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Dispo 3
Dispo 3
DISPOSITIVOS
ELECTRNICOS
U.N.M.S.M
MATRICULA
CURSO
14190013
14190010
14190005
TEMA
INFORME
FECHAS
FINAL
NOTA
REALIZACIN
ENTREGA
30 DE ENERO DEL
2015
06 DE FEBRERO
DEL
2015
NUMERO
GRUPO
PROFESOR
Viernes de 11 am 2 pm
EXPERIMENTO DE LABORATORIO N3
I.
II.
OBJETIVOS:
1. Utilizar las caractersticas de operacin de los diodos semiconductores.
III.
INTRODUCCION TEORCA:
DIODO
Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica
direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta
de dos regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como
un circuito abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con
muy pequea resistencia elctrica. Debido a este comportamiento, se les suele
denominar rectificadores, ya que son dispositivos capaces de convertir una
corriente alterna en corriente continua.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en el caso del silicio
y 0,3 V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.
Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal
que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no
est polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A,
mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C.
A (p)
C (n)
Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo
est polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.
POLARIZACIN DIRECTA:
En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga
espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Para que un diodo est
polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo de la batera al nodo
del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p,
esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que
la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p,
los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
POLARIZACIN INVERSA:
En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a
la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona
hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a
continuacin:
Diodo tnel
Diodo Varactor
Diodo Zener
IV.
2.
Un Multmetro digital.
Marca: Fluke
N de serie: 64680428
3.
Marca: Yokogawa
Modelo: 510B
Sensibilidad: 0.1
/V
Marca: Yokogawa
Modelo: 500B
Sensibilidad: (1/15) /V
4. Un Diodo Semiconductor de Si y uno de Ge.
Diodo de silicio
Diodo de germanio
5. Un Voltmetro de c.c.
Marca: Yokogawa
Modelo: 2011
N de serie: 84AA2174
Sensibilidad: 1000 /V
6. Resistencia de 100 .
V.
PROCEDIMIENTO:
VI.
DATOS OBTENIDOS:
TABLA 1(Si)
R directa()
R inversa()
531
>30M
TABLA 2:
Vcc(V.)
0.5
0.52
0.6
0.68
0.78
0.82
1.2
1.5
1.7
1.9
2.18
2.7
Id(mA.)
0.1
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
0.467 0.500 0.529 0.563 0.600 0.623 0.657 0.679 0.689 0.699 0.707
0.721
Vd(v.)
TABLA 3:
Vcc(V.)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
Vd(V.)
0.007
2.015
5.95
7.94
9.89
12.01
14.94
19.99
Id( A.)
0.1
0.3
0.6
0.8
1.1
1.3
1.5
TABLA 4 (Ge)
R directa ()
0.232
R inversa()
28.3 K
TABLA 5:
Vcc(V.)
0.13
0.18
0.22
0.26
0.45
0.63
1.05
1.48
1.76
2.02
2.4
Id(mA.)
0.1
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
Vd(v.)
0.14
0.17
0.21
0.26
0.33
0.39
0.53
0.64
0.71
0.78
0.86
0.99
TABLA 6:
Vcc(V.)
0.0
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
Vd(V.)
0.008
1.075
1.991
3.97
5.95
7.86
9.97
11.89
14.99
17.55
19.44
Id( A.)
3.2
5.7
7.6
10.7
16.5
24
42.2
64
84
VII.
CUESTIONARIO FINAL
1. Construir el grafico Id = f (Vd) con los datos de las tablas 2 y 3. (Si.)
Calcular la resistencia dinmica del diodo.(Usar papel milimetrado)
rdn
Vdn Vd n1
I dn I d n1
0.5
0.52
0.6
0.68
0.78
0.82
1.2
1.5
1.7
1.9
2.18
2.7
Id(mA.)
0.1
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
0.467 0.500 0.529 0.563 0.600 0.623 0.657 0.679 0.689 0.699 0.707
0.721
Vd(v.)
