TRANSISTORES DE EFECTO CAMPO

INTRODUCCIN
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP),
llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de
dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su
impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y
que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo (FET).
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de
material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de
material que forma con el canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta
(g-gate) en el collar.
Puerta

Fuente

Drenaje

Material N
Material P

Figura 1. El croquis de un FET con canal N.

Drain

Gate

Source

Canal N

Figura 2. Smbolos grficos para un FET de canal N.

PRINCIPIO DE OPERACION DEL FET

A continuacin se explica cmo se controla la corriente en un FET. Al
igual que sucede con los transistores BJT el FET tiene tres regiones de operacin:
Regin de corte
Regin lineal
Regin de saturacin
Es preciso hacer notar que en este caso, la saturacin alude a un fenmeno
completamente distinto al de los transistores BJT.
Regin de corte
Centremos nuestra atencin en la Figura 1. La zona de tipo P conectada a
la puerta forma un diodo con el canal, que es de tipo N. Como se recordar, cuando se
forma una unin PN aparecen en los bordes de la misma una zona de depleccin en la que
no hay portadores de carga libres. La anchura de dicha zona depende de la polarizacin
aplicada. Si esta es inversa, la zona se hace ms ancha, proporcionalmente a la tensin
aplicada. Aplicando una tensin VGS negativa aumentamos la anchura de la zona de
depleccin, con lo que disminuye la anchura del canal N de conduccin.
Si el valor de VGS se hace lo suficientemente negativo, la regin de
agotamiento se extender completamente a travs del canal, con lo que la resistencia del
mismo se har infinita y se impedir el paso de ID (Figura 3). El potencial al que sucede
este fenmeno se denomina potencial de bloqueo (Pinch Voltage, VP).
VDS

ID = 0

VGS = -VP

+
+
+

P
+++++++++++++

+
+
+

Figura 3. Esquema del FET de canal N polarizado con la tensin de bloqueo.

Por lo tanto, para valores ms negativos que VP el FET se encuentra
polarizado en la regin de corte, y la corriente de drenaje resulta ser nula.

Regin lineal
Si en la estructura de la Figura 1 se aplica una tensin VDS mayor que cero,
aparecer una corriente circulando en el sentido del drenaje a la fuente, corriente que
llamaremos ID. El valor de dicha corriente estar limitado por la resistencia del canal N de
conduccin. En este caso pueden distinguirse dos situaciones segn sea VDS grande o
pequea en comparacin con VGS.
Valores pequeos del voltaje drenaje-fuente
La Figura 4 presenta la situacin que se obtiene cuando se polariza la
unin GS con una tensin negativa, mientras que se aplica una tensin entre D y S menor.
VDS

ID

VGS < 0

P
+
+
+
+
+ +++++++++++++ +

Figura 4. Esquema FET de canal N polarizado con VGS < 0.

Por el terminal de puerta (G) no circula ms que la corriente de fuga del
diodo GS, que en una primera aproximacin podemos considerar despreciable. La corriente
ID presenta una doble dependencia:
La corriente ID es directamente proporcional al valor de VDS
La anchura del canal es proporcional a la diferencia entre VGS y VP. Como
ID est limitada por la resistencia del canal, cuanto mayor sea VGS - VP, mayor ser la
anchura del canal, y mayor la corriente obtenida.
Los dos puntos anteriores se recogen en la siguiente expresin:
I D (VGS VP )VDS
Por lo tanto, en la regin lineal obtenemos una corriente directamente
proporcional a VGS y a VDS.
Valores altos del voltaje drenaje-fuente
Para valores de VDS comparables y superiores a VGS la situacin cambia
con respecto al caso anterior: la resistencia del canal se convierte en no lineal, y el FET
pierde su comportamiento hmico. Veamos por qu sucede esto.
3

Cuando se aplica un voltaje VDS al canal de 5 voltios, por ejemplo, este se

distribuye a lo largo del canal, es decir, en las proximidades del terminal D la tensin ser
de 5 V, pero a medio camino la corriente circulante habr reducido su potencial a la mitad
(2,5 V), y en el terminal S el potencial ser nulo. Por otra parte, si VGS es negativa (- 2 V,
por ejemplo), la tensin se distribuir uniformemente a lo largo de la zona P, al no existir
ninguna corriente (Figura 5). (NOTA: se desprecia la cada de tensin en las zonas situadas
por debajo de los contactos).
VDS = 5V

ID

VGS = -2V

P
N

-2V
0V

-2V
2.5V

-2V
5V

Figura 5. Esquema del FET de canal N polarizado con VGS = -2 V y VDS = 5 V.

