1

Respuesta en frecuencia de amplificadores

Huircan J., Carrillo R.
AbstractPara anlizar la respuesta en frecuencia de amplificadores con transistores se usa un modelo que contenga
los efectos capacitivos (hibrido del BJT y modelo de alta
frecuencia del FET) correspondientes a C y C o C gs y
G gd . Para amplificadores de una etapa, conviene aproximar
la funcin de transferencia a una funcin de primer orden,
el polo entregar la frecuencia
S 1 de corte inferior o superior.
Para multietapas, L =
, determinado mediante las
Rj Cj
constantes de tiempo en cortocircuito con los capacitores
de ba ja. En al frecuencia H = S R1 C , se determina enconj j
trando las constantes de tiempo en circuito abierto con los
capacitores de alta.
Index TermsRespuesta en frecuencia, Ancho de Banda
de Amplificadores.

I. Introduction
La respuesta en frecuencia en los amplificadores establece
el rango en el cual trabajar el sistema sin distorsionar
la seal. Este se conoce como ancho de banda (BW,
Band Width) y determina las frecuencias para las cuales
se produce el proceso de amplificacin. El valor de este
parmetro depende de los dispositivos y de la configuracin
amplificadora. En los siguientes apartados, se describen las
zonas de trabajo de un amplificador, se analiza la respuesta
en frecuencia de configuraciones bsicas y se plantea una
metodologa que permite determinar el ancho de banda
para un amplificador multietapa.
II. Respuesta en frecuencia y modelos

En la prctica, si los circuitos son acoplados directamente, BW = fH .

Para determinar la respuesta en frecuencia de un amplificador monoetapa, se consideran tanto los efectos producidos por los condesadores de acoplo, como los efectos
capacitivos del dispositivo activo. Para el BJT se debe
usar un modelo que describa los efectos de alta frecuencia,
ste se conoce como modelo hbrido .
A. Modelo hbrido
La red de la Fig. 2, corresponde al modelo de alta frecuencia del BJT, donde C , es la suma de la capacitancia
de difusin en el emisor y la capacitancia de la unin en
el emisor [Savant], debido a que el primero es mayor se
considera casi igual a la capacitancia de difusin. C , es
la capacidad de union del colector, rx ( rb ) representa un
efecto resistivo parsito de contacto (llamada resistencia
de difusin de la base), r , equivale a la resistencia de la
base.
C

rx

gmv

Fig. 2. Modelo hbrido .

La respuesta en frecuencia de un amplificador tiene tres

reas:
La regin de baja frecuencia, descrita por la respuesta
de un filtro pasaalto
Una regin independiente de la frecuencia (rea central de la curva)
La regin de alta frecuencia, descrita por la respuesta
de un filtro pasabajos
H(j f )
A
A
2

Los parmetros C y C , son llamados Cbe y Cbc respectivamente y en las hojas de especificacin de transistores
aparecen como Cib (capacitancia de entrada en base comun) y Cob [Horenstein] (Capacitancia de salida en la configuracin base comn) respectivamente. El modelo puede
ser completado usando un resistor ro en paralelo con la
fuente de corriente.
El parmetro gm , se conoce como transconductancia y se
define en trminos de los parmetros de polarizacin como
h
gm = VICT y en trminos de hf e se tiene que gm = rfe .
B. Modelo de alta frecuencia del FET

El modelo de alta frecuencia del FET se indica en la Fig.

3, ste describe tanto el JFET como el MOSFET canal n.
Por lo general, las capacidades indicadas tienen un valor
bajo en pF.

[Hertz]

Fig. 1. Respuesta en frecuencia de un amplificador.

La regin de baja frecuencia se caracteriza por una frecuencia de corte inferior fL ( L ), la regin de alta frecuencia se describe a travs de la frecuencia de corte superior, fH ( H ). Se define ancho de banda como

Cgd

vgs

C gs

v
m gs

rds

BW = fH fL

(1)

Documento preperado en el DIE, Universidad de La Frontera.

