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Contenidos
19
Expansin Trmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Capacidad Calrica, un acercamiento clsico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Capacidad Calrica, modelo de Einstein . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modelo de Debye . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Capacidad Calrica de los electrones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Conductividad Trmica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
19
20
21
24
24
24
25
29
29
30
32
34
35
35
37
iv
Contenidos
4.1
4.2
4.3
4.4
4.5
4.6
4.7
4.8
4.9
4.10
4.11
42
43
44
44
44
47
49
51
53
54
54
55
56
60
63
64
65
66
71
5 Semiconductores
5.1 Diferencia entre aisladores y semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.2 Agujeros . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.3 Propiedades pticas de los semiconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.4 Masa efctiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5 Semiconductores tipo n . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.1 Ejercicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.2 Ejercicio . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.3 Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.5.4 Ejemplo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
75
78
79
80
81
82
83
83
84
84
5.6
5.7
5.8
5.9
Semiconductores tipo p . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
5.6.1 Portadores mayoritarios y minoritarios . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Modelo de electrnes libres aplicado a Semiconductores . . . . . . . . . . . . .
Juntura de dos metales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Anlisis Cuntitativo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6 Propiedades Magnticas
85
86
86
88
91
95
1
6.1
6.2
6.3
6.4
6.5
6.6
6.7
6.8
6.9
6.10
6.11
Chapter 1
ESTRUCTURA CRISTALINA
Y DIFRACCIN
Una manera de preservar la simetra de la red, es construyendo una red de WignerSeitz. sta se construye asociando a cada punto del espacio que est ms cerca de l
que de cualquier otro punto.
Su volumen (rea) es 1= ,
=
N
V (A)
Chapter 1.
a1
a2
p
1
3
= a(1; 0) = a(
;
)
2
2
p !
p !
3
3
1
1
= a
;
=a
;
2 2
2 2
a
2
)l=
3
2
= a
~v2
= a
1
p 0
2 3
1
p 0
2 3
1.1
Celdas Primitivas
~v2
1 1
6 6
1
6
1
6
Chapter 1.
= a (1 0)
p !
1 3
= a
2 2
~a2
Pero tambien podemos elegir:
~a01
= a
~a02
= a
p !
1 3
2 2
p !
1 3
2 2
= a^
x
~a2
= a
~a3
!
p
1
3
x
^
y^ 0
2 2
(0 0 c^
z)
1.1
Celdas Primitivas
~v2
(0 0 0)
a a c
p
2 2 3 2
en coordenadas cartesianas o
~v1
~v2
(0 0 0)
1 1 1
3 3 2
Ejemplo
1. 3 1 2
Chapter 1.
2.
1
3
1
2
3. 2 6 3
4. (2 6 3)
Algunos aspectos importantes a considerar son los siguientes:
a) Si el plano es paralelo a un eje particular, el ndice de Miller correspondiente es cero
(la interseccin con el eje es en el in nito)
b) Si el plano intersecta el eje en un valor negativo, el ndice de Miller correspondiente
lleva un barra, e. g., (1 1 1)
c) El conjunto de planos equivalentes, es decir, con igual simetra, se denota fh k lg.
Por ejemplo, en una red cbica, las caras del cristal se denotan f1 0 0g
1.1
Celdas Primitivas
10
Chapter 1.
1
m
3
n
1
o
!
!
1
1
m
1
3
1
n
0
1
!
!
!
p
m
p
n
p
o
h k l
p=3
Si deseamos cubrir toda la red debemos trazar otros planos: cuntos? p
total hay p planos por cada interseccin en el eje
d0 = pd
cos2 ( 1 ) + cos2 ( 2 ) + cos2 ( 3 ) = 1
cos ( 1 )
cos ( 2 )
cos ( 3 )
d0
hd0
=
ma
pa
d0
kd0
=
na
pa
d0
ld0
=
oa
pa
1. En
1.2
Red Recproca
11
Luego:
k 2 d02
l2 d02
h2 d02
+
+
=1
p2 a2
p2 a2
p2 a2
pero d0 =p = d
d2 2
h + k 2 + l2
p2
d2 (h k l)
=
=
1)
h2
a2
+ k 2 + l2
~2
A
~3
A
2
~a1
2
~a1
2
~a1
(~a2 ~a3 )
(~a2 ~a3 )
(~a3 ~a1 )
(~a2 ~a3 )
(~a1 ~a2 )
(~a2 ~a3 )
Luego
~
eiG ~ = 1
1.2.1 Ejemplos
mnp
12
Chapter 1.
1. Dados
~a1
~a2
= 2^
x
= x
^ + 2^
y
~2
A
V
2
V
2
=
V
2
=
V
= ~a1
=
~1
A
~2
A
2V
y^
(~a2
~a3 ) =
2
[^
x
V
z^ + 2 (^
y
z^)]
f y^ + 2^
xg
(~a3
(~a2
f2^
x
2
4
(2^
y) =
y^
V
V
~a3 ) = 4 )
~a1 ) =
y^g
Cualquier vector que une dos puntos de la red recproca es perpedicular a algn
conjunto de plano de la red cristalina.
2. Cadena lineal
Slo hay un vector, ~a1 = a^
x
~1 = 2
A
~a2 ~a3
2
=
~a1 (~a2 ~a3 )
~a1
1.2
Red Recproca
13
2 2
a (^
y
a3
~ 2 = 2 a2 (^
= a^
y)A
z
a3
~ 3 = 2 a2 (^
x
= a^
z)A
a3
~1 =
= a^
x)A
~a1
~a1
~a1
2
x
^
a
2
x
^) =
y^
a
2
y^) =
z^
a
z^) =
Luego, la red recproca es tambin una red cbica simple de constante 2 =a:
Los lmites de la PZB son planos normales a sus vectores:
1~
A1
2
1~
A2
2
1~
A3
2
=
=
=
a
a
a
x
^
y^
z^
a1
a2
a3
= ~a1 (~a2
~a3 ) =
a3
a3
f4g =
8
2
14
Chapter 1.
con esto
2
(^
x + y^)
a
~ 2 = 2 (^
y + z^)
A
a
~ 3 = 2 (^
A
x + z^)
a
Estos vectores son los primitivos de la fcc, luego, una red fcc es la primitiva de la
bcc, pero su constante es 2 =a en lugar de a=2
Un vector general de la red recproca estar dado por:
~1
A
~
G
~ 1 + n0 A
~ 2 + p0 A
~3
= m0 A
2
f(m0 + p0 ) x
^ + (m0 + n0 ) y^ + (n0 + p0 ) z^g
=
a
Los doce vectores ms cortos distintos de cero son:
2
( x
^ y^)
a
2
(^
y z^)
a
2
( x
^ z^)
a
Si trazamos los planos normales a estos doce vectores en sus puntos medios obtenemos la PZB, que es la celda de Wigner-Seitz de una fcc. Esta zona es un dodecaedro
rmbico.
1.3
15
= !0
= k0
E (x) = E0 ei(k ~x
!t)
Al incidir sobre un centro difusor se genera una onda difundida cuya forma es:
E 0 = CE ( )
~
E 0 = CE0 ei(k ~
2
= R 1
R 1
(R
) =R
eikr
r
ikr
!t) e
r
2 R cos ( ; R) +
2
2
~ +
cos ~ ; R
R
R2
~
cos ~ ; R
1=2
16
Chapter 1.
k cos( ;R))
ei(k ~ +kr)
= eikR ei(k ~
= eikR ei k
~
k0
Finalmente:
E 0 = CE0 eikR e
i!t
exp i mnp
k
(1.3.1)
donde r R:
La difusin total se obtiene sumando 1.3.1 sobre todos los puntos de la red. Resulta,
entonces, importante calcular:
X
~
a
e i~ mnp k
m;n;p
a=
i(m~
a1 n+n~
a2 +p~
a3 )
mnp
amax )
~k = G
~
k
1.3
dV n ( ) e
i~
17
~
k
mnp
j)
mnp
n( ) =
M X
s
X
cj
mnp
mnp
mnp j=1
Luego
a
=
=
dV n ( ) e
N XZ
X
mnp
dV cj
i~
~
k
18
Chapter 1.
La contribucin de cj
dV cj
mnp
j
i
mnp
k
con
es:
dV cj ( 0 ) e
~
k
i~ 0
exp
h
~ 0 = ~ ~ j ~ mnp = fj exp i ~ j + ~ mnp
fj se conoce como factor de forma atmico. Con esto:
XX
a k =
fj exp i j + mnp
mnp
e i(
k)
mnp
mnp
M3
fj e
i ~ j + ~ mnp
~k
~k
e i(
k)
mnp
mnp
sg
fj e
Este factor de ne algunas lneas que desaparecen y no necesita ser real pues la intensidad considera ss . Nuestro inters reside en los ceros de s porque entonces no hay
intensidad en ciertas re exiones. La falta de re exiones ayuda a determinar que tipo de
estructura tiene el cristal difusor.
