Fuentes de Luz y Emision Laser

Fundamentos de ptica
Apuntes de ptica
Curso 2010/11
TEMA 3
FUENTES DE LUZ
Y EMISIN LSER
Prof.Dr. E. Gmez Gonzlez

Departamento de Fsica Aplicada III
E.S.Ingenieros - Universidad de Sevilla
2 Ing. Telecom. CAMPOS ELECTROMAGNTICOS PTICA (TEMA 3 Fuentes de luz y emisin lser)
E.G.G. DFA III-ESI 2010/11

UNIVERSIDAD DE SEVILLA
Tema 3: Fuentes de luz y emisin lser
Consideraciones cunticas
Emisin espontnea y absorcin
Emisin estimulada y amplificacin
Inversin de poblacin
Cavidad resonante y modos de funcionamiento
Emisin lser
Coherencia espacial y temporal
Componentes generales y luz emitida
Comparacin con fuentes de luz convencionales (filamento, gas, halgena) y
nuevas fuentes (lmparas de diodos LED, lmparas de bajo consumo, solares)
Tipos de lser
Lser de medio slido (rub)
Lser de gas (He-Ne)
Lser de semiconductor (GaAS)
Almacenamiento ptico de informacin
Aplicaciones en comunicaciones pticas
Otros tipos y aplicaciones. Holografa.
Riesgos en el uso de fuentes de luz lser. Normas legales.
Clasificacin y medidas de seguridad
Dispositivos de proteccin ocular
Estos Fundamentos de ptica han sido especficamente adaptados como Apuntes para el Curso de ptica que imparte el autor en la asignatura Campos
Electromagnticos de Ingeniera de Telecomunicacin de la E.S.Ingenieros de la Universidad de Sevilla. Se recomienda su utilizacin combinada con los
dems materiales y referencias de la asignatura.
Propiedad Intelectual
Estos Apuntes, as como el material contenido en ellos, estn protegidos por las normas vigentes de Propiedad Intelectual y nicamente pueden
destinarse al estudio personal. Para citar la informacin contenida en los mismos debe indicarse:
Gmez Gonzlez, E.: Fundamentos de ptica: Fuentes de luz y emisin lser, Universidad de Sevilla 2006-09.
as como los datos especficos de cada obra detallados en las Referencias indicadas entre corchetes.

Consideraciones cunticas
Los electrones estn alrededor de los ncleos en determinadas rbitas o niveles de energa (definidos por los nmeros cunticos).
En estos niveles, los electrones estn en un estado estable: ni absorben ni emiten energa. Cada nivel tiene una cierta densidad
de ocupacin. Entre cada par de niveles existe una probabilidad de transicin medida por los coeficientes de Einstein. Cuando
un electrn salta de un nivel a otro se produce una radiacin cuya frecuencia () est relacionada con la diferencia de energa entre
los niveles por la frmula de Planck: E = h. Esta radiacin es una onda electromagntica propagndose con la velocidad de la
luz c 3108 m/s. Recordemos que la frecuencia est relacionada con la longitud de onda () de la radiacin por c =
Cada visible es percibida por el ser humano como un color. En el modelo corpuscular, la radiacin emitida est constituida por
fotones.
Emisin espontnea y absorcin

En condiciones normales, la mayora de los tomos de una poblacin se encuentran en su
estado ms bajo de energa (nivel fundamental), pero el resto estn excitados, con
alguno de sus electrones en un nivel superior de energa. Algunos estados son estables y
otros metaestables.
Los tomos que se encuentran en estado excitado emiten espontneamente fotones,
volviendo al nivel energtico inferior. Este proceso es aleatorio, denominndose emisin
espontnea y los fotones emitidos no son coherentes, es decir, no guardan ninguna
relacin de fase (espacial ni temporal) unos con otros,
Cuando sobre un electrn incide radiacin de energa E, tiene lugar un proceso de
absorcin, promocionndose el electrn a un nivel de energa superior.
Emisin estimulada y amplificacin

Si sobre un electrn en un estado excitado incide una radiacin de energa
correspondiente a una cierta diferencia de niveles, el tomo es estimulado a emitir
un fotn de la misma frecuencia y fase. Este es el proceso de emisin estimulada
y al sumarse ambas radiaciones (la incidente y la emitida) tiene lugar la
amplificacin de la radiacin. La emisin estimulada se puede producir en
condiciones normales pero es un efecto muy pequeo porque hay pocos tomos en
estado excitado.