Ver.2.5, 2007

Fig. 3. Modelo del FET para alta frecuencia.

Las capacidades Cgs y Cgd , representan las capacidades

distribuidas que atraviesan el xido entre la puerta y el
canal [Malik]. En el JFET representan las capacidades de
deplexin. El modelo se mejora agregando un resistor ro
en la salida (rds ).

v
i

Cc

rx

Cc

R1 R2

g mv

RC

RL

RE

CE

III. Anlisis bsico de respuesta en frecuencia

Sea el circuito de la Fig. 4, luego para ca, reemplazando
el modelo hbrido, de acuerdo a la Fig. 5.

Fig. 6. Circuito de baja frecuencia

Vcc
RC

R1

v
i

H (s) =

Cc

Cc

RL
R2
CE

H(j f )
K
K
2

Fig. 4. Amplificador bsico Multietapa.

La respuesta en frecuencia se encuentra obteniendo la

funcin de transferencia H (s), luego haciendo s = j, se
determina el mdulo y la fase.
Ci
vi

Co

rx

vo

R1 R2

(2)

Donde sp , establece la frecuencia de corte, es decir L =

s
sp o fL = 2p .

RE

Vo (s)
Ks
K1 s
=
=
Vi (s)
s + sp
Tp s + 1

gm v

RC

RL

RE

CE

Fig. 5. Reemplazo del modelo hibrido .

La determinacin de H (s) puede ser compleja, por lo

tanto el anlisis se puede dividir en dos partes, la zona de
baja y la zona de alta frecuencia.

Fig. 7. Frecuencia de corte inferior.

A.1 Anlisis del efecto de CE

Sea ahora CCi y CCo se tiene el circuito de
la Fig. 8.
Vo (s) = gm V (RC ||RL )

(3)

Por LVK en la entrada se tiene

V
+V +
Vi (s) = rx
r

V
+ gm V
r

1
RE ||
sCE

(4)

Despejando V de (4) y reemplazando en (3), se tiene

Vo (s)
=
Vi (s)
1+

A. Anlisis en baja frecuencia

Para el anlisis a baja frecuencia los capacitores C y
C , se reemplazan por un circuito abierto, quedando slo
el efecto de los capacitores de baja frecuencia, de acuerdo
a la Fig. 6.
Como fL depende de Cci , Cco y CE , la funcion de transferencia ser de orden superior. Esto se podra simplificar
suponiendo que fL slo depende de una sola de las capacidades, considerando la otra mucho mayor, luego:
fL depender slo de CE , haciendo CCi y CCo un cortocircuito (CCo , CCi >> CE ).
fL depender slo de CCi y CCo si CE se reemplaza
por un cortocircuito (CE >> CCo , CCi ).
As, la funcin de transferencia ser de la forma

[Hertz]

rx
r

gm (RC ||RL )

+ r1 + gm RE || sC1E

(5)

Desarrollando el paralelo se tiene que

rx

v
i

+
R1 R2

RE

Fig. 8. Efecto de CE .

gmv

_
CE

RC

RL

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES

v
i

rx

Cc

Note que (11) es una funcin de 2o orden. Para simplificar el anlisis y tener una funcin de acuerdo a (2),
se considera el capacitor de salida CCo >> CCi , luego se
tiene

Cc
v

R1 R2

gmv

RC

RL

(
!
)
Req
Vo (s)
r
gm RL
RL
Vi (s)
r + rx
Req + sC1C
RC + 1
i

r
s gRmLRL
r
+r

x
RC +1
=
1
s + CC Req

Fig. 9. Efecto de CC.

