1.

- Consultar las caractersticas tcnicas ms importantes de los transistores

2N3904, 2N2222 y 2N3906.
Transistor 2N3904
Smb
olo
VCB
VCE
VEB
IC
PT
TJ
hFE

Parmetro
Voltaje colector-base
Voltaje colector-emisor
Voltaje emisor-base
Corriente del colector
Potencia total disipada
Temperatura mxima de
funcionamiento
Ganancia de corriente
continua

Valo
r
60
40
6
200
625
150

Unid
ad
V
V
V
mA
mW
C

40

Transistor 2N2222
Smb
olo
VCB
VCE
VEB
IC
PT
TJ
hFE

Parmetro
Voltaje colector-base
Voltaje colector-emisor
Voltaje emisor-base
Corriente del colector
Potencia total disipada
Temperatura mxima de
funcionamiento
Ganancia de corriente
continua

Valo
r
60
30
5
800
500

Unid
ad
V
V
V
mA
mW
C

100

Transistor 2N3906
Smb
olo
VCB
VCE
VEB
IC
PT
TJ

Parmetro

Valo
r
-60
-40
-6
-200
625
150

Unid
ad
V
V
V
mA
mW
C

Voltaje colector-base
Voltaje colector-emisor
Voltaje emisor-base
Corriente del colector
Potencia total disipada
Temperatura mxima de
funcionamiento
hFE
Ganancia de corriente
100
continua
2.- Dibujar la distribucin de pines y explicar cada uno de ellos en cada uno
de los transistores

C=colector
B=base
E=emisor

C=colector
E=emisor
B=base

3=colector
2=base
1=emisor

3.- Consultar un mtodo prctico para determinar el tipo y los terminales de

un transistor mediante la utilizacin de un multmetro, adems de cmo se
debe medir el beta del transistor.
Determinacin del tipo de transistor:
Mediante un mtodo sencillo se puede determinar si un transistor es del tipo PNP o
NPN. Este mtodo consiste en tomar varias medidas, con el multmetro utilizado como
hmetro en el rango de 100, de las resistencias que aparecen entre los diferentes
terminales del transistor.
La medicin de un transistor es anloga a la de un diodo. Tanto entre base y emisor
como entre base y colector donde deben obtenerse resultados como un diodo normal.
Primeramente, para determinar cul de los terminales del transistor corresponde a la
base. Esto se consigue midiendo la resistencia en el hmetro entre los diferentes
terminales. En un transistor en buen estado, la resistencia entre el colector y el emisor
es siempre muy alta, cualquiera que sea la polaridad aplicada por el hmetro (recordar
que las puntas del multmetro actan como una fuente de tensin); cuando hagamos
esta verificacin, el otro terminal corresponder a la base.

Una vez localizada la base, conectamos la punta de prueba positiva en la misma y la

negativa en cualquiera de los otros dos terminales del transistor: si la resistencia
obtenida es muy baja (se ha polarizado la unin de uno de los diodos por el efecto de
tensin positiva aplicada con el hmetro a la base P) se trata de un transistor NPN; si
obtenemos una resistencia muy baja (no se ha polarizado la unin) se trata de un
transistor PNP.
Nos puede servir de ayuda la siguiente tabla donde se indican las medidas de
resistencia que se dan en cada caso para los dos tipos de transistores.
Punta
roja
Colector
Emisor
Emisor
Base
Base
Colector

Punta
negra
Emisor
Colector
Base
Emisor
Colector
Base

PNP
Medida
hmetro
Alta resistencia
Alta resistencia
Baja resistencia
Alta resistencia
Alta resistencia
Baja resistencia

del

NPN
Medida
hmetro
Alta resistencia
Alta resistencia
Alta resistencia
Baja resistencia
Baja resistencia
Alta resistencia

del

DETERMINACION DE LOS TERMINALES DE UN TRANSISTOR:

Para determinar cules son los terminales de un transistor: base, colector y emisor,
utilizando un multmetro, es necesario:
1. Colocar la punta roja en un terminal cualquiera, y colocar la punta negra, primero en
uno y luego en el otro, en alguno de los pines la aguja subir (figuras 1 y2).
2. Colocar la punta roja en otro pin y repetir lo hecho en el paso anterior (figuras 3 y
4), la aguja no debera de subir en ninguno de los casos.
3. Volver a colocar la punta roja en el pin que sigue, al colocar la punta en el primer
pin, la aguja no debera subir, y en cambio debera de hacerlo en el siguiente pin.
Por tanto, la base ser aquella en que la aguja haya subido al colocar la otra punta en
los otros 2 pines alternativamente; puede ser que la punta roja estuviera en ese
momento fija y con la negra midiramos los otros 2 pines, si este fuera el caso el
transistor es NPN. Si es lo contrario, el transistor es un PNP.
Ya sabemos cul es la base, pero ignoramos cual es el colector y el emisor. Para saberlo
hacemos lo siguiente:
Vamos a localizar el emisor y colocamos la escala ms del multmetro. Si el transistor
fuera un NPN, colocamos la punta roja en el supuesto emisor (tomemos en cuenta que
ya hemos localizado la base y no debemos tomarla en cuenta para esta prueba).
Tenemos a punto el transistor para conducir en polarizacin fija si se le colocara un
resistor entre la base y el colector. La prueba consiste en colocar nuestros dedos como
polarizadores. Uno de nuestros dedos debe de tocarla base y otro debe de tocar el pin
en el cual est conectada la punta negra, si la aguja tiene una deflexin, el emisor ser
el que tenga la punta roja. Si no fuera el pin que elegimos en principio como supuesto
emisor, la aguja no subir, por lo tanto debemos de cambiar la posicin de la punta roja
al otro pin y hacer la prueba nuevamente.

Fuente: http://www.electronica2000.net/curso_pdf/leccion62.pdf

(pg. 2)

MEDICIN DE BETA DEL TRANSISTOR

Mediante el uso de un multmetro digital que nos permita medir la "beta" del transistor.
Esto es; elegimos en el multmetro digital la funcin de medicin de la beta, colocamos
las terminales del transistor como creamos que estn correctas y midamos la beta,
cuando el dispositivo est correctamente colocado la beta medida, generalmente es
grande (en la mayora de los casos mayor a 50), cuando no est bien colocado la beta
que se mide es pequea (en la mayora de los casos menor a 20 y en algunos
multmetros en esta situacin marca circuito abierto).
4.- Determinar las corrientes del emisor, colector, base y el voltaje colector
emisor de los siguientes circuitos, adicionalmente comprobar si es que cada
uno de los siguientes circuitos se encuentra en la regin lineal.
CIRCUITO 1
R4

R1

56k

2k

R5
2.2k

R8
470k

Q1

Q2

2N3904

BAT1

BAT2

20V

2N3904

18V

R3

R2

R6

10k

330

1.8k

En primer lugar se procede a calcular el circuito equivalente

RTH =

10 K56 K
10 K +56 K

RTH =8.48[ K ]
V TH =

2010 K
10 K +56 K

RTH =3.03[V ]

Obtenindose el siguiente circuito:

R5

R1

2.2k

2k

R8
470k

RTH

Q1

Q2

2N3904

8.48k

BAT1

2N3904

BAT2
18V

20V

Por ley

VTH

R2

3.03V

330

de voltajes de Kirchhof

De (1) y (2)

I B=

V TH V BE
RTH +(+1) R E

I B=

3.030.7
8.48 k +(100+1)330

I B=55.7 [uA ]

1.8k

V TH =V B +V BE +V E

V TH =R TH I B +V BE + R E I E
I E =( +1) I B

R6

(2)

(1)

I E =( +1 ) I B=( 101 )55.7106

I E =5.66[ mA ]
I C = I B =10055.7106
I C =5.57[ mA ]
V CE =V CC V C V E=I C R C I E R E
V CE =20( 5.57103 ) ( 2103 )(5.66103)(330)
V CE =6.99[V ]
Como

V CE 0.7 se encuentra en laregion lineal

CIRCUITO 2

R5
2.2k

R8
470k

Q2
BAT2

2N3904

18V

R6
1.8k

V CC =I E R C + I B R B +V BE+ I E R E

V CC =( +1)I B RC + I B R B +V BE + I E RE
I B=

V CC V BE
180.7
=
3
RB +( +1)(R C + R E ) 47010 +(101)(2.210 3+1.8103 )

I B=19 .8[uA ]
I E =( +1 ) I B=( 101 )19.8106
I E =2[mA ]
I C = I B =10019.8106
I C =1.98[ mA ]
V CE =V CC I E R C V E
V CE =18( 2103 ) ( 2.2103 )(2103 )(1.8103)
V CE =10[ V ]
Como

V CE 0.7 se encuentra en laregion lineal

CIRCUITO 3

R1
82k

R3
2.2k

V1
22V

Q1
2N3906

R4
680

R2
18k

Para obtener el equivalente de Thevenin, se necesita de:

V TH =

18 k
(22 V )=3.96 [ V ]
18 k +82 k

RB =RTH =18 k 82k =14.76 k

Con lo que el circuito anterior toma la siguiente forma:

R1
2.2k

R2
14.76k

Q1
2N3906
+

V1
3.96V

V2
22V

R3
680

Al aplicar ley de voltajes de Kirchhof en la malla 1, se tiene:

V TH =V B +0.7+V E
V TH =I BR B+0.7+ I E R E
Se conoce que:

I E =I B+ I C

I E =I B+ I B =I B (+ 1)
V TH =I B RB + 0.7+ I B ( +1) R E
De donde:

I B=

V CC 0.7
3.960.7
=
RB +( +1) R E 14.76 k +(101)680

I B=39.07 [A ]
I C =3.91[ mA ]
I E =3.95[ mA ]
V CE =22+V C +V E =22+ I C R C + I E RE
V CE =10.71 [V ]
Como

V CE 0.7

, entonces el circuito se encuentra en REGIN LINEAL

CIRCUITO 4

R1
100k

+ V1
16V

R3
3.3k

Q1
2N2222

R2
18k

R4
1.2k

Para facilitar el anlisis de este circuito, se procede a sacar un equivalente de Thevenin

entre los terminales A y B, resultando:

V TH =

18 k
16 V =2.44 [ V ]
18 k +56 k

RB =RTH =100 k 18 k =15.25 k

R1
3.3k

R2
15.25k

Q1
2N2222

+ V2
16V

+ V1
2.44V
R3
1.2k

Al aplicar ley de voltajes de Kirchhof en la malla 1, se tiene:

V TH =V B +V BE +V E
V TH =I BR B+0.7+ I E R E
Se conoce que:

I E =I B+ I C
DC =

IC
I C = DC I B
IB

V TH =I B RB + 0.7+ I B R E + I B R E
De donde:

I B=

V TH 0.7
2.440.7
=
RB + R E + R E 15.25 k + 1.2k + 100(1.2 k)

I B=12 . 75[A ]
I C =1. 28[mA ]
I E =1. 29[mA ]
V CE =16V C V E=16I C RC I E R E
V CE =10.23[V ]
Como

V CE 0.7

, entonces el circuito se encuentra en REGIN LINEAL

CIRCUITO 5

Se puede observar que este circuito se encuentra en la zona de Saturacin, por lo que
se cumple las siguientes condiciones:

V BE 0.8 [v]
V ce 0.2 [v]
V 1=V RB+ 0.8
V 1=I BRB +0.8
De donde:

I B=

V 10.8 5.2
=
RB
330

V E =I E R E
I E=

V2
6
=
R E 1.2 k

En este caso la corriente del colector se va hacia tierra:

I B=I E + I C
I C =I BI E =15.75 mA5 mA

I B=15.75 [mA ]
I C =10.75[mA ]
I E =5[mA ]

Como

V CE 0.7

, entonces el circuito no se encuentra en REGIN LINEAL

5.- Realizar y presentar las simulaciones de cada uno de los circuitos del
literal 4
CIRCUITO 1
R3

R1

56k

2k

mA

BAT3

+6.06

Q1

+36.1

2N3904

+5.87
Volts

20V

BAT2
18V

mA

10k

PARMETR
O

VALOR

+6.10

R4

R2
330

IB

36.1[A ]

IC

6.06[m A ]

IE

6.10[m A ]

V CE

5.87[V ]

CIRCUITO 2
R5
2.2k

R8
470k

mA

Volts

BAT2
18V

+2.49

+5.87

Q2

+15.5

2N3904

Volts

mA

+2.50

R6
1.8k

PARMETR
O

VALOR

IB

15.5[A ]

IC

2.49[m A]

IE

2.50[m A ]

V CE

7.98[V ]

CIRCUITO 3

+7.98

R1
82k

R3
2.2k

V1
22V

Q1
2N3906

R2
18k

DC V
-10.07 V

R4
680

Parameter

DC Bias

DC Average

AC RMS

B: q1[ib]

31.89uA

31.89uA

1.576pA

C: r4[i]

4.167mA

4.167mA

0.000 A

A: r3[i]

4.135mA

4.135mA

56.60pA

De donde:
PARMETR
O

VALOR

IB

31.89[ A]

IC

4.135 [m A ]

IE

4.167 [m A ]

V CE

10.07 [V ]

CIRCUITO 4

R1
100k

+ V1
16V

Q1
2N2222

R4
1.2k

R2
18k

De donde:
PARMETR
O

VALOR

IB

13.22[A ]

IC

1.347[m A ]

IE

1.36[m A ]

V CE

9.924 [V ]

DC V
9.924 V

R3
3.3k

CIRCUITO 5

De donde:
PARMETR
O

VALOR

IB

15.667[mA ]

IC

10.633[m A]

IE

5.034[m A ]

V CE

40.313 [m V ]

Bibliografa

[1].
Thomas L. Floyd, Dispositivos Electrnicos, Octava Edicin. Mxico:
Pearson Education, 2008.
[2].

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky, Electrnica: Teora de Circuitos y

Dispositivos Electrnicos., Dcima Edicin. Mxico: Pearson, 2009.

[3].
Tarquino Snchez A., Electrnica: Dispositivos y Aplicaciones, Segunda
Edicin. Quito-Ecuador, 2013.