aren % MAKRON Books Capitulo 1 Introdugao 11 APLICAGOES DA ELETRONICA DE POTENCIA A demanda pelo controle de energia elétrica para sistemas de acionamento de maquinas elétricas e controles industriais existe hd muitos anos e isto conduziu ao desen- volvimento do antigo sistema Ward-Leonard para se obter uma tensao CC varidvel utili- zada no controle dos acionamentos de maquinas CC. A eletrénica de poténcia revolucionou o conceito de controle de poténcia para a conversao de energia e para o controle dos acionamentos das méquinas elétricas A eletrénica de poténcia combina poténcia, eletrénica e controle. O controle trata das caracteristicas dinamicas e de regime permanente dos sistemas de malha fechada. A poténcia cuida de equipamentos de poténcia rotativos e estaticos para a geracao, transmissao e distribuicao de energia elétrica. A eletrdnica trata dos dispositivos e circuitos de estado sélido para o processamento de sinais que permitam alcangar os objetivos de controle desejados. A eletrénica de poténcia pode ser definida como a aplica- c40 da eletrénica de estado sélido para o controle e conversao da energia elétrica. O inter-relacionamento da eletrdnica de poténcia com a energia, a eletrénica e o controle é mostrado na Figura 1.1. Aeletrénica de poténcia 6 primariamente baseada no chaveamento dos dispo- sitivos semicondutores de poténcia. Com o desenvolvimento da tecnologia dos semicon- dutores de poténcia, as capacidades nominais e a velocidade de chaveamento dos dispositivos de poténcia melhoraram enormemente. O desenvolvimento da tecnologia de microprocessadores/microcomputadores teve grande impacto no controle e na sinte- tizacdo da estratégia de controle para os dispositivos semicondutores de poténcia. Os2 Eletrnica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivas e Aplicagdes Cap. 1 equipamentos de eletrénica de poténcia modernos usam (1) semicondutores de poténcia, que podem ser considerados como o mtisculo, e (2) a microeletrénica, que tem a inteli- géncia do cérebro. Figura 1.1 Relagao da eletronica de poténcia com a energia, a eletrinica eo controle. Eletronica Controle Analégico/ Digital Y ’ Dispositivos/ Equipamentos de Circuitos re Poténcia Eletrénicos Estaticos/Rotativos de Poténcia Aeletrénica de poténcia jé encontrou um lugar importante na tecnologia mo- derna, sendo usada em uma grande variedade de produtos de alta poténcia, incluindo controle de aquecimentos, controle de iluminagGes, controle de maquinas elétricas, fon- tes de alimentacao, sistemas de propulsao de veiculos e sistemas de corrente continua em alta tensao (do inglés high voltage direct-current - HVDC). E dificil definir os limites para as aplicagdes da eletrnica de poténcia; especialmente com a atual tendéncia no desen- volvimento de dispositivos de poténcia e microprocessadores, o limite superior é indefi- nivel. A Tabela 1.1 mostra algumas aplicacées da eletrénica de poténcia.Cap.1 Introdugiio 3 Tabela 1.1 Algumas aplicagées da eletrénica de poténcia. Aceleradores de particulas ‘Acionadores de portas de garagem Acionadores de portas elétricos Acionamento de maquinas elétricas Alarmes Alarmes contra ladres Amplificadores de audio ‘Amplificadores de RF ‘Aquecimento indutivo Bandejas aquecedoras de alimentos Bombas e compressores Brinquedos Caldeiras Carregadores de baterias CC em alta tensao (HVDC) Circuitos de deftexéo de TVs Cobertores elétricos Compensacao de poténcia reativa (VAR compensation) Computadores Condicionadores de ar Contatores de estado solide Controladores de intensidade luminosa (dimmers) Controle das varetas em reatores nucleares Controle de motores de indugao lineares Controles de sinais de transito Controles de maquinas elét Controles de aquecimento Controles de temperatura Correias transportadoras Disjuntores estaticos Eletrodeposicao eletromecanica Eletrodomésticos Eletroimas Empilhadeiras de almoxarifado Excitatrizes de geradores Fabricas de papel Ferramentas manuais de poténcia Fibras sintéticas Flashes Fonégrafos Fontes de alimentagao Fontes de alimentagao em avides Fontes de alimentagao de radares/sonares. Fontes de alimentagao espaciais Fontes de alimentagao solares Fontes de laser de poténcia Fontes fotograicas Fornos Fornos para cimento Fotocdpias. Geradores ultra-sénicos Gravacoes magnéticas Guindastes e elevadores de carga Ignigéo eletrénica lluminagao em alta frequéncia imas Impressoras (de imprensa) Jogos Laminagao de ago Lanternas| Limpadores a vacuo