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ampRF Pequehna Senhal
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PEQUEA SEAL
DISEO USANDO PARMETROS Y y S
POLARIZACIN
REDES TPICAS DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA Y
SALIDA
INTRODUCCIN
El presente trabajo aborda la problemtica del diseo de amplificadores de
radiofrecuencia de pequea seal, dando un proceso sistemtico para llevarlo
adelante.
Est basado en la siguiente bibliografa, tanto desde el punto de vista terico como
de los ejemplos e imgenes que se incluyen:
RF CIRCUIT DESIGN Chris Bowick Howard W. Sams & Co., Inc. 1982
ISBN 0-672-21868-2
MICROWAVE TRANSISTOR AMPLIFIERS, Analysis and Design Guillermo
Gonzlez Prentice-Hall, Inc. 1984 ISBN 0-13-581646-7
AN215A RF Small Signal Design Using Two-Port Parameters Motorola
Semiconductors
AN-267 Matching Network Design With Computer Solutions Motorola
Semiconductors
POLARIZACIN
Comenzamos nuestro trabajo sobre amplificadores de radiofrecuencia estudiando
su comportamiento en corriente continua. El lector podr preguntarse por qu lo
hacemos justamente por el extremo opuesto a las frecuencias de inters.
La respuesta es que la polarizacin de continua tiene un efecto importante sobre
el comportamiento en RF. Esto se debe a que los parmetros relevantes en RF de
un transistor son muy dependientes de su polarizacin de continua, en particular
de su corriente de colector.
Debemos conseguir una polarizacin estable frente a cambios de temperatura.
Hay dos caractersticas importantes que tienen un efecto profundo sobre el punto
de funcionamiento de continua del transistor: V BE y
Pretendemos minimizar los efectos de estos parmetros.
El voltaje base emisor baja cuando la temperatura sube 2,5 mV/C. Recordamos
que un transistor de silicio tiene VBE=0,7V a 25C.
Veamos el proceso: si VBE baja, se permite fluir ms corriente de base, lo que
produce ms corriente de colector. Buscaremos mtodos para evitar este
comportamiento porque tal como dijimos deseamos mantener estable la corriente
de colector para mantener estables los parmetros del transistor aunque cambie la
temperatura.
En primer lugar, veamos el efecto del voltaje de emisor, V E. (Ver Fig. 1). El
descenso en VBE con la temperatura causara un aumento en la corriente de
emisor, y as un aumento en VE. Este aumento en VE constituye una
realimentacin negativa que tiende a polarizar en reversa la unin base emisor,
logrando un descenso en la corriente de colector.
Tngase en cuenta que tampoco es deseable un V E demasiado alto ya que puede
causar prdida de potencia y una seal de AC menor.
Puede agregarse un capacitor en paralelo con R E para anular su comportamiento
en RF y mejorando la ganancia de AC.
Como norma general Ve se puede elegir entre 2 y 4 V.
El segundo factor es la ganancia de corriente en continua del transistor, .
Se debe tener una polarizacin estable frente a los cambios de . stos pueden
provenir de:
- cambios en temperatura. Puede variar alrededor de 0,5% por C.
- dispersin en fabricacin. Variacin entre unidad y unidad producida del mismo
modelo.
El cambio en la corriente de colector respecto de es:
Ecuacin 1
1 2
I C I C1
RB
RE
Donde,
IC1= la corriente de colector en = 1,
1= el valor menor de
2= el valor mayor de
= 2 - 1
RB = el paralelo entre R1 y R2 (en Fig. 1)
RE= la resistencia del emisor.
Vemos que para disminuir la influencia de debemos mantener pequeo RB/ RE.
Debemos notar que de esta forma se disminuye adems la ganancia de corriente
del amplificador. A grandes rasgos, esa relacin debe ser menor de 10.
Veamos algunos ejemplos de polarizaciones en transistores:
Ejemplo
RE = VE / IE
= 2.5 / (10 x 10-3)
= 100 ohms.
5. Conociendo VCC, VC e IC, se calcula RC
RC = (VCC - VC) / IC
= (20 - 10) / 10 x 10-3
= 1000 ohms.
6. Conociendo IC y , se calcula IB.
IB= IC /
= 0, 2 mA.
7. Conociendo VE y VBE, se calcula VBB.
VBB = VE + VBE
= 2.5 + 0.7
= 3.2 volts.
8. Asuma un valor para IBB, cuanto ms grande mejor.
IBB = 1. 5 mA
9. Conociendo IBB y VBB, se calcula R1
R1 = VBB / IBB
= 3.2 / 1.5 x 10-3 ohms
= 2133 ohms
10. Conociendo VCC, VBB, IBB e IB, se calcula R2.
R2 = (VCC - VBB) / (ICC - IB)
= (20 - 3.2) / (1.7 x 10-3)
= 9882 ohms.
Ejemplo
Figura 2. Red de polarizacin 2.
V
I D I DSS 1 GS
Vp
VS = 2.5 volts
6. Conociendo VS e ID, se calcula RS.
RS = VS / ID
= 2.5 / 10 x 10-3
= 250 ohms.