Inversin de poblacin
Algunas sustancias activas tienen una estructura de niveles con ciertas caractersticas
particulares que les permiten alcanzar un estado denominado inversin de poblacin.
Para que se pueda alcanzar, es necesario que haya i) un conjunto de (al menos 3) niveles
relativamente prximos con energas E1<E2<E3, uno de los cuales sea fcilmente
alcanzable (E3), ii) una pareja (E3-E2) con alta probabilidad de transicin por emisin
espontnea y iii) que el nivel intermedio (E2) sea metaestable. La inversin de poblacin es
un estado en el que el nivel de energa metaestable (E2) est superpoblado, con ms
electrones que un nivel inferior (E1). En esas condiciones la probabilidad de que tenga lugar
una emisin estimulada es muy alta, y se pueden obtener muchos fotones coherentes.
Fuentes de luz convencionales

En toda fuente de luz hay una sustancia emisora de la luz (sustancia o
medio activo, MA) y un mecanismo de aporte energtico (AE),
diferente segn el tipo y estado de agregacin de la sustancia activa. Al
excitarse el MA se ocupan los diferentes niveles energticos superiores
y al desexcitarse, emiten la diferencia de energa en forma de radiacin.
Mientras mayor probabilidad de ocupacin tenga un nivel, mayor es la
intensidad de la radiacin procedente del mismo y, en consecuencia,
esa longitud de onda (color) tiene mayor proporcin en la luz emitida.
La luz emitida por una fuente convencional se caracteriza por ser
policromtica: el color es la suma (ponderada) de las diferentes
no colimada, sino resultado de la superposicin de ondas esfricas
elementales
incoherente: espacial y temporalmente
Algunas fuentes de luz naturales (MA + AE):
estrellas (sol): H, He + reaccin termonuclear
llama: proceso de combustin
luminiscencia (inducida): sustancia qumica + luz de adecuada
Algunas fuentes de luz artificiales:
bombilla incandescente: filamento de metal + efecto Joule
tubo fluorescente: mezcla de gases + campo elctrico
diodos LED / lmparas de bajo consumo /

Fuentes convencionales: Tubos de gas (fluorescentes)
[8]

Fuentes convencionales: Lmparas halgenas
[12]
Bombillas incandescencia
Duracin 1000 horas
Luz: amarillenta (3000 K)
Lmparas Halgenas
Duracin 2000 horas
Luz: blanca amarilla (2800-3000 K)
Consumo: 30% menor

Nuevas Fuentes de luz: Lmparas de diodos LED

diodos LED de alta luminosidad
tripletes rojo + verde + azul, con modulacin de intensidades emitidas
luz blanca: triplete RGB con igual peso relativo o diodo UV +
capa de fsforo (single phospor)
Caractersticas
pueden incorporan microlentes
larga duracin: hasta 50.000 horas
fuentes de alimentacin de baja tensin y corriente
constante (muy til en entornos peligrosos o con riesgo
de incendio o explosin)
Aplicaciones
iluminacin arquitectnica (adaptable), focos,
seales (trfico, )
espectculos dinmicos
comunicacin inalmbrica segura 10-100 Mb/s
interaccin biolgica / qumica
Inconvenientes
sensibles al calor (precisan disipacin)
coste
Luz emitida:
elevada saturacin y brillo (reproduce cualquier
color del espectro)
sin radiacin UV e IR: adecuados para materiales
o productos fotosensibles
controlable: espectro, temperatura de color,
polarizacin, patrones espaciales y modulacin
temporal
emisin: hasta 20 lm
Otros tipos:
microleds: 20 m, GaN, 30-550 nm, en arrays
ultraplanos
organic (OLEDs): bajo consumo, montaje sobre soportes
flexibles, dispositivos mviles (telfonos, pda,)
Eficacia luminosa
bombilla incandescencia (60-100 W) 15 lm/W
fluorescente hasta 100 lm/W
LED de alta potencia (1 W) 100 lm/W

Nuevas Fuentes de luz: Lmparas de bajo consumo (magnitudes radiomtricas y fotomtricas en Tema 4)
Caractersticas
consumo elctrico mucho menor
duracin muy superior (6000-10000 horas)
mejor reciclaje
Inconvenientes
contienen pequeas cantidades de mercurio
reciclado
coste por unidad
Luz emitida
alta saturacin y brillo. Temperaturas de color blancoamarillo desde 2700 K 3000 K
algunos tipos no regulables en intensidad
segn el tipo de lmpara emiten
- haces amplios / istropos: medidos en lumen (lm)
- haces direccionales: medidos en candelas (cd)
Eficacia luminosa
muy superior a lmparas convencionales
(incandescencia, halgenas, fluorescentes)
Ej: con consumo elctrico de 20 W producen 1300 lm
mientras que con bombilla incandescente son
necesarios 100 W.

