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Fototransistores, fotorresistencias y fotodiodos:

Fototransistor
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, solo
que puede trabajar de 2 formas diferentes: Como un transistor normal
con la corriente de base Ib (modo comn). Como fototransistor, cuando
la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base.
Ip (modo de iluminacin).
Se pueden utilizar las dos en forma simultnea, aunque el fototransistor
se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar. Ib = 0
La corriente de base total es igual a corriente de base (modo comn) +
corriente de base (por iluminacin): Ibt = Ib + Ip.
Si se desea aumentar la sensibilidad del transistor, debido a la baja
iluminacin, se puede incrementar la corriente de base Ib, con ayuda de
polarizacin externa.
El circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con
un fotodiodo conectado entre la base y el colector, con el ctodo del
fotodiodo conectado al colector del transistor y el nodo a la base.
El fototransistor es muy utilizado para aplicaciones donde la deteccin
de iluminacin es muy importante. Como el fotodiodo, tiene un tiempo
de respuesta muy corto, solo que su entrega de corriente elctrica es
mucho mayor. En el grfico siguiente se puede ver el circuito equivalente
de un fototransistor. Se observa que est compuesto por un fotodiodo y
un transistor. La corriente que entrega el fotodiodo (circula hacia la base
del transistor) se amplifica veces, y es la corriente que puede entregar
el fototransistor.
Nota: es la ganancia de corriente del fototransistor.

Fotorresistencia

( LDR ) Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya


resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente.
Puede tambin ser llamado fotorresistor, fotoconductor, clula
fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se
originan de su nombre en ingls light-dependent resistor.
Un fotorresistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si
la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son
absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la
suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre
que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que
disminuye la resistencia. Un dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseco
o extrnseco. En dispositivos intrnsecos, los nicos electrones
disponibles estn en la banda de la valencia, por lo tanto el fotn debe
tener bastante energa para excitar el electrn a travs de toda la banda
prohibida. Los dispositivos extrnsecos tienen impurezas agregadas, que
tienen energa de estado a tierra ms cercano a la banda de conduccin
puesto que los electrones no tienen que saltar lejos, los fotones ms
bajos de energa (es decir, de mayor longitud de onda y frecuencia ms
baja) son suficientes para accionar el dispositivo.

Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN,
sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su
funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se
producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la
luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas
fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior, generan una tensin
muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta
corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de
oscuridad.
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Fototransistor

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Fototransistor
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La
luz incide sobre la regin de base, generando portadores en ella. Esta carga de base lleva el
transistor al estado de conduccin. El fototransistor es ms sensible que el fotodiodo por el
efecto de ganancia propio del transistor.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexin de base como sin ella y
tanto en cpsulas plsticas como metlicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lpices pticos, etc. Para
comunicaciones con fibra ptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n. Tambin
se pueden utilizar en la deteccin de objetos cercanos cuando forman parte de un sensor de
proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando interruptores
pticos (opto-switch), que detectan la interrupcin del haz de luz por un objeto. Existen en
dos versiones: de transmisin y de reflexin.

Fotodiodo
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Smbolo del fotodiodo.
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia
de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza
inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea
excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas

fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el
positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz
recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Principio de operacin [editar]


Un fotodiodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa
llega al diodo, excita un electrn dndole movimento y crea un hueco con carga positiva. Si
la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de
l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento,
produciendo una fotocorriente.
Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos
mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en la
zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la
respuesta del dispositivo.

Composicin [editar]
Fotodiodo.
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para definir sus
propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda
de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de onda hasta aprox. 1,8 m ); o de
cualquier otro material semiconductor.
Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001700

Indio galio arsnico


(InGaAs)

8002600

sulfuro de plomo

<1000-3500

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los infrarrojos


medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren refrigeracin por nitrgeno
lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una superficie
amplia.

Investigacin [editar]
La investigacin a nivel mundial en este campo se centra (en torno a 2005) especialmente
en el desarrollo de clulas solares econmicas, miniaturizacin y mejora de los sensores
CCD y CMOS, as como de fotodiodos ms rpidos y sensibles para su uso en
telecomunicaciones con fibra ptica.
Desde 2005 existen tambin semiconductores orgnicos. La empresa NANOIDENT
Technologies fue la primera en el mundo en desarrollar un fotodetector orgnico, basado en
fotodiodos orgnicos.