Sigamos adelante. En las proximidades del terminal S la tensin inversa
aplicada es de 2 V, que se corresponde con la VGS = -2 V. Sin embargo, conforme nos
acercamos a D esta tensin aumenta: en la mitad del canal es de 4,5 V, y en D alcanza 7 V.
La polarizacin inversa aplicada al canal no es constante, con lo que la anchura de la zona
de depleccin tampoco lo ser (Figura 6). Cuando VDS es pequea, esta diferencia de
anchuras no afecta a la conduccin en el canal, pero cuando aumenta, la variacin de la
seccin de conduccin hace que la corriente de drenaje sea una funcin no lineal de VDS, y
que disminuya con respecto a la obtenida sin tener en cuenta este efecto.
VDS

ID

VGS < 0

P
+
+
+
+
+ +++++++++++++ +

Figura 6. Esquema del FET de canal N en la regin de conduccin no lineal.

4

Regin de saturacin
Si VDS se incrementa ms, se llegar a un punto donde el espesor del canal
en el extremo del drenaje se acerque a cero. A partir de ese momento, la corriente se
mantiene independiente de VDS, puesto que los incrementos de tensin provocan un mayor
estrechamiento del canal, con lo que la resistencia global aumenta (Figura 7).
VDS

ID

VGS < 0

P
+
+
+
+
+ +++++++++++++ +

Figura 7. Esquema del FET de canal N en la regin de corriente constante.

La regin de saturacin se da cuando se estrangula el canal en el drenaje,
lo que sucede cuando la tensin puerta-drenaje es ms negativa que VP, es decir:
VGD < VP => VGS - VDS < VP => VDS > VGS - VP
Antes de seguir adelante, comparemos las figuras Figura 3 y Figura 7. En
el caso del bloqueo, todo el canal resulta afectado por la zona de depleccin, que es
constante porque la tensin VGS se aplica uniformemente a lo largo de la unin. En cambio,
en la regin de corriente constante slo parte del canal ha llegado al bloqueo (provocado
por VDS, que vara a lo largo del mismo), y es lo que permite la circulacin de la corriente.

CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA.
Derivacin
Para el transistor BJT la corriente de salida IC y la comente controladora de
entrada IB estaban relacionadas por medio del factor beta, el cual se consideraba constante
para el anlisis a realizarse. En forma de ecuacin,
I C = f ( I B ) = I B
En la ecuacin anterior existe una relacin lineal entre IC e IB. Duplquese
el nivel de IB e IC, tambin se incrementar por un factor de 2.
Desafortunadamente, esta relacin lineal no existe entre las cantidades de
salida y entrada de un FET. La relacin entre ID y VGS se define por la ecuacin de
Shockley:
2

V
I D = I DSS 1 GS
VP

El trmino cuadrado de la ecuacin dar como resultado una relacin no

lineal entre ID y VGS, produciendo una curva que crece exponencialmente con el incremento
de los valores de VGS.
Las caractersticas de transferencia definidas por la ecuacin de Shockley
se mantienen sin afectarse por la red en la que se emplea el dispositivo.
La curva de transferencia puede obtenerse utilizando la ecuacin de
Shockley. En la figura 8 se suministran dos grficas con la escala vertical en miliamperios
para cada grfica. Una es la grfica de ID contra VDS, mientras que la otra es de ID contra
VGS. Haciendo uso de las caractersticas del drenaje a la derecha del eje de las "y", se puede
trazar una lnea horizontal desde la regin de saturacin denotada por VGS = 0 V hasta el eje
de ID. El nivel de corriente resultante para ambas grficas es IDSS. El punto de interseccin
sobre la curva de ID contra VGS se encontrar como se ilustra, ya que el eje vertical se define
como VGS = 0 V. En resumen: Cuando VGS = 0 V, ID = IDSS.

ID (mA)

ID (mA)
10 10
9 9
IDSS

8 8

VGS = 0V

IDSS

7 7
6 6
5 5

VGS = -1V

4 4
3 3
VGS = -2V

2 2

VGS = -3V
VGS = -4V

1 1
VGS

-4

-3

-2

-1

10

15

20

25

VDS

ID = 0mA, VGS = VP

Figura 8. Obtencin de la curva de transferencia a partir

de las caractersticas de drenaje.