Nuevas Fuentes de luz: Lmparas solares

Elementos
Cpula acrlica
Sensor ptico (deteccin del sol)
Lente concentradora
Posicionador orientable
Fibra ptica de transmisin
Sistema de control
Principales caractersticas
Captacin de luz para iluminacin en interiores
ptica de concentracin (lente) y fibra ptica para
transmisin
Usa la aberracin cromtica para filtrar los UV e IR
Cono de luz emitido por la fibra de unos 58 a unos 2 m
consigue una iluminancia de aprox 500 lux
Un sistema de 12 lentes proporciona un flujo luminoso total
de 4000 lm
Otras tecnologas: mediante espejos
Valores de referencia de Iluminancia (sobre la superficie iluminada)
1000 lux para tareas de detalle (costura)
500 lux para lectura
200 lux para uso recreativo

LSER: Mecanismo especial de emisin de luz. Combina la emisin estimulada y la amplificacin de la radiacin (luz)
emitida en una cavidad resonante. La sustancia activa tiene que poder alcanzar la inversin de poblacin.
Componentes bsicos de un emisor de luz lser:
LASER = Light
Amplification by
Stimulated
Emission of
Radiation
sustancia activa: slido / lquido / gas / plasma

mecanismo de aporte energtico (o sistema de bombeo): depende de la sustancia activa.
Puede ser ptico, elctrico, qumico,
cavidad resonante: compuesta por 2 espejos alineados, uno totalmente reflectante (99.9%)
y el otro semitransparente (refleja 95-97%). La SA est contenida en su interior.
Caractersticas de la luz emitida:
monocromtica: la emisin de
radiacin corresponde (casi
totalmente) a una nica transicin
energtica, por lo que el ancho de
banda (de longitudes de onda) es muy
pequeo, hasta / 10-15
colimada: nicamente se amplifica la
luz emitida en la direccin del eje de la
cavidad resonante, por lo cual la
emisin tiene una divergencia
angular (, en rad) muy pequea
(debida, principalmente, a efectos de
difraccin y defectos de paralelismo
entre los espejos). La seccin del haz
emitido puede ser muy pequea por lo
que la irradiancia puede ser muy alta.
= divergencia angular
(muy exagerada)
coherente: en cada punto de la SA (y

en cada instante) la emisin es
estimulada por lo que hay una relacin
de fase entre la emisin de diferentes
puntos / en otro instante): coherencia
espacial / temporal.
10

Cavidad resonante: la radiacin se

confina en forma de ondas estacionarias, y se
va amplificando por emisin estimulada en
cada ciclo de recorrido hasta que alcanza
suficiente energa para vencer al espejo
semitransparente = emisin de un pulso lser.
Haz emitido
La geometra de la cavidad es muy

importante porque afecta a su estabilidad y a
la ganancia (y, por tanto, a la amplificacin
alcanzable).
Ojo ! Independientemente de la cavidad y
del modo de funcionamiento, el rea (A) de la
seccin transversal del haz emitido determina
su densidad de energa / potencia por
unidad de superficie.
Tiempo
Para transmisin de datos puede modularse la emisin CW pero es preferible usar un lser pulsado.
Potencia (W)
Modo CW
En modo-P se consiguen mayores energas (lseres de alta potencia). Hay varias formas
de controlar la ganancia de la cavidad (y, en consecuencia, el ancho de los pulsos y su
energa):
- gain switched: lmpara de bombeo se enciende/apaga. Pulsos de s / ms
- Q-switched: ganancia de la cavidad en escala temporal. Pulsos de ns
- Modelocked: cavidad en trayecto ida-vuelta, Pulsos de ps fs
Modo P
Energa (J)
Modos de funcionamiento: Si la frecuencia de emisin de los pulsos es muy alta,

el lser emite en modo continuo (continuous wave, CW) y la energa de la
radiacin emitida se caracteriza por su potencia (W). Si se diferencian los pulsos,
se dice que emite en modo pulsado (pulsed mode, P) y se caracteriza la energa
por las propiedades de cada pulso: energa por pulso (J), frecuencia de repeticin
(Hz) y ancho de pulso (s).
En Modo CW, si el lser emite una potencia