1 1
2 2:
Luego:
s (h k l) = f (1 + exp [ i (h + k + l)])
Luego, si:
h+k+l
h+k+l
= impar ) s = 0
= par ) s = 0
El sodio metlico no tiene en su espectro las lneas (100) ; (111) ; (221), pero s
aparecen las lneas (200) ; (110) y (222). Los ndices h k l se re eren a la celda cbica.
Chapter 2
DINMICA DE REDES
~
= ~k + G
2 Red Reciproca
(2.1.1)
En trminos de momentum es como si el cristal completo retrocediera con un mo~ Si la difusin del fotn es inelstica, con la creacin(absorcin) de un
mentum ~G.
~ la regla de seleccin nos da:
fonn de vector de onda K,
~k 0 + K
~ = ~k + G
~
(2.1.2)
20
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
onda.
Consideremos un fotn de frecuencia = !=2 propagndose en un cristal. Si se
considera el cristal como un contnuo de ndice de refraccin n, el vector de onda del
fotn queda determinado por:
ck
! =
(2.2.1a)
n
c
=
(2.2.1b)
n
con c la velocidad de la luz
La cantidad de movimiento del fotn es:
p~ = ~~k
(2.2.3)
Supongamos que un fotn de este haz interacta con un haz de fonn u onda sonora
del cristal. El fotn puede ser difundido por la onda sonora. La interaccin puede ocurrir
porque el campo de deformacin elstica de la onda sonora cambia la concentracin
local de tomos y, por consiguiente, el ndice de refraccin del cristal. De esta manera,
la onda sonora modula las propiedades pticas del medio. Recprocamente, el campo
elctrico de la onda luminosa modula las propiedades elsticas del medio.
Un fotn puede, en un cristal, crear o absorber un fonn. En este proceso el fotn
ser difundido su vector de onda cambiar de ~k y ~k 0 y su frecuencia de ! a ! 0 . Supong~ y su frecuencia . La cinemtica de la
amos que se crea un fonn de vector de onda K
colisin est dada por:
~! = ~! 0 + ~
(2.2.4)
donde, para simpli car no hemos includo la posibilidad de que la difusin est
asociada a una difraccin de Bragg, haciendo intervenir un vector de la red recproca.
Si la velocidad vs del sonido.
Ahora, un fonn puede transportar slo una pequea parte de la energa del fotn
~ se forma a partir de un fotn ~k; se tiene que
incidente, esto pues vs
c. Si un fonn K
0
para conservar energa y momentum, ! ' ! y k 0 ' k.
2.3
21
Como = vs K, los fonones producidos cuando se difunden inelsticamente fotones a una direccin ' de la direccin incidente tendrn la frecuencia
' 2vs
!n
sin
c
1
'
2
(2.2.5)
Ejemplo La frecuencia mxima de los fonones creados por difusin de la luz visible
en el vaco de longitud de onda = 4000A; para vs ~5 105 cm=s y n~1:5 es
=
=
5 105 (2 ) (1:5)
4 10 5
11
2 10 rad=s
2
K
=vs = 4 105 =cm
La difusin de luz visible ha sido utilizada para generar fonones de corta longitud
de onda en el cuarzo y el za ro.
d2 us
= c (us+1
dt2
us
2us )
(2.3.2)
22
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
con M la masa de un tomo. Buscamos soluciones con todos los desplazamientos que
tengan una dependencia temporal e i!t : Luego:
d2 us
=
dt2
(2.3.3)
!us
con lo cual:
M ! 2 us = c (us+1
Esta ecuacin tiene solucin del tipo:
us+1
us
(2.3.4)
2us )
(2.3.5a)
(2.3.5b)
1) Ka]
2 exp (iKsa)g
(2.3.6)
de donde:
! 2 M = c (exp (iKa) + exp ( iKa)
2)
(2.3.7)
usando:
2 cos (Ka) = exp (iKa) + exp ( iKa)
!2
=
=
luego:
!=
2c
[1 cos (Ka)]
M
4c
1
sin2
Ka
M
2
4c
sin
M
1
Ka
2
(2.3.8a)
(2.3.8b)
(2.3.9)
2.3
d! 2
=
dK
2ca
M
23
(2.3.10)
sin (Ka) = 0
en K =
=a:
Primera zona de Brillouin:
Cul es el rango de vectores de onda K fsicamente signi cativos?
veamos:
us+1
u exp [i (s + 1) Ka]
=
= exp (iKa)
(2.3.11)
us
u exp (isKa)
El rango + $
para la fase Ka barre todos los valores independientes de la exponencial. No tiene sentido hablar de que dos tomos ests desfasados en ms de .
Luego, el rango de valores independientes de K est dado por:
a
<K
(2.3.12)
2n
, n entero
a
(2.3.13)
(2.3.14)
Notemos que 2n =a es un vector de la red recproca. Luego, restando un vector apropiado de la red recproca a K, siempre podemos obtener un vector K 0 equivalente en la
primera zona de Brillouin.
En los bordes de la primera zona de Brillouin, Kmax =
=a
us = u exp ( isKa) = u exp ( i a) =
( 1)
(2.3.15)
Esta es una onda estacionaria, tomos alternados oscilan en fases opuestas y las ondas
no se mueven ni a la izquierda ni a la derecha.
24
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
d!
dK
= rk ! (K)
(2.4.1)
(2.4.2)
2c
2c
1
2
[1 cos (Ka)] !
(2.5.1a)
1 1 + (Ka)
M
M
2
c
'
K 2 a2
(2.5.1b)
M
El que en este lmite m / K, entonces, vg independiente de K y de !, luego
r
c
!
vs =
=
a
(2.5.2)
K
M
!2
Esto recuerda al sonido que se propaga con velocidad constante, por lo que estas ondas
se llaman acsticas.
2.7
25
Resolvemos para la constante cp multiplicando por cos (pKa), con p0 un estado entero,
e integrando sobre el rango de valores independientes de K:
M
=
=2
cp
p>0
2
cp0
a
=2
dK [1
0
cos (pKa)] cos (p
(2.6.2a)
Ka)
=2
(2.6.2b)
luego:
cp0 =
Ma
2
=2
(2.6.3)
=2
Luego:
d2 us
dt2
d2 vs
M2 2
dt
M1
+ vs
2us )
(2.7.1a)
= c (us + us+1
2vs )
(2.7.1b)
= c (vs
26
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
(2.7.2a)
(2.7.2b)
(2.7.3a)
(2.7.3b)
luego
2c M1 ! 2
c [1 + exp (iKa)]
de donde:
c [1 + exp ( iKa)]
2c M2 ! 2
=0
(2.7.4)
!2
' 2c
rama ptica
(2.7.6a)
!2
rama acstica
(2.7.6b)
2.7
27
Al usar esto en las ecuaciones para M1 y M2 con las que se escribe el determinante, se
tiene que:
M2
u
=
v
M1
Es decir, los tomos vibran uno opuesto al otro.
Si los tomos llevaran cargas opuestas podramos excitar un modo de este tipo con
el campo elctrico de la luz. Por esto se llama rama ptica.
Otra solucin en K dar u=v complejo.
En el caso ptico, u = v se obtiene en el lmite K = 0. Los tomos se mueven
como en una larga onda acstica, de all el trmino rama acstica.
Ejercicio Considere una red bidimensional cuya constante de red es a. Los tomos
interactan de forma que cuando un tomo en (xn ; yn ) se desplaza a (xn + x; yn )
est sujeto a una fuerza restauradora c1 x; debida a sus vecinos en (xn a; yn ) y
una fuerza restauradora c2 x, debida a sus dos vecinos en (xn ; yn a) : Suponga
c2 < c1 .
Encuentre la relacin de dispersin en el eje x
Encuentre la velocidad del sonido
Solucin
un+1;m ) y (un;m
un
(un;m
un;m+1 ) y (un;m
un;m
1;m )
Respecto de y
1)
Con esto:
m
d2 un;m
=
dt2
c1 (2un;m
un+1;m
un
1;m )
c2 (2un;m
un;m+1
un;m
1)
28
Chapter 2.
DINMICA DE REDES
i!t
obtendremos:
m! 2
Por lo tanto:
4c1
sin2
m
!=
kx a
2
4c2
sin2
m
ky a
2
1=2
~v
= rk ! =
4c1
sin2
m
kx a
2
1=2
@!
