02/05/2012

SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Ing. Roberto Prez Checa

SEMICONDUCTORES
Clasificacin General de los elementos
Dielctricos.- Se denomina as al material mal conductor de
electricidad, por lo que puede ser utilizado como aislante
elctrico, y adems si es sometido a un campo elctrico externo,
puede establecerse en l un campo elctrico interno, a
diferencia de los materiales aislantes con los que suelen
confundirse. Todos los materiales dielctricos son aislantes pero
no todos los materiales aislantes son dielctricos.
Algunos ejemplos de este tipo de materiales son: la goma, la
mica, la cera, el papel, la madera seca, la porcelana, algunas
grasas para uso industrial y electrnico y la baquelita.
En cuanto a los gases se utilizan como dielctricos son:
sobretodo el aire,
el nitrgeno, y
el hexafluoruro de azufre.

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Los elementos qumicos semiconductores de
la tabla peridica se indican en la siguiente
tabla:

Clasificacin General de los elementos

Conductores.- Son materiales cuya resistencia al paso
de la electricidad es muy baja. Los mejores
conductores elctricos son metales el cobre, el hierro
y el aluminio los metales y sus aleaciones, aunque
existen otros materiales no metlicos que tambin
poseen la propiedad de
conducir la electricidad,
como el grafito o las
disoluciones y soluciones
salinas (por ejemplo, el agua de mar) o cualquier
material en estado de plasma.

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Clasificacin General de los elementos
Semiconductores.- es un elemento que se
comporta como un conductor o como aislante
dependiendo de diversos factores, como:
El campo elctrico o magntico,
la presin,
la radiacin, o
la temperatura del ambiente en el que se
encuentre.

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Ubicacin en la tabla peridica.

Silicio (Si).
Germanio (Ge).
Arsnico (As).
Antimonio (Sb).
Telurio (Te).

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Los primeros semiconductores utilizados para

fines tcnicos fueron pequeos detectores
diodos empleados a principios del siglo 20 en
los primitivos radiorreceptores.
La galena es un mineral del grupo de los
sulfuros o sulfuro de plomo (PbS).

En 1940 Russell Ohl, investigador de los

Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos
cristales se le aada una pequea cantidad de
impurezas su conductividad elctrica variaba.
Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las
celdas fotoelctricas o solares.
En 1947 William Shockley, investigador tambin
de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John
Barden, desarrollaron el primer dispositivo
semiconductor de germanio (Ge), al que
denominaron transistor y que se convertira en
la base del desarrollo de la electrnica moderna.

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Elementos como el silicio (Si), el
germanio (Ge) y el selenio (Se),
los mas utilizados.
Poseen caractersticas intermedias entre
los cuerpos conductores y los aislantes,
por lo que no se consideran ni una cosa,
ni la otra.
Bajo determinadas condiciones
esos mismos elementos permiten
la circulacin de la corriente
elctrica en un sentido,
pero no en el sentido contrario.

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Los tomos de los
elementos semiconductores pueden poseer
dos, tres, cuatro o cinco
electrones en su ltima
rbita.
No obstante, los elementos
ms utilizados por la industria electrnica, como
el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen
solamente cuatro electrones en su ltima rbita.

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El equilibrio elctrico que proporciona la

estructura molecular cristalina caracterstica de
esos tomos en estado puro no les permite ceder,
ni captar electrones.
Normalmente los tomos de los elementos
semiconductores se unen formando enlaces
covalentes y no permiten que la corriente
elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se
les aplica una diferencia de potencial o corriente
elctrica.
En esas condiciones, al no presentar
conductividad elctrica alguna, se comportan de
forma similar a un material aislante

En resumen, la conductividad de un elemento

semiconductor se puede variar aplicando uno
de los siguientes mtodos:
Elevacin de su temperatura.
Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su
estructura cristalina.
Incrementando la
iluminacin.