Locomotivas Maquinas de costura Maquinas de iavar Maquinas de vendas Maquinas-ferramentas Mineragao Misturadores Misturadores de alimentos Moedores Mostradores (displays) Movimentadores de pessoas Partida de maquinas sincronas Partida de turdinas a gas Perfuragao de pogos de petréleo Piscadores de iluminacéo Precipitadores eletrostaticos Processos quimicos Projetores de filmes Propaganda Reatores de lampadas a arco de merciirio Refrigeradores Reguladores Reguladores de tenséio Relés de estado sdlido Relés de travamento Relés estaticos Secadores de roupas Secadores elétricos Servo sistemas Sistemas de energia ininterrupta Sistemas de seguranga Solda Sopradores e exaustores Temporizadores Transmissores VLF Transito de massas Trens Unidade de alsance de superficie Veiculos elétricos Ventiladores Ventiladores elétricos Fonte: G. Holt, Semiconductor Power Electronics, Nova Torque, Van Nostrand Reinhold Company, Ines 1986.4 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 1 1.2. HISTORIA DA ELETRONICA DE POTENCIA Ahist6ria da eletrénica de poténcia iniciou-se com a introdugao do retificador a arco de merctirrio, em 1900. O retificador de tanque metélico, o retificador em tubo a vacuo de grade controlada, o ignitron e o tiratron, dispositivos introduzidos gradualmente, foram aplicados para o controle de poténcia até a década de 19: A primeira revolugio da eletrénica comegou em 1948 com a invencao do tran- sistor de silicio, por Bardeen, Brattain e Schockley da Bell Telephone Laboratories. A maioria das tecnologias da eletronica avangada de hoje remonta a origem dessa inven- cao. A microeletrénica moderna evoluiu a partir dos semicondutores de silicio. A proxi- ma grande descoberta, em 1956, foi também da Bell Laboratories: a invengao do transistor dispardvel PNPN, definido como tiristor ou retificador controlado de silicio (do inglés silicon-controlled rectifier ~ SCR). A segunda revolugao da eletronica iniciou-se em 1958 com o desenvolvimento do tiristor comercial pela General Electric Company. Comegava uma nova era para a eletrénica de poténcia. Desde entao, muitos tipos diferentes de dispositivos semicondu- tores de poténcia e técnicas de conversdo foram introduzidos. A revolucao da microele- trénica deu-nos a capacidade de processar uma enorme quantidade de informacées a uma incrivel velocidade. A revolugio da eletrénica de poténcia est nos dando também a capacidade de controlar e determinar a forma de grandes quantidades de poténcia com uma eficiéncia sempre crescente. Devido ao casamento da eletrénica de poténcia, o muisculo, com a microeletrénica, 0 cérebro, muitas aplicagdes potenciais da eletrénica de poténcia esto agora emergindo, e esta tendéncia continuara. Nos préximos 30 anos, a eletrénica de poténcia daré forma e condicionara a eletricidade, em algum lugar na linha de transmissao, entre sua geracao e todos os seus usuarios. A revolugao da eletronica de poténcia ganhou impeto entre o final da década de 1980 e o inicio da de 1990. Uma historia cronolégica da eletrénica de poténcia é mostrada na Figura 1.2. 1.3 DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES DE POTENCIA Desde o primeiro tiristor, o retificador controlado de silicio (SCR) desenvolvido no final de 1957, houve tremendos avangos nos dispositivos semicondutores de poténcia. Até 1970 os tiristores convencionais eram usados exclusivamente para 0 controle de poténcia em aplicacées industriais. Desde 1970, varios tipos de dispositivos semicondutores de poténcia foram desenvolvidos e tornaram-se comercialmente disponiveis. Estes em geral podem ser divididos em cinco tipos: (1) diodos de poténcia, (2) tiristores, (3) transistores de juncio bipolares (BJTs), (4) MOSFETs de poténcia, (5) transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) e transistores de indugao estatica (SITs). Os tiristores podem ser subdivi- didos em oito tipos: (a) tiristor de comutagao forgada, (b) tiristor comutado pela rede, (c) tiristor de desligamento pelo gatilho (GTO), (d) tiristor de conducao reversa (RCT), (e) tiristor de indugao estatica (SITH), (f) tiristor de desligamento auxiliado pelo gatilho (GATT), (g) retificador controlado de silicio ativado por luz (LASCR) e (h) tiristores controlados por MOS (MCTS). Os transistores de indugao estatica estao também dispo- niveis comercialmente.Cap. 1 Introducio “Quaurdojaaag pur ypreasay 107 19}UaD aassouUIay op vISa}I09) PDUa}od ap vaTUONAT ep CHOISY —Z"E INST6 Eletronica de