P, se define la irradiancia como
I = P / A (W/m2)
La irradiancia se puede aumentar si,
mediante una lente a la salida del haz, se
reduce su seccin, alcanzndose hasta
1015 W/m2
Tiempo
11

Tipos de emisores lser. Dependen de la sustancia activa (SA) y del mecanismo de aporte energtico (sistema de
bombeo, SB). Puede conseguirse emisin lser en (casi) todo el espectro ptico. Los tipos ms comunes son
lser de medio slido: Primer lser operativo (T. Mainman, 1960). La SA es un slido cristalino. Como sus tomos/molculas
estn en las posiciones de una red cristalina, los niveles de energa son lneas discretas y la emisin es muy monocromtica. El
SB es la luz emitida por una lmpara cuyo espectro de emisin contiene, justamente, las requeridas para excitar a la SA. El
SB es bombeo ptico: una lmpara flash (estroboscpica) cuya frecuencia e intensidad de destellos determina las
caractersticas de la luz lser emitida. Emiten en modo pulsado y pueden conseguirse niveles de energa muy altos, con pulsos
del orden de 5J y potencias ~ 1012 W. Pueden ser de pequeo tamao. Se usan en aplicaciones industriales (corte, soldadura,
). El ms conocido es el lser de rub en el que la SA es una varilla de rub (xido de aluminio dopado con cromo) y el SB es
una lmpara de xenon. Emite una = 694.3 nm. Otro muy usado es el de Nd:YAG, con ~ 1064 nm.
lser de gas: la SA es una mezcla de gases. El SB es un campo elctrico creado por una diferencia de potencial (fuente de
alta tensin) entre electrodos en los extremos del tubo que contiene a la SA. Los iones (o electrones) de uno de los
componentes de la mezcla se aceleran hasta alcanzar la energa cintica necesaria para excitar (por colisiones inelsticas) a
las molculas del otro componente. Emiten un haz cilndrico, en modo CW, con potencias bajas-medias (hasta kW). Diferentes
mezclas de gases producen la emisin en diferentes . Requieren el recipiente de contencin del gas a presin. El ms
conocido es el de He-Ne (proporcin 7:1, presin ~ 1 torr) que emite ~ 632.8 nm. Otros son de vapor de Cd, Ar, CO2 (alta
potencia). Muy utilizados en anlisis qumico / ambiental, sistemas mdicos, lectores de cdigos de barras, usos industriales,
lser de semiconductor (lser de diodo, Injected Laser Diode ILD): la SA es la regin de unin de una pareja de capas de
semiconductor p-n. El SB es una densidad volumtrica de corriente que atraviesa a la SA. Puede conseguirse que esta
densidad sea alta con intensidades de corrientes pequeas (como las de una pila botn) si el volumen del semiconductor es
muy pequeo, por lo cual estos lseres son de tamao muy reducido. Como el diagrama de niveles es de bandas, son menos
monocromticos que los otros tipos. Emiten en modo CW o pulsado, energas ~ 30 mJ/pulso, con ancho de pulso ~100 ns y
potencia ~ 50 W. Son muy fcilmente modulables, hasta 1012 Hz. Habitualmente utilizados para transmisin de datos y en
sistemas mdicos. La cavidad resonante se forma recubriendo con material reflectante las paredes del semiconductor por lo
que el haz emitido tiene seccin aproximadamente rectangular y una divergencia angular mayor que los otros tipos de lser,
~20 rad. Suele aadirse un elemento ptico de colimacin del haz emitido. No confundir con diodo LED. El ms conocido es el
de GaAs que emite ~ 690 / 870 nm, muy adecuado para transmisin por fibra ptica. Otros emiten en el IR.
Otros tipos:
lser de colorante (medio lquido). Tienen la gran ventaja de que son sintonizables: se puede cambiar la emitida mediante la
modificacin de la composicin de la mezcla lquida que forma la SA. Son complejos (tuberas, recipientes) y de gran tamao.
otros: lseres de gel, de rayos X, nucleares,
12

Lser de medio slido
Lser de semiconductor
[1]
ILD = Injected Laser Diode
(r = 100%)
Dimetro ~ 0.5 cm
Longitud ~ 5 cm
Lser de Rub
Bombeo ptico:
Iluminacin con luz
de una lmpara de
Xe (lser de rub) o
de yoduro de
tungsteno (lser de
NdYAG).
Lser de Nd:YAG
(r = 99.9%)
Rojo
[1]
GaAs: rojo - IR
~ 690 / 870 nm, P~50 mW
comunicaciones / imagen alta velocidad
GaN: azul
~405-410 nm, P~30 mW
DVD blu-ray disc
OJO! No confundir con
AlGaInP: rojo
LED = Ligth Emitting Diode
~635670 nm, P~220 mW
CD-ROM
AlGaAs: IR
~780830 nm, P~220 mW
CD-R/RW
13

