Capitolul 3

Surse de curent si surse de tensiune

3.1. Surse de curent

3.1. Surse de curent

3.1.1. Introducere
I

IO

VO

IO

VO

Parametri:
Curentul de iesire IO [A]
Rezistenta de iesire []
RO =

dVO
dI O V

CC , T = ct .

 Tensiunea minima de iesire [V]

Coeficientul de temperatura [A/K]
TC I O =

dI O
dT R ,V = ct .
L CC

Coeficientul relativ de temperatura [1/K]

1 dI O
I O dT R ,V = ct .
L CC
Factorul de rejectie al tensiunii de alimentare (Power Supply Rejection Ratio) [A/V]
RTC I O =

PSRR =

dI O
dVCC

RL , T = ct .

Sensibilitatea curentului de iesire in raport cu variatiile tensiunii de alimentare [-]

I

SVO =
CC

dI O / I O
dVCC / VCC

R L , T = ct .

V
dI O
= CC
I O dVCC

RL , T = ct .

IO

RO = (dIO/dVO)-1

IO

VO
VOmin

Caracteristica de iesire a unei surse de curent

Clasificare
I. Surse de curent elementare
- complexitate redusa
- performante modeste
II. Surse de curent cascod
- rezistenta de iesire mare
- tensiune minima de iesire mare
- tensiune minima de alimentare mare
III. Surse de curent cu autopolarizare
- dependenta redusa IO (VCC)
- necesita circuit de pornire
IV. Surse de curent compensate cu temperatura
- dependenta redusa de temperatura
- complexitare ridicata

3.1.2. Surse de curent elementare

Sursa de curent bipolara cu un tranzistor

VO
RO

IO
Q
V

IO =

V V BE
R

RO = ro 1 +
r + R

VO min = V VBE + VCEsat

Sursa de curent MOS cu un tranzistor

VO
RO

IO
Q
V

V = VGS + I O R
K
I O = (VGS VT )2
2

KR
(VGS VT )2
2
VGS (> VT ) I O

V = VGS +

RO = rds (1 + g m R )
VO min = V VGS + (VGS VT ) = V VT

Oglinda de curent bipolara

VCC

VO
RO

IO

I
Q2

Q1

Curent de iesire
I=

VCC VBE
I S 1 exp BE 1
R
Vth
V

I O I S 2 exp BE 2
Vth
V BE 1 = V BE 2

IO I S 2
V VBE I S 2
I O CC

I
I S1
R
IS1

Rezistenta de iesire
RO = ro =

VA VA
=
IC 2 IO

Tensiune minima de iesire

VO min = VCE 2 sat .

Efect Early
VBE 1 VCE 1
VCC VBE
1 +

I=
= I S 1 exp
R
VA
Vth
V
V

I O = I S 2 exp BE 2 1 + CE 2
VA
Vth

IO I S 2
=
I
I S1

VCE 1
V
1 + BE 1
I
VA
VA
= S2
V
V
IS1
1 + CE 2
1+ O
VA
VA
1+

Influenta
IO
I B

=
=
I
I B + 2 I B + 2

SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara

Caracteristica de iesire

SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara

Caracteristica de iesire
SIM 3.1: IC1 (V2)

SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara

Caracteristica de iesire
SIM 3.2: IC1 (V2), VA1 - parametru

SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIMULARI pentru oglinda de curent bipolara

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
SIM 3.3: IC1 (V1)

Sursa de curent cu reducerea efectului (1)

Curent de iesire
V 2V BE
I O I = CC
R

VCC

Rezistenta de iesire
R
I

VO
Q3

Q1

IO
Q2

RO

VA VA
RO = ro =
=
IC 2 IO
Tensiune minima de iesire

VO min = VCE 2 sat .

Influenta
IO
=
I

I B
1
1
=
2IB
2
1+ 2
I B +
+1
+

Sursa de curent cu reducerea efectului (2)

Curent de iesire
VCC 2V BE
IO I =
R

VCC

R
I

Q3

VO

Tensiune minima de iesire

IO
Q1

Q2

VO min = VBE 2 + VCE 1 sat .