Vo (s)
=
Vi (s)
=

gm (RC ||RL )
RE ( 1 +gm )
1 + rrx + sCErR
E +1

gm (RC ||RL ) (sCE RE + 1)

(sCE RE + 1) 1 + rrx + RE r1 + gm
gm (RC ||RL )
x
CE RE (1+ rr
)

s+

(sCE RE + 1)

x+
1+ rr

RE
r

(6)

+RE gm

x
CE RE (1+ rr
)

gm (RC ||RL )
(sCE RE + 1)
x + RE +R g
1+ rr
Vo (s)
E m
r
=
x
CE RE (1+ rr
)
Vi (s)
s+1
RE
rx
1+ r +

Donde L =

RE
+ r

+RE gm

x
CE RE (1+ rr
)

De la cual se desprende que L = CC1Req .

Otra opcin seria hacer CCi >> CCo luego se tiene que

r
gm RL
RL
1
+R
+ 1 r + rx
Co RC
C

sCCo RC
gm RL rr+r
x

=
RL
1 + sCCo RC R
+
1
C

(7)

+RE gm

.
L =
CCo RC

Haciendo CE en el circuito de la Fig. 6, se obtiene

el circuito de la Fig. 9, planteando la LVK

Vo (s) = RL

gm V (s)
1
RC

1
+RL

1
sCC
o

1
+RL

1
sCC
o

gm RL V (s)
=
RL
1
sCC RC + RC + 1

g R sC R
m L Co C
=
V (s)
RL
1+ R
+
1
C
R
s
C
C
o
C
r
r + rx
R1 ||R2 || (r + rx )
= Vi (s)
R1 ||R2 || (r + rx ) + sC1C

V (s) = VR1 ||R2

VR1 ||R2

(8)

(9)

RL
RC

Req
Req + sC1C

RC

RL
RC + sC1C + RL
o

sCCo RC
= gm RL V
sCCo (RC + RL ) + 1

Vi sCciRB

1
sCci

rx
+

(10)

)
r
r + rx
(11)

(15)

Haciendo transformacin de fuentes en la entrada y

luego planteando la LCK, se tiene

RB

Haciendo Req = R1 ||R2 || (r + rx ), reemplazando (10)

en (9) y luego en (8), se llega a
gm RL
RL
1
+R
+1
C RC
C

+1

Para el anlisis completo se puede encontrar H (s) del

circuito de la Fig. 6. Por LCK en RC , se encuentra Vo ser

Vo (s)
=
Vi (s)
sC

(14)

A.3 Anlisis determinando la funcin de transferencia

Vo = gm V

Por otro lado

(13)

De esta forma se obtiene

A.2 Anlisis del efecto de CCi y CCo

(12)

CCi Req s + 1

Vo (s)

Vi (s)
sC

En forma cannica

x
1+ rr

g R r C R
s m L  RCLi eq
(r +rx ) R +1

RE

Fig. 10. Modificacin del circuito.

Por LVK, se tiene

V
_
1
sCE

g mV

1
||RB + rx
sCi

V
r

V
1
+ V + gm V +
RE ||
r
sCE

RB
V
Vi (s) =
+ rx
sCi RB + 1
r

gm V + rV RE
+V +
sCE RE + 1

RB
gm + r1 RE
+
r
x
sCi RB +1
+1+
Vi (s) = V

r
sCE RE + 1

1
RB

+
R
g
m
E
r
rx
r
= V
+1+
+
sCi RB + 1 r
sCE RE + 1
Vi (s) =

V (sC gm ) RL
0
1 + sC RL
Vi (s) + Vo sC rx

V =
rx
+
s
(C
+
C
)
r
+
1

x
r

Vo (s) =

Reemplazando V , se tiene
0

Vo (s)

Finalmente

Vo (s)
=
Vi (s)
0

as reemplazando () en () se tiene
gm RL
Vo (s) =
=

RB
r
sCi RB +1

rx
r

sCCo RC
sCCo (RC +RL )+1

+1+

RE gm + r1
sCE RE +1

rx
r

(sC gm ) RL

0
C R
0
+ 1 + s (C + C ) rx + rx L 1 + s2 C C rx RL
( r +rx gm +1)
0

Vi (s)