Lser de gas
e-
[1]
Para conseguir la emisin de luz con polarizacin controlada, los extremos del
recipiente del gas se tallan en forma de ventanas correspondientes al ngulo de
Brewster. El haz emitido tiene polarizacin plana (aunque se pierde energa luminosa).
He-Ne ~ 632.8 nm, P~ W

aplicaciones industriales
Ar+: ~ 515 nm, P~10 W
aplicaciones mdicas
He-Cd: ~ 442 nm, P~10 mW
anlisis ambiental (polucin, )
CO2: ~ 10.2 m, P~ kW
cortes, taladros,
14

Distribucin espacial de la energa de un haz lser

La distribucin espacial de la luz emitida en una seccin transversal del haz depende de los modos electromagnticos (modos
TEM) de la cavidad. En general, y especficamente para la transmisin de datos por una fibra, interesa conseguir el modo TEM00
porque tiene un perfil de intensidad gausiano.
Irradiancia (W/m2) en la seccin del haz
[4]
[1]
En modo CW est dada por el cociente entre la potencia (luminosa

P) y la seccin (A) del haz (suele ser circular). Debido a la
divergencia angular () del haz, la irradiancia (I) disminuye al
aumentar la distancia al emisor, aunque en muchas aplicaciones
puede considerarse = 0 y la seccin del haz constante. Si interesa
concentrar el haz se usa una lente convergente, que reduce A.
Ej. Un puntero lser consta de un lser de semiconductor de

P = 3 mW que forma un punto de 2 mm de dimetro sobre la
pantalla. Su irradiancia es
P
P
I= =
= ... = 9.6 10 2 W/m 2 1000 W/m 2
2
A R
La energa total incidente sobre la superficie iluminada es el producto de la
irradiancia por el tiempo de duracin de la exposicin. El valor de I 750 1000
W/m2 corresponde a la irradiancia del sol a nivel del mar (!!). Para un adulto
sano, este es el valor mximo tolerable en el sistema ocular, y es el lmite
mximo de proteccin del ojo mediante el reflejo de aversin ocular y
parpadeo (tarda unos 0.25 s). Valores superiores de irradiancia pueden ser muy
peligrosos y causar daos irreversibles porque en el tiempo que tarda el reflejo en
activarse ya ha entrado suficiente energa como para producir dao en la retina.
Incidencia sobre una superficie

Segn la y la rugosidad de la superficie puede
producirse reflexin especular o difusa. Esto es
muy importante para determinar el riesgo al
exponerse a un haz reflejado, mucho mayor si
es especular (la divergencia angular aumenta
muy poco).
Reflexin especular. no cambia
Reflexin difusa. aumenta mucho.

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Almacenamiento ptico
de informacin: CD / DVD
Disco ptico Compacto (compact disc, CD): consta de una pelcula

(aleacin) de Te, Sn y Pb sobre disco de Al o cristal + capa protectora.
Sucedieron a los discos magnticos (1950) y a los videodiscos (1970).
Escritura: La luz de un diodo lser se concentra (mediante lentes) hasta
alcanzar un nivel de irradiancia sobre la superficie del disco que produce un
punto de quemadura (disco WORM, write once, read many) o una
deformacin local (disco regrabable) correspondiente a cada bit (1/0), a lo
largo de diferentes pistas. Se denomina ablacin lser. Fsicamente, el Te
experimenta un cambio de fase a temperatura ambiente, pasando de
policristalino a amorfo.
Lectura: La ablacin lser provoca un cambio de reflectividad (de especular
a difusa) de la superficie del disco. En el proceso de lectura, el mismo lser
(operando a una potencia inferior) ilumina el disco y la luz reflejada es
redirigida hacia un fotodetector que la interpreta como 1/0 (segn su
intensidad). En los discos regrabables, un calentamiento de la superficie
borra las deformaciones, permitiendo una nueva grabacin.
El tamao del mnimo punto que almacena informacin est dado por la del
lser. Los primeros sistemas (1980) usaban diodos emisores rojo/IR con
~800 nm 17 MB/cm2 . En el ao 2000 se consiguieron semiconductores
que emitan luz azul (blu-ray), con lo que el tamao del punto se reduca casi
a la mitad, aumentando notablemente la capacidad de almacenamiento en el
mismo tamao de disco. ~410 nm 387 MB/cm2.
no tocar !
normal
araazo
polvo
polvo
transparente
16
grasa de
huella dactilar
Proceso ptico de lectura / escritura
Profundidad y extensin de las marcas en el disco