Cuando VGS = Vp = -4 V, la corriente de drenaje es de 0 miliamperios, y

define otro punto sobre la curva de transferencia. Es decir: Cuando VGS = Vp, ID = 0 mA.
Antes de proseguir, es importante enfatizar que las caractersticas de
drenaje relacionan una cantidad de salida (o drenaje) a una cantidad de entrada (o
compuerta). Ambos ejes se definen por variables en la misma regin de las caractersticas
del dispositivo. Las caractersticas de transferencia son la grfica de una corriente de salida
(o drenaje) contra una cantidad controlada de entrada. Existe, por lo tanto, una
"transferencia" directa de variables de entrada a variables de salida, cuando se emplea la
curva a la izquierda de la figura 8. Si la relacin fuera lineal, la grfica de ID contra VGS
resultara en una lnea recta entre VDSS y Vp. Sin embargo, se obtendr una curva parablica
debido a que el espaciado vertical entre los pasos de VGS sobre las caractersticas de drenaje
de la figura 8 decrece notablemente a medida que VGS se hace cada vez ms negativo.
Comprese el espaciado entre VGS = 0 V y VGS = -1 V con el que se da entra VGS = -3 V y el
estrechamiento. El cambio en VGS es el mismo, pero el cambio resultante en ID es muy
diferente.
Aplicacin de la ecuacin de Shockley
La curva de transferencia de la figura 8 puede obtenerse en forma directa
mediante la ecuacin de Shockley, dando simplemente los valores de IDSS y Vp. Los niveles
de Idss y Vp definen los lmites de la curva sobre ambos ejes y dejan solamente la necesidad
de encontrar unos cuantos puntos intermedios de graficacin. La validez de la ecuacin
Shockley como una fuente para la curva de transferencia de la figura 8 se demuestra mejor
al examinar unos cuantos niveles especficos de una variable y hallando el nivel resultante
de la otra, en la forma siguiente: Sustituyendo VGS = 0 V se obtiene

 V
I D = I DSS 1 GS
VP

0
= I DSS 1

VP

= I DSS

Al sustituir VGS = Vp resulta que

V
I D = I DSS 1 P
VP

= 0mA

Para las caractersticas de drenaje de la figura 8, si sustituimos VGS = -1 V,

V
I D = I DSS 1 GS
VP

1V

2
= 8mA1
= 8mA(0.75) = 4.5mA

4
V

Como se muestra en la figura 8. Advirtase la precaucin con la que se

manejan los signos negativos para VGS y Vp en los clculos anteriores. La prdida de un
signo dara un resultado totalmente errneo.
Debera ser obvio de lo anterior que dadas IDSS y Vp (como se proporciona
una regla general en las hojas de especificaciones), el nivel de ID puede hallarse para
cualquier nivel de VGS. A la inversa, por medio del uso de lgebra bsica podemos obtener
una ecuacin para el nivel resultante de VGS para un nivel dado de ID. La derivacin es
bastante directa y dar como resultado

ID
VGS 1
I DSS

PARAMETROS COMERCIALES
Se presenta a continuacin algunas de las caractersticas de los transistores
FET que ofrecen los fabricantes en las hojas de datos:
IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor FET se encuentra en
configuracin de fuente comn y se cortocircuita la puerta y la fuente (VGS=0). En la
prctica marca la mxima intensidad que puede circular por el transistor. Conviene tener en
cuenta que los transistores FET presentan amplias dispersiones en este valor.
VP (Pinch-Off Voltage): es la tensin de estrangulamiento del canal. Al
igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.
RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona lineal.
Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD cercanos a la tensin de
estrangulamiento.
BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura entre
fuente y drenaje. Tensiones ms altas que BVDS provocan un fuerte incremento de ID.
BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensin de ruptura de la
unin entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en inversa. Valores mayores
de BVGS provocan una conduccin por avalancha de la unin.

POLARIZACION
Para todas las configuraciones recordemos que:

IG 0A
ID = IS

V
I D = I DSS 1 GS
VP

Configuracin de polarizacin fija.

El ms simple de los arreglos de polarizacin para el FET de canal n
aparece en la figura 9, Conocida como configuracin de polarizacin fija, es una de las
pocas configuraciones FET que pueden resolverse en forma directa utilizando tanto el
enfoque grfico como el matemtico.
VDD

ID

RD
D
+

VDS

G +
RG

VGS

VGG

Figura 9. Configuracin de polarizacin fija.

