MOSFET

Conceptos Bsicos
Profesor: Ing. Johan Carvajal Godnez

JCG-ITCR

Introduccin

FET = Field Effect Transistor



Unipolar = solo un tipo de portador de carga

Controlado por voltaje

ID=F (VGS)

Zonas de agotamiento
JFET:
Existe una zona de estrechamiento

Cuando se aplica VDS la zona de

agotamiento no es uniforme
Zona de estrechamiento
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Introduccin

MOSFET = Metal-Oxide FET = IG FET

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Estructura del MOSFET

MOSFET consta de 4 terminales
Gate = compuerta
Drain = drenaje
Source= fuente
Body o substrate = sustrato o cuerpo

Parmetros de construccin
L = largo del canal
W =ancho del dispositivo
Tox = grosor de la capa de Si02

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Modo de operacin

Cuando VGS = 0



Dos diodos en serie

RDS = 10^12 Ohmios

Regin de
agotamiento por
unin PN
NO hay canal
inducido

N-MOS
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Creacin de un canal de conduccin

Cuando se aplica un VGS > 0 V

Regin de
agotamiento por
unin PN
Se induce un canal
tipo N en el
sustrato P (capa
de inversin)
La cantidad de VGS requerido para la
formacin del canal  VT
VT depende del proceso de

N-MOS

fabricacin (0.5V-1V)

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Formacin de corriente de drenaje

(VGS-VT) = voltaje efectivo de
conduccin

VDS pequeo

VDS esta en el orden de mV

La Resistencia del MOSFET es
lineal y proporcional al voltaje
efectivo de conduccin
RDS = F (VGS)

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Formacin de corriente de drenaje

VDS incrementado
La cada de VDS se da a lo
largo del canal creando una
IDS que no es uniforme y un
canal deformado
Si VDS aumenta hasta alcanzar
el voltaje efectivo de conduccin
del MOSFET  Saturacin del
canal
VDS = (VGS - VT) = VD sat

Deformacin del canal conforme aumenta VDS

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Corriente de drenaje en funcin de los

parmetros de polarizacin

JCG-ITCR

Derivacin de la corriente de drenaje en

funcin del voltaje de drenaje-fuente
Regin infinitesimal de la compuerta

Para anlisis se considera

operando en la regin de
Triodo  VDS< (VGS - VT)

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Derivacin de la corriente de drenaje en

funcin del voltaje de drenaje-fuente
(dQ = C*dV)
Velocidad de la corriente de drenaje

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Variantes del MOSFET

PMOS tiene el mismo principio de
funcionamiento que NMOS solo que VGS,
VDS y VT son negativos

CMOS

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Representacin del dispositivo

Smbolo

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Zonas de operacin del MOSFET

JCG-ITCR

Zonas de operacin del MOSFET

Corte

ID= 0

Triodo (VDS<VDSsat)

Saturacin
(VDS>VDSsat)

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ID vrs VGS

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Efecto de la Temperatura en el MOSFET

Con el incremento de la temperatura ID baja




Vt  aumenta (2mV x 1Celcius de incremento)

Kn disminuye (* efecto dominante)

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Modulacin del largo de canal

Idealmente no cuando VDS alcanza VDSsat; ID se vuelve independiente de

VDS
En la practica esto no ocurre as: la longitud del canal se modifica creando
una nueva longitud L

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Efecto en la corriente de Drain

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Efecto de la Modulacin del Longitud del

canal en la caracterstica ID-VDS

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Circuito equivalente incluyendo efecto de

modulacin de la longitud del canal

ID sin tomar en cuanta Modulacin de la longitud de Canal

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Efecto del Sustrato en un MOSFET

Parmetro de efecto cuerpo

JCG-ITCR

Zonas de operacin del MOSFET

Corte

ID= 0

Triodo (VDS<VDSsat)

Saturacin
(VDS>VDSsat)

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Relaciones adicionales

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Anlisis de MOSFET en CD

Se desestima el efecto de la modulacin del largo

del canal
Caractersticas del Diseo

Datos que provee el problema

Dimensionar RD y RS para cumplir caractersticas de operacin dadas

JCG-ITCR

Anlisis del Circuito

MOSFET operando en
regin de saturacin

VDG = VD VG
VDG = +0.5 V

VGS = VG VS
VGS = 0 VS = -VS

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Problema 2
Calcule R y VD para ID =80 uA
A- Identifique los valores conocidos
B- Ubique el punto de operacin del Transistor
C- Utilice las relaciones I-V del MOSFET para
calcular los parmetros pedidos
A- Valores conocidos
VGD = 0
VGS = VDS
ID = 80 uA

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Problema 2
0 < 0.6

VGS = VGS = VD

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Problema 3

Calcule los valores de los componentes

para obtener VD = 0.1
Calcule el valor de la resistencia para el
dispositivo en este punto de operacin

Datos del Circuito

VGS =5V
VDS = 0.1 V
Ubicacin del punto de operacin del transistor
VGD = VGS VDS = 4.9 V
4.9 V >1 V  Regin de triodo

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Problema 3

Calculo de los parmetros del circuito

JCG-ITCR

Problema 4
Calcule los valores de las corrientes y los voltaje
para todos los nodos
ASUMA:

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Problema 4

JCG-ITCR

Problema 5

Encuentre IDN IDP y Vo?

A- Valores deducibles del circuito

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