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Tema1 Teor A de Semiconductores Diod
Tema1 Teor A de Semiconductores Diod
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1. Introduccin
La electrnica hace uso de los dispositivos lineales en combinacin con los no lineales
para producir un efecto o accin especfica que requiera de cierta precisin. Esta accin
puede ser: generacin de seales, deteccin de frecuencias, amplificacin de seales,
comparacin y deteccin de niveles de seal, etc.
Un dispositivo no lineal es aquel cuyo comportamiento no puede representarse por
medio de una lnea recta con pendiente constante en el tiempo, a diferencia de los
dispositivos lineales como resistencias, condensadores, inductores.
El dispositivo mas simple y de mayor utilidad en la electrnica es el diodo, el cual es un
dispositivo electrnico no lineal de dos terminales cuyas caractersticas bsicas son:
La no linealidad: Su comportamiento no puede describirse a travs de una lnea
recta.
La no bilateralidad: Lo que significa que tiene una baja resistencia si se polariza en
una direccin y alta resistencia con la polarizacin contraria.
Esta ltima caracterstica indica que el diodo es un dispositivo semiconductor y de
hecho est construido en base a materiales semiconductores.
2. Teora de Semiconductores
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede
considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en
orden creciente. En un conductor la corriente es debida al movimiento de las cargas
negativas. En los semiconductores se producen corrientes producidas por el
movimiento de electrones como de las cargas positivas.
Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la tabla
peridica, caracterizados por ser tetravalentes. El modelo atmico de Bhor nos sugiere
una idea del tomo formado por tres partculas fundamentales: electrn, protn y
neutrn. Los protones y neutrones forman el ncleo y los electrones giran alrededor del
ncleo en rbitas fijas. Los electrones que se ubican en la capa orbital externa se
conocen como electrones de valencia.
Los semiconductores ms conocidos el silicio (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, el
comportamiento del silicio es ms estable que el germanio frente a todas las
perturbaciones exteriores que pueden variar su respuesta normal, es el primero (Si) el
elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes
electrnicos de estado slido; el proceso del germanio es absolutamente similar, pero
con frecuencia se har referencia aqu al silicio.
Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo,
como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de
14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin
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Semiconductor Intrnseco
Cuando el material semiconductor se encuentra formado por tomos del tipo explicado
en el apartado anterior, se dice que se encuentra en estado puro o ms usualmente que
es un semiconductor intrnseco.
Un material semiconductor consiste de una red de unidades repetidas, las cuales
ocupan un espacio cbico, tal como se ilustra en la figura 3. Dentro de cada unidad
cbica se encuentra un tomo localizado en el centro con cuatro tomos alrededor de
l, ubicados cada uno de ellos en cuatro de los ocho vrtices del cubo. Cada electrn
de valencia se comparte con otro electrn de valencia del tomo vecino formando as
un enlace covalente.
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Una barra de material semiconductor puro est formada por la repeticin de esta unidad
cbica repetida formando una determinada estructura geomtrica que se conoce como
red cristalina.
Si en estas condiciones inyectamos energa desde el exterior, algunos de esos
electrones de las rbitas externas dejarn de estar enlazados y podrn moverse.
Lgicamente si un electrn se desprende del tomo, este ya no est completo, decimos
que est cargado positivamente, pues tiene una carga negativa menos, o que ha
aparecido un hueco y al mismo tiempo un electrn libre (figura 4). Asociamos entonces
el hueco a una carga positiva o al sitio que ocupaba el electrn.
El tomo siempre tendr la tendencia a estar en su estado normal, con todas sus
cargas, por lo tanto en nuestro caso, intentar atraer un electrn de otro tomo para
rellenar el hueco que tiene.
Toda inyeccin de energa exterior produce pues un proceso continuo que podemos
concretar en dos puntos:
Electrones que se quedan libres y se desplazan de un tomo a otro a lo largo de la
barra del material semiconductor.