@!
e^x +
e^y
@kx
@ky
a
[c1 sin (kx a)] e^x + c2 sin (ky a) e^y
m!
a
1=2
c2 sin2 (kx a) + c22 sin2 (ky a)
~v =
m! 1
=
eiky a
Chapter 3
PROPIEDADES TRMICAS
DE LOS SLIDOS
L 1
L0 T
A pesar de que los valores de son muy pequeos, si los extremos de una barra
se mantienen jos, puede producirse una deformacin apreciable del material. Este
efecto debe considerarse en la construccin de puentes, lneas de tren y caminos para
evitar colapsos de las estructuras en das clidos, pero tambin puede usarse en la
construccin de switchs sensibles a la temperatura.
acero
plomo
= 1:1
= 2:9
10
10
K 1
5K 1
30
Chapter 3.
C=
@U
@T
(3.2.1)
= NA 3kB T = 3RT
(3.2.2a)
(3.2.2b)
3R
3.2
77 K JK
12:5
9:1
19:1
23:6
8:1
20:4
5:8
4:0
14:0
0:1
31
273 K JK
24:3
23:8
25:2
26:7
24:8
27:6
21:8
15:0
24:6
5:0
En pn = A
n~!
kB T
exp
hEi =
con x =
n~! exp
P
n exp
n
P
n exp ( nx)
Pn
=
n exp ( nx)
tenemos que
~!
kB T
d
log
dx
(3.2.3)
(3.2.4)
=1
n~!
kB T
(3.2.5)
n~!
kB T
" "
##
X
d
log
exp ( nx)
dx
n
(3.2.6)
" "
##
X
d
~!
log
exp ( nx)
dx
n
exp ( nx) =
con n grande
Ahora
k!
Boltzmann
kB T
pn = 1, luego
hEi =
Usando:
n~
Con esto,
1
exp ( x)
1 exp ( nx)
~
1 exp ( x) 1
(3.2.7)
1
exp ( x)
exp ( x)
1
=
exp ( x)
exp (x)
(3.2.8)
(3.2.9)
32
Chapter 3.
de donde
hEi =
~!
exp (x)
~!
~!
kB T
exp
(3.2.10)
1
hEi =
6 3RT
pn = A exp
con
A= P
hEi =
exp
exp
n~!
kB T
~!
~!
kB T
= hni ~!
luego
U = 3NA hEi = 3NA
~!
exp
~!
kB T
3.3
C = 3R
~!
kB T
33
exp
exp
~!
kB T
~!
kB T
i2
Si gra camos esta funcin vemos que hay un buen acuerdo con los experimentos.
A alta temperatura converge al valor clsido 3R. Esto ocurre pues si kB T es mucho
mayor que la distancia entre niveles, ~!, entonces, la expresin para U ! 3NA kB T:
Se de ne
~!
E =
kB T
0, la naturaleza de los
34
Chapter 3.
Con esto:
madera :
4 1012 <
tomos pesados y con enlaces dbiles tienen ! bajas, como oro y madera.
k=
2
n2 2
=
k =
+
+ n2z
2
L
L2
nmero de osciladores distintos cuyo n < nmax
2
n2x
n2y
1
8
4
3
3
kmax
3
L3
3
kmax
3
kmax
V
2
6
!3 V
=
6 v3
con V el volumen del cristal y k = !v ; (aproximacin de Debye, ! = vk)
g (!) =
dN
!2 V
=
d!
2 2 v3
3.6
Conductividad Trmica
35
! max
g (!) E (!) d!
! max
min
! max
! max corresponde al
~!
kB T
exp
g (!) ~!d!
Esta integral no se puede resolver analticamente, pero podemos obtener una expresin aproximada a bajas temperaturas. Esto es:
C
/ =
12R
5
T
D
V !D
6 2 v3
) ! 3D =
2 3
v N
V
Se encontrar que C
/ e = 2 N kB TTF ; con N = NA V ol. A T ambiente, C
/ e ~0:2Jmol 1 K
frente a la contribucin de los iones. Igualando ambas contribuciones podemos estimar
las temperaturas a la cual la contribucin electrnica es importante.
36
Chapter 3.
que:
K
L=
= 2:45 10 8
T
en que K es la conductividad trmica y L es conocido como el nmero de London.
Sin embargo, existen algunas diferencias fundamentales:
1.
buen conductor = mal conductor
= 1024
= 105
2. Algunos materiales, como el diamante, son aisladores elctricos y excelentes conductores trmicos.
Esto sugiere que, adicionalmente, al transporte de electrones, existen otros procesos
que contribuyen a la conductividad trmica. Una probabilidad obvia es que tambin
los iones participen de ella. Veamos lo que ocurre en una cadena lineal de tomos.
Si se calienta un extremo vibrarn ms que los del otro extremo. Como los enlaces
entre los tomos son como resortes, un incremento en las vibraciones de un tomo
necesariamente afecta las vibraciones de los vecinos. De esta forma, la perturbacin
viaja a travs de la cadena.
A diferencia de la conductividad elctrica, que se debe slo a los electrones, la
conductividad trmica involucra dos tipos de contribuciones:
K = Kel + Kph
Kph =
con:
1
nC
3
ph vph
Chapter 4
ELECTRONES LIBRES EN
METALES
37
38
Chapter 4.
El movimiento total es aleatorio y no puede existir ningn movimiento neto en algunas direcciones, si no introducimos una diferencia de potencial.
Podemos estimar la velocidad de los electrones a partir de:
1
mv 2
2
v
3
kB T
2
105 m=s (a temperatura ambiente)
v
1
v
107
An al aplicar un campo razonable, la velocidad ganada es muy pequea, debido a
la frecuencia de los choques, lo que hace que la trayectoria sea casi aleatoria, con una
tendencia muy suave a moverse en la direccin opuesta al campo.
Qu hay de correcto en la teora de Drude?
4.2
Modelo de Drude
39
e
m
Si asumimos que es independiente de " y de la temperatura, entonces, es constante tambin. Esto no es totalmente cierto, pues a mayor temperatura, menor , pero
es vlido en una primera aproximacin.
Consideremos un alambre al cual se le aplica un campo elctrico en la direccin de
su eje. Si eliminamos de nuestro anlisis la velocidad aleatoria de los electrones, que en
promedio es cero, podemos deducir la ley de Ohm.
La carga debida a los electrones que atraviesan el rea A por unidad de tiempo es
J=
I
= ne v
A
=
=
"
"
40
Chapter 4.
Ahora
I
JA =
"A
"A L
L
V
=
R
) V = IR
=
= n e
ne2
=
m
"
~2
E
2m
1
2L
~2 d 2 n
=
2m dx2
#
n
4.4
con
(0) =
41
(L) = 0
n
x ;
L
~2 n 2
=
n
2m L
Supongamos que queremos ubicar N electrones. De acuerdo al principio de exclusin de Pauli, dos electrones no pueden ocupar los mismos orbitales. De esta forma:
N n ms
1 1
"
2 1
#
3 1
"
4 2
#
5 3
"
6 3
#
7 4
"
8 4
#
nF es el nivel ms alto, entonces:
n
= A sin
nF =
=
=
N
2
~2
2m
~2
2m
nF
L
N
2L
=
=
1
2
kB
TF
12 4 kB
N 3
5
D
N kB
234 3
D
42
Chapter 4.
2
En general, se gra ca C
T = +AT ; que es una recta con pendiente A e interseccin
con el eje C=T = .
A veces estos valores para = libre = 2 N kB = (2 F ) y en la literatura se de ne:
mt
=
m
observado
libre
~ + 1 ~v
e E
c
~
B
(4.5.2)
en
~k (0) =
E
k= e
(4.5.4)
~
Debido a las colisiones, la esfera puede mantenerse en estado estacionario.
Si el tiempo que dura una colisin es , el desplazamiento de la esfera en estad
estacionario es
E
(4.5.5)
k= e
~
4.6
Resistividad experimental
43
y el aumento de la velocidad es
E
(4.5.6)
m
~ hay n electrones por unidad de volumen con
Si en un campo elctrico constante E
carga q = e, la intensidad de corriente es
J~ = nq ~v
(4.5.7a)
~v =
= ne2
E
m
(4.5.7b)
(4.5.8)
e2
=n
m
(4.5.9)
= 1=
(4.5.10)
La expresin para es evidente pues la carga transportada debe ser proporcional a
la densidad de carga ne, e=m viene de la aceleracin que produce un campo E y es el
tiempo en el cual acta E
= vF
en cobre, vF = 1:58 108 cm=s2 , = 2 10 9 s; entonces
(300K) = 3 10
(4K) = 0:3cm
cm
= relacin de resistividad
' 106
2
44
Chapter 4.