Poténcia - Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 1 Os diodos de poténcia sao de trés tipos: genéricos, alta velocidade (ou de recuperacao répida) e Schottky. Diodos genéricos sao fornecidos em até 3000 V, 3500 Ae a faixa dos diodos de recuperacao répida pode ir até 3000 V, 1000 A. O tempo de recuperagao reversa varia entre 0,1 e 5 jts. Os diodos de recuperagao répida sao essen- ciais para 0 chaveamento em alta freqiiéncia dos conversores de poténcia. Um diodo tem dois terminais: um catodo em um anodo. Os diodos Schoitky tém baixa queda de tensio em sentido direto e tempo de recuperacdo muito pequeno, tipicamente de nanossegun- dos. A corrente de fuga aumenta com a faixa de tensao e seus valores nominais estio limitados a 100 V, 300 A. Um diodo conduz quando sua tensao de anodo é maior que a de catodo; ea queda de tensio direta de um diodo de poténcia é muito baixa, tipicamente de 0,5 1,2 V. Sea tensao de catodo é maior que a tensao de anodo, diz-se que o diodo esté no modo de bloqueio. A Figura 1.3 mostra varias configuracdes de diodos genéricos, que so basicamente de dois tipos: o tipo rosca ou rosquedvel (do inglés stud ou stud-mounted) e 0 tipo disco ou encapsulamento prensdvel ou disco de héquei (do inglés disk ou press pak ou hockey puck). Em um tipo rosqueavel, tanto 0 anodo quanto o catodo podem estar do lado da rosca. Figura 1.3 Varias configuragées de diodos genéricos (cortesia da Powerex, Inc.) Um tiristor tem trés terminais: um anodo, um catodo e um gatilho. Quando uma pequena corrente passa através do terminal do gatilho para o catodo, o tiristor conduz, contanto que o terminal de anodo esteja em um potencial mais elevado que o do catodo. Uma vez que 0 tiristor esteja no modo de conducio, 0 circuito de gatilho nao tem controle e o tiristor continua a conduzir. Quando o tiristor esta no modo de condugio, a queda de tensao direta é muito pequena, tipicamente de 0,5 a 2 V. Um tiristor em conducao pode ser desligado fazendo-se o potencial de anodo igual ou menor que o potencial de catodo. Os tiristores comutados pela rede sao desligados devido a natureza senoidal da tensao de entrada e 0s tiristores de comutagao forcada sao desligados por umCap. 1 Introdugiio 7 circuito extra, chamado circuito de comutagéo. A Figura 1.4 mostra varias configuragées de tiristores de controle de fase (ou comutados pela rede): dos tipos rosca, disco de héquei, chatos e de pinos. Figura 1.4 Varias configuragdes de tiristores (cortesia da Powerex, Inc.). Os tiristores de comutagao natural ou pela rede séo fornecidos com valores nominais de até 6000 V, 3500 A. O tempo de desligamento (do inglés turn-off time) dos tiristores de bloqueio reverso de alta velocidade foi melherado substancialmente e & possivel ter de 10 a 20 us em um tiristor de 1200 V, 2000 A. O tempo de desligamento é definido como o intervalo de tempo entre o instante em que a corrente principal é diminuida a zero apés 0 chaveamento externo do circuito de tensdo principal e o instante em que 0 tiristor é capaz de suportar uma tensao principal especifica sem ligar novamen- te. Os RCTs e os GATTs sao amplamente utilizados para chaveamento em alta veloci- dade, em especial em aplicacées de tragdo. Um RCT pode ser considerado um tiristor com um diodo em antiparalelo. Os RCTs sao fornecidos em até 2500 V, 1000 A (e 400 A em conducao reversa) com um tempo de chaveamento de 40 jis. Os GATTs sao forne- cidos em até 1200 V, 400 A, com uma velocidade de chaveamento de 8 j1s. Os LASCRs, que sao fornecidos em até 6000 V, 1500 A, com uma velocidade de chaveamento de 200 a 400 us, séo apropriados para sistemas de poténcia de alta tensao, especialmente em HVDC. Para aplicagdes em CA de baixa poténcia, os TRIACS sio amplamente utilizados em todos os tipos simples de controle de aquecimento, controles de iluminagao, de méquinas elétricas e chaves CA. As caracteristicas dos TRIACS sao similares as de dois tiristores conectados em antiparalelo, tendo apenas um terminal de gatilho. A corrente que flui através do TRIAC pode ser controlada em ambos os sentidos. Os GTOs e os SITHs sao tiristores autodesligdveis. Os GTOs e os SITHs sao ligados pela aplicaco de um curto pulso positivo aos gatilhos e desligados pela aplica- co de um curto pulso negativo, também aos gatilhos. Eles ndo requerem nenhum circuito de comutagao. Os GTOs, muito atrativos para comutacdo forcada de con- versores, sio fornecidos em até 4000 V, 3000 A. Os SITHs, cujos