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Transistores MOSFET

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son dispositivos


de efecto de campo que utilizan un campo elctrico paracrear una canal de
conduccin.
Son dispositivos ms importantes que los JFET ya que la mayor parte de los circuitos
integrados digitales se construyen con la tecnologa MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS yMOSFET de
canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulacin
(enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos estn
prcticamente en desuso y aqu nicamente sern descritos los MOS de acumulacin
tambin conocidos como de enriquecimiento.
La figura 1.14 indica los diferentes smbolos utilizados para describir lostransistores
MOS.

En la figura 1.15 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N con sus


cuatro terminales: puerta, drenadorfuente y substrato; normalmente el sustrato
se encuentra conectado a la fuente.
La puerta, cuya dimensin es
WL, est separado del substrato
por un dielctrico (Si02)
formando una estructura similar
a las placas de un condensador.
Al aplicar una tensin positiva en
la puerta se induce cargas
negativas (capa de inversin) en
la superficie del substrato y se
crea un camino de conduccin
entre los terminales drenador yfuente.

La tensin mnima para crear ese capa de inversin se denomina tensin umbral o
tensin de threshold (VT) y es un parmetro caracterstico del transistor. Si la
VGS<VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores tpicos de esta tensin son
de de 0.5 V a 3 V.

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