Tema VII.

Leccin 16

Dispositivos semiconductores de potencia.

Interruptores
El diodo de potencia

16.1 Construccin y encapsulado

16.2 Caractersticas estticas
16.2.1 Curvas caractersticas
16.2.2 Estados de bloqueo y conduccin
16.2.3 Clculo de prdidas
16.3 Caractersticas dinmicas
16.3.1 Salida de conduccin: Recuperacin inversa
16.3.2 Entrada en conduccin: Recuperacin directa
16.3.3 Clculo de prdidas

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

16.4.1 Diodos rectificadores para baja frecuencia
16.4.2 Diodos rpidos y ultrarrpidos
16.4.3 Diodos Schotkky
16.4.4 Diodos para aplicaciones especiales
16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

CARACTERSTICAS
CARACTERSTICASDESEABLES:
DESEABLES:
--Corriente
elevada
con
Corriente elevada conbaja
bajacada
cadade
detensin
tensin
--Tensin
inversa
elevada
con
mnimas
Tensin inversa elevada con mnimasfugas
fugas

COMPARACIN DE LOS DIODOS DE POTENCIA:

Tipo
Tipo

Cada
Cadade
de
tensin
tensin
directa
directa(V)
(V)

Corriente
Corriente
de
defugas
fugas

Mercurio
Mercurio
Selenio
Selenio

15
15aa19
19
11

baja
baja
alta
alta

400
400
150
150

20.000
20.000
50
50

5.000
5.000
50
50

4.000
4.000
11

Germanio
Germanio

0,5
0,5
11

baja
baja
muy
muybaja
baja

120
120
200
200

800
800
3.500
3.500

200
200
1.000
1.000

100
100
100
100

0,6
0,6

alta
alta

70
70

30
30

10
10

11

Silicio
Silicio
Oxido
Oxidode
de
cobre
cobre

Tensin
Temp.
Densidad
Tensin Intensidad
Temp.
Intensidad
Densidad
inversa
interna
directa
de
inversa
interna
directa
decorriente
corriente
2
mx.
(V)
mx.
(C)
mx.
(A)
(A/cm
mx. (C) mx. (V)
mx. (A)
(A/cm)2)

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

ENCAPSULADOS
DO - 5

- Aislamiento
- Conexin Elctrica
- Disipacin trmica

Terminal de cobre
(nodo)
Cierre aislante

Soldaduras
Au-Si

Cierre metlico
Base de cobre
(ctodo)

P
N

Pastilla
semiconductora

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.1 Construccin y encapsulado

DO 200AC
Grandes corrientes
(3500 5000 A)
Base de cobre
(nodo)
Pastilla
semiconductora

Cierre metlico
Cierre cermico
Soldaduras

P
N

Base de cobre
(ctodo)

Cierre metlico

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:

Vd
rd

VF

id
tg = 1/rd
VRRM
IR
VR

Vd

VAK

Diodo real

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Curvas caractersticas:

id

Vd = 0
rd = 0
VAK
Diodo ideal

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin:
DIODO IDEAL
Ve
V

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

VS
V

DIODO REAL
Vd

rd
Ve
V

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

VS
V-Vd -rdid

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de conduccin. Parmetros:
Intensidad media nominal (IFAV):
Es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
senoidales de 180 que el diodo puede soportar con la
cpsula mantenida a determinada temperatura (110 C
normalmente).
Intensidad de pico repetitivo (IFRM ):
Mxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duracin de pico de 1ms a
determinada temperatura de la cpsula.
Intensidad de pico nico (IFSM ):
Es el mximo pico de intensidad aplicable por una vez
cada 10 minutos o ms, con duracin de pico de 10ms.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo:

Ve

RL

VS

Ve

RL

VS

Ve
V
VS

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Estado de bloqueo. Parmetros:
Tensin inversa de trabajo (VRWM ):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por el diodo
de forma continuada sin peligro de avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM ):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada en picos de
1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
Tensin inversa de pico nico (VRSM ):
Tensin inversa mxima que puede ser soportada por una
sola vez cada 10 min o ms, con duracin de pico de 10ms.
Tensin de ruptura (VR):
Si es alcanzada, aunque sea por una vez, el diodo puede
destruirse o al menos degradar sus caractersticas elctricas.
Leccin 16. El diodo de potencia.