Aparicin y desaparicin de huecos en los diversos tomos del semiconductor.
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Semiconductor Extrnseco
La pureza de los materiales intrnsecos es tan alta que existen muy pocos electrones
libres, adems la movilidad de los portadores es muy baja y por consiguiente la
conductividad. Por esta razn la utilidad de los materiales semiconductores intrnsecos
es limitada slo a dispositivos especiales como por ejemplo: el termistor, el cual es un
resistor dependiente de la temperatura.
En vista de que la corriente que aparece en los materiales intrnsecos es de muy
pequeo valor, pues son pocos los electrones que se pueden arrancar de los enlaces
covalentes, se tienen dos posibilidades para el aumento de esta corriente:
Aplicar una tensin de valor superior.
Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
La primera solucin no es factible pues, an aumentando mucho el valor de la tensin
aplicada, la corriente que aparece no es de suficiente valor. La solucin elegida es la
segunda.
En este segundo caso se dice que el semiconductor est "dopado" y el material
semiconductor resultante se le llama extrnseco.
El dopaje consiste en sustituir algunos tomos de material puro semiconductor por
tomos de otros elementos. A estos ltimos se les conoce con el nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de impureza con el que se dope al semiconductor puro o
intrnseco aparecen dos clases de semiconductores extrnsecos:
Semiconductor tipo N
Semiconductor tipo P
2.2.1.
Semiconductor Tipo N
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exterior, resulta que cuatro de esos electrones sirven para enlazarse con el resto de los
tomos de la red y el quinto queda libre tal como se muestra en la figura 6.
A esta red de silicio "dopado" con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo
N".
En esta situacin hay mayor nmero de electrones que de huecos. Por ello a estos
ltimos se les denomina "portadores minoritarios" y "portadores mayoritarios" a los
electrones libres.
Las Impurezas tipo N ms utilizadas en el proceso de dopado son el arsnico, el
antimonio y el fsforo.
2.2.2.
Semiconductor Tipo P
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O sea que ahora la sustitucin de un tomo por otros provoca la aparicin de huecos en
el cristal de silicio. Por tanto ahora los "portadores mayoritarios" sern los huecos y los
electrones los portadores minoritarios.
A esta red de silicio dopada con esta clase de impurezas se le denomina "Silicio tipo P"
2.2.3. Representacin de los semiconductores extrnsecos
Los semiconductores extrnsecos se representan indicando dentro de los mismos el tipo
de portadores mayoritarios, tal como se muestra en la figura 8.
3. El Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor se forma con slo juntar los materiales tipo N y tipo P, dando
como resultado un dispositivo de dos terminales (Figura 9), por lo que al dispositivo
tambin se le conoce como diodo de Unin o simplemente Unin NP o Unin PN.
En el momento en que son "unidos" los dos materiales, los electrones y los huecos en
la regin de la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la
regin cercana a la unin, como se indica en la figura 10.
Electrnica
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Electrnica
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Electrnica
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Todo esto indica que existe una corriente en el dispositivo cuando ste est polarizado
directamente.
3.4.
El comportamiento del diodo ante la seal de tensin aplicada entre sus terminales
permite idealizar al dispositivo a travs de una grfica corriente-voltaje en el diodo.
(Figura 15).
La caracterstica ideal del diodo indica que l mismo se comporta como un interruptor,
que acta como circuito abierto para tensin inversa aplicada y como corto circuito para
tensin inversa. La figura 16 muestra este comportamiento de forma grfica.
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Smbolo
Directa
VD > 0 V
3.6.
Modelo Ideal
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3.7.
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i D = I s (e qvD
mKT
1)
Donde:
iD: corriente a travs del diodo
Is: corriente de saturacin inversa
q: carga del electrn
vD: voltaje en el diodo
K: constante de Boltzman 1.38x10-23 J/K
m: constante emprica del material, 1 para el Ge y 2 para el Si
El factor KT/q se expresa en voltios y tiene un valor aproximado de 25 mV a
temperatura ambiente 300K.
