FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA

ELECTRONICA DE POTENCIA II
SEPTIMO NIVEL

LABORATORIO

MEDICION DE LAS CARACTERISTICAS DEL IGBT

AUTORES:
DIEGO FLORES
VICTOR CHAVEZ
FRANCISCO PARREO
PABLO PAREJA
DIEGO HERNANDEZ

Alumnos: Diego Flores, Victor Chavez, Francisco Parreo, Pablo Pareja, Diego Hernndez

1. Objetivos:
-Reconocer los diferentes equipos del laboratorio
-Reconocer que es un IGBT
-Colocar los diferentes aparatos de medicion
-Reconocer las caracteristicas de un IGBT

2. Marco Terico
El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del
ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un
dispositivo semiconductor que generalmente se
aplica como interruptor controlado en circuitos de
electrnica de potencia. Este dispositivo posee las
caractersticas de las seales de puerta de los
transistores de efecto campo con la capacidad de
alta corriente y bajo voltaje de saturacin del
transistor bipolar, combinando una puerta aislada
FET para la entrada de control y un transistor
bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El
circuito de excitacin del IGBT es como el del
MOSFET, mientras que las caractersticas de
conduccin son como las del BJT.

3.- Laboratorio
1. Coloque el osciloscopio de almacenamiento
digital en el banco de trabajo. Ponga los
mdulos PE-5310-1A, PE-5310-5E, PE5310-2B en el esquema experimental.
2. Complete las conexiones de acuerdo al
diagrama de conexiones de la figura 4-6
usando enchufes Puente (lneas curvas) y
cables de conexin. Conecte el suministro de
220V AC al mdulo de la fuente de
alimentacin DC y al mdulo del
amplificador diferencial enchufando en la
toma de tres puntas.

Conexiones en los mdulos del laboratorio;

3. La entrada CH1 del DSO est conectada

para medir la tensin de carga VL del IGBT
por medio de CH.A del amplificador
diferencial, mientras que la entrada CH2
est conectada para medir la tensin C-E,
VCE del IGBT por medio de CH.C del
amplificador diferencial.
4. En el amplificador diferencial, coloque el
interruptor selector de rango V (SWA,
SWC) de CHA y CHC en la posicin de
100V y coloque los interruptores selectores
de CH (SW1, SW2) en A y C
respectivamente.

5. Para ajustar el MOSFET/IGBT, encienda S1

(posicin izquierda), S2 (posicin arriba) y
S3 (posicin arriba) para conectar las
lmparas de carga E1 y E2 en paralelo.

Ponga la perilla R1 en la posicin minutos.

Esto establece la tensin de la compuerta
VG de IGBT en cero.
6. Encienda, mida y registre la tensin de carga
VL, y la tensin C-E, VCE del IGBT como
se muestra en la figura 4-7.

7. Lentamente gire la perilla R1 al mximo

para aumentar la tensin de compuerta VG
hasta que el IGBT se encienda. La medicin
de la tensin de carga VL(CH1) y la tensin
C-E VCE(CH2) se muestra en la figura 4-8
Medir la Tensin de compuerta V=5.55. Siendo el
voltaje del umbral de la compuerta VT del IGBT

Mdulos y cableado:

 Identificar los mdulos correctamente

para realizar los circuitos planteados.
Realizar las conexiones de los
elementos sin energa para evitar
accidentes y daos en las personas y los
equipos.
Comprobar si las fuentes de energa
estn funcionando correctamente ya
que en el mdulo asignado en
laboratorio la fuente de poder
presentaba daos.
Leer detalladamente los pasos de
conexin y medicin de los equipos.

SE conoci que el IGBT es un

dispositivo
electrnico
que
generalmente se aplica a circuitos
de potencia. Este es un dispositivo
para la conmutacin en sistemas de
alta tensin.
Se supo que son aplicables en
variadores de frecuencia, as como
en las aplicaciones en mquinas
elctricas y convertidores de
potencia.

BIBLIOGRAFA

3. Conclusiones y Recomendaciones

Guia en clase Dr. Gallardo

Hojas guias de laboratorio