16.2 Caractersticas estticas

Clculo de prdidas:
id

Pdis =

1
T

v F (t) i d (t) dt

PPdis
= V I dm+r
)22
+rdd(I
(Idef
dis = VddIdm
def )
VVd::
d
Idm
Idm::
rrd::
d
Idef
I ::
def

Tensin
Tensinumbral.
umbral.
Corriente
Corrientemedia.
media.
Resistencia
Resistenciadinmica.
dinmica.
Corriente
eficaz.
Corriente eficaz.

VF
id

Vd

rd

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.3 Caractersticas dinmicas

Entrada de conduccin: Recuperacin directa
Diodo Real:

Diodo Ideal:

id
did/dt

Id

Cierre
t

VF

Id
VFP
t

Vd

-VR
trd

trd
t ::tiempo
tiempode
derecuperacin
recuperacindirecta
directa
rd

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.3 Caractersticas dinmicas

Salida de conduccin: Recuperacin inversa
Pico de corriente de recuperacin Inversa:

Irr = t a

id

did
dt

Id
Qrr=Irrtrr/2

Tiempo de recuperacin inversa:

Irr

t rr = t a + t b
ta = tiempo de almacenamiento.
tb = tiempo de cada.

tb

ta
VF

trr

Carga de Almacenamiento:

Q rr =
t rr =

2 Q rr
di d
dt

1
t rr Irr
2
Irr = 2 Q rr

Vrr

VR

di d
dt

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.3 Caractersticas dinmicas

Clculo de prdidas:

id

Id

Las prdidas de entrada

en conduccin son muy
pequeas ( trd << trr) y
suelen despreciarse!

Pdis

1
=
T

Qrr=Irrtrr/2

Irr

v F (t) i d (t) dt

trr

VF

PPdis
= Q V f
dis = QrrrrVRRfSS
ffS::Frec.
de conmutacin.
S Frec. de conmutacin.

VR

Observar la dependencia de
las prdidas con la frecuencia
de conmutacin.

(aproximacin de la salida
de conduccin)
Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rectificadores para baja frecuencia:

IFAV
I ::1A
1A6000
6000AA
FAV

3600 V
VVRRM::400
RRM 400 3600 V
VVFmax::1,2V
(a II
)
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)
ttrr::10
s
rr 10 s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Rectificadores
Rectificadoresde
deRed.
Red.
--Baja
frecuencia
(50Hz).
Baja frecuencia (50Hz).

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast):
IFAV
I ::30A
30A200
200AA
FAV

VVRRM::400
1500 V
RRM 400 1500 V
(a II
)
VVFmax::1,2V
Fmax 1,2V (a FAVmax
FAVmax)
ttrr::0,1
- 10 s
rr 0,1 - 10 s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Conmutacin
Conmutacinaaalta
altafrecuencia
frecuencia(>20kHz).
(>20kHz).
--Inversores.
Inversores.
--UPS.
UPS.
--Accionamiento
Accionamientode
demotores
motoresCA.
CA.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos Schotkky:
IFAV
I ::1A
1A120
120AA
FAV

VVRRM::15
150 V
RRM 15 150 V
(a II
)
VVFmax::0,7V
Fmax 0,7V (a FAVmax
FAVmax)
ttrr::55ns
ns
rr
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Fuentes
Fuentesconmutadas.
conmutadas.
--Convertidores.
Convertidores.
--Diodos
Diodosde
delibre
librecirculacin.
circulacin.
--Cargadores
de
bateras.
Cargadores de bateras.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin):
IFAV
I ::0,45A
0,45A22AA
FAV

VVR::7,5kV
18kV
R 7,5kV 18kV
100V
VVRRM::20V
RRM 20V 100V
ttrr::150
ns
rr 150 ns
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altatensin.
tensin.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente):
IFAV
I ::50A
50A7000
7000AA
FAV

VVRRM::400V
2500V
RRM 400V 2500V
VVF::2V
F 2V
ttrr:10
s
rr:10 s
Aplicaciones:
Aplicaciones:--Aplicaciones
Aplicacionesde
dealta
altacorriente.
corriente.

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.4 Tipos de diodos de potencia

nodo

DO - 5

Encapsulado
cermico
600V/6000A

Alta Tensin
40.000V
0.45A
32V (VF)
32

Rectificador
1500V
168A
1.8V

200V
60A
Ctodo
(roscado)
Schottky
120A 150V

Fast
1500V
168A
1.8V

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.

16.5 Uso de los datos de catlogo de fabricantes

Leccin 16. El diodo de potencia.