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Los materiales semiconductores, segn su
pureza, se clasifican de la siguiente forma:
Intrnsecos
Extrnsecos

Un semiconductor es
intrnseco cuando se
encuentra en estado puro, o sea, que no
contiene ninguna impureza, ni tomos de otro
tipo dentro de su estructura.

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En ese caso, la cantidad de huecos que dejan
los electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida ser igual a la
cantidad de electrones libres que se
encuentran presentes en la banda de
conduccin.

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El espacio correspondiente a la banda prohibida es

mucho ms estrecho en comparacin con los
materiales aislantes.
La energa necesaria saltar de la banda de valencia a la
de conduccin es de 1 eV aproximadamente.
Los semiconductores de
silicio (Si), la energa de
salto de banda requerida
por los electrones es de
1,21 eV, mientras que
en los de germanio (Ge)
es de 0,785 eV.

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o

del germanio se le introduce cierta alteracin, estos
elementos de convierten en extrnsecos.
La estructura molecular del semiconductor se dopa
mezclando los tomos de silicio o de germanio con
pequeas cantidades de tomos de otros elementos o
"impurezas".
Las impurezas corresponden tambin a elementos
semiconductores que poseen tres electrones en su
ltima rbita como el galio (Ga) o el indio (In), o que
poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita,
como el antimonio (Sb) o el arsnico (As).

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SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"
El silicio o germanio en su forma cristalina no
ceden ni aceptan electrones en su ltima
rbita; se comportan como materiales
aislantes.
Si a la estructura cristalina la dopamos con
antimonio (Sb) con cinco electrones en su
ltima rbita o banda de valencia, estos
tomos se integrarn a la estructura del silicio
y compartirn cuatro de sus cinco electrones.

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SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"
El quinto electrn restante del antimonio, al
quedar liberado, se podr mover libremente
dentro de toda la estructura cristalina.
De esa forma se crea un semiconductor
extrnseco tipo-N,
o negativo, debido
al exceso de electrones
libres existentes dentro
de la estructura cristalina
del material semiconductor.

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SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N"

Al semiconductor tipo-N, le aplicamos una
diferencia de potencial o corriente elctrica en
sus extremos, los electrones libres portadores de
cargas negativas contenidos en la sustancia
impura aumentan.
Y as es posible
establecer un
flujo de corriente
elctrica a travs de
la estructura cristalina
del semiconductor.

SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P"

Al introducir tomos o impurezas trivalentes como de galio
(Ga), con tres electrones en su ltima rbita o banda de
valencia, al unirse esa impureza en enlace covalente con los
tomos de silicio quedar un hueco o agujero.
De esa forma el
material adquiere
propiedades conductoras
y se convierte en un
semiconductor extrnseco
dopado tipo-P (positivo),
o aceptante, debido al exceso
de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los
huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

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JUNTURA PN
Al colocar parte del semiconductor TIPO P junto a otra
parte del semiconductor TIPO N, esto se constituye en
una juntura PN.

JUNTURA PN
Eso ocasiona su encuentro y neutralizacin en la
zona de unin. Al encontrarse un electrn con un
hueco desaparece el
electrn libre, que
pasa ocupar el lugar
del hueco, y por lo
tanto tambin desaparece este ltimo,
formndose en dicha
zona de la unin una estructura estable y neutra.

Debido a la ley de difusin los electrones de la zona N,

donde hay alta concentracin de estos, tienden a
dirigirse a la zona P, que a penas los tiene, sucediendo
lo contrario con los huecos, que tratan de dirigirse de la
zona P, donde hay alta concentracin de huecos, a la
zona N.

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JUNTURA PN
La zona que aparece recibe diferentes
denominaciones como barrera interna de
potencial, zona de carga espacial, de agotamiento
o empobrecimiento, de deplexin, de vaciado,
etc.
En la zona aparece un campo elctrico que es
equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de
potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del silicio y
0,3 V si los cristales son de germanio.