valores nominais8 Fletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicacies Cap. 1 podem ser to altos, como 1200 V, 300 A, tém expectativa de aplicagao em conversores de média poténcia, com uma freqiiéncia de vérias centenas de quilohertz e além da faixa de freqiiéncia dos GTOs. A Figura 1.5 mostra varias configuragdes de GTOs. Um MCT pode ser “ligado” por um pequeno pulso de tensao negativa na porta MOS (em relacdo a0 seu anodo) e “desligado” por um pequeno pulso de tensao positiva. Ele é como um GTO, exceto pelo fato de o ganho de desligamento ser muito alto. Os MCTs sao forne- cidos em até 1000 V, 100 A. Figura 1.5 Tiristores de desligamento pelo gatilho ~ GTOs (cortesia da International Rectifiers) Os transistores bipolares de alta poténcia, comumente utilizados em con- versores de poténcia em freqiiéncias abaixo de 10 kHz, séo efetivamente aplicados em faixas de poténcia de até 1200 V, 400 A. As varias configuracGes de transistores bipola- res so mostradas na Figura 8.2 (pg. 322). Um transistor bipolar tem trés terminais: base, emissor e coletor. Ele é normalmente operado como uma chave na configuracao emissor comum. Contanto que a base do transistor NPN esteja em um potencial mais elevado que © emissor e a corrente de base seja suficientemente grande para colocar o transistor na regido de saturagao, o transistor permanece ligado, desde que a juncao de coletor para emissor esteja adequadamente polarizada. A queda de tensdo direta de um transistor em conducgao esté na faixa de 0,5 a 1,5 V. Se a tensao de excitacao da base for retirada, 0 transistor permanecerd no modo de nao-condugao (desligado). Os MOSFETs de poténcia, utilizados em conversores de poténcia de alta veloci- dade, sAo fornecidos em valores de poténcia relativamente baixos, na faixa de 1000 V, 50 A, com uma faixa de freqiiéncia de varias dezenas de quilohertz. Varios MOSFETs de poténcia, de diferentes tamanhos, sio mostrados na Figura 8.21 (p. 346). Os IGBTs so transistores de poténcia controlados por tensao. Eles sao inerentemente mais répidos que os BJTs, mas ainda nao tao rdpidos quanto 0s MOSFETs. Entretanto eles oferecem carac- teristicas de excitagdo bastante superiores e de saida iguais as dos BJTs. Os IGBTs sao apropriados para alta tensao, alta corrente e freqiiéncias de até 20 kHz. Os IGBTs sao fornecidos em até 1200 V, 400 A.Cap. 1 Introducao 9 Um SIT é um dispositivo de alta poténcia e alta freqiiéncia. Ele é essencialmente a versao em estado solido da valvula triodo a vacuo, sendo similar a um JFET. Possui baixo rufdo, baixa distorcao e capacidade de poténcia em altas freqiiéncias de Audio. Os tempos de disparo (do inglés turn-on time) e de desligamento (do inglés turn-off time) sio muito curtos, tipicamente de 0,25 us. As caracteristicas de normalmente ligado e alta queda de tensio em estado de conduco limitam suas aplicagdes em conversdes de poténcia geral. Os valores nominais atuais dos SITs podem ser de até 1200 V, 300 Aea velocidade de chaveamento pode ser da ordem de 100 kHz. Os SITs sao mais apro- priados para aplicacées de alta poténcia e alta freqiiéncia (por exemplo, amplificadores de audio, VHF/UHF e microondas). Os valores nominais dos dispositivos semiconduto- res de poténcia comercialmente disponiveis séo mostrados na Tabela 1.2, em que a resisténcia em estado de conducao do dispositivo é dada pela sua queda de tensao na corrente especificada. A Tabela 1.3 mostra as caracteristicas v-i e os simbolos dos dispo- vos semicondutores de poténcia comumente utilizados. Tabela 1.2 Valores nominais de dispositivos semicondutores de poténcia. Resistén- Fre- Tempo ciaem Especificagio —qiiéncia. © de cha-__—estado de Tensao/ superior veamento_ condugao Tipo Corrente (Hz) (us) ) Diodos Genéricos 5000 V/5000 A 1k 100 0,16 m Alta velocidade 3000 V/1000 A, 10k 25 1 om Schottky 40 V/60 A 20k 023° 10 m Tiristores com —_Bloqueio reverso 5000 V/5000 A 1k 200 0,25 m desligamento Alta velocidade 1200 V/1500 A 10k 20 0,47 m forcado Bloqueio reverso 2500 V/400 A 5k 40 216m Condugao reversa 2500 V/1000 A 5k 40 24m GATT 1200 V/400 A 20k 8 2,24m Disparados por luz 6000 V/1500 A 400 200-400 0,58m TRIACs 1200 V/300 A 400 200-400 3,57 m Tiristores @To 4500 V/3000 A 10k 15 25 m autocomutados —SITH 4000 V/2200 A 20k 65 575m Unico 400 V/250 A 20k 9 40m Transistores de 400 V/40. A 20k 6 31 om poténcia 630 V/50 A 25k 17 15m Darlington 41200 V/400 A 10k 30 10. m sits 1200 W/300 A 100k 0.55 12 MOSFETS de — Unico 