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La Memoria Ram 6116

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LA MEMORIA RAM 6116

El dispositivo 6116 es una memoria de acceso aleatorio, Random Acces Memory (RAM), cuenta con una capacidad de 2048 palabras de 8 bits cada una, es una memoria estática de alta velocidad, esta fabricada con la tecnología CMOS, opera con una fuente de alimentación de +5.0 Volts y esta dispuesta en una pastilla de 24 terminales. CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA RAM 6116 • Organización de la memoria: 2048 X 8 • Alta velocidad: tiempo de acceso 150 nseg. • Baja potencia en estado inactivo: 10 uW • Baja potencia en estado activo: 160 mW • RAM completamente estática: No requiere reloj para su funcionamiento • Temperatura de operación: 0.75 grados centígrados • Temperatura de almacenamiento: De -55 a +125 grados centígrados. • Potencia de disipación: 1 Watts • Todas sus entradas y salidas son compatibles directamente con la tecnología TTL • Es directamente compatible con las memorias de 16K estándar, tipo RAM 6132

DESCRIPCIÓN DE LAS TERMINALES • A0-A10: Lineas de direcciones • E/S0-E/S7: Entrada y Salida de datos • CS Habilitador de la pastilla • OE Habilitador de salidas • WE Habilitador para la escritura • Vcc Voltaje de alimentación +5.0 Volts • GND Terminal de tierra 0.0 Volts OPERACIÓN DE LECTURA Un dato será leído del dispositivo de almacenamiento RAM 6116, mediante la aplicación de un nivel alto en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y estando en nivel bajo la terminal (OE)', con estas conexiones se dispone que se pueda leer la memoria RAM 6116, si se coloca un nivel alto en la terminales (OE)'. y/o (CS)' las lineas de E/S y/o la pastilla 6116 se ponen en estado de alta impedancia, respectivamente. (CS)' posee la función de controlar la activación de la pastilla, la cual puede ser usada por un sistema con microprocesadores para la selección del dispositivo. La terminal (OE)' habilita las salidas, o las pone en estado de alta impedancia, la cual puede ser habilitada cada vez que el microprocesador requiera leer la memoria. OPERACIÓN DE ESCRITURA Un dato es escrito en el dispositivo RAM 6116 mediante la aplicación de un nivel bajo en la terminal (WE)', un nivel bajo en (CS)', y un nivel alto o bajo en la terminal (OE)'. La terminal (WE)' al ser activa provoca que las terminales E/S de la memoria RAM 6116 se habiliten para aceptar la información, en estas condiciones la terminal (OE)' posee la opción de ser colocada en estado de alto bajo, para realizar así la operación de escritura.

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