Electrnica Analgica

Fsica de los
Semiconductores

1. FSICA DE LOS SEMICONDUCTORES

Los semiconductores constituyen son los materiales slidos clave en la fabricacin de
dispositivos electrnicos. Sus propiedades, los han convertido en el elemento
fundamental para el desarrollo de la informtica, los electrodomsticos y las
telecomunicaciones.
La fsica de los semiconductores es un conjunto de teoras y modelos que explican el
comportamiento de los semiconductores bajo diversas condiciones.

1.1

MODELO DE LAS BANDAS DE ENERGA

El modelo de bandas permite explicar con una excelente aproximacin el fenmeno de la

conduccin elctrica en los slidos. Segn este modelo, la materia est constituida por
tomos, cuyos electrones se distribuyen en bandas de energa. La banda ms externa con
electrones es la banda de valencia (Ev). Para que un electrn escape de la atraccin del
ncleo, es necesario que adquiera la energa suficiente (Eg) que le permita saltar a la
banda de conduccin (Ec). Por lo tanto: Eg = Ec Ev. El espacio intermedio entre la
banda de valencia y la de conduccin se denomina banda prohibida, y representa valores
de energa que no pueden tener los electrones.

1.2

AISLANTES, CONDUCTORES Y SEMICONDUCTORES

Segn el modelo de las bandas de energa, los slidos se clasifican en: aislantes, metales
y semiconductores.

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Fsica de los
Semiconductores

En un buen aislante, la banda prohibida es muy ancha. Por lo tanto, es necesario

suministrar una gran cantidad de energa para que sus electrones salten de la banda de
valencia a la de conduccin y contribuyan as a la conduccin de corriente elctrica.
En un buen metal, las bandas de conduccin y de valencia se solapan. Por lo tanto, se
necesita muy poca energa para mantener una conduccin de corriente elctrica elevada.
Existen algunos slidos como el silicio y el germanio que tienen una estructura de bandas
semejante a la de los aislantes. Sin embargo, en ellos la banda prohibida es estrecha, de
modo que es posible excitar (por ejemplo, por efecto trmico) los electrones con mayor
energa de la banda de valencia y transferirlos a la de conduccin.
Por lo tanto, en el caso de un semiconductor se puede hablar tanto de una conduccin por
los electrones en la banda de conduccin, como de conduccin por los huecos que se
generan en la banda valencia y que se comportan como cargas positivas. El hecho de que
su banda prohibida sea estrecha (Eg 1eV) permite bombear electrones a la banda de
conduccin sin ms que elevar suficientemente la temperatura.

1.3

SEMICONDUCTORES INTRNSECOS

Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro cuya estructura cristalina est

formada exclusivamente por tomos del propio semiconductor, sin que est incrustada en
ella ningn tomo de otro material, es decir, no contiene impurezas de ningn tipo. Cada
tomo tiene 4 electrones de valencia que comparte con cada unos de los tomos vecinos
mediante la formacin de enlaces covalentes. A continuacin se analiza el semiconductor
intrnseco en funcin de la temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando enlaces

covalentes entre los tomos, por lo que no existen electrones libres en la banda de
conduccin. El cristal se comporta como un aislante perfecto.

Si T , se produce el movimiento aleatorio por agitacin trmica. No obstante,

este fenmeno todava no proporciona la suficiente energa como para romper los
enlaces covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de valencia a la
de conduccin.

A T = 300K (temperatura ambiente), algunos electrones pueden, absorbiendo la

energa necesaria (1.12eV para el silicio y 0.67eV para el germanio), romper los
enlaces covalentes y saltar a la banda de conduccin, dejando el correspondiente
hueco en la banda de valencia (1). A este fenmeno se le denomina creacin de
pares e--h+. Obviamente el proceso inverso tambin se produce, de modo que los
electrones pueden caer desde la banda de conduccin a un hueco en la banda de
valencia, liberando energa. A este fenmeno, se le denomina recombinacin de
pares e--h+. Adems, electrones ligados de otros enlaces covalentes pueden saltar a
los huecos que se encuentran en los enlaces covalentes incompletos (2), sin que
este proceso contribuya a la recombinacin de pares e--h+.

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Semiconductores

Si T > 300K, aumenta el nmero de enlaces covalentes rotos y con ello la

concentracin de electrones libres y huecos.

