LABORATORIO

DE ELECTRNICA DE POTENCIA

Prctica N4

OBJETIVOS:

TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA TBJ

Disenr el circuito de control para un transistor bipolar de juntura de potencia.

Conocer las caractersticas de conmutacin del transistor bipolar de juntura.

INFORME

Formas de Onda

Calcular la potencia de disipacin del transistor de potencia para los dos circuitos
diseados con los datos tomados en el laboratorio.

Para una carga resistiva (foco):

Periodo
1.820 ms
Tiempo en Alto
880 us
Tiempo en Bajo
960 us
Tiempo de Encendido 4.9 us
Tiempo de Apagado
6.6 us

Para una carga resistiva (foco) inductiva:

Periodo
1.390 ms
Tiempo en Alto
700 us
Tiempo en Bajo
690 us
Tiempo de Encendido
7 us
Tiempo de Apagado
13.6 us

CONCLUSIONES
La carga inductiva no afecta el estado estable de las formas de onda, solo a los
transitorios ya que la carga inductiva se comporta como cortocircuito cuando
no hay variacin de corriente en el tiempo.
Las diferencias de disipacin en estado estable se dan por la variacin de los
tiempos de apagado y encendido que afectan de una manera mnima a los
tiempos estables de corte y saturacin respectivamente.
El diseo del circuito de los transistores en esta practica, se debe tener en
cuenta el diseo a partir del transistor de potencia donde tenemos los
requerimientos especficos; el resto del circuito se debe adaptarlo a las
necesidades de la carga y los limites mximos de disipacin de potencia. Se
debe maniobrar el circuito variando las resistencias.
Bibliografa.

Boylestad R., Nashelsky L. , Electronic Devices and Circuit Theory, 10/e (New
Edition). Pearson Education, 2012

M. Rashid, Power Electronics: Circuits, Devices, and Applications. Pearson/Prentice
Hall, 2004.