ARSENIURO DE GALIO

Es un compuesto de galio y arsnico. Es un importante semiconductor y se

usa para fabricar dispositivos como circuitos integrados a frecuencias de
microondas, diodos de emisin infrarroja, diodos lser y clulas
fotovolticas.
Las propiedades fsicas y qumicas del GaAs complican su uso en la
fabricacin de transistores al ser un compuesto binario con una
conductividad trmica menor y un mayor coeficiente de expansin trmica
(CET o CTE), mientras que el silicio y el germanio son semiconductores
elementales. Adems, los fallos en dispositivos basados en GaAs son ms
difciles de entender que aquellos en el silicio y pueden resultar ms caros.
El GaAs tiene varias topologas de circuitos y tipos de dispositivos. La ms
dominante y disponible comercialmente es la lgica FET acoplada
directamente DCFL (Direct Coupled FET Logic), aunque tambin se dispone
de la lgica BFL (Buffered FET Logic) y la lgica SDFL (Schottky Diode FET
Logic).
GaAs en tecnologas de altas frecuencias
La masa efectiva de la carga elctrica del GaAs tipo N dopado es menor que
en el silicio del mismo tipo, por lo que los electrones en GaAs se aceleran a
mayores velocidades, tardando menos en cruzar el canal del transistor. Esto
es muy til en altas frecuencias, ya que se alcanzar una frecuencia
mxima de operacin mayor.
Esta posibilidad y necesidad de trabajar con circuitos que permitan actuar a
mayores frecuencias tiene su origen en las industrias de defensa y espacial,
en el uso de radares, comunicaciones seguras y sensores. Tras el desarrollo
por parte de programas federales, pronto el GaAs se extendi a los nuevos
mercados comerciales, como redes de rea local inalmbricas (WLAN),
sistemas de comunicacin personal (PCS), transmisin en directo por
satlite (DBS), transmisin y recepcin por el consumidor, sistemas de
posicionamiento global (GPS) y comunicaciones mviles. Todos estos
mercados requeran trabajar a frecuencias altas y poco ocupadas que no
podan alcanzarse con silicio ni germanio.
Adems, esto ha afectado a la filosofa de fabricacin de semiconductores,
emplendose ahora mtodos estadsticos para controlar la uniformidad y
asegurar la mejor calidad posible sin afectar gravemente al coste. Todo esto
posibilit tambin la creacin de nuevas tcnicas de transmisin digital a
mayor potencia de radiofrecuencia y amplificadores de baja tensin/bajo
voltaje para maximizar el tiempo de operacin y de espera en dispositivos
alimentados por bateras.