Siendo n la concentracin de electrones y p la concentracin de huecos, se cumple que:

ni = n = p con ni = f(T)
ni concentracin intrnseca del semiconductor.

Cuando T = 300K, se dice que el semiconductor se encuentra en equilibrio

termodinmico. En esta situacin, no existe movimiento neto de portadores, por lo que la
corriente total es nula.
r
r r
r
r
JTOTAL Jn Jp 0 Jn 0 y Jp 0
El semiconductor en equilibrio proporciona un marco de referencia para el estudio de
fenmenos ms complejos que ocurren cuando el semiconductor sale de dicho equilibrio,

como el movimiento de portadores para la conduccin de corriente.

Es importante destacar que un semiconductor intrnseco tiene carcter bipolar, puesto que
la conduccin de corriente puede provenir de dos tipos de portadores o cargas mviles:
electrones y huecos.

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1.4

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Semiconductores

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS

Los semiconductores intrnsecos no presentan propiedades prcticas, por esto se les

aaden impurezas para alterar la probabilidad de ocupacin de las bandas de energa, y
por lo tanto, aumentar la conductividad de los mismos.
Si a un semiconductor intrnseco se le aade un pequeo porcentaje de impurezas, el
semiconductor se denomina extrnseco y se dice que est dopado. Evidentemente, las
impurezas debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente
tomo de silicio o germanio.
La impurezas utilizadas en un semiconductor extrnseco pueden ser:

Pentavalentes: impurezas con cinco electrones en la ltima capa. Son impurezas

pentavalentes: fsforo, arsnico, antimonio, etc.

Trivalentes: impurezas con tres electrones en la ltima capa. Son impurezas

trivalentes: aluminio, indio, galio, etc.

1.4.1 SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS DE TIPO N

En un cristal de silicio o de germanio dopado con impurezas pentavalentes, al formarse la
estructura cristalina, el quinto electrn no est ligado en ningn enlace covalente,
encontrndose, an sin estar libre, en un nivel energtico superior a los cuatro restantes.

A continuacin, se analiza el un semiconductor extrnseco, dopado con N D impurezas

donadoras, en funcin de la temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando enlaces

covalentes entre los tomos. El quinto electrn de las impurezas se encuentra
ligado al tomo. No existen electrones libres en la banda de conduccin. El cristal
se comporta como un aislante perfecto.
4

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Semiconductores

Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este fenmeno

todava no proporciona la suficiente energa como para romper los enlaces
covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de valencia a la de
conduccin; en cambio, s que proporciona la energa suficiente como para
arrancar el quinto electrn de algunas impurezas, convirtindose en un electrn
libre. Las impurezas empiezan a ionizarse: ND+

A T = 300K (temperatura ambiente), todas las impurezas se encuentra ionizadas:

ND+ = ND. Adems, los electrones de los enlaces covalentes pueden, absorbiendo
la energa necesaria, romper dichos enlaces y saltar a la banda de conduccin,
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Se producen los
fenmenos de creacin y recombinacin de pares e--h+. Adems, electrones
ligados de otros enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se encuentran
en los enlaces covalentes incompletos.

Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el nmero de
enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de electrones libres y huecos.
Por lo tanto, a altas temperaturas, el semiconductor extrnseco se comporta como
un semiconductor intrnseco.

En resumen, se observa que adems de la formacin de pares e--h+, se liberan tambin los
electrones no enlazados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es
del orden de la centsima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces
covalentes (0.01eV para el germanio y 0.05eV para el silicio).
n concentracin de electrones libres ND+ + p
ND+ concentracin de impurezas ionizadas
p concentracin de huecos debido a la rotura de enlaces covalentes
As, en el semiconductor aparecer una mayor cantidad de electrones que de huecos; por
ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la corriente y puesto
que este excedente de electrones procede de las impurezas pentavalentes, a stas se las
llama donadoras, y el semiconductor se caracteriza como de tipo N.
El cristal sigue siendo elctricamente neutro, ya que al desprenderse un electrn de una
impureza, sta se convierte en un in positivo. La concentracin de iones negativos (N D+)
no contribuye a llevar corriente elctrica.

1.4.2 SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS DE TIPO P

En cambio, en un cristal de silicio o de germanio dopado con elementos trivalentes las
impurezas aportan un hueco (enlace covalente incompleto), por lo que se las denomina
impurezas aceptadoras, y el semiconductor se caracteriza como de tipo P.