7. Conociendo VS y VGS, se calcula VG
VG = VGS + VS
= 2.48 + 2.5
= 4.98 volts.
8. Asumir un valor para R1 basado en las necesidades de resistencia de entrada
en DC.
R1 = 220 K
9. Conociendo R1, VG, y VCC, se calcula R2.
R2 = [R1 ( VCC - VG)] / VG
= [220 x 103 (20 - 4.98)] / 4.98
= 664 K
Ejemplo
Figura 5. Red de polarizacin 5
10
ID / IDSS )
= -6 ( 1- 10x10-3 / 5x10-3 )
= 2.48 volts.
5. Conociendo IG = 0, VGS = VS, e ID, se calcula RS.
RS = VS / ID
= VGS / ID
= 2.48 / (10 x 10-3)
= 248 ohms
6. Como IG = 0, RG puede ser elegido con un valor alto aproximadamente 1
megohm.
En la siguiente figura se muestran cinco redes de polarizacin tpicas para FETs.
11
12
Para aplicaciones de bajo ruido, baja potencia se usa el punto A. El FET acta en
un valor bajo de corriente.
Para bajo ruido y ganancia de potencia ms alta, se recomienda B.
Para potencia ms alta, aunque aun usando clase A, punto C.
Para mayor eficiencia, operando en clase AB o B, la corriente drain a source se
debe decrecer, punto D.
En la siguiente figura se muestra una red de polarizacin activa para un FET.
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yr y f
2 g i g o Re y r y f
Donde,
= la magnitud del producto entre corchetes
yr = admitancia de transferencia reversa,
yf = admitancia de transferencia directa,
g1 = conductancia de entrada,
g0 = conductancia de salida
Re = la parte real del producto entre parntesis.
Cuando C<1 el transistor es estable incondicionalmente. Cuando C>1 el transistor
es potencialmente inestable.
El factor C es una prueba de estabilidad bajo la condicin de peor caso, es decir
con las terminales de entrada y salida del transistor en circuito abierto. Sin
realimentacin externa, un transistor estable incondicionalmente no oscilar con
ninguna combinacin de de fuente y carga. Por el contrario, si es potencialmente
inestable, algunas combinaciones de fuente y carga producirn oscilacin.
Se debe tener en cuenta que si C es menor pero cercano a 1, cambios en la
polarizacin DC (debidos por ejemplo a la temperatura) pueden causar que pase a
Ing. Rafael Sotelo
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2 g i G S g o G L
y r y f Re y r y f
donde,
GS = La conductancia de la fuente
GL = La conductancia de la carga
ECUACIONES GENERALES DE DISEO
GANANCIA DE POTENCIA
La ecuacin general es:
2
yf Re(YL )
2
YL yo Re( yi
yr y f
)
yo YL
Dicha ecuacin se aplica a circuitos sin realimentacin. Tambin puede ser usado
con circuitos con realimentacin externa si son usados los parmetros Y
compuestos.
Se puede apreciar:
a) No tiene en cuenta prdidas en la red. No computa prdidas por desadaptacin
a la entrada ni a la salida del transistor.
b) La ganancia es independiente de la admitancia de la fuente.
Si quisiramos incluir los efectos de la adaptacin de la entrada en el clculo de
ganancia de potencia podramos contemplar el uso de G T (Ganancia de
Transductor). Se la define como la potencia de salida enviada a una carga por el
transistor dividida por la mxima potencia de entrada disponible desde la fuente.
GT
4G S G L y f
yi
YS y o YL y f y r
15
2
f
4 gig o
2g g
i
Re y f y r
y f yr
2g o
Ecuacin 8
BS jbi
Ing. Rafael Sotelo
Im y f y r
2go
16
Ecuacin 9
GL
2g g
i
Re y f y r
y f yr
2 g1
Ecuacin 10
GS g o
gi
Ecuacin 11
B L jbo
Im y f y r
2gi
Donde,
GS = la conductancia de la fuente.
BS = la susceptancia de la fuente.
GL = la conductancia de la carga.
BL = la susceptancia de la carga.
Im = la parte imaginaria del producto entre parntesis.
Veamos un ejemplo
Ejemplo 1.
Un transistor tiene los siguientes parmetros Y a 100 MHz, con V CE = 10 volts e IC
= 5 mA.
y1 = 8 + j5.7 mmhos
y0 = 0.4 + j1.5 mmhos
yf = 52 - j20 mmhos
yr = 0.01 - j0.1 mmho
Disee un amplificador el cual provea ganancia de potencia mxima entre una
fuente de 50-ohm y una carga de 50-ohm a 100 MHz.
Solucin
Primero, calcular la estabilidad Linvill utilizando la ecuacin 3
C = |yfyr| / [2g1g0 - Re (yfyr)]
Ing. Rafael Sotelo
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GL = (GSg0) / g1
= (6.95)(0.4) / 8
= 0.347 mmho
Y, con la Ecuacin 11:
BL = jb0 +[Im (yfyr) / 2g1]
= -j1.5 + [-5.37 / 2(8)]
= -j1.84 mmhos
De este modo, para transferencia de potencia ptima, la admitancia de la carga
debe ser 0.347 - j1.84 mmhos. La admitancia de salida real del transistor es el
conjugado de la admitancia de la carga, o 0.347 + j1.84 mmhos.