500 V/8,6 A 100k 07 06 poténcia 1000 W/4,7 A 100k 0.9 2 500 V/50 A 100k 06 04 m IGBTs Unico 1200 V/400 A 20k 23 50 om MCTs Unico 600 Vi60 A 20k 22 18 om Fonte: F Harashima, “State of the art on power clecronics and clectrical drives in Japan’, em 3a IFAC Symposium: on Control in Power Electronics and Electrical Drives, Lausanne, Suica, 1983, pp. 23-33.10 Eletrénica de Poténcia — Circuitos, Dispositivos e Aplicagées Cap. 1 As folhas de dados (do inglés data sheets) para um diodo, SCR, GTO, BJT, MOSFET, IGBT e MCT, sao dadas no Apéndice G. A Figura 1.6 mostra as aplicagdes e a faixa de freqiiéncia dos dispositivos de poténcia. Um dispositivo de poténcia ideal deve (1) ter uma queda de tensao zero em estado de conduco, (2) suportar uma tensio infinita em estado desligado, (3) tratar com uma corrente infinita e (4) “ligar” e “desli- gar” em tempo zero, tendo, portanto, velocidade de chaveamento infinita. " 100M — Fama ats Peace Figura 16 Tn Prot e Paso erent Aplicagdes tom dos dispositivos iM depoténcia = (cortesiada Powerex, 100K Inc.). 3 2 wx % & Suet” | aes oY one 1K Go hy ene ent a fH i genoa? 10 100 1K 10K 100k 1M Freqiéncia de operagao (Hz)Cap. 1 Introdugao Tabela 1.3 Caracteristicas e simbolos de alguns dispositivos de poténcia. Dispositivos Simboios Curvas caracteristicas Ato K Diodo o>} 7a Vax Van Disparado pelo ee Lae Tiristor s Vax & K 0 s sITH acpi Disparado pelo i ha if ‘alien To eee a an Vax McT eae Ts hf 7 Disparado pelo hs at Disparado Ne | aese”/ th 7 Disparado pelo S atitho LASCR A XW K LO w Ne Transistor ip ke Be toa oy loss bipolar pe NPN ou \ BUT NPN Tit © A tos fic fe Vesey oo ae Mi E Vee 7 e lo v MOSFET ose de Canal N a oy —Z > Vase s 9 vo5 7 io J Vos: 0 an 0 is12 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicages Cap. 1 1.4 CARACTERISTICAS DE CONTROLE DOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Os dispositivos semicondutores de poténcia podem ser operados como chaves aplican- do-se sinais de controle aos terminais de gatilho dos tiristores (e as bases dos transistores bipolares). A saida desejada é obtida variando-se 0 tempo de condugio desses disposi- tivos de chaveamento. A Figura 1.7 mostra as tenses de saida e as caracteristicas de controle dos dispositivos de chaveamento de poténcia comumente utilizados. Uma vez que 0 tiristor esteja no modo de condugio, o sinal de gatilho de amplitude tanto positiva quanto negativa nao tem efeito, ¢ isso é mostrado na Figura 1.7a. Quando um dispositivo semicondutor de poténcia est4 em um modo de condugao normal, hé uma pequena queda de tensdo sobre ele. Nas formas de onda de tensao de saida da Figura 1.7, essas quedas de tensio sao consideradas despreziveis, a menos que especificadas; essas supo- sicGes sao feitas em toda a parte nos capitulos seguintes. Os dispositivos de chaveamento de poténcia podem ser classificados com base em: 1. disparo e desligamento nao-controlados (por exemplo, diodos); 2. disparo controlado e desligamento nao-controlado (por exemplo, SCR); 3. _caracteristicas de disparo e desligamento controlados (por exemplo, BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT); 4. _ necessidade de sinal continuo de porta (por exemplo, BJT, MOSFET, IGBT, SIT); 5. _necessidade de pulso de gatilho (por exemplo, SCR, GTO, MCT); 6. capacidade de suportar tensio bipolar (por exemplo, SCR, GTO); 7. capacidade de suportar tensio unipolar (por exemplo, BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT); 8. capacidade de corrente bidirecional (por exemplo, TRIAC, RCT); 9. capacidade de corrente unidirecional (por exemplo, SCR, GTO, BJT, MOS- FET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diodo).Cap.1 Introdugio 13 % Figura 1.7 Caracteristicas Ay. of! t de controle de pc dispositivos de 7 * ‘ chaveamento vf de poténcia. Tiistor Ye 7 : i ia {b) GTOMCTISITH como chave (para o MCT a polaridade de V, @ invertda, como mostrado} rhe : zy, : ol —! tet |» \. ve 5 as ly, - = ° : {@) Transistor como chave 4 T + © \oer 6 cel q eee ole oc e h 7 3 a - ~ ° t Tt (a) MOSFET/IGBT como chave“4 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 1 1.5 TIPOS DE CIRCUITOS EM ELETRONICA DE POTENCIA Para 0 controle ou 0 condicionamento de energia elétrica, a conversdo de poténcia elétrica de uma forma para outra é necessdria e as caracteristicas de chaveamento dos dispositivos de poténcia permitem essas conversdes. Os conversores estaticos de energia realizam essas funcdes de conversao de poténcia. Um