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Taller Introducción A La Construcción Del Diodo
Taller Introducción A La Construcción Del Diodo
Parte II.
1. Qu es un semiconductor dopado o semiconductor extrnseco?
2. Qu es un semiconductor tipo n y un semiconductor tipo p?
3. Qu significa que nn0 = ND en un sustrato tipo n?, Qu diferencia
tiene esta igualdad con respecto a un sustrato de semiconductor
intrnseco?, Qu importancia representa esta igualdad en las
caractersticas elctricas de un semiconductor extrnseco?
4. A qu es igual la concentracin de huecos en un sustrato tipo n?,
deja de depender la cantidad de huecos en un sustrato tipo n de
la variable temperatura?
5. Considere un material de Silicio tipo n con ND de 1017
donadores/cm3. Encuentre la concentracin de electrones libres y
huecos a 250 K, 300 K y 350K.
6. Halle la resistividad de un material intrnseco de Silicio y de un
material tipo p de Silicio con NA = 1016 aceptores/cm3. Use: ni
=1.5*1010 /cm3, para el Silicio intrnseco n=1350 cm2/V*s y
p=480 cm2/V*s y para el Silicio extrnseco n=1110 cm2/V*s y
p=400 cm2/V*s.