacin y control de corriente alterna.
c)
Electrnica digital.
d)
Radiofrecuencia.

106 . En el TRIAC con solapa aislada de la figura es falso que.


a)
No sean necesarias arandelas ni casquillos aislantes para su
montaje en los disipadores trmicos.
b) Se consigan aislamientos elctricos de hasta 2.500 V
c)
G corresponda al terminal de puerta.
d)
El agujero que hay en dicha solapa sirva para realizar la
conexin de cualquiera de sus nodos al
107. El SCRy el TRIAC se diferencian en...
a)
Que el TRIAC se puede cebar independientemente del
sentido de la tensin aplicada a la puerta.
b)
El n de terminales.
c)
La forma para pasar del estado de conduccin al de bloqueo.
d) Que e! TRIAC es un componente usado principalmente para
disparo de los DIAC.

1. LED son las siglas de,

a)
b)
c)
d)

2.

a)
b)
c)
d)

b)
c)
d)

4.

5.

Curva
Curva
Curva
Curva

1
2
3
4

El LED con mayor tensin directa es el de color.


a)
b)
c)
d)

6.

Aprovechan mejor la energa consumida y proporcionan


mayor luminosidad con menor consumo.
Tienen un tiempo de respuesta mucho ms rpido,
permitindoles trabajar a mayor frecuencia.
Su vida til es mucho ms larga.
Todas las respuestas anteriores son ciertas.

Cul de las curvas caractersticas de la figura corresponde a un LED?

a)
b)
c)
d)

7.

Polarizacin directa.
Polarizacin inversa.
Elevada intensidad, del orden de amperios.
Nunca se enciende, sino que funciona cuando
incide luz sobre l.

Las ventajas de los LED frente a las lamparitas de filamento son, entre otras, que

a)

LED

Un LED puede encenderse cuando trabaja con

3.

Luz en diodos.
Diodo iluminado.
Diodo emisor de luz.
Diodo electroluminiscente.

Rojo.
Naranja.
Amarillo.
Azul.

El valor exacto de la cada de tensin directa de un LED depende de


a)
b)
c)
d)

La corriente que circula a travs de su unin.


El color de la radiacin emitida.
La tolerancia de fabricacin.
Todas las respuestas anteriores son ciertas.

En el LED de la figura.
a) El terminal ms corto corresponde al ctodo.
b)
El terminal ms corto corresponde ai nodo.
Los terminales tienen distinta longitud porque ha salido defectuoso de fbrica.
c)
d)

Cualquiera de los dos terminales puede ser indistintamente nodo o ctodo.

8.

Observando un LED desde su parte inferior...

a)
b)
c)
d)

9.

El terminal ms cercano a la muesca es el


nodo.
El terminal ms cercano a la muesca es el
ctodo.
Cualquiera de los dos terminales puede ser
indistintamente nodo o ctodo.
La muesca no es original, ha sido producida
por rozamiento con algo.

El grfico corriente-luminancia del LED mostrado en la figura indica que...

a) Luce menos a mayor intensidad.


b) Existe una relacin logartmica entre la corriente y la
iluminacin.
c) Existe una relacin exponencial entre la corriente y la
iluminacin.
d) A medida que aumenta la intensidad de corriente que
lo atraviesa emite mayor luminosidad.

10.

Cul de las caractersticas del datasheet descritas a continuacin no pertenece a un LED?

a)
b)
c)
d)

Corriente directa mxima y nominal (en mA).


Tensin inversa mxima y tensin directa nominal (en V).
Potencia de disipacin (en mW).
Resistencia de aislamiento (en MX).

11. Los circuitos integrados lgicos o digitales


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Trabajan con variables que pueden tomar infinitos valores.


Se les llama lgicos porque se fabrican en un proceso lgico.
Pueden realizar cualquier funcin elctrica o electrnica.
Trabajan con dos valores de tensin distintos.

12. Los CI digitales que contienen entre 100 y 9.999 puertas equivalentes por chip son

.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

De
De
De
De

pequea escala de integracin, SSI.


media escala de integracin, MSL.
alta escala de integracin, LSI..
muy alta escala de integracin, VLSI.

13. Los La calidad de una familia lgica viene determinada por


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

La potencia que disipa..


La velocidad de conmutacin.
El producto potencia disipada-retardo de propagacin.
El fan-out.

14. Las letras intermedias de las subfamilias TTL de la serie 74xx indican

.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

74Sxx: estndar.
74LSxx: estndar, alta velocidad.
74 ALSxx: bajo consumo, Schottky avanzada.
74Fxx: Schottky, bajo consumo

15. La subfamilia CMOS que es compatible tanto en patillaje como en alimentacin con la familia TTL
es
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

HE40xx.
74HCTxx.
40xxA.
40xxUB.

16. Cul es la tensin de alimentacin nominal de los CI digitales en tecnologa TTL?


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

10 V.
15 V.
5 V.
12 V.

17. La familia lgica que funciona con tensiones de alimentacin entre 3 y 18 V es


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

TTL Schottky.
HTL.
CMOS serie 4000.
RTL.