conversor pode ser considerado uma matriz de chaveamento. Os circuitos de eletrénica de poténcia podem ser clas- sificados em seis tipos: 1. _retificadores com diodos; 2. conversores CA-CC (retificadores controlados); 3. conversores CA-CA (controladores de tensao CA); 4, conversores CC-CC (choppers); 5. conversores CC-CA (inversores); 6. chaves estaticas. Os dispositivos nos conversores a seguir sio usados apenas para ilustrar os principios basicos. A aco de chaveamento de um conversor pode ser realizada por mais de um dispositivo. A escolha de um dispositivo particular dependera das exigéncias de tensio, corrente e velocidade do conversor. Retificadores. Um circuito retificador com diodos converte tensao CA em uma tensio CC fixa e é mostrado na Figura 1.8. A tensdo de entrada para o retificador poderia ser tanto monofasica quanto trifasica. Conversores CA-CC. Um conversor monofésico com dois tiristores em co- mutagao natural é mostrado na Figura 1.9. O valor médio da tensao de saida pode ser controlado variando-se o tempo de conducao dos tiristores ou o atraso do angulo de disparo, o. A entrada poderia ser uma fonte monofésica ou trifésica. Esses conversores Jo também conhecidos como retificadores controlados. Conversores CA-CA. _Esses conversores sao usados para se obter uma ten- sdo CA varidvel de saida a partir de uma fonte CA fixa; um conversor monofésico com um TRIAC é mostrado na Figura 1.10. A tensdo de safda é controlada pela variacao do tempo de condugao do TRIAC ou do atraso do Angulo de disparo, a. Esses tipos de conversores so também conhecidos como controladores de tensiio CA.Cap. Introdugio 15 Figura 1.8 Diodo D, N Circuito Lt tificade = retificador = Vm Sen ot monofésico. Resisténcia de carga Rede p= A yay—__4 CA R - y+ ot Diodo D, (a) Diagrama do circuito (b) Formas de onda de tensao Figura 1.9 Tiristor T, Conversor CACC oe tev cen wt monofésico. Resistencia de carga Rede {$$$ CA + | | R v. -hw oo % Tiistor Tp {2} Diagrama do cicuita {b) Formas de onda de tensio Conversores CC-CC. Um conversor CC-CC é também conhecido como um chopper ow regulador chaveado; um chopper com transistor é mostrado na Figura 1.11. A tensao média de saida é controlada pela variagao do tempo de conducio t, do transistor Qu. Se T 6 0 periodo de operagao do chopper, entao ty = 87.8 é chamado ciclo de trabalho do chopper.16 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 1 Figura 1.10 Vn V,= Vson ot Conversor CACA ot monofésico, TRIAC iS r Rede |v, =V,sen ot Carga cA Mo resistiva || an a . : a a (a) Diagrama do circuito ib) Formas de onda de tensao Conversores CC-CA. Um conversor CC-CA € também conhecido como um inversor. Um inversor monofésico com transistor é mostrado na Figura 1.12. Se os transis- tores Mi e Mz conduzirem por meio perfodo e M3 e My conduzirem na outra metade, a tensao de safda ter a forma alternada. A tensdo de safda pode ser controlada pela variagao do tempo de condugao dos transistores. Figura 1.11 Transistor 1 tea Conversor lee") : cece Fonte cc A 4" ¢ ve oS lily, - Te 0 t Chaves estaticas. Como os dispositivos de poténcia podem ser operados como chaves estaticas ou contatores, a alimentagao para essas chaves pode ser tanto CA quanto CC e as chaves sao chamadas chaves estdticas CA ou chaves CC.Cap. Introdugiio 17 Figura 1.12 t T Conversor CCA t monofasico. = T 7! z (a) Diagrama do circuito (b) Formas de onda de tensao 1.6 PROJETO DE EQUIPAMENTOS DE ELETRONICA DE POTENCIA O projeto de equipamentos de eletrénica de poténcia pode ser dividido em quatro partes 1. projeto dos circuitos de poténcia; 2. protecao dos dispositivos de poténcia; determinagao da estratégia de controle; 4, projetos dos circuitos légico e de controle. Nos capitulos a seguir, varios tipos de circuitos de eletrénica de poténcia sto descritos e analisados. Na andlise os dispositivos de poténcia so considerados chaves ideais, a menos que afirmado o contrdrio; e os efeitos da indutancia de dispersao do circuito, de suas resisténcias e da indutancia da fonte sao desprezados. Os dispositivos de poténcia ¢ circuitos praticos diferem dessas condigdes ideais e os projetos dos circui- tos também sao afetados. Entretanto, no estagio inicial do projeto, a andlise simplificada do circuito 6 muito titil para se compreender a sua operacdo e se estabelecerem as caracteristicas e a estratégia do controle. Antes da construcao de um protétipo, o projetista deve investigar os efeitos dos parametros do circuito (e