Influenta

( + 2)
IB
IO
1
+1
1
=
=
+
2
2

I
IB 1 + 2
I B +
+1
+ 2

Sursa de curent multipla

VCC
R
I
Q3
Q1

IO
Q2

IO

IO

Q2

Q2

Oglinda de curent MOS

VDD

VO
RO

IO

I
Q2

Q1

Curentul de iesire

V DD = I O R + VGS 1
IO =

K
(VGS 1 VT ) 2
2

V DD =

KR
(VGS 1 VT ) 2 + VGS 1
2

(VGS 1 )1, 2

= VT

1
1
1 + 2 KR(V DD VT )

KR KR

VGS trebuie sa fie mai mare decat VT:

VGS 1 = VT

IO =

1
KR

1
1
1 + 2 KR (V DD VT )
+
KR KR

[1 + KR(V DD VT )

1 + 2 KR (V DD VT )

Rezistenta de iesire

1
RO = rds 2 =
I O
Tensiunea minima de iesire

VO min = V DS 2 sat = VGS 2 VT =

2IO
K

Efectul de modulare a lungimii canalului

K
(VGS 2 VT ) 2 (1 + V DS 2 )
IO
1 + V DS 2
1 + VO
2
=
=
=
K
I
1 + V DS 1 1 + VGS 1
(VGS 1 VT ) 2 (1 + V DS 1 )
2

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS

Caracteristica de iesire

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS

Caracteristica de iesire
SIM 3.4: ID2 (V2)

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS

Caracteristica de iesire
SIM 3.5: ID2 (V2), rds2 - parametru

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
SIM 3.6: ID2 (V1)

Sursa de curent Widlar bipolara

Curentul de iesire
VCC

VO
RO

R1

IO

I
Q2

Q1
R2

VCC VBE
I=
R1
I
I
Vth ln Vth ln O
VBE 2
V
IS
IS
=
I O = BE 1
R2
R2
Vth I Vth VCC VBE
=
IO =
ln
ln
R2 I O R2 R1 I O

Tensiunea minima de iesire

VO min = VCE 2 sat . + I O R2

Rezistenta de iesire

VA

R2
R2
=

1 +
RO = ro 1 +
r 2 + R2 + (1 / g m 1 ) // R1 I O
r 2 + R2 + (1 / g m 1 ) // R1

PSRR
dI O
d
=
dVCC dVCC
dI O
V
R1 I O
= th
dVCC R2 VCC V BE

dI O
dVCC

Vth VCC V BE
ln

R2 R1 I O

R1 I O (VCC V BE )R1

( R1 I O )2

dI O
dVCC

Vth
1
R V V BE
= 2 CC
V
1 + th
R2 I O

Sensibilitatea curentului de iesire in raport cu variatiile tensiunii de alimentare

I
SVO
CC

VCC dI O
=
=
I O dVCC

1
1
=
R2 I O
V VBE
1+

1 + ln CC
Vth
R1 I O

Sursa de curent MOS

Curentul de iesire
VDD

VGS 1 = VT

VO
RO

R1

IO

KR 2
(VGS 2 VT ) 2
2

(VGS 2 > VT )

Q2
R2

1 + 2 KR1 (V DD VT )

VGS 1 = VGS 2 + I O R 2 = VGS 2 +

I
Q1

1
1
+
KR1 KR1

IO =

K
(VGS 2 VT ) 2 (1 + V DS 2 )
2

Tensiunea minima de iesire

2 IO
VO min = VDS 2 sat + I O R2 =
+ I O R2
K
Rezistenta de iesire

RO = rds 2 (1 + g m 2 R 2 )

Sursa de curent standard

Curentul de iesire
VCC

VO
RO

IO

I
Q2

Q1
R2

R1

v BE 1 + R1 I = v BE 2 + R2 I O
1
( R1 I + v BE 1 v BE 2 )
IO =
R2
I O R1 Vth I I S 2

=
+
ln
I
R2 R 2 I I O I S 1
Se poate determina I/IO deoarece:
V v BE
I = CC
R + R1

Daca R1I >> vBE1 vBE2:

Rezistenta de iesire

I O R1
=
I
R2

R2

RO = ro 2 1 +
R2 + r 2 + R // (1 / g m 1 + R1 )

Sursa de curent standard cu iesire multipla

VCC
R1
IREF
Q1

I3
Q3

Q2

R2

R3

R4

I4

I5

I6

Q4

Q5

Q6

R5

R6

Daca ariile tranzistoarelor sunt alese in asa fel incat densitatile de curent sa
fie egale, atunci tensiunile baza-emitor vor fi egale.