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Semiconductores

A continuacin, se analiza el comportamiento de un semiconductor extrnseco, dopado

con NA impurezas aceptadoras, en funcin de la temperatura (T):

A T = 0K, todos los electrones de la banda de valencia estn formando enlaces

covalentes entre los tomos. No existen electrones libres en la banda de
conduccin. El hueco de las impurezas se encuentra vaco. Aislante perfecto.

Si T , aparece el movimiento aleatorio por agitacin trmica. Este fenmeno

todava no proporciona la suficiente energa como para romper los enlaces
covalentes y hacer que los electrones salten de la banda de valencia a la de
conduccin; en cambio, s que proporciona la energa suficiente como que
electrones ligados de otros enlaces covalentes se pasen a los enlaces covalentes
incompletos de las impurezas. Las impurezas empiezan a ionizarse: NA-

A T = 300K (Ta), todas las impurezas se encuentra ionizadas: N A- = NA. Adems,

los electrones de los enlaces covalentes pueden, absorbiendo la energa de
ionizacin, romper los enlaces covalentes y saltar a la banda de conduccin,
dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Se producen los
fenmenos de creacin y recombinacin de pares e--h+. Adems, electrones
ligados de otros enlaces covalentes pueden saltar a los huecos que se encuentran
en los enlaces covalentes incompletos de los tomos afectados por el proceso de
creacin de pares e--h+.

Si T > 300K, al estar ionizadas todas las impurezas, slo aumenta el nmero de
enlaces covalentes rotos, y con ello la concentracin de electrones libres y huecos.
Por lo tanto, a altas temperaturas, el semiconductor extrnseco se comporta como
un semiconductor intrnseco.

En resumen, el hueco introducido por la impureza no es como el formado antes con el

salto de un electrn, si no que tiene un nivel energtico ligeramente superior al de la
banda de valencia (del orden de 0.01eV). En este caso, los electrones ligados de otros
enlaces covalentes saltarn a las vacantes con facilidad dejando huecos en la banda de

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Semiconductores

valencia en mayor nmero que electrones en la banda de conduccin, de modo que ahora
son los huecos los portadores mayoritarios y los electrones los portadores minoritarios.
p concentracin de electrones libres NA- + n
NA- concentracin de impurezas ionizadas
n concentracin de electrones libres debido a la rotura de enlaces covalentes
Al igual que en el caso anterior, el cristal sigue siendo elctricamente neutro, ya que al
incorporarse un electrn a la impureza, sta se convierte en un in negativo. La
concentracin de iones negativos (NA-) no contribuye a llevar corriente elctrica.
Conclusiones
El hecho de que en un semiconductor extrnseco existan dos concentraciones de cargas
mviles (portadores mayoritarios y portadores minoritarios), hace que el semiconductor
extrnseco tenga carcter unipolar, puesto que la conduccin de corriente puede proviene
en mayor medida de un tipo de portador que de otro (electrones en el caso de un
semiconductor de tipo N y huecos en el caso de uno de tipo P).
Comparado con un semiconductor intrnseco, en un semiconductor extrnseco el numero
de cargas mviles aumenta enormemente (generacin intrnseca + electrones libres
provenientes de las impurezas), lo cual repercute tambin en un aumento muy destacable
de la conductividad.

1.5

CONDUCCIN DE CORRIENTE

Hasta ahora se ha descrito el comportamiento del semiconductor en la situacin de

equilibrio. En la situacin de equilibrio, no existe movimiento neto de portadores, por lo
que la corriente total es nula.
Slo cuando el semiconductor sea perturbado habr una respuesta neta de portadores ante
causa externa, es decir, corriente elctrica:
1. Por un lado, la debida al movimiento de los electrones libres en la banda de
conduccin.
2. Por otro lado, la debida al desplazamiento de los electrones ligados de los enlaces
covalentes, que tendern a saltar a los huecos prximos. Por lo tanto, podemos
considerar los huecos como un flujo de corriente.
Existen tres tipos primarios de respuesta de un portador ante una causa externa:
1. Mecanismo de arrastre.
2. Mecanismo de difusin.
3. Generacin y recombinacin.
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A continuacin analizaremos los dos primeros.