as imperfeigdes dos dispositivos), devendo, ainda, modificar 0 projeto se necessario, Apenas apés a construcao e 0 teste do protétipo é que o projetista pode confiar na validade do projeto e estimar, mais precisamente, os parametros do circuito (por exemplo, a indutancia de dispersao).18 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagées Cap. 1 1.7 EFEITOS PERIFERICOS As operagées dos conversores de poténcia so baseadas principalmente no chaveamento dos dispositivos semicondutores de poténcia; e como resultado os conversores introdu- zem correntes e tensdes harmdnicas no sistema de alimentagao e na sua safda. Isso pode causar problemas de distor¢ao da tensao de saida, geracac de harménicos no sistema de alimentagao e interferéncia em circuitos de comunicagio e sinalizagao. Normalmente 6 necessdrio introduzir filtros na entrada e na saida de um sistema conversor para reduzir © nivel de harménicos a uma amplitude aceitével. A Figura 1.13 mostra o diagrama em blocos de um conversor de poténcia genérico. A aplicagio da eletrénica de poténcia para alimentar cargas eletrénicas sensi- veis apresenta um desafio na qualidade da energia a ser entregue, apresentando pro- blemas e preocupagées a serem resolvidos pelos pesquisadores. As grandezas de entrada e saida dos conversores podem ser tanto CA quanto CC. Fatores como a distorgao harménica total (do inglés total harmonic distortion - THD), fator de deslocamento (do inglés displacement factor — HF) e fator de poténcia na entrada (do inglés input power factor = IPE) sio medidas da qualidade de uma forma de onda. Para determinar esses fatores, é necessirio encontrar o contetido harménico das formas de onda. Para avaliar a perfor- mance de um conversor, as correntes e tensdes de entrada e saida deste so expressas na série de Fourier. A qualidade de um conversor de poténcia é julgada pela qualidade de suas formas de onda de tensao e corrente. Figura 1.13 Sistema Fonte de | Fito de Ce Fitro de ernrada “4 said conversor de alimentagao ppaténcla Sota poténcia aa genérico. Gerador do sinal de controle ‘de chaveamento, A estratégia de controle para os conversores de poténcia tem um papel impor- tante na geragdo de harmGnicos e na distorgdo da forma de onda de saida e pode ser direcionada & minimizagao ou redugdo desses problemas. Os conversores de poténcia podem causar interferéncia em radiofreqiiéncia devido a radiagao eletromagnética, po- dendo os circuitos de controle gerar sinais erréneos. Esta interferéncia pode ser evitada pela blindagem aterrada.Cap.1 Introdugao 19 1.8 | MODULOS DE POTENCIA Os dispositivos de poténcia sao fornecidos como unidades simples ou em um médulo Um conversor de poténcia sempre requer dois, quatro ou seis dispositivos, dependendo de sua topologia. Os médulos de poténcia com dois (em configuracdo meia-ponte, também chamado dual), quatro (em ponte completa) ou seis (trifasicos) sio fornecidos para quase todos os tipos de dispositivos de poténcia. Os médulos oferecem as vanta- gens de perdas mais baixas em estado de condugao, caracteristicas de chaveamento de altas tensdes e corrente e velocidade maiores que as dos dispositivos convencionais. Alguns médulos ainda incluem prote¢ao contra transientes e ao circuito de excitacao da porta ou do gatilho. 1.9 MODULOS INTELIGENTES Os circuitos de excitagdo da porta so fornecidos comercialmente para excitar disposi- tivos individuais ou médulos. Os médulos inteligentes, que sio o estado da arte em eletrénica de poténcia, integram 0 médulo de poténcia e o circuito periférico. O circuit periférico consiste de uma isolacao entrada/saida e interface do sinal com o sistema de alta tensao, um circuito de excitagao, um circuito de diagnéstico e proteco (contra excesso de corrente, curto-circuito, carga aberta, sobreaquecimento, excesso de tensio), controle por microcomputador e um controle da fonte de alimentacao. Os usudrios necessitam apenas conectar fontes de alimentagao. Um médulo inteligente é também conhecido como smart power. Esses médulos esto sendo cada vez. mais utilizados em eletrénica de poténcia. Alguns fabricantes de dispositivos e médulos sao listados a seguir: Advanced Power Technology Power Integrations, Inc. Brown Boveri Powerex, Inc. Electric /Collmer Semiconductor, Inc. PowerTech, Inc. Harris Corp. RCA Corp. Hitachi Ltd. Semikron International International Rectifier Siliconix, Inc. Marconi Electronic Devices, Inc. Tokin, Inc. Mitsubishi Electric Tokyo Denki