Union P-N

Materiales extrnsecos o dopados

En adicin a los portadores de carga generados trmicamente () en un material intrnseco, es posible

crear portadores de carga introduciendo impurezas al cristal, este proceso es llamado dopaje. Por lo
tanto hay dos tipos de semiconductores dopados, tipo-n (mayora electrones) tipo-p (mayora huecos).

 Atomos de silicio cm3=

Dopantes en el orden de ,
Por cada tomo dopante de Boro o Fosforo en este caso, abran aproximadamente 1 milln de tomos de silicio.

Material P y N
Temp
Los electrones del material N alcanzan
suficiente energa para estar libres en el
material.
Huecos

libres en el material P.

tomos de Boro

en la red cristalina.

tomos de Arsnico

en la red cristalina

Al unir el material P y N debido al alto

gradiente entre los materiales, se genera una
corriente de difusin, los electrones en se
recombinan con los huecos del material p.
En la Space charge regin, se queda sin
portadores de carga

 Se crea una carga positiva en el

material N y negativa en el material P
de igual dimensin
El campo elctrico es mas fuerte justo
donde es la unin de material
Se crea un potencial positivo del lado
N del material Potencial de contacto
barrera de potencial

Velocity

Electr
ic
field

Diffusio
n
constan
t
Carrier
concentrati
on gradient

Drift

curre
nt

Diffusio
n
current
La ecuacin puede ser acomodada de esta forma

Einstein
relation
for

Electric
field =
potential
gradient

Eq. 1

Holes pmaterial

Holes nmaterial

Equilibriu
m
condition

Free electrons nmaterial = donors

concentration

Despejando

Sustituyendo en Eq. 1

Formula para encontrar build-in voltaje

Eq. 2

Holes p-material
= aceptors
concentration

Eq. 1

= eV

= eV

Concentracin de portadores

Una abrupta unin p-n de silicio, tiene en el lado P, y en el lado N

Calcular el build-in voltaje que se genera en la unin.
Calcular el nivel de Fermi a 300 K en la regin n y p, sumar los resultados, y comparar resultado con el primer
calculo del voltaje.

0.46
7

0.79
6

0.32
9