18. El smbolo que acompaa el pin del CI de la figura denominado CLK indica que dicha entrada es
activa

.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

A nivel bajo.
A nivel alto.
Por flanco de bajada.
Por flanco de subida.

19. Sin Modificar el estado de los conmutadores de la figura, la puerta lgica que mantiene el LED
apagado es
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

NAND.
OR-exclusiva.
NOR.
Todas las respuestas anteriores son ciertas.

20. Cul de la seales indicadas est presente en la salida de la


puerta de la figura?
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

OUT 1.
OUT 2.
OUT 3.
Ninguna

21. Cul de los estados lgicos


siguiente son se presenta en
la salida de la puerta triestado de la figura
.
.

a)
b)

OUT 0.
OUT 1.

.
.

c)
d)

OUT = Z ( alta impedancia).


OUT = Z (baja impedancia).

22. Cul de los circuitos con contactos realiza la misma funcin lgica que la puerta de la figura?
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Circuito
Circuito
Circuito
Circuito

I.
II.
III.
IV.

23. La puerta NAND de la figura se comporta como


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Un inversor.
Un decodificador.
Un buffer.
Una puerta AND.

24. Las memorias RAM se caracterizan por


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Ser de slo lectura.


Venir grabadas de fbrica
Perder la informacin que almacenan cuando se les desconecta de la fuente de alimentacin
Ser de acceso secuencial

25. La capacidad de la memoria de la figura es de


.
.
.
.

a) 1.024 bits.
b) 8.192 bits.
c) 3.000 bits.
d) 256 bytes.

26. La memoria que necesita peridicamente de ciclos de refresco para evitar la prdida de datos es
a) RAM esttica.
b) RAM dinmica.
. c)
PROM.
. d)
Flash.
27. Las memorias ROM grabadas por mscara
.
.

.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Se pueden reprogramar cuantas veces se desee.


Estn internamente constituidas por transistores BJT.
Slo pueden ser grabadas durante el proceso de fabricacin .
Se borran mediante su exposicin a rayos ultravioleta.

28. La secuencia de operaciones mostrada en la figura y correspondiente a una memoria hace


.
.
.
.

a) Lectura.
b) Escritura.
c) Borrado de datos.
d) Refresco de datos.

29. La memoria de la figura dispone d


.
.
.
.

a) 11 lneas de direcciones.
b) 7 lneas de datos.
c) 1 lnea de alimentacin.
d) 3 lneas de control.

30. El hardware de un sistema microprogramable es el conjunto de


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Instrucciones y rutinas con que se programa el sistema.


Seales analgicas y digitales que fluyen por el sistema.
Circuitos y componentes electrnicos que constituyen el sistema.
Conductores elctricos que interconecta los dispositivos del sistema.

31. Al conjunto de lneas que usan los microprocesadores para enviar o recibir rdenes se le
denomina
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Bus
Bus
Bus
Bus

de direcciones.
de control.
de datos.
de instrucciones.

32. La velocidad de funcionamiento del microprocesador est determinada por


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

El tiempo de acceso de la memoria.


La frecuencia del reloj.
El nmero de componentes que integran el sistema.
Las caractersticas elctricas de los perifricos con los que intercambia informacin.

33. En un sistema microprogramable la funcin de la memoria ROM es


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Contener aquellos programas y datos que la CPU o el usuario puedan modificar.


El almacenamiento temporal de los datos recibidos desde el exterior.
Contener los datos y programas de arranque que precisa el sistema para su activacin .
El almacenamiento de aquellos datos que la CPU enva para su posterior visualizacin en
pantallas o displays.

34. La longitud de la palabra binaria que procesa el microprocesador determina el nmero de hilos
del
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Bus
Bus
Bus
Bus

de direcciones.
de control.
de datos.
de instrucciones.

E1

Vo
Vi

35. Un bus de direcciones de 16 lneas permite al microprocesador gobernar una memoria de hasta
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

8 K posiciones.
16 K posiciones.
32 K posiciones.
64 K posiciones.

36. Los dispositivos lgicos triestado


. a)
. b)
. c)

S1

Disponen de una entrada de control que autoriza el funcionamiento del circuito o lo inhibe
ponindolo en estado de alta impedancia.
Tienen tres estados de salida posibles: bajo (L), alto (H) e indiferente (X).
Tienen tres terminales: una entrada y dos salidas, una inversora y la otra no inversora.

S2

. d)

Permiten intercomunicar los tres buses del sistema para aumentar su versatilidad.

37. En un microprocesador las entradas de control X1-X2


. a)
de
. b)
. c)
. d)

Suelen llevar conectadas un cristal de cuarzo o una red LC o RC para estabilizar el generador
reloj interno.
Controlan la transferencia de datos serie y paralelo, respectivamente.
Llevan conectadas la tensin de alimentacin del chip.
Reciben una peticin de servicio de la memoria o del dispositivo I/O.

38. La seal de control que indica al microprocesador si la memoria o el dispositivo de I/O est o no
listo para realizar una transferencia de datos es
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

HLD.
INTR.
ALE.
READY.