Motorola, Inc. Toshiba Corp. National Semiconductors, Inc. Unitrode Integrated Circuits Nihon International Electronics Corp. Westcode Semiconductors Ltd.20 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivos e Aplicagdes Cap. 1 1.10 | PERIODICOS E CONFERENCIAS DE ELETRONICA DE POTENCIA Hé muitos periddicos e conferéncias profissionais nos quais 0s novos desenvolvimentos sao publicados. Alguns deles sao IEEE Transactions on Industrial Electronics IEEE Transactions on Industry Applications IEEE Transactions on Power Delivery IEEE Transactions on Power Electronics IEE Proceedings on Electric Power Journal of Electrical Machinery and Power Systems Applied Power Electronics Conference (APEC) European Power Electronics Conference (EPEC) IEEE Industrial Electronics Conference (IECON) IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (IAS) International Conference on Electrical Machines (ICEM) International Power Electronics Conference (IPEC) Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Power Electronics Specialist Conference (PESC) RESUMO A medida que a tecnologia para dispositivos semicondutores de poténcia e circuitos integrados se desenvolve, o potencial para as aplicagées da eletrénica de poténcia torna- se mais amplo. Ja existem muitos dispositivos semicondutores de poténcia que séo fornecidos comercialmente; entretanto, o desenvolvimento ni sentido é continuo. Os conversores de energia caem geralmente em seis categorias: (1) retificadores, (2) con- versores CA-CC, (3) conversores CA-CA, (4) conversores CC-CC, (5) conversores CC-CA e (6) chaves estaticas. O projeto de circuitos de eletronica de poténcia requer o desen- volvimento dos circuitos de poténcia e de controle. As tensdes e correntes harménicas geradas pelos conversores de energia sao reduzidas (ou minimizadas) com uma escolha adequada da estratégia de controle.Cap.1— Introdugao 21 REFERENCIAS B. K. BOSE, Modern Power Electronics: Evolution, Technology and Applications. Nova lorque: IEEE Press, 1992 “Recent advances in power electronics.” IEEE Transactions on Power Electronics, vol. PE7, n. 1, 1992, pp. 2-16. B. R. PELLY. “Power semiconductor devi status review.” IEEE Industry Applications Society International Semiconductor Power Converter Conference, 1982, pp. 1-19. F. HARASHIMA. “State of the art on power electronics and electrical drives in Japan.” 3rd IFAC Symposium on Control in Power Electronics and Electrical Drives, Lausanne, Suica, 1983, pp. 23-33, GENERAL ELECTRIC. D. R. Grafham, F. B. Golden (eds.). SCR Manual. 6° ed. Englewood Cliffs, NJ: Prentice Hall, 1982. R.G. HOFT. “Historical review, present status and future prospects.” International Power Electronics Conference, Téquio, 1983, pp. 6-18. Semiconductor Power Electronics. Nova lorque: Van Nostrand Reinhold Company, Inc,, 1986. T. M. JAHNS. “Designing intelligent muscle into industrial motion control.” IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 1E37, n. 5, 1990, pp. 329-41. QUESTOES DE REVISAO 11 Oque é eletronica de poténcia? 1.2 Quais so os varios tipos de tiristores? 13 Oque é circuito de comutagao? 1.4 — Quais so as condigées para um tiristor conduzir? 15 Como um tiristor em condugao pode ser desligado? 1.6 — Oque é comutacao pela rede? 1.7 Oque é comutagio forgada? 1.8 Qual éa diferenca entre um tiristor e um TRIAC? 1.9 Qual 6a caracteristica de controle de um GTO? 110 — Oque 60 tempo de desligamento de um tiristor? 1.11 Oque é um conversor?112 113 114 115 1.16 117 1.18 1.19 1.20 1.21 1.22 1.23 1.24 1.25 1.26 Eletrénica de Poténcia ~ Circuitos, Dispositivo: Aplicagdes Cap. 1 Qual é 0 principio da conversio CA-CC? Qual € 0 principio da conversio CA-CA? Qual 6 0 principio da conversio CC-CC? Qual 6 o principio da conversio CC-CA? Quais so as etapas envolvidas no projeto de equipamentos de eletrdnica de poténcia? Quais sao 0s efeitos periféricos dos equipamentos de eletronica de poténcia? Quais sao as diferengas nas caracteristicas de controle dos GTOs e dos tiristores? Quais sao as diferengas nas caracteristicas de controle dos transistores e dos tiristores? Quais sao as diferengas nas caracteristicas de controle dos BJTs e dos MOSFETs? Qual é a caracteristica de controle de um IGBT? Qual é a caracteristica de controle de um MCT? Qual é a caracteristica de controle de um SIT? Quais sio as diferengas entre os BJTs ¢ os IGBTs? Quais sao as diferengas entre os MCTs e 0s GTOs? Quais sao as diferengas entre os SITHs e 0s GTOs?