I
v BE 2 v BE 3 = Vth ln REF
I3

jA A
IS3
= Vth ln 2 3 = 0
IS2
jA3 A2

Deci:

v BE 2 = ... = v BE 6

si:

I 3 R3 = I 4 R4 = I 5 R5 = I 6 R6 = I REF R2
Cei patru curenti de iesire au expresiile:
I 3 = I REF

R2
R
; ... ; I 6 = I REF 2
R3
R6

unde:
V 2 v BE
I REF = CC
R1 + R2

Sursa de curent utilizand ca referinta tensiunea baza-emitor

VCC
R1
IREF

IO
Q2

Q1
R2

v BE 1 Vth VCC 2v BE
IO =
ln
=
R2
R2
R1 I S

3.1.3. Surse de curent cascod

Sursa de curent cascod bipolara (1)
Curentul de iesire
V V BE 1
IO = 1
R
VO
IO

RO

Q2
VA

RO1
Q1

V2

V1

Rezistenta de iesire

RO 1
rO 2
RO = ro 2 1 +
r 2 + RO 1

R
>> r 2
RO 1 = ro1 1 +
r 1 + R

Tensiune minima de iesire

VO min = V A + VCE 2 sat = V2 VBE 2 + VCE 2 sat

Este necesar ca:
VCE 1 > VCE 1 sat

(V2 VBE 2 ) (V1 VBE 1 ) > VCE 1 sat

V2 V1 > VCE 1 sat

Sursa de curent cascod bipolara (2)

Curentul de iesire

VCC

VCC 2 v BE
IO = I =
R

VO
RO

Rezistenta de iesire

IO

RO 3

RO = ro 2 1 +
r 2 + RO 3 + R //( 2 / g m 1 )

I
Q2

Q1

RO3

A
Q4

Q3

RO 3 = ro 3 >> r 2 , R //( 2 / g m 1 )
Deci:

RO ro 2
Tensiunea minima de iesire

VO min = V A + VCE 2 sat

V A = v BE 1 + v BE 4 v BE 2 = v BE

Sursa de curent cascod bipolara(3)

VCC
RO
R1

IO

Q4

Q5
Q3
R2

VCC 3v BE
R1

RO 5

RO = ro 4 1 +
r 4 + RO 5 + R1 //( 3 / g m 1 )

RO5

Q2

I=

Rezistenta de iesire

Q1
A

Curentul de iesire
v BE 5 Vth I
v

=
I O = BE 3
ln
R2
R2 I O

R2

RO 5 ro5 1 +
r 5 + R2 + 1 / gm 3

RO 5 >> r 4 , R1 //( 3 / gm 1 )
Deci:
RO ro 4
Tensiunea minima de iesire
VO min = V A + VCE 4 sat
V A = 2 v BE

Sursa de curent cascod MOS (1)

Curentul de iesire

VO
IO

RO

V1 = VGS 1 + I O R
KR
2
(
)
V
V

V
V
=
1
GS 1
GS 1
T
K
2
I O = (VGS 1 VT )2
2
VGS 1 (> VT ) I O
Rezistenta de iesire
2
RO = rds 2 (1 + gm RO 1 ) gm rds
RO 1 = rds 1 (1 + gm R )

Q2
RO1
VA
Q1
V2

V1

Tensiunea minima de iesire

VO min = V2 VGS 2 + (VGS 2 VT ) = V2 VT

Este necesar ca:

V DS 1 > V DS 1 sat
(V2 VGS 2 ) (V1 VGS 1 ) > V DS 1 sat
V2 V1 > V DS 1 sat = VGS VT =