1.5.1 MECANISMO DE ARRASTRE

El arrastre es el movimiento neto de partculas cargadas debido a un campo elctrico.
Para campos elctricos bajos y moderados se observa que la velocidad de arrastre es
directamente proporcional al campo elctrico. Esa constante de proporcionalidad se
define en valor absoluto y se denomina movilidad.
La movilidad es el parmetro fundamental en el mecanismo de arrastre y representa la
mayor o menor facilidad con que un campo elctrico es capaz de acelerar electrones y
huecos en su movimiento a travs de la red cristalina del semiconductor.
En rangos normales de dopaje, la movilidad de los electrones es mayor que la de los
huecos: n > p. En la prctica, la movilidad de los electrones es, aproximadamente, el
doble que la de los huecos: n 2p.
La movilidad no es una magnitud constante, puesto que depende de la temperatura y de la
concentracin total de impurezas:

Si T movimiento aleatorio de agitacin trmica choques con la red

cristalina

Si NA/D obstculos en la red cristalina choques con la red cristalina

Deduccin de la densidad de corriente

r
r
Ja f E

Consideremos una barra

r de material semiconductor de longitud L y seccin A, sometida a
un campo elctrico E:

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c concentracin de portadores por cm3

velocidad de arrastre
T intervalo de tiempo
Calculamos la distancia que recorre un portador dentro de la barra:
L T

L
T

Calculamos carga que atraviesa la seccin A en el intervalo T:

carga = q c L A

r
La densidad de corriente J se define como la carga por unidad de tiempo y unidad de
rea:

r c arg a q c L A
r
L
Ja

q c q c
TA
TA
T

r
r
La movilidad relaciona la velocidad de arrastre con el campo elctrico E:

r
r
E

Si tenemos en cuenta que existen dos tipos de portadores (electrones y huecos), hay que
calcular las contribuciones de cada uno de ellos a la corriente total:

r
r
n n E [1]

Sustituyendo [1] en [2]:

r
r
Jan qn n n [2]

r
r
r
Jan qn n n E qn n n E

Haciendo lo mismo para los huecos:

r
r
r
Jap q p n p E q p n p E

Por lo tanto, la densidad de corriente de arrastre total es:

J a J an J ap q n n p p E

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Matemticamente, el mecanismo de arrastre puede expresarse a travs de la ley de Ohm:

r
r
Ja E

donde representa la conductividad de la barra semiconductora:

n p qn n n q p p p
y la resistividad es la inversa de la conductividad :

1
1

n p

1.5.2 MECANISMO DE DIFUSIN

La difusin es el proceso por el cual los portadores tienden a redistribuirse desde las
regiones de alta concentracin hasta las regiones de baja concentracin. Por lo tanto, para
que se produzca el mecanismo de difusin, tiene que haber un gradiente en la
concentracin de portadores.

Deduccin de la densidad de corriente

J d f c

La ley de Fick relaciona el flujo por difusin con la causa que lo provoca (el gradiente en
la concentracin de portadores):

Fd D c
donde D es el coeficiente de difusin.
De esta manera, la densidad de corriente puede ser calculada como:

J d q D c

Al existir dos tipos de portadores (electrones y huecos), hay que calcular las
contribuciones de cada uno de ellos a la corriente total:

J dn q Dn n

J dp q D p p
Por lo tanto, la densidad de corriente de difusin total es:
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J d J dn J dp q Dn n D p p

1.5.3 EXPRESIN GENERAL DE LA CORRIENTE TOTAL EN UN

SEMICONDUCTOR
r
r r
r
r
r
r
r
r
r
JTOTAL Ja Jd Jan Jap Jdn Jdp q n n p p E q Dn n Dp p

Conclusiones

El mecanismo de arrastre y el de difusin no tienen porqu ser independientes. En

la situacin de equilibrio termodinmico, la aparicin de uno de los dos
mecanismos implica la aparicin del otro oponindose al primero, de manera que
la corriente total sea cero (condicin de equilibrio termodinmico).

Jn

Jp

J TOTAL 0 J n 0 Jp 0
y

0 J an J dn 0 J an J dn

0 J ap J dp 0 J ap J dp

D
KT
cte
VT

n p

En un semiconductor, si
, la difusin no es nula, puesto que el coeficiente
de difusin de los electrones es ligeramente superior al de los huecos: D n > Dp (en
rangos normales de dopaje, Dn 2Dp)

Dn D p

VT Dn D p
n p

11