Como la luz reflejada es una seal dbil, para facilitar la
identificacin de las marcas, su profundidad d es tal que se
produzca interferencia destructiva en la incidencia sobre los
flancos (lmites) de la marca. El valor d depende de la , y del
ndice de refraccin de la capa de material sobre el disco. Para
= 780 nm y n = 1.50 la profundidad d ~ 0.12 m = 120 nm.
Estructura de las pistas y

las marcas de grabacin.
Realimentacin para mantener alineamiento

Para poder seguir con precisin las pistas en espiral, separadas ~ 1.5 m, el lser de
lectura/escritura debe contar con un mecanismo de realimentacin para controlar si se
desva. Se basa en una red de difraccin que descompone el haz del lser en uno
central y dos laterales, separados un ngulo tal que los haces laterales inciden sobre
el espaciado inter-pistas. Si el haz de lectura se desva, las seales (reflejadas) de los
haces laterales cambian y se activa un mecanismo de realimentacin y
desplazamiento de las lentes para corregir la direccin de incidencia. Esto permite que
la lectura/escritura sea ms resistente a las vibraciones.
17

Tipos de discos pticos y capacidad de almacenamiento
Prismas
Espejo
semitransparente
M. Fischetti. Investigacin y Ciencia, octubre 2007.

18

Disco magneto-ptico
Disco: pelcula (aleacin) de metales/tierras raras (TbFeCo) con

una estructura de dominios magnticos.
Fundamentos: dos fenmenos fsicos
La orientacin de los dominios magnticos puede cambiarse
con un campo magntico dbil (300 G) si el material ha sido
previamente calentado por un lser hasta su temperatura de
Curie (Tc, a la que tiene lugar la transicin de ferromagntico a
no-ferromagntico). Una vez que el material se enfra, la
orientacin permanece (hasta campos de kG).
si sobre un material ferromagntico incide luz polarizada plana,
el plano de polarizacin de la luz reflejada est rotado un cierto
ngulo (efecto Kerr magneto-ptico), de 0.5-1.0.
Escritura: el lser calienta el material hasta Tc y el cabezal
magntico (electroimn modulado por la seal digital a grabar)
orienta los dominios en ese punto, codificando un 1/0.
Lectura: el haz del lser (polarizado) incide sobre el material

ferromagntico. La luz reflejada se hace pasar por un polarizador
e incide sobre un detector (en montaje diferencial porque son
seales muy dbiles). Segn su polarizacin se interpreta si la
seal ha sido reflejada en un punto magnetizado o no (1/0).
Ej: La superficie del disco se mueve con velocidad ~ 1 m/s
respecto al haz lser y cada marca es un cilidro de L ~ 1 m y R
~ 1 m. El material ferromagntico tiene temperatura de Curie
TC = 600 K, calor especfico Ce = 300 J/(K oC) y densidad =
2103 kg/m3. Con estos datos, el haz lser debe producir una
irradiancia I ~ 108 W/m2.
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Riesgos en el uso de fuentes de luz lser. Normas legales.