2 IO
K

Sursa de curent cascod MOS (2)

Curentul de iesire
I O 1 + V DS 2
=
I
1 + V DS 3

VDD
I

Rezistenta de iesire

VO
RO

IO
Q4

Q1
A

Q3

Q2

2
RO = rds 1 1 + gm 1 rds 2 gm rds

Tensiunea minima de iesire

VO min = V A + VDS 1 sat = VGS + (VGS VT )

VO min = 2VGS VT VT + 2

2I
K

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod

Caracteristica de iesire

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod

Caracteristica de iesire
SIM 3.7: ID2 (V2)

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod

Caracteristica de iesire
SIM 3.8: ID2 (V2), rds2, rds4 - parametri

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIMULARI pentru oglinda de curent CMOS cascod

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
SIM 3.9: ID2 (V1)

Sursa de curent cascod MOS (3)

Curentul de iesire
VDD

IO = I

VO
I2 = I

I1 = I

RO
IO

Q5

Q4
2

(W/L)/(n+1)

(W/L)/n

Q1
2

Rezistenta de iesire
2
R0 = rds 1 (1 + g m 1 rds 2 ) g m rds

(W/L)/n2

Tensiunea minima de iesire

IO

Q3

Q2

W/L

W/L

K' W / L
(
I=
VGS 5 VT ) 2
2 ( n + 1) 2

I=

K' W / L
VGS 1( 4 ) VT 2
2 n2

I=

K'
(W / L) VGS 2 ( 3 ) VT
2

)2

VGS 5 VT = (n + 1) VGS 2( 3 ) VT

VGS 1( 4 ) VT = n VGS 2( 3 ) VT

Tensiunea drena-sursa a tranzistorului Q2 este:

V DS 2 = VGS 5 VGS 1 = (VGS 5 VT ) (VGS 1 VT ) = VGS 2 VT = V DS 2 sat

Deci, Q2 este polarizat la limita de saturatie. Rezulta:

VO min = V DS 1 sat + V DS 2 = (n + 1)(VGS 2 VT ) = (n + 1)

2I
K

3.1.4. Surse de curent cu autopolarizare

Oglinda de curent

VCC v BE
IO =
R
I O
V
I
1
SVO = CC
CC
I O VCC

Sursa de curent Widlar bipolara

Vth
I
ln
IO =
R2 I O
Vth I O 1 I
I O
I I O
=
2
VCC R2 I I O VCC I O VCC
Vth
I O
I
IR2
=
V
VCC
VCC
1 + th
R2 I O
I

SVO =
CC

VCC I O
V
I
1
1

= CC
R2 I O
R2 I O VCC
I O VCC
I
1+
1+
Vth
Vth

Sursa de curent utilizand ca referinta tensiunea baza-emitor

Vth VCC 2 v BE
IO =
ln
R2
R1 I S
I O
Vth
R1 I S
1

VCC R2 VCC 2 v BE R1 I S
I

SVO
CC

Vth
4%
v BE

Sursa de curent cu autopolarizare utilizand ca referinta

tensiunea baza-emitor
V
v
I
I O = BE 1 = th ln REF
R2
R2
IS

VCC
Q4

Q5

Q6
IO

IO

I REF
IO

VCC 2v BE
1+
VCC 2 v BE
VA
=
1+
v BE
VA
1+
VA

IREF

Q2
Q1

IO
Q3

IO =

Vth I O Vth VCC 2 v BE

ln
ln 1 +
+
R2 I S R2
VA

Derivand:

R2

I O
Vth
=
VCC R2 (V A + VCC )

rezulta:
I

SVO
CC

Vth
v BE

1
V
1+ A
VCC

Sursa de curent Widlar cu autopolarizare

IO =
VCC
Q3

Q4

Q6

v BE 1 v BE 2
R2

Vth I REF
ln
R2 I O

Vth I S 2
+

ln
R2 I S 1

V
V
th ln 1 + CC
R2
VA

Vth I S 2

+
ln
R2 I S 1

IO =

IO
IREF
Q1

IO
Q2

IO
IO
Q5

R2

V
I
SVO CC
CC
VA

1
I
ln S 2
IS1

Sursa de curent MOS cu autopolarizare (1)