39. En un microprocesador de 8 bits, el stack pointer o puntero de la pila es generalmente...


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Un
Un
Un
Un

registro de propsito general de 8 bits.


registro de propsito especial de 16 bits.
registro de propsito especial de 8 bits.
registro de propsito general de 16 bits.

40. Cuando al efectuar una suma lgica el resultado tiene un nmero impar de unos, el flag
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

P=l.
Z = 1.
C = 1.
P = 0.

41. El bloque de lgica cableada dentro del microprocesador que controla y sincroniza las transferencias
de datos y las operaciones que se realizan con ellos se denomina
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Unidad lgica-aritmtica.
Decodificador de instrucciones.
Unidad de control.
Registro de instrucciones.

42. El registro que memoriza la direccin de la siguiente instruccin que se ha de ejecutar se denomina
.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Contador de programa.
Puntero de la pila.
Registro de estado.
Registro de instrucciones.

43. Al registro que ofrece informacin auxiliar acerca del resultado de las operaciones lgicas o
aritmticas que realiza la ALUse le llama
. a)
. b)

Acumulador.
Registro de datos.

. c)
. d)

Registro de estado.
Registro de instrucciones.

44. En las instrucciones de comparacin


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

El
El
El
El

contenido del acumulador se resta del segundo dato.


resultado de la diferencia se carga en el acumulador.
estado de los flags se carga en el acumulador.
contenido de los bytes que se comparan no se modifica.

45. No es cierto que


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

En una bifurcacin sea imposible volver al punto en que se interrumpi la secuencia


En una toma de decisin se testee el estado de alguno de los flags.
Las bifurcaciones puedan ser condicionales y no condicionales.
Sea posible romper la ejecucin secuencial de un programa.

46. En una instruccin de salto condicional


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Si no se cumple la condicin, se produce el salto.


El estado de los bits de condicin no se modifica.
Si se cumple la condicin, el contenido del contador del programa no se modifica.
Si no se cumple la condicin, el valor de la direccin que acompaa al cdigo de operacin se
carga en el contador del programa.

47. Una subrutina es


. a)

El eje principal de un programa en el que se especifican las direcciones de memoria en las que

se
. b)
. c)
. d)

encuentran los datos a procesar.


Un grupo de instrucciones de un programa que realiza una operacin concreta y que se repite
ntegramente en varias zonas del mismo.
El mnemnico asignado a una direccin.
El programa ensamblador que traduce los mnemnicos a cdigo mquina automticamente.

48. En un microprocesador la pila es

. a) Una zona de la memoria RAM de uso exclusivo del microprocesador y que se utiliza para
guardar
nicamente la direccin de retomo en las llamadas a subrutinas.
. b) Un conjunto limitado de registros internos que dispone el microprocesador para salvar el
contenido
del contador del programa en las instrucciones de salto incondicional.
. c) Una zona de la memoria ROM que est en principio reservada para el microprocesador, pero
que
tambin puede ser utilizada por el usuario para salvar el contenido del acumulador y del
registro de
estado.
. d) Una zona de la memoria RAM donde se puede almacenar el contenido de los registros del
microprocesador cuando se quiere ejecutar una subrutina o atender a una peticin de
interrupcin.

49. El amplificador diferencial de la figura funciona en modo

.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Entrada
Entrada
Entrada
Entrada

simtrica, salida simtrica.


simtrica, salida asimtrica.
asimtrica, salida asimtrica.
asimtrica, salida simtrica.

E1

S1
Vo

Vi

S2

50. La entrada de polarizacin de un AOP de transconductancia tiene


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

La misma
La misma
0,7V ms
0,7V mas

tensin que la entrada (+).


tensin que la entrada (-).
que la entrada Vcc.
que la entrada +Vcc.

51. La corriente de salida mxima de un OTA en configuracin tpica suele ser


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Mayor que la de polarizacin.


Igual a la de polarizacin
Menor que la de polarizacin
Cero.

52. Los operacionales de transconductancia tienen la particularidad de


.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

Que la etapa diferencial de entrada posee control externo para su corriente de polarizacin.
Estar construidos con transistores MOSFET.
Ser idneos para aplicaciones en circuitos controlados por corriente.
Que todas sus entradas tienen el mismo consumo.

53. La ecuacin caracterstica de un operacional de transcon ductancia es

.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

(
(
(
(

).
).
).
).

Ii2

Vi2

Io
Vo

Ii1
Vi1

54. En la curva de transferencia de la figura, la ganancia de tensin del operacional vale


Vo(V)

.
.
.
.

a)
b)
c)
d)

SAT+

14V

Av=2.
Av=-2.
Av= saturacin positiva.
Av=7.

-7V
Vi(V)
7V

SAT-

-14V

55. Analizando la curva de respuesta a la frecuencia de un AOP se puede afirmar que


Av(dB)
100

. a)
. b)
. c)

Las lneas discontinuas corresponden a


conexiones en lazo cerrado.
La lnea continua corresponde a conexin en
lazo cerrado.
El ancho de banda aumenta a medida que

80
60
40
20
0
F(Hz)

-20
1

10 100

1K 10K 100K 1M 10M

. d)

|aumenta la ganancia.
Los ejes estn graduados de forma lineal.

DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

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