1
Cv
/
3
1
C
/ ev
3
2
2
T
nkB
vF
3 mvF2
=
=
=
=
pues
2
T
nkB
3m
= vF
2 2
kB T n =3m
ne2 =m
kB
e
L: nmero de Lorentz
L =
K
T
2
=
=
Esto falla si
6=
ph ,
kB
e
3
2:45
10
W =K 2
F
dt
~
(4.9.1)
4.9
k (t)
45
k (0) = k =
Et
t
=F
~
~
(4.9.2)
d
k =F
(4.9.3)
dt
pero si deseamos incluir colisiones debemos agregar un trmino de "roce" dado por
~
d
1
+
dt
(4.9.4)
k=K
d
es la aceleracin de la partcula libre y 1 es el efecto de las colisiones, "roce".
en que dt
La fuerza se gasta en acelerar la partcula y en el roce. Consideremos ahora la
partcula en un campo magntico uniforme B. La fuerza de Lorentz sobre un electrn
es:
1
~
F = e E + ~v B
(4.9.5)
c
Si m v = ~ k, la ecuacin de movimiento es:
d
1
+
dt
v=
e E+
1
v
c
(4.9.6)
=
=
B
vy
c
B
e
vz
c
e
(4.9.7)
(4.9.8)
= v0 cos (! c t)
= v0 sin (! c t)
(4.9.9)
(4.9.10)
eB
donde ! c = mc
2:8 10 4 B (T esla) 2
Para un electrn libre en un campo de 100KGauss tenemos que ! c = 1:76
1011 rad=s.
Si los tiempos de relajacin del cobre son 2 10 14 s y 2 10 9 a 300K y 4K,
respectivamente, entonces, ! c = 3:5 10 5 y 3:5 102 . Esta distancia es muy pequea a temperatura ambiente, pero a temperaturas del helio lquido se recorren muchos
ciclos.
46
Chapter 4.
vx
vy
vz
m
m
m
!c
vy
(4.9.14)
Ey + ! c
vx
(4.9.15)
Ex
(4.9.16)
Ez
! c Ey )
(4.9.17)
2 (Ey + ! c Ex )
1 + (! c )
La densidad de corriente de electrones viene dada por
(4.9.18)
vx
vy
1 + (! c )
e =m
(Ex
J~ = n ( e) ~v
(4.9.19)
Jy
xx Ex
=
=
Jz
=
=
(4.9.20a)
xy Ey
2
1 + (! c )
yz Ex +
! c Ey )
yy Ey
0
2
1 + (! c )
zz Ez
0 Ez
(Ex
(Ey + ! c Ex )
(4.9.20b)
(4.9.21a)
(4.9.21b)
(4.9.22a)
(4.9.22b)
en que 0 = nem
0
1
2
1
Jx
0
@ Jy A =
4 !c
2
1 + (! c )
Jz
0
!c
1
0
30
1
0
Ex
5 @ Ey A
0
2
Ez
1 + (! c )
(4.9.23)
4.10
Efecto Hall
47
(4.10.1a)
! c Ex
eB
Ex
mc
(4.10.1b)
RH
=
=
=
Ey
: constante de Hall
Jx B
eB Ex
=Jx B
mc
e Ex
mJx
=
=
=
=
0
2
1 + (! c )
0
(Ex
h
1 + (! c )
h
0 Ex
2
1 + (! c )
0 Ex
!c
( ! c Ex ))
2
Ex + (! c ) Ex
2
1 + (! c )
(4.10.2a)
(4.10.2b)
(4.10.2c)
48
Chapter 4.
0;
entonces
ne2
Ex
m
e Ex
= ne
m
e Ex
1 = ne
mJx
1 = ne RH
Jx
RH =
1
ne
Ejemplo
Considere un metal en un campo elctrico uniforme E. Un electrn experimenta una colisin y luego de un tiempo t una segunda colisin. Encuentre la
energa perdida en la segunda colisin. Si la probabilidad de una colisin en t es
P (t) = exp ( t= ) = ; donde es el tiempo de relajacin, encuentre la energa
Solucin
ma = eE ) a = eE=m
eEt
) v=
m
1
) Ec = mv 2
2
2
(eEt)
=
2m
La energa media est dada por:
Z 1
hEc i =
Ec P (t) dt
0
(eE)
2m
t2 exp
dt
(eE )
m
La energa media total perdida por centimetro cbico por segundo est dado por:
=
hPc i
V
=
=
=
N
hEc i
V
ne2
E2
m
2
0E
4.11
Bandas de Energa
49
Ejercicio
Potencial Qumico
de fermiones est dada por:
P (E) =
exp
1
(E
(T ))
kB T
= f (E)
+1
n = n0 + (
EF ) D (EF ) +
(kB T ) D0 (EF )
6
R EF
con n0 = 1
D (E) dE
H (E) f (E) dE
H (E) dE +
1
7
360
(kB T ) H 0 ( ) +
D (E) dE +
1
(kB T ) D0 ( )
7 4
4
+
(kB T ) D000 ( ) + :::
360
Z EF
Z
=
D (E) dE +
D (E) dE
1
EF
50
Chapter 4.
Recordemos algunos puntos que gobiernan los niveles de energ de un tomo aslado
1. Las propiedades de un electrn en un tomo estn gobernadas por cuatro parmetros o nmeros cunticos: n; l; ml y ms : n es el nmero principal, l toma valores
entre 0 y n 1, ml toma valores entre l y l, ms puede ser 1=2
2. El electrn ocupa niveles discretos de energa indicados por n y l, pues la energa
no depende de ml o ms
l=0! s
1
p
2
d
3
f
Si consideramos el sodio, con 11 electrones, entonces, tenemos 2 electrones en el
nivel 1s y 2 en el 2s, 6 en el nivel 2p y uno en el nivel 3s.
Pero en un slido el tomo no est aslado qu ocurre entonces? Si lo tomos
estn muy lejanos se comportan como tomos aslados. Si los acercamos comienzan a
interactuar los electrones ms externos y esto afecta su energa. Si gra camos la energa
en funcin de la separacin entre los tomos obtenemos lo siguiente:
En la posicin de equilibrio hay dos estados posibles, uno con energa mayor y otro
con energa menor que la del nivel 3s. Estos estados ya no pertenecen a un tomo
espec co, sino al par de tomos considerado. No signi ca que el electrn 3s asociado
a un tomo tiene mayor energa que el asociado a otro, pues los nuevos niveles aparecen
slo por la interaccin. Ambos electrones, si tuviesen diferente spin podran ocupar el
mismo estado de menor energa. Si ahora acercamos N tomos de sodio, tendremos N
niveles.
4.12
51
A pesar de que los estados estn tan juntos, que podemos tratarlos como una banda
debemos pensar en niveles discretos al estudiar la ocupacin. Debemos intentar ahora
una descripcin ms rigurosa.
=
=
=
~
G
~k + G
~
~
k 2 + G2 + 2~k G
~k
0
1~
G
2
52
Chapter 4.
~ = 2 =a, luego, en k =
En una dimensin G
=2 no hay soluciones de ondas viajeras.
La solucin ser la suma de una onda propagndose en cada direccin
Estas dos acumulan electrones en distintas regiones del espacio x, luego tienen distintos valores de energa potencial asociados. Este es el motivo del gap, una solucin
tiene ms energa que la otra.
2
Como P = j j , para una onda viajera la partcula libre una probabilidad constante
de estar en cualquier parte, pero para
(+) =
( )
cos2 ( x=a)
sin2 ( x=a)
j (+)j
= j ( )j
La funcin (+) acumula electrones en x = 0; a; 2a; etc, es decir, sobre los iones
positivos, donde el potencial es muy fuerte. ( ) acumula electrones entre dos iones.
4.13
53
( )
E ( ( ))
2 cos
( )
2 sin
x
a
x
a
54
Chapter 4.
La diferencia de energa entre las dos ondas estacionarias est dada por:
Eg
dxU0
+ (x)
dxU0 cos
2 x
a
= U0
(x)
h
cos2
x
a
sin2
x i
a
Vemos que la energa del gap es igual a la componente de Fourier del potencial
cristalino.
(~r) =
(4.14.1)
4.14.1 Demostracin
Esta demostracin es vlida slo si k es no degenerada, es decir, no existe otra funcin
de onda con el mismo ~k y energa, excepto k . Consideremos N puntos idnticos en
un anillo de largo N a. Su energa potencial es peridica en a, con U (x) = U (x + sa)
y s = 0; 1; :::; N 1:
Debido a la simetra del anillo buscamos soluciones que deben satisfacer:
(4.14.1.1)
(x + a) = c (x)
con c una constante o fase.