Curentul de iesire
VDD
Q4

Q5
Q2

Q1
IO
R

IO
Q3

VGS K
IO =
= (VGS VT ) 2
R
2
KR 2
KR 2
VGS (1 + KRVT )VGS +
VT = 0
2
2
Rezolvand ecuatia pentru VGS rezulta:
VGS 1, 2 = VT +
VGS = VT +

2 KRVT + 1
1

KR
KR

2 KRVT + 1
1
+
KR
KR

Deci:

IO =

1
KR

(1 + KRVT +

1 + 2 KRVT

Sursa de curent MOS cu autopolarizare (2)

Curentul de iesire
VDD
Q5

Q6
IO

Q3

Q4

VT +

I
2 IO
+ Vth ln O =
4K
IS

= VT +

I
2 IO
+ Vth ln O
K
10 I S

Rezulta:
Q1

Vth =

Q2

kT
- tensiunea termica
q

I O = 2 K [Vth ln(10 )]2

Sursa de curent MOS cu autopolarizare (3)

VDD
Q4

Q5

IO

IO

Q2

Q3

R2

B
Q1

R1

Q6

Curentul de iesire
Pentru tranzistoare MOS identice,
VA = VB, deci:
V
I O = EB 1
R1

SIMULARI pentru sursa de curent MOS cu autopolarizare (3)

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare

SIMULARI pentru sursa de curent MOS cu autopolarizare (3)

Dependenta curentului de iesire de tensiunea de alimentare
SIM 3.10: ID2 (V1)

SIMULARI pentru sursa de curent MOS cu autopolarizare (3)

Dependenta curentului de iesire de temperatura

SIMULARI pentru sursa de curent MOS cu autopolarizare (3)

Dependenta curentului de iesire de temperatura
SIM 3.11: ID2 (t)

Sursa de curent MOS cu autopolarizare (4)

VDD
Q4
n(W/L)

Q5
W/L

Q2
n(W/L)

Q3
W/L

R1
IO
Q1

Q7

Q6

Curentul de iesire
Se poate demostra ca VA = VB,
deci:

R2

IO =

V BE 1 V BE7
R1

V th
R1

ln(n )

SIMULARI pentru sursa de curent MOS cu autopolarizare (4)

Dependenta curentului de iesire de temperatura

SIMULARI pentru sursa de curent MOS cu autopolarizare (4)

Dependenta curentului de iesire de temperatura
SIM 3.12: ID2 (t)

Sursa de curent MOS cu autopolarizare (5)

VDD
Q4
n(W/L)

Q5
W/L

Q2
n(W/L)

Q3
N W/L
R1

Q1

Q7

Q6
W/L
A

VO
IO

R2
R3

Q8

VGS 2 = VGS 3
V
V EB7 R2
V R2 = R2 EB 1
Vth ln(n )
=
R1
R1

Q9

+
-

IO ( T ) =

I R2
(
)
V
ln
n
+
V
(
T
)
th
EB 8

R3 R1

V EB ( T ) = A + BT + CT ln
TO

Sursa de curent MOS cu autopolarizare (5) cont.

VDD
Q4
n(W/L)

Q5
W/L

Q2
n(W/L)

Q3
N W/L
R1

Q1

Q7

Q6
W/L
A

VO
IO
Q9

+
-

R2
Q8

R3

T
I R2 kT

IO ( T ) =
ln(n ) + A + BT + CT ln

R3 R1 q
TO
Conditia de corectie liniara a caracteristicii poate fi scrisa astfel:
R k
B + 2 ln(n ) = 0
R1 q
Rezulta:
T
I

+
IO ( T ) =
A
CT
ln

R3
TO

3.2. Surse de tensiune

3.2. Surse de tensiune

3.2.1. Clasificare
I. Surse de tensiune elementare
- complexitate redusa
- performante modeste
II. Surse de tensiune cu reactie
- rezistenta de iesire redusa
- complexitate medie
III. Surse de tensiune compensate cu temperatura
- dependenta redusa de temperatura a tensiunii de iesire
- complexitate ridicata

