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ELECTRNICA 2.
UNIVERSIDAD PONTIFICIA BOLIVARIANA.
1. En el circuito mostrado en la figura los MOSFETs tienen las caractersticas enumeradas a
continuacin:
K N =K P=100
A
2
V
( )
W
L
'
W
L
'
3
2
( )
=9
N = P =0
( ) =2
W
L
()
5100
1
3
=2.5V I D1= ( 0.1 )
( 2.50.5 )2=0.3 mA
200
2
2
()
1755
1
2
=1.75V1.75=V GS3+ 2.5 I Z 1.75=V GS3 +2.5
(0.1 )( 2 ) ( V GS30.5 ) =0
175+325
2
2
2
1.75=V GS3 +0.25 ( V GS30.5 ) V GS3 + 0.25V GS3
0.25 V GS3 +0.0625=1.75
V GS3=1.5V
1.751.5
=0.1 mA
2.5
( )( )
5+V SG2+
70
70
I =0 5+V SG2 +
9 D2
9
5+V SG2 +
7 2
1
7
7
7
V SG2 V SG2 + =05+V SG2 + V 2SG2 V SG2 + =0
2
4
2
2
8
1
( 0.1 )( 9 ) V SG2 1 =0
2
2
7 2
5
33
5
33
V SG2 V SG2 =0V 2SG2 V SG2 =0V SG2 =1.5V I D2=0.45 mA
2
2
8
7
28
Clculo de la corrientes IX e IY:
I D2 I D1I X =0 I X = I D2I D1=0.450.3=0.15 mA
I X I Y I D3=0 I Y =I X I D3=0.150.1=0.05 mA
V X =170.15=2.55 V
V Y =250.05=1.25 V
W
L
igual
V W =2.50.1=0.25V
V Y + V DS3 +V W =0V DS3 =1.250.25=1 V
Como 1 = 1.5 0.5 el transistor M3 opera en el lmite de las zonas de saturacin y triodo.
V DS1 =V X +V Y =2.55+1.25=3.8 V
Como 3.8 > 2.5 0.5 el transistor M1 opera en la zona de saturacin.
b. Dibuje el circuito equivalente de pequea seal sin reemplazar el modelo de los MOSFETS en el
v out
mismo. Con base en este circuito, calcule la ganancia de voltaje
. Solo para este clculo
v in
N =0.08 y P =0.1 .
El transistor M2 es una fuente de corriente. Lo mismo sucede con el transistor M3.
v out
=g M1 r out r out =r o1r o2[ 17+ 25( r o3+ 2.5 g M3 r o3+ 2.5 ) ]
v in
r o1=
1
I D1 1
r o2=
r o3=
1
I D2 2
1
I D3 3
1
=41.66667K
0.080.3
1
=22.22222K
0.450.1
1
=12.5K
0.10.8
g M3=
2 I D3
20.1
mA
=
=0.2
V GS3 0.5 1.50.5
V
g M1=
2 I D1
20.3
mA
=
=0.3
V GS10.5 2.50.5
V
r out =
1
1
1
1
+
+
22.2222222 41.66666667 28.486486486486
=9.6057K
v out
=g M1 r out =0.39.6057=2.8817
v in