Dando una vuelta al crculo
(x + N a) =
(x) = cN (x)
(4.14.1.2)
de donde
cN = 1 )
c = exp (i2 s=N ) ; s = 0; 1; :::; N
(4.14.1.3a)
(4.14.1.3b)
si escribimos
(x) =
(4.14.1.4)
4.15
Modelo de Krnig-Penney
(x) satisface 4.14.1.1 si
55
con k =
2 s
Na ,
(x + a) =
(4.14.1.5)
(x)
En la regin
(4.15.2a)
(4.15.2b)
(4.15.3)
ver 4.14.1.5
Las constantes A; B; C; D se eligen para satisfacer ecuaciones de continuidad usual
de la funcin de onda y su derivada en las interfases.
En x = 0,
A+B = C +D
iK (A B) = Q (C D)
En x = a; usando 4.15.3
AeiKa + Be
iK AeiKa
Be
iKa
iKa
= Ce
Qa
= Q Ce
+ DeQa = Ce
Qb
Qb
+ DeQb eik(a+b)
DeQb eik(a+b)
56
Chapter 4.
Estas cuatro ecuaciones slo tienen una solucin si el determinante de los coe cientes de A; B; C; D se anula, es decir, si:
Q2 K 2
sinh (Qb) sin (Ka) + cosh (Qa) cos (Ka) = cos [k (a + b)]
2KQ
El resultado se simpli ca si representamos el potencial por una funcin delta peridica obtenida al pasar al lmite b = 0 y U0 = 1; de forma que Q2 ba=2 = P , se
mantiene nito.
En el lmite Q
KyQ
1, nuestra ecuacin se reduce considerando que:
cosh (Qb)
sinh (Qb)
1
Qb
Q2
Qb sin (Ka) + cos (Ka)
2KQ
Q2
sin (Ka) + cos (Ka)
2Ka
cos (ka)
cos (ka)
P
sin (Ka) + cos (Ka) = cos (ka)
Ka
Esta relacin nos permite obtener K (E) vs k
Sea a = 1; P = 0:5; se pueden dibujar las bandas
si
Q2 ba
2
= P
Qb =
2P
2P
= q
Qa
a 2m
~2 (U0
2P
q
a 2m
~2 U0
4.16
57
UG eiGx + e
iGx
UG cos (Gx)
G>0
(4.16.2a)
(x)
(4.16.2b)
X
k
ck eikx ; con k 2 R
(4.16.3)
=
=
=
1
d
i~
(x)
2m
dx
~2 d 2
2m dx2
2 X
~
k 2 ck eikx
2m
k
(4.16.4a)
(4.16.4b)
(4.16.4c)
58
Chapter 4.
(4.16.5)
X ~2
XX
X
k 2 ck eikx +
UG ck ei(k+G)x =
ck eikx
2m
G
(4.16.6)
Cada componente de Fourier debe tener el mismo coe ciente en cada lado, luego
X
UG ck G = 0
(4.16.7)
( k
) ck +
G
con
~2 k 2
=
(4.16.8)
2m
La ecuacin 4.16.7 se conoce como ecuacin central y representa un conjunto de
ecuaciones lineales simltaneas que conectan los coe cientes ck G
(Recordar que los k son de la forma 2n =L y los G son de la forma 2n =a)
k
UG cos (Gx)
G>0
= Aa
(x
sa)
= Aa
=
XZ
s
dx (x
Aa cos (Gsa)
= A
2n
a
=0
(4.16.9)
4.16
De nimos
fk =
ck
2n
a
59
) ck + Afk
ck
ck
0
Afk
(
Afk
~2 k2
2m
2mAfk
2m
2mAfk =~2
=
k 2 2m =~2
Como 4.16.9 es sobre todos los coe cientes c, se tiene que para cualquier n
=
fk = fk
con esto
ck
2n =a
~2 k 2
2n =a
2mA=~2 fk
(k 2n =a)
Sumando sobre n a ambos lados se tiene:
"
X
2
fk =
2mA=~ fk
k
~2
2mA
X
n
de namos:
"
2n
a
k0 = k
reemplazamos en 4.16.10b, nos deja:
1
n n +x
X
~2
=
k 02
2mA
n
i
(2m =~2 )
2n
a
#
(2m )
~2
(4.16.10a)
(4.16.10b)
2n
a
(2m )
~2
(2m )
~2
~2
a2 sin (Ka)
=
2mA
4Ka (Ka)
con K 2 = 2m =~2
mAa2
sin (Ka) + cos (Ka) = cos (ka)
2~2 Ka
60
Chapter 4.
P =
) ck +
UG ck
=0
(x)
ck
exp (ikx)
(x)
(x + T )
(x) =
(x + T )
exp ( iGT )
ck
exp [ iG (x + T )]
X
exp ( iGT )
ck G exp ( iGx)
G
(x)
(x)
(x + T ) =
4.17
61
(r + T )
~r + T~
(~r)
Luego exp i~k ~r es el factor de fase por el cual se multiplica la funcin de Bloch
cuando realizamos una traslacin en la red en T~
Tambin podemos decir que exp i~k T~ es el autovalor de una operacin de
traslacin cristalina y k es el autovector. Es decir,
T
(x)
=
=
(x + T )
exp i~k T~
(x)
) ck
0
~2 k 2
2m
exp i~k ~r
~2 (k G0 )
2m
tambin ser grande pues
P
G UG ck
ck G0 =
~2
2m (k
ck
Entonces ck
G0
G0
~2 k 2
2m
G G0
0 2
G)
G0 ) = k 2
62
Chapter 4.
1
G1
2
1
G1
2
Luego, en la frontera de la zona, las energas cinticas de las dos ondas componentes:
2
(k
G1 )
eikx y ei(k
2
G1 )x
1
G1
2
~ 2
~
k )
2m
2m
son iguales
~2
(k
2m
G1 )
en k = =a
Luego, si c 21 G1 es un coe ciente importante de la funcin de onda, tambin lo es
1
c
2 G1 :
En ese punto, si usamos U = 2U1 cos (G1 x) = U1 eiG1 x + e iG1 x
(
) ck +
UG ck
U1
U1
=
2
(
(
=0)
) c(G=2) + U1 c G1 =2 = 0
) c( G=2) + U1 cG1 =2 = 0
0
~2
2m
= U12 ) =
G1
2
U1
U1
Luego:
(x) = eiG1=2 x + e
iG1=2 x
e
2 (x) = e
1
iG1=2 x
iG1=2 x
k G1
) ck + U1 ck G1 = 0
) ck G + U1 ck = 0
k
U1
U1
k G1
)
=
4.17
1
1
( k G + k)
[
2
4
Cada solucin da origen a una banda
Sea
= 12 G1
63
k G1
2
k ] + U1
k ) k = G1 =2
k
(+) =
(+) + :::
4.17.1 Problemas:
Considere un electrn en un cristal unidimensional. Encuentre el determinante de compatibilidad si V (x) = 3 2 cos (2x) y la periodicidad es a =
Solucin
El problema no perturbado es no degenerado y no tengo un k particular. Con esto,
veamos la ecuacin central:
X
( k
) ck +
UG ck G = 0
G
G1
2
2
=
=2
a
3
eiG1 x + e
=
=
=
=
=
=
iG1 x
0
0
0
0
0
0
3
1
0
0
0
1
3
1
0
0
k 2
0
1
3
1
0
=0
k
0
0
1
3
1
k+2
0
0
0
1
3
k+4
Mediante aproximaciones sucesivas uno puede obtener cada vez mejores valores
para la energa
k 4
64
Chapter 4.
4.17.2 Problema
Considere una red cuadrada en dos dimensiones
2
2
x cos
y
a
a
Aplique la ecuacin central para encontrar aproximadamente el gap de energa en
un punto de la esquina de la zona de Brillouin ( =a; =a)
Solucin
Apliquemos la ecuacin central:
X
( k
) ck +
UG ck G = 0
U (x; y) =
4U cos
con UG dado como en el enunciado, entonces, veremos que los G estn dados como:
2n
y^
a
2n
x
^;
a
G=
Sea
U (x; y)
~1
G
~2
G
~3
G
~4
G
=
=
2
(1; 1)
a
2
(1; 1)
a
~1
G
~2
G
e2 iy=a + e 2 iy=a
e2 ix=a + e 2 ix=a
4U
2
2
h
2 i(x+y)=a
2 i(x+y)=a
2 i(x y)=a
U e
+e
+e
+e
h
i
~
~
~
~
U eiG1 ~r + e iG1 ~r + eiG2 ~r + e iG2 ~r
=
=
=
2 i(x y)=a
Luego, hay cuatro coe cientes distintos de cero y la ecuacin central se transforma
en:
(
(k
) ck
U fck
G1
+ ck+G1 + ck
G1 )
;
a a
(k + G1 )
;
+
a a
(k + G2 )
;
+
a a
(k
;
a a
G2 )
2
a
2
a
2
a
2
a
G2
+ ck+G2 g = 0
2
=
;
a
a
a
2
3 3
;
=
;
a
a a
2
3
;
=
;
a
a
a
2
3
;
=
;
a
a a
;
4.18
65
k G1 ,
) ck U ck G
) ck G1 U ck
k G1
= 0
= 0
tendremos:
U
U
(
=0
U2
=
=
0
k
Entonces:
k
= ck
=
k + ck G k G
~ ~
~
ck eik ~r + ck G ei(k G1 ) ~r
Puntos:
(000)
K
L
W (2 =a)
X
0;
66
Chapter 4.
cada tomo contribuye con dos electrones de valencia, la banda puede ocuparse totalmente. Tambin puede ocuparse la banda si en cada celda primitiva hay dos tomos con
valencia uno.
