Diodo PIN Este diodo tiene aplicaciones en circuitos donde utilizan frecuencias muy altas como VHF, UHF y circuitos de microondas. Simbolo: Aspecto fisico ee rE « Cuando se le aplica una polarizacién directa al diodo PIN, conduce corriente y se comporta como un interruptor cerrado. Si se le aplica una polarizacién inversa se comporta como un interruptor abierto, no dejando pasar la sefial.El diodo PIN es un diodo que presenta una region P fuertemente dopada y otra regién N también fuertemente dopada, separadas por una region de material que es casi intrinseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias el diodo tiene una impedancia muy alta cuando esta inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. ‘Ademis, las tensiones de ruptura estan comprendidas en el margen de 100 a 1000 V. En virtud de las caracteristicas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor 0 como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos los propésitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un circuito abierto en sentido inverso. También se le puede utilizar para conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja resistividad representada, esta esta formada por difusion de atomos de boro en un bloque de silicio tipo Py la capa N muy delgada esta formada difundiendo grandes cantidades de fosforo. La region intrinseca i es realmente una region P de alta resistividad y se suele denominar region p. Cuando el circuito esta abierto, los electrones fluyen desde la region i(p) hasta la region P para recombinarse con los huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la region i para recombinarse con los electrones de la region N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrinseco, la caida de tension en la region i seria nula, puesto que la emigracion de huecos seria igual a la emigracion de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.Cuando se aplica una polarizacién inversa al diodo los electrones y los huecos del material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensidn inversa simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN la longitud de la regién de transicién L es aproximadamente igual ala regién i y aproximadamente independiente de la tension inversa. Por lo tanto, a diferencia de los diodos PN 0 Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es aproximadamente constante, independiente de la polarizacién. Una variacién tipica de la capacidad podria ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacién de la polarizacién inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud de la regién i, la longitud de la region de transicién es aproximadamente constante y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos, por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los valores normales de CR varian desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN, comercialmente asequibles.Cuando el diodo esta polarizado en sentido directo, los huecos del material P se difunden el la region p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son aproximadamente iguales en la region i. En la condicion de polarizacion directa la caida de tension en la region i es muy pequeiia. Ademas, al igual que el diodo PN, cuando aumenta la corriente, también disminuye la resistencia. En consecuencia el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia 0 conductancia modulada. En una primera aproximacion, la resistencia rd en pequefia sefial es inversamente proporcional a Ja corriente Ipg con polarizacion directa, lo mismo que en el diodo PNEn frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una capacidad Cx en serie con la resistencia directa rz. Con tensiones directas, Cp es aproximadamente infinita, mientras que en polarizacion inversa, rz es aproximadamente nula. La capacidad Cs es la capacidad parasita paralelo que se produce soldando el diodo ala capsula y Ls es la inductancia serie debida a los hilos de conexion desde el diodo hasta la capsula.