Primer caso:
0.721 0.707
rdn
20.0m 15.0m
rdn 2.8
Quinto caso:
0.679 0.657
rdn
8.0m 5.0m
rdn 7.3
Segundo caso:
0.707 0.699
rdn
15.0m 12.0m
rdn 2.6
Sexto caso:
0.657 0.623
rdn
5.0m 2.5m
rdn 13.6
Tercer caso:
0.699 0.689
rdn
12.0m 10.0m
rdn 5
Sptimo caso:
0.623 0.600
rdn
2.5m 1.6m
rdn 25.5
Cuarto caso:
0.689 0.679
rdn
10.0m 8.0m
rdn 5
Octavo caso:
0.600 0.563
rdn
1.6m 0.8m
rdn 46.25
Noveno caso:
0.563 0.529
rdn
0 .8 m 0 .4 m
rdn 85
Dcimo caso:
0.529 0.500
rdn
0 .4 m 0 .2 m
rdn 145
Undcimo
caso:
0.500 0.467
rdn
0.2m 0.1m
rdn 330
TABLA 3:
Vcc(V.)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
Vd(V.)
0.007
2.015
5.95
7.94
9.89
12.01
14.94
19.99
Id( A.)
0.1
0.3
0.6
0.8
1.1
1.3
1.5
Primer caso:
rdn
19.99 14.94
2u 1.5u
rdn 10.1M
Segundo caso:
rdn
14.94 12.01
1.5u 1.3u
rdn 14.65M
Tercer caso:
rdn
12.01 9.89
1.3u 1.1u
rdn 10.6 M
Cuarto caso:
rdn
9.89 7.94
1.1u 0.8u
rdn 6.5M
Quinto caso:
rdn
7.94 5.95
0.8u 0.6u
rdn 9.95M
Sexto caso:
rdn
5.95 4
0.6u 0.3u
rdn 6.5M
Sptimo caso:
rdn
4 2.015
0.3u 0.1u
rdn 9.925M
Octavo caso:
rdn
2.015 0.007
0.1u 0u
rdn 20.08M
rdn
Vdn Vd n1
I dn I d n1
0.13
0.18
0.22
0.26
0.45
0.63
1.05
1.48
1.76
2.02
2.4
Id(mA.)
0.1
0.2
0.4
0.8
1.6
2.5
5.0
8.0
10.0
12.0
15.0
20.0
Vd(v.)
0.14
0.17
0.21
0.26
0.33
0.39
0.53
0.64
0.71
0.78
0.86
0.99
Primer caso:
0.99 0.86
rdn
20.0m 15.0m
rdn 26
Quinto caso:
0.64 0.53
rdn
8.0m 5.0m
rdn 36.6
Segundo caso:
0.86 0.78
rdn
15.0m 12.0m
rdn 26.6
Sexto caso:
0.53 0.39
rdn
5.0m 2.5m
rdn 56
Tercer caso:
0.78 0.71
rdn
12.0m 10.0m
rdn 35
Sptimo caso:
0.39 0.33
rdn
2.5m 1.6m
rdn 66.6
Cuarto caso:
0.71 0.64
rdn
10.0m 8.0m
rdn 35
Octavo caso:
0.33 0.26
rdn
1.6m 0.8m
rdn 87.5
Noveno caso:
0.26 0.21
rdn
0.8m 0.4m
rdn 125
Dcimo caso:
0.21 0.17
rdn
0.4m 0.2m
rdn 200
Undcimo caso:
0.17 0.14
rdn
0.2m 0.1m
rdn 300
TABLA 6:
Vcc(V.)
0.0
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
20.0
Vd(V.)
0.008
1.075
1.991
3.97
5.95
7.86
9.97
11.89
14.99
17.55
19.44
Id( A.)
3.2
5.7
7.6
10.7
16.5
24
42.2
64
84
Primer caso:
rdn
19.44 17.55
84u 64u
rdn 94.5K
Sexto caso:
rdn
7.86 5.95
10.7u 7.6u
rdn 616.129 K
Segundo caso:
rdn
17.55 14.99
64u 42.2u
rdn 117 .4 K
Sptimo caso:
rdn
5.95 3.97
7.6u 5.7u
rdn 1042..105 K
Tercer caso:
rdn
14.99 11.89
42.2u 24u
rdn 170.3K
Octavo caso:
rdn
3.97 1.991
5.7u 4u
Cuarto caso:
rdn
11.89 9.97
24u 16.5u
rdn 256 K
Noveno caso:
rdn
1.991 1.075
4u 3.2u
rdn 1145 K
Quinto caso:
rdn
9.97 7.86
16.5u 10.7u
rdn 363.7931K
Dcimo caso:
rdn
1.075 0.008
3.2u 0u
rdn 333.437 K
BIBLIOGRAFA:
Gua
para
mediciones
electrnicas
prcticas
de
laboratorio.
http://www.unicrom.com
Millman J., Halkias Ch.C. Dispositivos y Circuitos Electrnicos. 5ta edicin. Mc.
Graw Hill, 1983.
http://es.wikipedia.org