El prximo paso es disear las redes de adaptacin de impedancias de entrada y
salida que va a transformar la fuente y carga de 50 ohms a la impedancia que el
transistor le gustara ver para transferencia de potencia ptima. El diseo de la
adaptacin de la entrada se muestra en el primer baco de Smith del ejemplo.
Este baco es normalizado de modo que el centro del mismo representa 50 ohms
o 20 mmhos. Por lo tanto, el punto, YS = 6.95 - j12.42 mmhos, est normalizado
en:
YS = 50 (6.95 - j12.41) mmhos
= 0.34 - j0.62 mho
Esta admitancia normalizada se muestra graficada en dicho baco.
Ntese que su correspondiente impedancia puede ser leda directamente desde el
baco como ZS = 0.69 + j1.2 ohms. La red de la adaptacin de la entrada debe
transformar la impedancia de la fuente de 50 ohm a la impedancia representada
por este punto. Como es sabido, existen numerosas redes de adaptacin de
impedancia disponibles para resolver el problema. Aqu se eligi la red L de dos
elementos por simplicidad y conveniencia.
Arc AB = C en serie = -j1.3 ohms
Arc BC = L en paralelo = -j1.1 mhos
El circuito de salida es diseado y graficado en el segundo baco de Smith.
Ya que los valores de admitancia necesarios en el circuito de salida son tan
pequeos, este baco debi ser normalizado a 200 ohms (5mmhos). Por lo tanto,
la admitancia normalizada en el baco es:
YL = 200 (0.347 - j1.84) mmhos
Ing. Rafael Sotelo
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C1 = 1 / XN
= 1 / [2 (100 x 106) (1.3) (50)]
= 24.5 pF
y,
L1 = N / B
= 50 / [2 (100 x 106) (1.1)]
= 72 nH
De forma similar, para la red de salida:
C2 = 1 / [2 (100 x 106) (1.9) (200)]
= 4.18 pF
y,
Ing. Rafael Sotelo
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Ejemplo 2
Encontrar la ganancia del circuito que fue diseado en el Ejemplo 1. No tomar en
cuenta prdidas en los componentes.
Solucin.
La ganancia de transductor para el amplificador se determina sustituyendo los
valores dados en el Ejemplo 1 en la Ecuacin 5.
GT= 4(6.95)(0.347) |52 - j20|2 /
{|(8 + j5.7 + 6.95 - j12.41)(0.4 + j1.5 + 0.347 - j1.84) - (52 - j20)(0.01 - j0.1)| 2}
= 29943 / [|8.88 - j10.1 +1.47 + j5.37|2]
= 231. 2
= 23.64 dB
EL AMPLIFICADOR UNILATERALIZADO
La unilateralizacin consiste en el empleo de una red externa de realimentacin Y f
para oponerse a yr. Yf =-yr. As la admitancia de transferencia-reversa yrc se hace
cero.
En general se utiliza para convertir un transistor potencialmente inestable en
estable incondicionalmente.
Pero tambin puede ser buscado por otros aspectos interesantes como la
aislacin entre la entrada y la salida.
Admitancia de entada caso unilateralizado:
YIN=yi+yr
Admitancia de salida caso unilateralizado:
YOUT=yo+yr
Ganancia de potencia caso unilateralizado:
GPU=|yf-yr|2.GL/|YL+yo+yr|2gi
Ganancia de potencia caso unilateralizado con YL adaptado conjugadamente con
YOUT:
GU=|yf-yr|2/4(gi+gr)(go+gf)
Ganancia de transductor caso unilateralizado:
GTU=4GSGL|yf-yr|2/|(YS+yi+yr) (YL+yo+yr)|2
24
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k y r y f Re y r y f
GS
GL
BS
BL
k yr y f Re y r y f
2
GS g i Z o
k y r y f Re y r y f
GL g o Z o
k y r y f Re y r y f
gi
gi
go
go
go
gi
bi
bo
Donde,
Z
BS
bi G L g o B L bo k L M 2 G L g o
L yr y f
M Re y r y f
k L M
26
Z 4 k L M 2M Z 2
2 NZ k L M A2 N 2
4
2
Donde,
k L M
M,
2
N Im yr y f ,
A
y,
Z0= el menor valor de Z que resulta en el menor mnimo de D, calculado a partir de
igualar a cero la siguiente expresin:
dD
Z 3 k L M 2M Z 2 N k L M
dZ
yr y f
go
gi
Si un ratio de desadaptacin, R, se define as
G L GS
go
gi
R se puede calcular para cualquier factor de estabilidad usando la ecuacin:
R
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y f yr Re y f yr
1 R 2 k
2 gi go
YL
g
K
i
yo YL yi
yo YL g i
Ke j
go
yi
donde,
K
y f yr
gi go
arg y f yr
Ke j K cos j sin
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