Riesgos debidos a la radiacin ptica
Ocular: La exposicin aguda (puntual) a algunas longitudes de onda (290-400nm) y/o potencias puede causar
quemaduras en la crnea, la retina o ambas. La exposicin crnica (prolongada) a niveles excesivos puede causar
opacidad en la crnea o en el cristalino (cataratas) o dao retinal. La franja de dao retinal es de 400-1400 nm. Los efectos
visuales pueden no ser evidentes hasta que el nivel de dao trmico sea muy alto. La exposicin al lser Nd:YAG Qswitched (1064 nm) es particularmente peligrosa.
Drmico: La exposicin aguda a altos niveles de radiacin ptica puede causar quemaduras en la piel. Para potencias 1 W 5 W el dao inicial es superficial. Para potencias superiores el dao profundo es inmediato. La carcinognesis puede ocurrir
para longitudes de onda ultravioleta (290-320 nm).
Otros riesgos
Qumico: Algunos lseres necesitan sustancias peligrosas o txicas para su funcionamiento (p.ej.: lseres de colorante o
lseres de excmero). Los lseres pueden inducir reacciones qumicas con liberacin de productos peligrosos gaseosos (F).
Elctrico: La mayora de los lseres utilizan fuentes de alto voltaje que pueden ser letales. Fuentes defectuosas de >15 kV
pueden emitir rayos-X.
Incendio: Los disolventes utilizados en los lseres de colorante son inflamables. Las lmparas de flash o de alto voltaje
puede ocasionar ignicin. Los materiales inflamables pueden entrar en ignicin debido a incidencia directa o reflexiones
especulares de lseres infrarrojos continuos de alta potencia.
Los lseres se clasifican por su potencial de riesgo basado en su emisin ptica. Otros riesgos hay que evaluarlos por
separado (Low Voltage Directive, Radio &Telecom.Terminal Equipment Directive, Machinery Directive)
Las medidas de seguridad necesarias vienen determinadas por esta clasificacin y son obligatorias legalmente
A nivel internacional las normas las definen la Comisin Electrotcnica Internacional (IEC) y la Organizacin Internacional de
Estandarizacin (ISO) y sus anlogos europeos (CENELEC y CEN), siendo adaptadas por los organismos nacionales de
cada pas.
hay que consultarlas siempre !! buscar las ltimas actualizaciones !!
Algunas son:
EN 60825-4:2006 - protecciones
EN 60825-1:2007 fabricante, clasificacin
EN 207:1999, EN 208:1999 protectores oculares
EN 60825-2:2004 sistemas de fibra ptica
Directiva sobre Exposicin a Radiacin ptica Artificial (AORD)
EN 60825-12:2004 comunicaciones areas
2006/25/EC a implementar antes del 27/4/10.
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Criterios de clasificacin de los lseres (segn su riesgo)

1. Longitud de Onda. Si el lser emite en mltiples longitudes de onda, la clasificacin se basa en aquella ms peligrosa.
2. Se diferencia si se trata la exposicin directa o a la luz reflejada y si es reflexin especular o difusa.
3. Para clasificar los lseres de onda continua (continuous wave, CW) o los lseres pulsados repetitivos se consideran la
potencia promedio de salida (average power output) (W) y el tiempo de exposicin lmite (limiting exposure time)
inherentes al diseo.
4. Para clasificar los lseres pulsados se consideran la energa total por pulso (J), la duracin (ancho) del pulso , la
frecuencia de repeticin de pulsos y la exposicin radiante del haz emergente (emergent beam radiant exposure).
5. Cada Clase tiene tabulado un Lmite de Emisin Accesible (Accesible Emission Limit, AEL) .
6. La Exposicin Mxima Permitida (Maximum Permitted Exposure, MPE) se define como El nivel de radiacin lser al que
una persona puede estar expuesta sin sufrir efectos peligrosos o cambios biolgicos adversos en el ojo o en la piel. La MPE
no es una lnea de diferenciacin entre una exposicin segura y una peligrosa, sino que representa los niveles mximos que,
segn el acuerdo de los expertos, pueden ser ocupacionalmente seguros para exposiciones repetidas. La MPE, expresada en
[J/cm2] or [W/cm2], depende de los parmetros del lser. La Zona de Riesgo Nominal (nominal hazardous zone, NHZ) es la
zona donde se supera la MPE. Debe estar sealizada y restringida (segn la Clase).
Con los criterios anteriores se generan las 4 Clases (7 niveles) de riesgo lser (p. siguiente). Hay que tener en cuenta que
1. La clasificacin solo es vlida para el uso normal del equipo. Las operaciones de servicio y mantenimiento o desmontaje
(incluso parcial) o una rotura (por ejemplo, en una fibra ptica) pueden hacer que los niveles de exposicin sean superiores.
2. El uso de gafas o cualquier otro instrumento ptico puede reducir la seccin del haz, aumentando su irradiancia y hacer que el
nivel de exposicin real de un usuario sea superior al correspondiente al nivel del sistema lser.
3. Requieren especial atencin con los dispositivos lser emisores de haces no visibles (IR, UVA). A veces se usan haces visibles
paralelos o tarjetas luminiscentes para marcar la trayectoria del haz no visible. Ej: sistemas de fibra ptica.
4. La Directiva AORD impone realizar una evaluacin de riesgo para los equipos de Clases 3B y 4. Esto no quiere decir que no
sea tambin necesaria para equipos de clase inferior, especialmente si es posible que los usuarios puedan superar los niveles
de exposicin admisibles.
5. El nivel de riesgo permisible depende del entorno y uso. Para entorno abierto (unrestricted locations) en el rango de 400 nm a
700 nm la Clase es 2 y para todas las otras longitudes de onda es Clase 1.
21