Si los electrones de valencia ocupan una o ms bandas, dejando otras vacias, el
cristal ser un aslados. Como existe un gap, no hay forma continua de hacer variar el
momento total de los electrones.
4.19
G1
G2
G3
67
2 ^
2 ^
kx ;
ky
a
a
2 ^
2 ^
kx ;
ky
a
a
2 ^ 4 ^ 2
kx ;
kx ;
(kx + ky )
a
a
a
El rea total de la super cie de Fermi de electrones libres depende slo de la concentracin de electrones, por ejemplo, cul es la concentracin de electrones en una red
2D cuya super cie de Fermi est dentro de la primera zona de Brilliouin.
L =
N
3
2
2
2
)D=
) Area =
= 2
a
a
a
a
3
A
L2
L2
=2 2 2 2 =
= N2
k
a 2
2a2
2
2
L
2
68
Chapter 4.
En 3D:
L =
N
Ne
2
4
= D ) V ol =
a
3 a
3 3
V ol
4 4
2
= 3 :
=
k
3a
L3
6
L2
2
= Nc
2a2
2
4.19
69
Cmo se pasa de una super cie para electrones libres a las de electrones casi libres?
a La aparicin del electrn con el potencial peridico del cristal genera la aparicin de
bandas prohibidas en los lmites de zona.
b La mayor parte de las super cies de Fermi cortan perpendicularmente a los lmites
de la zona.
70
Chapter 4.
c El potencial del cristal redondea las esquinas a ladas de las super cies de Fermi.
d El volumen total encerrado por la super cie de Fermi slo depende de la concentracin electrnica.
Supongamos que la red tiene dos electrones de conduccin por sitio de la red. El
nmero de estados ~k en la zona de Brillouin es igual al nmero de puntos de la red.
Como ~k acomoda dos electrones
V ol
4
a
kF2 =
2
p
= 1:128
a
a
nmero de electrones por celda si celda es cbica simple y kF queda dentro
kF
Aesf era =
2
L
a2
N
=
=
=
L2
2a2
N
2
1:57
4.20
71
= En
(4.20.1)
Entonces, n (r) ser pequea si r excede una constante de red, la cual llamaremos
el rango de n .
Para calcular correcciones al caso extremo (Hconst = Hat si r rango).
H = Hat +
(4.20.2)
U (r)
~
Sea nk (r) = R exp i~k R
n (r
zona de Brillouin. Satisface Bloch:
h
i
X
0
~k R
~
(r
+
R)
=
exp
i
nk
R0
exp (ik R)
"
(r + R
2
X
exp (ik R) 4
exp ikR
exp (ik R)
R0 )
R)]
R0
(r)
(r
3
R 5
(R0
R))
72
Chapter 4.
bn
(r)
m)
usando
(r)
(r)
(r) dr =
X
(4.20.3)
(4.20.4a)
(4.20.4b)
(4.20.5)
(r) U (r) dr
exp (ik R) (r
(4.20.6a)
R)
exp (ik R) bn
(4.20.6b)
(r)
R;n
( (k)
m ) bm
( (k)
+
X Z
n
Em )
X
n
0
@
XZ
R6=0
0
@
XZ
(r)
R6=0
(r) U (r)
(r) dr bn
(r) U (r)
(r
(r
R) eik R drA bn
(4.20.7)
R) eik R drA bn
R
El primer trmino de la derecha contiene trminos de tipo dr m (r) n (r R).
Como asumimos que las funciones atmicas estn bien localizadas, esta integral es
menor que 1. Lo mismo el tercer trmino y el segundo porque U es grande si n es
chico.
Luego, el lado derecho es chico y ( (k) Em ) bm es chico, entonces, E (k) Em ;
por ejemplo, E0 ) m = 0, excepto b0 , los otros bm = 0
4.20
73
(r) =
R6=0
n bn
(r) = bs
(r)
(r
R) eik R drA bs +
(4.20.8)
(r)
(k) = Es
Es =electrn
en nivel atmico s
R
2
= R dr U (r) j (r)j
=
Rdr (r) U (r) (r R)
(r) = dr (r) (r R)
como es un nivel s; (~r) = (r)
P
+
(R) eik R
P
1+
(R) eik R
(4.20.9)
Chapter 5
Semiconductores
Algo destacable en la naturaleza es que
Cu
1024
Esta razn es similar a el dimetro de una rbita planetaria con el de una rbita
atmica. Podemos entender esto pensando en los enlaces. Los enlaces metlicos producen electrones deslocalizados que se mueven "libremente" en respuesta a un campo
elctrico (conductores). Otros enlaces consideran electrones fuertemente ligados a un
tomo o par de tomos (inico, covalente). Estos materiales son aisladores. Entre
ambos estn los semiconductores, con conductividades elctricas intermedias.
Veamos un tomo de carbn, con sus electrones, 2 en 1s; 2s y 2p:
75
76
Chapter 5.
Semiconductores
77
78
Chapter 5.
Semiconductores
1
E EF
kB T
+1
f (E)
exp
Eg
2kB T
Como la concentracin de electrones en la banda de conduccin n debe ser proporcional a esa probabilidad, entonces:
Eg
2kB T
n = C exp
= C exp
=
1:11eV
n
Eg
2kB T
1025 exp
= 1:11
= 9:22
1:602 10
1015 m 3
1:78 10 19
1:38 10 23 300K
19
= 1:78
10
19
5.2
Agujeros
79
Es decir, tenemos del orden de 1016 electrones por metro cbico. Luego, no nos sorprende que el silicio se comporte como conductor, aunque nCu 1029 . Esta diferencia
explica porqu no es un conductor.
Si hacemos el mismo clculo para diamante, n
6:97 10 22 m 3 , a pesar de
que su gap es slo 5 veces mayor, prcticamente su banda de conduccin est vaca, es
decir, el diamante es un aislador perfecto.
El que un material se comporte como un aislador o un semiconductor es slo dependiente de la temperatura. La concentracin de electrones en la banda de conduccin
depende exponencialmente de la temperatura, luego, su dependencia con T es muy
fuerte. El Silicio a baja temperatura es un buen aislador, pero a temperaturas uy altas su
conductividad es cercana a un metal
Una demostracin interesante se puede hacer con una barra de vidrio en serie con
una ampolleta.
5.2 Agujeros
Cristal covalente como silicio o diamante. All hay tantos estados en la banda de
valencia como electrones que forman el enlace covalente con su vecino. Si hay un
estado vacante en la banda de valencia, signi ca que un enlace est incompleto. Si
aplicamos un campo elctrico el estado vacante se mueve hacia el potencial negativo.
En realidad, el electrn se mueve al estado de potencial positivo (+), pero se puede
80
Chapter 5.
Semiconductores
entender como si el estado vacante, llamado agujero, se mueve hacia el lado positivo.
Luego, podemos suponer que el agujero tiene carga positiva, igual en magnitud a la del
electrn.
Si aplicamos un campo elctrico al semiconductor, los electrones de conduccin se
movern en una direccin y los agujeros de la banda de valencia en la otra, luego:
= jej (n
+p
h)
E=h =
hc
Eg
=
h
c
max
Esto se conoce como fotoconductividad, pues un haz de luz de la frecuencia adecuada puede producir un gran nmero de electrones de conduccin y agujeros, luego,
induce un gran aumento de la conductividad.
El proceso inverso tambin puede ocurrir, un electrn en la banda de conduccin
puede decaer y recombinarse con un agujero liberando un fotn. Esta es la base del
lser semiconductor y del light-emitting-diode (LED).