=
s2 + s

RE (gm + r1 )
+ rrx + 1 + sCE RE +1
sCCo RC gm RL
sCCo (RC +RL )+1
RB
r
sCi RB +1

1 + sC RL
Vi (s) + Vo sC rx

=
0
rx
(sC gm ) RL
+
s
(C
+
C
)
r
+
1

x
r

(sC gm ) RL
0
x +r g +1
(C +C )rx +C RL ( rr
)
x m
0
C C rx RL

rx
r

(18)

+1

0
C C rx RL

Donde (18) corresponde a una funcin de la forma

)
H(s) =

Como se observa, es una funcin de orden superior, la

cual se hace bastante engorroso su desarrollo. El siguiente
paso es dibujar el diagrama de bode para determinar el
L .

K (s + a)
s2 + Bs + 2H

(19)

El ltimo trmino del denominador representa 2H , de

esta forma se tiene
2H =

rx
r

+1

(20)

C C rx RL

IV. Anlisis en Alta frecuencia

Sea el circuito en alta frecuencia de la Fig. 11. correspondiente al circuito de la Fig. 4
C

rx

v
i

+
R1 R2

v C

que |sC | << gm y |sC | << gm , entonces,

2Si se cumple

s C C << gm , la funcin ser de primer orden

R

vo

g mv

RC

RL

Donde H =
Fig. 11. Circuito de alta frecuencia.
0

Sea RL = RL ||RC , planteando la LCK en el dominio s,

se tiene
Vo (s)
+ gm V = (V Vo ) sC
0
RL
Vi (s) V
V
=
+ V sC + (V Vo ) sC
rx
r
Reordenando

(16)
(17)

gm rxL
Vo (s)

=
0
Vi (s)
sC RL gm + r1 + r1x +
0

( r1 + r1x )

C RL (gm + r1 + r1x )

1
r

( fH =

1
rx

(21)

H
2 ).

La respuesta en frecuencia exacta estar dada por la

funcin de transferencia (18) de segundo orden. La aproximacin mostrada permitir obtener un valor cercano a la
frecuencia real de corte superior.
V. Respuesta en frecuencia para amplificadores
multietapa
Cuando la cantidad de transistores aumenta, aumenta
la cantidad de capacitores, haciendo que la determinacin
de la funcin de transferencia se torne inmanejable. Un
mtodo sencillo basado en aproximaciones permitir encontrar la respuesta en frecuencia.

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES

0.05 [

H(j f )
K
K
2

F]

mv

v
in

rx

Fig. 14. Reemplazo del Modelo.

A. Mtodo de la constante de tiempo en circuito abierto

Para estimar la frecuencia de corte superior, H , en un
circuito equivalente en alta frecuencia con k capacitores, se
determinan las k constantes de tiempo de acuerdo a (22).
Rj Cj = j

(22)

Donde Cj es el capacitor del circuito equivalente y Rj

es la resistencia equivalente que ve Cj cuando los dems
capacitores estn en circuito abierto. As, la frecuencia de
corte superior se estima como
1
1
= k
k
P
P
j
Rj Cj

j=1

10K

[Hertz]

Fig. 12. Respuesta de primer orden.

H =

5 [pF]

r
_

vout

Reemplazando el modelo hbrido del transistor, en el

circuito de la Fig. 13, se obtiene la red de la Fig. 14.
Se observa que el capacitor de 5 [pF ] es comparable a los
capacitores del modelo del transistor por lo tanto, dicho
capacitor ser tratado como de alta frecuencia.
En baja frecuencia, se anula la fuente de excitacin,
se reemplaza el capacitor por una fuente de prueba.
vp

mv
vout

ip

(23)

10K

rx

j=1

Cj , ser C o C de la etapa bajo anlisis.

Fig. 15. Circuito de baja frecuencia.

