ELECTRONICA 3

DEHYRO MNDEZ CASTRO

PROBLEMA:
En la figura, el transistor de silicio, opera en el punto Q, Vce= 10V, Ic= 1mA. La frecuencia
de operacin es fo= 5MHz. Los parmetros del transistor son los siguientes:

Yit=3.6+ j18 ms
Yot=0.0029+ j 0.6 ms
Yft=29 j 10 ms
Yrt=0 j 0.6 ms
Encontrar los valores adecuados para R1, R2, C1, C2 y CE. Encontrar la Yx adecuada
para unilateralizar al amplificador. Encontrar los parmetros Yc compuestos que resulten.
Encontrar la mxima ganancia de transductor.

En la malla base-emisor:

VBB=Rb . Ib+ 0.7+ Ic . (1)

En la malla colector-emisor:

Vcc=VCE+ Ic . =13 V (2)

hib=

26 mV 26 mV
=
=26(3)
Ic
1 mA

Por criterio de estabilidad

Rb=0.1hfe(4 )
i

Ib=

Ic
(5)
hfe

Reemplazando (4) y (5) en (1)

VBB=

0.1hfeIc
+0.7+ Ic .
hfe
VBB=0.1Ic+0.7 + Ic. =4 V ( 6 )

Como

Ib Ic Ib=0.005 Ic=5uA (7)

Reemplazando (7) en (5)

hfe=

Ic 1 mA
=
=200(8)
Ib 5 uA

Reemplazando (8) en (4)

Rb=0.12003 k=60 k (9)

Como:

VBB=

R 2=

VccRb
R1

Rb
(10)
Rb
1
R1

R 1=

VccRb 1360 k
=
=195 k ( 11 )
VBB
4

Reemplazando (9) y (11) en (10)

R 2=

60 k
=86.66 k
60 k
1
195 k

Luego

hie=hfe. =20026=5.2 k (12)

'

R =( Rb hie)+200=4985.27(13)
C 1=

1
1
=
=6.385 pf
'
2 . fo . R 2 ( 5 M )( 4985.27 )

C 2=

1
=15.91 pf
2 (5 M )(2 k )

R' ' =

R 1 R 2 Rs
+hib=26.996
hfe
' ''

''

R = R =26.7559

CE=

1
1
=
=1.1896 nf
2 foR ' ' ' 2 5 M26.7559

Para obtener la Yxf, sta debe ser igual en magnitud a Yrt, pero opuesta en signo:

Yxf =Yrt
Por lo que se emplea una bobina para unilateralizar:

Yxf = j

1
1
1
0.6 ms=
ln=
=53.05 uH
wLn
2 ( 5 M ) ln
2 (5 M ) ( 0.6 ms )

Luego:

XL n XC n XC n=0.05 XLn

1
1
=0.05 L C n=
=381.98 pf
wCn
0.05 ( 2 5 M )2 (53.05 uH )

Por lo que:

Yif =Yof =Yxf = j0.6 ms

Yff =Yrf =Yxf = j0.6 ms

Los Yc compuestos son:

Yrc=Yrt +Yrf = j0.6+ j 0.6 ms=0

Yic=Yit+ Yif =3.6+ j18 j0.6 ms=3.6+ j17.4 ms
Yoc=Yot +Yof =0.0029+ j0.6 j0.6 ms=0.0029 ms
Yfc=Yft +Yff =29 j10+ j 0.6 ms=29 j 9.4 ms
La mxima ganancia de transductor es:

Yf 2
929.36
=
=22254.78
4. gi . go 4 (3.6)(0.0029)
MAG=