Se debe notar que no todos los semiconductores pueden producir luz. Esto se debe
a que en el proceso se debe conservar E y ~k (vector de onda). La emisin de un fotn
de la frecuencia correcta da cuenta de la conservacin de energa, pero los ~k deben ser
iguales. Esto ocurre slo en semiconductores directos como arsnico, galio, antimonio
5.4
Masa efctiva
81
de indio, arsenuro de indio. Pero el silicio y el germanio no satisfacen este criterio, pues
su gap es indirecto, y no sirven para fabricar LED o lser.
Be
2 me
Be
2 me
Esto viene de
mv 2
R
BeR
) v=
me
Bev =
!
v
Be
=
=
2
2 r
2 me
Elemento
Antimonio de Indio
Arsenuro de Indio
Germanio
Silicio
Arsenuro de Galio
Sodio
Cobre
Zinc
mc =me
0:014
0:022
0:60
0:43
0:065
1:2
0:99
0:85
mn =me
0:4
0:4
0:28
0:54
0:54
82
Chapter 5.
Semiconductores
me e4
!
8 20 h2
me e4
8 2 20 h2
5.5
Semiconductores tipo n
83
5.5.1 Ejercicio
Dado f (E) = fexp [(E
Solucin
Dado
Z 1
) =kB T ] + 1g
H (E) P (E) dE
: Encuentre n:
1
1
+
usando lo anterior,
Z
D (E) dE +
n=
H (E) dE +
H0 ( )
7 4
4
(kB T ) H 000 ( ) + :::
360
7 4
4
(kB T ) D000 ( )
6
360
1
R
R EF
R
Descomponiendo
D (E) dE =
D (E) dE + EF D (E) dE y despre1
1
ciando el trmino con T 4
Z EF
Z
2
2
(kB T ) D0 ( )
n=
D (E) dE +
D (E) dE +
6
1
EF
2
(kB T ) D0 ( ) +
EF
= n0 + D (E) (
EF ) +
(kB T ) D0 (EF )
(kB T ) D0 (EF )
5.5.2 Ejercicio
Calcule la magnitud de hF para 4:2
Calcule EF :
Solucin
y EF ?
hF
V
hF
Con ~ = 1:05
10
34
1=3
V
6
= 10 m3
= 5 109 m
Js; m = 9:11
EF
=
=
=
10
31
= 0:5A
Kg
~2 h2F
2m
1:51 10
0:94eV
19
84
Chapter 5.
Semiconductores
=
=
EF e
1833
0; 5meV
5.5.3 Ejemplo
Calcule la concentracin de electrones de conduccin en un semiconductor dopado:
pero en general, Eg
EF ) =kB T ]g
kB T; entonces
EF
f
n
Eg EF
)
kB T
Eg EF
C exp
kB T
exp
5.5.4 Ejemplo
En silicio dopado con fsforo con Ea = 45meV:Suponga EF = 200meV , abajo la
banda de conduccin a 300K. Determine la proporcin de estados donores ocupados.
5.6
Semiconductores tipo p
85
1 + exp
(Eg
EF = E g
Eg
Ed
EF
10
Ed EF )
kB T
200
= Eg 45 (Eg
= 155meV
= 2:48 10 20 J
200)
86
Chapter 5.
Semiconductores
me = ~ 2
si E =
~2 k2
2me ;
me = me
d2 E
dk 2
5.7
87
En semiconductores, slo nos preocupa la regin marcada, el resta est todo lleno o
todo vaco.
Cmo usar lo que sabemos?, entonces me ! me . sto nos da la curvatura correcta.
Arbitrariamente corremos el cero de la energa al borde de la banda de valencia, y vemos
que no hay estados de conduccin con < EF . Luego, proponemos la siguiente forma
para la energa:
E
D (E)
= Eg +
=
V
2 2
~2 k 2
2m
2me
~2
3=2
(E
1=2
Eg )
entonces, D (E) en banda de conduccin y signi ca que no hay estados con E < Eg :
n = concentracin electrones en banda de conduccin
Z
1 1
n=
D (E) f (E) dE
V Eg
pero no se resuelve y se reemplaza f (E) = fexp [(E
Esto es vlido si E EF > kB T; con esto
n=2
me kB T
2 ~2
EF ) =kB T ]g
3=2
exp [(EF
Eg ) =kB T ]
me kB T
2 ~2
3=2
88
Chapter 5.
Semiconductores
ni
valor experimental
= 3:5 1015 m
= 1016 m 3
a 300K
Hacer el mismo anlisis para la concentracin de agujeros, pero jarse que d2 E=dk 2 <
0 en el tope de la banda de valencia (entonces, masa positiva de agujero)
1
V
g (E) (1
1
g (E)
V
2
2mh
~2
mh kB T
2 ~2
f (E)) dE
3=2
1=2
( E)
3=2
exp
EF
kB T
np
EF
= n i pi )
Eg
3
mh
=
+ kB T ln
2
4
me
El uso de semiconductores en electrnica y optoelectrnica es una de las dos aplicaciones comerciales ms importantes de la fsica de slidos.
Los circuitos integrados o chips de silicio, mueven un mercado cercano a las 100
billones de dolares anuales.
5.8
89
Los electrones en los estados de mayor energa de A se mueven a los estados vacantes de B, hasta EF iguales en ambos. Pero si los metales eran inicialmente neutros,
ahora A est cargado positivo (+) y B cargado negativamente ( ), luego, hau una
diferencia de potencial, potencial de contacto, que
=
B
A
=
V =2 =(
+
2
A) e
90
Chapter 5.
Semiconductores
Pongmoslos en contacto. En verdad esto se hace con un nico cristal dopado distinto en ambos extremos. Una vez en contacto algunos electrones difundirn al lado p, y
unos agujeros al lado n. Este proceso se complica porque electrones y agujeros pueden
recombinarse de forma que en el centro habr una regin con pocos portadores de carga
debido a la recombinacin.
Consideremos un electrn de conduccin. Al cruzar la juntura desde n a p ve muchos agujeros y se puede recombinar. Luego, esto hace que el nmero de portadores
disminuya. Luego, terminamos con una regin con muy pocos portadores.
Como los electrones de conduccin les resulta difcil moverse del lado n al p, podemos
pensar que el lado p est ms arriba en energa.
La diferencia de potencial es e , con el potencial de contacto
5.9
Anlisis Cuntitativo
91
d2 U
=
dx2
= +eNd
p
p
=
eNa
< 0
92
Chapter 5.
Semiconductores
5.9
Anlisis Cuntitativo
93
nx
dU
=
dx
como
dU
dx
+ C1
= 0 en x = ln ; entonces
C1
n ln
dU
dx
(ln
x)
En el lado p:
dU
=
dx
en x = 0, entonces:
p lp
Lado p:
dU
dx
C2
(ln + x)
0
n ln
0
px
0
+ C2 )
p lp
0
dU
=
dx
n
0
( lp + x)
94
Chapter 5.
Semiconductores
Entonces:
p lp
n ln
Nd ln
= Na lp
Llamemos U0 ; U1 y U2 el potencial en x = 0; ln y
Z
+U1
dU
U0
U
U jU10
(U1
U0 )
lp
ln
(ln
x) dx
ln x
x2
2
ln
0
2
n ln
0 2
eNd ln2
2 0
=
=
U0 =
eNa lp2
2 0
= U2 U1 = U2 U0 + U0
e
Nd ln2 + Na lp2
=
2 0
U1
Recordemos que Nd ln = Na lp
lp
ln
2 0
Nd
eNa Na + Nd
Na
2 0
eNd Na + Nd
1=2
con la notacin:
nn
np
pn
pp
=
=
=
=
EF
Eg
kB T
Chapter 6
Propiedades Magnticas
Los imanes son muco ms que los que usamos para jugar.
Por qu la mayora de los materiales no son magnticos?
Todos los materiales son magnticos en algn grado, es decir, responden al campo
magntico. Pero los que sirven desde el punto de vista tecnolgico son los magnetos
permanentes, es decir, en ausencia de campo magntico.
~
B
~
B
~0 +
= B
~
M
~0
B
0M
campo total
permeabilidad del vaco
:
:
ms
ems ~
=
me
e~
2me
en
1
2
96
Chapter 6.
e~
= B = magnitud de Bohr = 9:27
2me
La componente de momento orbital, l
10
Propiedades Magnticas
24
JT
eml ~
= ml B
2me
Si el tomo tiene ms de un electrn, la situacin es ms compleja
l
s=
para un capa (n; l)
l=
si la capa est llena, S = L = 0
ms
ml
g
BJ
= factor de Land
3J (J + 1) + S (S + 1) L (L + 1)
=
2J (J + 1)
Qu materiales tienen momento magntico?
Si tenemos capas llenas, S = L = 0; J = 0, entonces no hay momento magntico.
Los gases inertes no son magnticos.