Para el anlisis de cd,

IG = 0 A
VRG = IGRG = (0A)RG = 0 V
La cada de cero voltios a travs de RG permite reemplazar a RG por un
corto circuito equivalente.
Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en direccin de las manecillas del
reloj a la malla, se tiene que
VGS = -VGG
9

Puesto que VGG es una fuente constante de cd, el voltaje VGS es de

magnitud fija, dando como resultado la denominacin "configuracin de polarizacin fija".
El nivel resultante de corriente de drenaje ID se controla ahora por la
ecuacin de Shockley:
Ya que VGS es una cantidad fija para esta configuracin, su signo y su
magnitud simplemente pueden sustituirse en la ecuacin de Shockley y calcularse el nivel
resultante de ID. Este es uno de los pocos ejemplos en el cual la solucin matemtica para
una configuracin FET es bastante directa.
Un anlisis grfico requerira una grfica de la ecuacin de Shockley como
se muestra en la figura 10. Recurdese que la eleccin de VGS = Vp/2 dar como resultado
una corriente de drenaje de IDSS/4 cuando se grafique la ecuacin. Para el anlisis, los tres
puntos definidos por IDSS, Vp y la interseccin que se acaba de describir sern suficientes
para trazar la curva.
ID (mA)

IDSS

IDSS / 4

VP

VP / 2

VGS

Figura 10. Graficacin de la ecuacin de Shockley.

En la figura 11 el nivel fijado de VGS se ha sobre impuesto en forma de una

lnea vertical en VGS = -VGG. En cualquier punto de la lnea vertical el nivel de VGS es -VGG
(el nivel ID debe determinarse sobre esta lnea vertical). El punto donde las dos curvas se
intersecan es la solucin comn a la configuracin (conocida generalmente como el punto
esttico o de operacin}. El subndice Q se aplicar a la corriente de drenaje y al voltaje de
compuerta-fuente para identificar sus niveles en el punto Q. Obsrvese en la figura 11 que
el nivel esttico de ID se determina al trazar una lnea horizontal desde el punto Q hasta el
eje vertical ID , como se ilustra en la figura 11.

10

ID (mA)

IDSS

Punto Q

VP

IDQ

VGSQ = -VGG

VGS

Figura 11. Encontrando la solucin para la configuracin de polarizacin fija.

El voltaje de drenaje-fuente de la seccin de salida puede determinarse

mediante la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff como sigue:
VDS + IDRD - VDD = 0
VDS = VDD IDRD
Recurdese que los voltajes con subndice sencillo se refieren al voltaje de
un punto con respecto a tierra. Si
VS = 0 V
Utilizando notacin de subndice doble:
VDS = VD VS
VD = VDS
VGS = VG VS
VG = VGS

11

Configuracin de autopolarizacin.
La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de tener dos
fuentes de cd. El voltaje controlador de compuerta-fuente se determina ahora por el voltaje
a travs de un resistor RS introducido en la terminal de la fuente de la configuracin, como
se muestra en la figura 12.
VDD

ID

RD
D
+

VDS

G +
VGS
RG

RS

Figura 12. Configuracin FET de autopolarizacin.

El resistor RG, se puede reemplazar por un equivalente de corto circuito ya

que IG = 0 A. El resultado es que la corriente a travs de RS es la corriente de fuente, pero
IS = ID y
VRS = IDRS
Para la malla, encontramos que
-VGS - VRS = 0
VGS = -VR
VGS = -IDRS
Advierta en este caso que VGS es una funcin de la corriente de salida ID y
no un valor de magnitud constante como ocurre para la configuracin de polarizacin fija.

12

La ecuacin anterior se define por la configuracin de la red y la ecuacin

de Shockley relaciona las cantidades de entrada y salida del dispositivo. Ambas ecuaciones
relacionan las mismas dos variables, permitiendo una solucin ya sea matemtica o grfica.
Una solucin matemtica podra obtenerse simplemente al sustituir la
ecuacin VGS = -IDRS, en la ecuacin de Shockley como se muestra a continuacin:
V
I D = I DSS 1 GS
VP

I R

= I DSS 1 D S
VP

2
2

I D RS I D RS

I D = I DSS 1 + 2
2
VP
VP

I D RS
VP

I D RS
VP

2 I D RS I DSS
I D + I DSS = 0
VP

2R I
+ I D S DSS 1 + I DSS = 0

VP

Rs, IDSS y Vp son constantes, la incgnita es ID

ID =

2 RS I DSS
1
VP

2 RS I DSS
4I 2 R 2

1 D 2 S
VP
VP

2 RS I DSS
VP

Este es el mtodo matemtico. El mtodo grfico se desarrolla de similar

forma que en la polarizacin fija.
Desarrolle el anlisis grfico como ejercicio de prctica.

13

Polarizacin mediante divisor de tensin.

Debido a que IG = 0 A, la ley de corriente de Kirchhoff requiere que IR1 =
IR2 y que el circuito equivalente en serie pueda utilizarse para encontrar el nivel de VG. El
voltaje a travs de R2 es igual a VG.
VDD

R1

ID

RD
D
+
G
++

VDS

VGS
R2

VG

RS

Figura 13. Polarizacin mediante divisor de tensin.

