Semiconductores intrnsecos

Un material semiconductor hecho slo de un nico tipo de tomo, se denomina

semiconductor intrnseco.
Los ms empleados histricamente son el germanio (Ge) y el silicio (Si); siendo ste
ltimo el ms empleado (por ser mucho ms abundante y poder trabajar a
temperaturas mayores que el germanio).

Semiconductores extrnsecos
Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de
impurificacin (llamado dopaje), consistente en introducir tomos de otros elementos
con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se
denominar semiconductor extrnseco. Segn la impureza (llamada dopante)
distinguimos:

Semiconductor tipo P : se emplean elementos trivalentes (3 electrones de

valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto
que no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces
covalentes, en la red cristalina stos tomos presentarn un defecto de
electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se
originan huecos que aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red
cristalina. As, al material tipo P tambin se le denomina donador de huecos (o
aceptador de electrones).

Semiconductor
tipo
N:
Se
emplean
como
impurezas elementos
pentavalentes (con 5 electrones de valencia) como el Fsforo (P), el Arsnico
(As) o el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en exceso, los
cuales al no encontrarse enlazados, se movern fcilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina
tambin donador de electrones.