Los tomos covalentes tienen capas incompletas, pero al hacer el enlace, J = 0: Por
ejemplo, un tomo de hidrgeno tiene momento nito, pero la molcula de hidrgeno
no.
Parece entonces que en la mayora de los slidos el efecto cancela y la magnetizacin
resultante es cero. Luego, en la mayora de los slidos el efecto se cancela.
En realidad, esto no es estrictamente cierto, pues la presencia de un campo magntico afecta el movimiento orbital de los electrones de forma que el propio tomo
genera un campo magntico opuesto al campo externo. sto se conoce como diamagnetismo y ocurre en todos los tomos. El efecto es muy dbil < 0:
Veamos que pasa en los materiales metlicos. All los electrones de valencia estn
delocalizados (en los simples como N a y Al). Ya no estn ligados a ningn tomo es
particular. Los iones estn formados por capas completas, J = 0, pero no los electrones de conduccin. Esto se conoce como paramagnetismo de Pauli. Ac el efecto es
contrario y los dipolos magnticos se alnean con el campo.
g
6.3
Paramagntismo de Pauli
97
98
Chapter 6.
Propiedades Magnticas
=
mS B0
= mS B 0
N# )
N"
N"
N#
N#
M
=
=
=
@M
@M
N
1
+ D (EF ) mS B0
2
2
1
N
D (EF ) mS B0
2
2
D (EF ) mS B0
mS (N" N# )
m2S D (EF ) B0
M
B
2
0 mS D (EF )
6.4
Paramagnetismo de Curie
99
e~
2me
3N
D (EF ) =
2EF
ms =
=
=
3N 2
2EF B
3N 0 2B
2EF
0
El ngulo no es arbitrario y el
mJ = g
B J; g B
(J
1) :::g
BJ
B JB0 ;
(J
1) B0 ; :::; g
B JB0
100
Chapter 6.
Propiedades Magnticas
mJ B0
6.5 Problema
A bajas temperaturas, la mayora estarn en el estado de eE, con mJ = g B J. Es
decir, la mayora de los dipolos tendrn su componente de momento magnetico alineada
lo ms posible con el campo, entonces, g rand e = 0 M
B
mJ B 0
kB T
mJ B0
= A exp
kB T
= A exp
A = const
Si hay N iones magnticos por unidad de volumen, el nmero total es:
N A exp
mJ B0
kB T
y su momento magntico es
mJ N A exp
mJ B 0
kB T
ya
6.5
Problema
101
M=
J
X
mJ B0
kB T
mJ N A exp
exp
kB T
mJ B0
kB T
1+
9:27 10 24 JT
= 9:27 10 24
= 5:8 10 5 eV
= 2:5 10 2 eV
mJ B 0
kB T
mJ B0
kB T
J
X
N AmJ
1+
J
X
NA
mJ B 0
kB T
m2J B0
kB T
J
N AB0 X 2
mJ
kB T
J
N AB0
kB T
M=
=
=
=
en que C es la constante de Curie.
2 2
Bg
J
X
J
CB0
T
0M
B0
0C
T
C
T
J2
102
Chapter 6.
Propiedades Magnticas
Ahora
J
X
mJ B0
kB T
mJ B0
kB T
1 = (2J + 1) A
A exp
J
X
1+
J
X
1
2J + 1
A =
M=
pero
N
B0
2J + 1 kB T
2 2
Bg
= 13 J (J + 1) (2J + 1) ; entonces
=
=
B0 2 2 1
N
g J (J + 1) (2J + 1)
2J + 1 kB T B 3
N B0 g 2 J (J + 1) 2B
3kB T
=
=
0g
2 2
BJ
(J + 1)
3kB
2 2
N
0
Bp
3kB
p2 = g 2 (J + 1)
Comparacin terica-experimental
La ley de Curie es vlida en muchos materiales como ..., pero no para los metales de
transicin
6.5
Problema
103
104
Chapter 6.
Propiedades Magnticas
T
c
Esta ltima expresin se conoce como ley de Curie.
6.6
105
=
=
=
masa molar
densidad
0:056Kg=mol
7:87 103 Kgm 3
7:12 106 m3 mol 1
=
=
=
nef f
Vm
NA
7:12 10 6
6:02 1023
1:18 10 29 m3
V ol
= M Vion
= 17:1 105 1:18
= 2:02 10 23 JT
10
29
2:02
10
23
=
=
2:02
9:27
2:18
10
10
23
24
106
Chapter 6.
Propiedades Magnticas
) mover rpido
) mover lento
6.7
Ed =
107
0:043eV
EF = Eg Ed =2; a T = 0
A temperaturas muy altas, el nmero de portadores intrnseco es muy grande, luego,
se comporta como un semiconductor intrnseco, con EF = Eg =2
(Eg EF )
+1
kB T
(EF Eg )
exp
kB T
exp
n ' C exp
(Eg EF )
kB T
108
Chapter 6.
Propiedades Magnticas
= f (Ed )
= x 45
= x 200
E
exp
f (Ed )
exp
Ed E F
kB T
f (E)
exp
155
kB T
155meV = 2:48
Ndo
=
=
EF
kB T
f (E)
exp
2:5
+1
1
+1
20
10
2:48 10
(1:38 10 23 JK
10
+1
20
J
+1
1 ) (300K)
Slo 0:25% de los estados donores estn ocupados, luego, el resto de los donores
estn en la banda de conduccin.
n = N d + ni
Por ejemplo, en silicio, ni = 10 m 3 . Si reemplazamos 1 tomo por milln por
una impureza donora y todas ellas estn ionizadas:
16
Nd = 5
1022 m
6.9
Efecto Hall
109
f (0) =
1; EF
e EF =kB T
EF =kB T +
1
e
kB T , p = Ce EF =kB T
np = ni pi = const
A mayor dopaje, mayor recombinacin, Ley de Accin de Masas
h
i2
ni pi = Ce Eg =2kB T
n
= Ce (Eg EF )=kB T Ce
= C 2 e Eg =kB T
EF =kB T
110
Chapter 6.
Propiedades Magnticas
= RH J x B z
= probabilidad de ocupacin
+1
Pero no sabemos cuntos estados existen a E
f (E) =
e(E EF )=kB T
Para calcular D (E), debemos determinar los niveles. Electrones libres, equivale a
un pozo in nito de largo L.
~2 d 2
2m dx2
= E
= A sin (kx x)
=
=
En 3D (cristal)
E
=
=
~2 k 2
2m
~2
2m L
~2 kx2
2m
~2 n2x 2
2mL2
6.11
111
) nx = ny = nz = 1
) nx = 2; ny = 1; nz = 1
) nx = 1; ny = 2; nz = 1
..
.
nmero de puntos =
=
=
Area
area
kF2
2
L
2
kF
L2
3D:
4
3
kF3
3
=
=
=
=
4 kF3 L3
3 2
4 n 3 L3
2
3 L
4 3
r
3 m
3=2
4
2mL2
E 3=2
3
~2 2
4
V
3
2m
~2
3=2
E 1=2
d!
dk
= ~! )
1 dE
=
~ dk
112
Chapter 6.
a =
=
=
Propiedades Magnticas
dvg
dz
1 d dE
~ dt dk
1 d2 E dk
~ dk 2 dt
x = vg dt; luego
dE dk
dE
=
dt
dk dt
dk
dk 2
dk
= e"vg
= ~a 2
dt
dE
d E
) e"vg =
)
1 d2 E dk
~ dk 2 dE
2
e" d E
~2 dk 2
a = e"vg
=
como
a =
me
Si E = ~2 k 2 =2m, y me = me
e"
)
me
= ~2
d2 E
dk 2
6.11
113
= Eg +
D (E)
~2 k 2
2m
2me
~2
3=2
V
1=2
(E Eg )
2 2
Z
1 1
D (E) f (E) dE
V Eg
f (E)
n
= Ce
E)=kB T
1=2 (EF
(E
Eg )
E)=kB T
de
Eg
Ce
1
2
2me
~2
x =
dx
=
dE
3=2
(E Eg ) =kB T
1
kB T
y x = 0 a E = Eg
n
3=2 (EF
= Ce (kB T )
Eg )=kB T
x1=2 e
3=2 (EF
= Ce (kB T )
as:
Eg )=kB T
1p
2
3=2
me kB T
e(EF Eg )=kB T
2 ~2
Si pensamos en silicio, EF equivalentemente centro del gap
n=2
D (E) =
2mh
V
2 2 ~2
3=2
1=2
( E)
dx
114
Chapter 6.
p=2
mh kB T
2 ~2
n i pi
EF
3=2
EF =kB T
Eg
3
mh
+ kB T ln
2
4
me
Propiedades Magnticas