3.2.2. Surse de tensiune cu reactie

Surse de tensiune cu stabilizare serie (schema bloc)
iI

iO

EC

vI

vO

RL

D = bloc de divizare
C = bloc de comparare
R = circuit de referinta
A = amplificator
EC = element de control

Surse de tensiune cu stabilizare paralel (schema bloc)

iI

iO

vI

EC

vO

RL

D = bloc de divizare
C = bloc de comparare
R = circuit de referinta
A = amplificator
EC = element de control

Exemple de surse de tensiune

iI

iO

Q
R

vI

RL

vO
D

vO = VZ VBE

VZ

R2
vI

RL
vO

R1

R
vO = (VBE + V Z ) 1 + 2 > V Z
R1

vO

vO
R3

R4

R5

Q
D

Q
R3

R2

R6

Q
R4

R2

vO
R3

R1
RL

R
v O = V Z 1 + 2
R1

R
= V Z 1 + 1
R2

vI

R1

R6

vO

R4

R5

R1

R2

R
v O = (V Z + V BE ') 1 + 1
R2

vI

VR

+
-

VR = VO

Q
R1

vO
RL

R2

R2
R1 + R2

R
VO = VR 1 + 1
R2

VCC
VR

+
-

VR = VO

Q1
Q2
VO

-VCC

R1
R2

R2
R1 + R2

R
VO = VR 1 + 1
R2

VCC
VR

+
-

Q1
Q2

VO+

R1

- VCC

R2
- VCC
+

-VCC

R2
R1 + R2

R1

= V R 1 +
R

R3'

VO

R3'' = R3'

VO +
VO
=
VO = VO +
R3 '
R3 ' '

Q3
Q4

VCC

V R = VO +

VO -

- VCC

VCC
AO2
AO1

VR

Q1

VR = VO

+
-

Q2

VO

R1

-VCC

VCC

R2
R1 + R2

R
VO = VR 1 + 1
R2

R2

Protectia la suprasarcina (1)

r

I OL =

D2

D1

R4

IO

V D 1 + V D 2 VBE V D

r
r

IO

I OL

R4
T1

VBE
=
r

Protectia la suprasarcina (2)

VCC
I
Q1
Q2
Circuit de Q3
limitare a
curentului

R
IO
VO

I OL =

V BE 3
R

circuitul BA 723

REF

+
-

Sursa de tensiune pentru VO < VR

VCC

RSC

Q2
Q1

RL

VR
REF
R3

+
-

Q3

R1
R2

R1
VO = V R
< VR
R1 + R3

I Osc =

V BE
Rsc

VO

Sursa de tensiune pentru VO > VR

VCC

Q2

RSC

VO

Q1
VR

RL

R3

REF
+
-

R1

Q3

R2

R1
R
VO
= V R VO = V R 1 + 2 > V R
R1 + R2
R1

I Osc =

V BE
Rsc

3.2.3. Surse de tensiune compensate cu temperatura

Referinte de tensiune bandgap (banda interzisa)

VBE

Vth

Vth

DVth

VREF=VBE+DVth

Dependenta de temperatura a tensiunii VBE

I (T )
VBE (T ) = Vth ln C

I
(
T
)
S

E
I S (T ) = CT exp GO
Vth

VBE (T ) = EG 0 +

kT I C (T )
ln
q CT

kTO I C (TO )
VBE (TO ) = EGO +
ln

q
CTO

I C (T ) = BT

VBE ( T ) = EGO +

VBE ( TO ) EGO
KT T

T + ( )
ln
TO
q TO

VBE ( TO ) EGO
2 ,1mV / K < 0
TO

Functionarea referintelor de tensiune

V REF ( T ) = DVth + VBE ( T )

V BE (T ) = A + BT + CT ln
TO

V
T
A
B
D
T
CT
(
)
=
+
+
+
ln

REF

TO
B+ D

T
k

= 0 V REF (T ) = A + CT ln
q
TO

Referinta de tensiune (1)