B. Mtodo de las constantes de tiempo en cortocicuito

Para estimar la frecuencia de corte inferior L , de un
circuito equivalente en baja frecuencia que contenga n capacitores, se calculan
Lj

n
X

Lj =

j=1

n
X

1
R C
j=1 j j

Sea el siguiente circuito

10K

vin

L =

vp
ip

x
1+ rr
gm + r1

vout

(25)
(26)

, finalmente

1
1
=
= 204, 9 [Krad/seg]
50
(1+ rrx )
(1+ 2000
)
0.05
[F
]
C
1
(0.01+ 2000
)
(gm + r1 )
(27)
fL 32 [KHz ]

Vcc

F]

Luego Req =

(24)

VI. Problema desarrollado

0.05 [

v
1
= v gm +
ip = gm v
r
r

v
rx
vp = v rx = v 1 +
r
r

1
=
Rj Cj

Donde Rj es la resistencia de salida vista por Cj , cuando

los dems capacitores estn en cortocircuito.
L

Se determina un Req visto desde el condensador

(28)

En alta frecuencia
Considerando el capacitor C , ste se reemplaza por una
fuente de prueba y se determina la resistencia equivalente.

+
5 [pF]
5 [mA]

Fig. 13. Circuito en base comn.

Considerando que rb = rx = 50 [], g1m = 100 [],

r = 2 [K] , C = 8 [pF ] y C = 1.5 [pF ]. Determinar
la respuesta en frecuencia de circuito.

v
v
1
1
= v
+
ip =
r
rx
r
rx
(vp + v)
ip = gm v +
RL

gm + R1
L
Luego Req = 1 + 1 + 1 RL , por lo tanto
r

rx

(29)
(30)

VII. Conclusiones

gm v
ip

r
_

vout
v

p
10K

rx

Fig. 16. Calculando el efecto de C .

1 =

1+

1
r

1
RL
1
rx

gm +
+

RL C = 22.4 [nseg]

(31)

Considerando C
References
[1] Savat, C., Roden, M., 1992. Diseo Electrnico. Addison-Wesley
[2] Horenstein, M. 1996. Microelectronics Circuits and Device.
Prentice-Hall
[3] Malik, R. 1996. Circuitos Electrnicos. Anlisis, Diseo y Simulacin. Prentice- Hall.
[4] Sedra, A. Smith, K, 1998. Microelectronics Circuits. Oxford
Press.

gm v
vp
_

vout
+

ip

v +

10K

rx

Fig. 17. Efecto de C .

v
v
+
=v
r
rx
vp = v
ip =

Luego Req =

La determinacin de la respuesta en frecuencia de un

amplificador se describe a travs del BW, L y H . La
determinacin exacta de dicha respuesta se realiza reemplazando el modelo de los dispositivos activos que consideran el efecto de la variacin de la frecuencia, luego, mediante la funcin de transferencia se obtiene el diagrama
de bode. Este mtodo puede resultar inmanejable cuando
se tienen ms de dos capacitores. Se recomienda para
amplificadores multietapas, determinar las constantes de
tiempo introducidas por cada capacitor, luego el inverso
de la sumatoria de dichas constantes determinar la frecuencia superior del amplificador. Para determinar la frecuencia inferior, se calculan los inversos de cada contante
de tiempo con los capacitores en corto circuito, las que se
suman para obtener la freceuncia de corte inferior.

1
r

1
+ r1x

2 =

1
1
+
r
rx

(32)
(33)

, finalmente
1

1
r

Considerando 5 [pF ]

1
rx

C = 0.39 [nseg]

vp
+ gm v
10K
v = 0

ip =

(34)

(35)
(36)

As Req = 10 [K] , luego

3 = 10 [K] 5 [pF ] = 50 [nseg]

(37)

De acuerdo a la ecuacin (23), se tiene que

H =

1
22.4 [nseg] + 0.39 [nseg] + 50 [nseg]

(38)

o
fH = 2.19 [M Hz]

(39)