VG =

R2VDD
R1 + R2

Ahora apliquemos la ley de voltaje de Kirchhoff en el sentido de las

manecillas del reloj entre R2, el FET y RS
VGS = VG I D RS
El resultado es una ecuacin que todava incluye las mismas dos variables
que incluye la ecuacin Shockley. Hay que dibujar la recta de la ecuacin. Primero est el
hecho de que cualquier en punto a lo largo del eje horizontal de la figura 14 I D = 0mA .
Entonces se est estableciendo un punto en el eje horizontal. Entonces:
VGS = VG I D RS
VGS = VG 0 RS
VGS = VG

14

I D = 0 mA

Siempre que se grafique la ecuacin VGS = VG I D RS , en caso de haber

seleccionado I D = 0mA , el valor de VGS para el dibujo ser de VG volts.
ID (mA)

IDSS

VGS = 0V

Punto Q

VGS = VG - IDRS

ID = 0mA; VGS = VG
VP

+VG

VGS

Figura 14. Trazo de la ecuacin.

Definamos el otro punto:

VGS = VG I D RS
0 V = VG I D RS

ID =

VG
RS

VGS = 0V

El punto anterior est graficado en la figura 14.

Cuando Aumentan los valores de RS dan por resultado valores menores
estables de ID, as como valores ms negativos de VGS
Una vez que se han calculado los valores estables de IDQ y de VGSQ, el
anlisis restante de la red puede desarrollarse de manera usual.
V DS = V DD I D (RD + RS )
VD = VDD I D RD

VS = I D RS
I R1 = I R 2 =

V DD
R1 + R2

15

EJEMPLOS.
1. Calcule lo siguiente para la figura 15.
VGSQ
IDQ
VDS
16V

IDSS = 10mA
VP = - 8V

2k
+
VCE

+
1M

VGS

2V

Figura 15. Configuracin de polarizacin fija.

Solucin:
VGS = VGG = 2V
V
I D = I DSS 1 GS
VP

2V
= 10mA1
= 5.625mA
8V

V DS = VDD I D RD = 16V (5.625mA)(2k ) = 4.75V

Resuelva por mtodo grafico usted mismo.

16

2. Calcule lo siguiente para la figura 16.

VGSQ
IDQ
VDS
20V

IDSS = 8 mA
VP = - 6V

3.3 k
+
VDS

+
VGS
1

1k

Figura 16. Configuracin FET de autopolarizacin.

VGS = - I D R S
Para ID = 4 mA e ID = 8 mA, VGS = -4V y VGS = -8V, respectivamente.
Con esto obtenemos una recta de la ecuacin.
Graficamos la curva de transconductancia y superponemos la recta, como
aparece en la figura 17; la interseccin nos da el resultado.
I DQ = 2.6mA
VGSQ = 2.6V

17

ID (mA)

10
9
8 IDSS
7
6
5
4
3
IDSQ
2 IDSS / 4
1
-8

-7

-6

VP

-5

-4

-3

VP / 2

-2

-1

VGS (V)

VGSQ

Figura 17. Solucin ejemplo 2.

V DS = VDD I D (RS + RD ) = 20V (2.6mA)(1k + 3.3k ) = 8.82V

18

3. Calcule lo siguiente para la figura 18.

VGSQ
IDQ
16V

2.1M

2.4k
+

IDSS = 8mA
VP = - 4V

+
VGS

270k

VDS
-

1.5k

Figura 18. Polarizacin mediante divisor de tensin.

Para las caractersticas de transferencia, si ID = IDSS/4 = 8mA /4 = 2mA,

entonces VGS = VP/2 = -2V. La curva resultante que representa la ecuacin de Shockley
aparece en la figura 19. la ecuacin de la red est definida por
RV
VG = 2 DD
R1 + R2
VG =

(270k )(16V )

2.1M + 0.27 M
VG = 1.82V
y

VGS = VG I D RS

VGS = 1.82V I D (1.5k )

ID = 0 :
VGS = 1.82V

19

ID (mA)

8
7
6
5
4
3

IDSQ = 2.4 mA

2
1
-4

VP

-3

-2

-1

ID = 1.21 mA

VGSQ = -1.8V

VG = 1.82V
(ID = 0mA)

VGS (V)

Figura 19. Clculo de punto Q para la figura18.

ID =

1.82V
= 1.21mA
1.5k

La recta de polarizacin que se obtuvo aparece en la figura19 con los

valores del punto de operacin
I DQ = 2.4mA
VGSQ = 1.8V

20