I1 =

V BE 2 V BE 1
kT I 2
ln
=
R3
qR 3 I 1

I 1 R1 = I 2 R 2
R2

R1
I1

I2
+
-

R3

VREF

I1 =

kT R1

ln
qR3 R2

V REF (T ) = I 1 (T ) R 1 + V BE 2 (T )
Q2

Q1

V BE (T ) = A + BT + CT ln
TO

T
k R1 R1

ln
T + CT ln
V REF (T ) = A + B +

q R3 R2
TO

B+

k
q

T
R1 R1
A 1, 2V
= 0 V REF (T ) = A + CT ln
ln
R3 R2
TO

VREF

Referinta de tensiune (2)

VDD
Q7

Q6

Q4

Q8

Q5
B

VO
R2

R1

I
Q1

Q2

Q3

V A VB = VGS 5 VGS 4 = (VGS 5 VT ) (VGS 4 VT ) =

V A VB =

2 I D5
K
I
1 D 4 5
K5
I D5 K 4

2 I D5
2 I D4

K5
K4

2 I D5
I (W / L)5
=
1 D6
K5
I D7 (W / L)4

V A VB =

2 I D5
(W / L)5 (W / L)6
1
K
(W / L)4 (W / L)7

(W / L) 4 (W / L)6
=
V A = VB
(W / L) 5 (W / L)7
/ VBE1 (T ) / / VBE 2 (T ) /
VO (T ) = / VBE 3 (T ) / + I (T ) R2 = / VBE 3 (T ) / +
R2
R1

Pentru:

R2 kT I D6
VO (T ) = / VBE 3 (T ) / +
ln
R1 q
I D7
R2 kT (W / L)6
VO (T ) = / VBE 3 (T ) / +
ln
R1 q (W / L)7

T
/ VBE (T ) / = A + BT + CT ln
T0
R k (W / L)6
B + 2 ln
=0

R1 q (W / L)7

T
VO (T ) = A + CT ln
T0

SIMULARE pentru referinta de tensiune (2)

Dependenta de temperatura a tensiunii de referinta

SIMULARE pentru referinta de tensiune (2)

Dependenta de temperatura a tensiunii de referinta
SIM 3.13: VD5 (t)

Referinta de tensiune (3)

V
V BE 1 Vth I C 2
I C 1 = BE 2
ln
=
R4
R4 I C 1
R1

I C 1 R1 = I C 2 R2

R2
+
-

R3

VO
R6

Q2
R4
A

IC2

R5

VO (T ) = 1 +

V
R
I C 1 = th ln 1
R4 R2

V A (T ) = ( I C 1 + I C 2 ) R5 + VBE 2 (T )

Q1

IC1

R7
V A (T ) = VO (T )
R6 + R7

R7

R6
VBE 2 (T ) +
R7

R5
1+
R4

R
R1
Vth ln 1
R2
R2

R5
R k R
1 + 1 ln 1 + B = 0
R4
R2 q R2

T
R6

VO (T ) = 1 +
A + CT ln

R7

T0

Senzori de temperatura
Exemplu (1)
R3

R2

R1

+
-

Q1

VO

Q2

R4

R5

VO (T )

I1

I
R4
R
= VBE 1 V BE 2 = Vth ln C 1 = Vth ln 2
R3 + R4 + R5
IC 2
R1

R
R + R5
Vth ln 2 = ct .T
VO (T ) = 1 + 3
R4
R1

Exemplu (2)
VDD
Q5

Q6

Q3

Q4

VO
R2

R1
Q1

Q7

Q2

VBE1 VBE 2
(W / L)5
R
VO = R2 I D7 (T ) = R2 I D 4 (T ) = R2
= ct .T
= 2 Vth ln

R1
R1
(W / L)6

Exemplu (3) circuit de extragere a tensiunii de prag

VDD
I
Q1
K

1:1

I
Q2
K

I
Q3
K

Q4
4K
VC

VO = 2VGS4 VGS 3

Q6
K

2I

= 2 VT +
4K

Q5
4K

VO
Q7
K

2I
VT +
= VT = VT 0 + a (T T0 )
K