Clase* / POTENCIA / rango de
Clase 1
SEGURO
Visible / no visible
Clase 1M
SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE
AYUDA A LA VISIN
302.5 nm hasta 4000 nm
Clase 2
BAJA POTENCIA
Slo visible
Clase 2M
SEGURO SIN DISPOSITIVOS DE
AYUDA A LA VISIN
Slo visible
Clase 3R
BAJA /MEDIA POTENCIA
Clase 3B
MEDIA /ALTA POTENCIA
Clase 4
ALTA POTENCIA
Caractersticas
Lser seguro en condiciones de uso normal. Generalmente contiene un lser de clase
superior en una carcasa no accesible sin desmontarla. Nunca supera la MPE.
Lser seguro en condiciones de uso normal. Los haces son altamente divergentes o
colimados pero con gran dimetro. Pueden ser peligrosos si el usuario utiliza algn
dispositivo ptico en el haz.
Para los lseres continuos (CW) la proteccin de los ojos es la dada por la respuesta
de aversin natural, incluyendo el reflejo del parpadeo, que tarda aproximadamente
0.25s en producirse. Estos lseres no son intrnsecamente seguros. Para lseres CW,
el AEL = 1 mW (o superior si la exposicin es menor de 0.25s). Ej.: punteros.
La proteccin de los ojos es la dada por la respuesta de aversin natural, incluyendo
el reflejo del parpadeo, que tarda aproximadamente 0.25s en producirse. Los haces
son altamente divergentes o colimados pero con gran dimetro. Pueden ser peligrosos
si el usuario utiliza algn dispositivo ptico en el haz.
Se considera seguro si se maneja cuidadosamente y sin visin directa. Puede
superarse la MPE pero con bajo riesgo de dao. Para lseres CW, el AEL = 5 mW.
Proteccin ocular recomendada.
La visin directa del haz (o reflexin especular) es siempre peligrosa. La visin de
reflexin difusa es normalmente segura si el ojo est a ms de 13 cm de la superficie
difusora y si la exposicin es menor de 10 s. Para lseres CW, el AEL = 500 mW.
Para lseres pulsado entre 400-700 nm el lmite es 30 mJ. Requieren protector ocular,
llave para funcionar e interruptor de seguridad.
La visin directa del haz (o reflexin especular) es siempre peligrosa. Las reflexiones
directa y difusa son tambin peligrosas. Riesgo ocular y drmico. Peligro de incendio.
Requieren protector ocular, llave para funcionar e interruptor de seguridad.
*Esta clasificacin coexiste con una Clasificacin (anterior) norteamericana que define las Clases I, II, IIa, III, IIIa y IV.
22

Precauciones y Medidas de Seguridad

El Etiquetado debe indicar
punto / direccin de salida del haz
tipo (gas / diodo / iones / )
modo (continuo / pulsado)
energa y frecuencia de pulsos / potencia
longitud de onda (y si es invisible)
Clase
advertencias (para piel y ojos) segn Clase
[norma legal de referencia]
advertencias segn sustancias (txicas, inflamables,
) y mecanismo de excitacin (riesgo elctrico, )
23

Dispositivos de proteccin ocular. Son obligatorios (al menos) con sistemas de Clases 3 y 4. Muy recomendables
siempre, especialmente al manipular sistemas con riesgo de exposicin imprevista o no visibles.
Los protectores oculares se fabrican en polmeros o cristales con un absorbente:
1. Los protectores especficos para una longitud de onda no sirven para otra (aunque sean prximas o del mismo color).
2. El fabricante debe sealar el tiempo mximo de resistencia (del protector) a la exposicin indicando:
- modo continuo: potencia y nmero mximo de segundos
- modo pulsado: nmero mximo de pulsos / frecuencia y energa/pulso
3. El material absorbente se degrada con el tiempo: ojo a la fecha de caducidad !!
4. Deben permitir el mximo de visin (mnima atenuacin) en el resto del espectro visible. Para la mayora de las
aplicaciones, no deben atenuar por completo el lser para permitir ver la localizacin del haz.
5. Otros factores a considerar: ngulo de visin y visin perifrica, atenuacin en otras longitudes de onda, posibilidad
de llevar gafas de correccin oftlmica simultneas, resistencia a impactos y salpicaduras, peso y comodidad.
Tipos (comunes) de protectores oculares

Full-view spectacles
(gafas de campo completo)
Goggles
(gafas submarinas)
Lightweight spectacles
(gafas ligeras)
wrap-around spectacles
(gafas envolventes)
24


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