Esta ecuacin permite obtener una grfica mas detallada de corriente-voltaje en el
diodo tabulando los valores de corriente que se obtendran para diferentes valores de
tensin aplicada a temperatura ambiente o cualquier otra.
Si vD es negativa y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene entonces la
corriente de saturacin inversa: iD = Is.
Si vD es positiva y con magnitud mucho mayor al factor KT/q se obtiene la corriente en
sentido directo:
Electrnica
mKT
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La curva real del diodo as como tambin la expresin para iD permiten determinar la
resistencia del dispositivo.
La resistencia de un dispositivo elctrico corresponde a la pendiente de la curva voltajecorriente del dispositivo. As para una resistencia comn se tiene de acuerdo a la figura
20:
diD
d
=
I s (e qvD
dv D dv D
Si I >> Is
mKT
1) =
q
(I + I s )
mKT
diD
q
=
I
dv D mKT
di D
I
=
dv D m 25mV
m tiene un valor de 1 para el Ge y 2 para el Si, pero las curvas corriente-voltaje tanto
para Ge como Si son iguales en la zona lineal y por tanto se toma m=1. De tal forma
que:
diD
I
=
dv D 25mV
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rD =
3.9.
dv D 25mV
=
di D
I
en el pto de operacin
El anlisis de los circuitos con diodos requiere de la sustitucin del dispositivo por su
circuito equivalente o modelo.
Un modelo del diodo ideal se vi en la seccin 1.4: corto circuito para polarizacin
directa y circuito abierto para polarizacin inversa.
En el caso del diodo real debe tomarse en cuenta tanto la resistencia del diodo como el
voltaje de conduccin del mismo. En vista de que la caracterstica del diodo real no es
lineal y esto indica una resistencia variable, la especificacin de un modelo en base a la
resistencia del diodo calculada en un punto determinado no ofrecera un resultado
general para todo nivel de tensin aplicado al diodo, ni para todo tiempo. Por tal razn
se recurre la linealizacin de la caracterstica real del diodo con lo cual se puede
determinar un valor de resistencia aproximado del diodo valido para un cierto rango de
operacin en voltaje y tiempo. (Ver figura 21).
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Smbolo
Zona de Avalancha
VD < Vrup
RD V
Inversa
Vrup < VD < V
Modelo Linealizado
RR
En la tabla se observa que para la zona de avalancha el modelo lineal del diodo est
dado por un circuito abierto, puesto que para esta zona se considera el dao del
dispositivo y por tanto la conduccin es nula.
4.
Diodo Zener
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conduccin del diodo comn con niveles de corriente saturada (Is) por el orden de los
A o nA.
La zona zener viene especificada en la hoja de datos del zener, dada por el fabricante,
a travs de los valores de IZMIN e IZMAX, los cuales garantizan la operacin lineal del
zener una vez superada la tensin Vz.
El smbolo del diodo zener es muy parecido al smbolo del diodo comn de Si o Ge. La
figura 23 muestra el smbolo del zener.
Figura 23
Y al igual que el diodo comn pn el diodo zener tambin tiene su modelo linealizado. En
base a la linealizacin de su caracterstica, mostrada en la figura 24, se resume el
modelo ideal y linealizado del zener en la tabla 3.
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Smbolo
+
+
Modelo Linealizado
RD V
+
RR
Rz Vz
De la tabla 3 se observa que una vez superado el voltaje del zener Vz, su modelo
corresponde a una resistencia Rz en serie con una fuente de valor Vz, lo cual es un
modelo muy parecido al modelo del diodo cuando este est polarizado directamente.
La idealizacin del diodo zener, es sencilla. Para polarizacin directa e inversa se sigue
el mismo modelo del diodo ideal, para la zona zener el modelo ideal del zener se
representa slamente con una fuente de valor Vz.
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infrarrojo
PGa
verde
AsPGa
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