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Introduccion A Los Semiconductores
Introduccion A Los Semiconductores
Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad elctrica inferior a la de un
conductor metlico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor ms utilizado es el silicio,
que es el elemento ms abundante en la naturaleza, despus del oxgeno. Otros semiconductores son
el germanio y el selenio.
Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada tomo
comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando enlaces
covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente energa
calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina, convirtindose en
electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les somete al potencial
elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina
un hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una
carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo.
El comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante en todo
momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio.
- Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo circulan
los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.
Semiconductores P y N
En la prctica, para mejorar la conductividad elctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas
aadidas voluntariamente. Esta operacin se denomina dopado, utilizndose dos tipos:
Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos tomos tienen cinco electrones de valencia en su
orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fsforo, el antimonio y el arsnico.
Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos tomos tienen tres electrones de valencia en su orbital
exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la red cristalina del silicio, se
completan los cuatro electrones de valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un
quinto electrn que le hace mucho mejor conductor. De un semiconductor dopado con impurezas
pentavalentes se dice que es de tipo N.
En cambio, si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio, se forman tres
enlaces covalentes con tres tomos de silicio vecinos, quedando un cuarto tomo de silicio con un
electrn sin enlazar, provocando un hueco en la red cristalina. De un semiconductor dopado con
impurezas trivalentes se dice que es de tipo P.
Unin PN
cristalina, los iones mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son libres para
recombinarse.
Por todo lo anterior, resulta una carga espacial positiva en la regin N y otra negativa en la regin
P, ambas junto a la unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de
potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de la regin N alejndolos de la
mencionada unin. Una unin PN no conectada a un circuito exterior queda bloqueada y en
equilibrio electrnico a temperatura constante.
Unin PN polarizada en directo
RECTIFICACIN
Muchos dispositivos o equipos mviles de naturaleza elctrica o electrnica, como las linternas, los
receptores de radio, etc., se alimentan con generadores qumicos de corriente continua. Como ya sabemos, el
gran inconveniente de este tipo de fuentes, es su limitada vida en el caso de las desechables o el escaso tiempo
que permanece la carga o la tensin nominal en los reversibles o recargables.
En consecuencia, siempre que sea posible, la alimentacin de aquellos dispositivos que requieran una corriente
continua se realiza con sistemas que se fabrican con elementos elctricos y electrnicos. Dichos sistemas, de
mayor o menor complejidad, pueden estar incorporados a los propios equipos o, por el contrario, ser
independientes del aparato o elemento que necesita estar alimentado con una corriente de determinadas
caractersticas. Nos referimos a las fuentes o sistemas de alimentacin electrnicos.
220 Vca
Fuente de
Alimentacin
Circuito a
alimentar
9Vcc
2.
Un filtro que reduce las ondulaciones de la tensin de salida, haciendo que sta sea lo ms constante
posible.
3.
Un circuito estabilizador que hace que aunque se den variaciones de tensin de red o variaciones de la
carga, la tensin de salida no vare.
220 Vca
Rectificador
Filtro
Estabilizador
De media onda
Los rectificadores monofsicos pueden
De doble onda
Puente
ser:
Vc
D1
Vp
Vsec
R1
de
entrada
al
rectificador
(V
V sec = V D + VR1
Fig. 2 V en la resistencia
VR1 = 0V
VD1 = V sec
Vef =
Vmax
Vef =
Vmax
2
Vef =
Vmax
Valor medio
Vdc = 0
Valor medio
Vdc =
Vmax
Valor medio
Vdc =
Vmax
2
Media Onda
o
Valor eficaz
Valor eficaz
Doble Onda
o
Valor eficaz
I dc = I F ( AV )
I mx = I FRM
Cuando el diodo no conduce la tensin inversa que soporta coincide con la tensin mxima de
la seal en el secundario o en la carga.
Vmx = VRWM
Ejemplo Resuelto
Se quiere calcular un rectificador monofsico de media onda, que ha de alimentar a una carga cuyos datos
son: nivel de continua 12V y corriente continua 0.5A. Dibujar el circuito, formas de onda y los datos para
elegir los componentes.
D1
Vp
Vsec
R1
VmxRL = 12 = 37,69V
I mxRL = 0,5 = 1,57 A
De lo anterior deducimos que debemos escoger un diodo
cuyas caractersticas superen los siguientes valores:
Vmx
37,69
= 18,84V
2
2
I
1,57
I ef = mx =
= 0,78 A
2
2
Pef = I ef Vef = 0,78 18,84 = 14,69W
Vef =
1
1
1
1
Transformador 220V/6V+6V
Resistencia de carga de 220
Osciloscopio
Polmetro
PROCESO OPERATIVO
1.
Realizar el montaje del circuito y calcular los datos caractersticos del diodo, transformador.
6V
T1
D1
0V
220V
1N4007GP
R1
220ohm
6V
DATOS
DIODO
TRANSFORMADOR
Vef=
Ief=
Pef=
CARGA
IFRM=
IF(AV)=
VRWM=
2.
3.
4.
5.
RL=
Vdc=
Idc=
Observar en el osciloscopio y dibujar las tensiones que hay en el secundario del transformador,
en el diodo y en la carga.
A partir de las ondas anteriores, calcular Vdc e Idc en la resistencia de carga.
Medir con el polmetro en continua, la tensin en la carga VRL y la corriente IRL.
Hacer una tabla comparando los valores medidos con el osciloscopio, con el polmetro y es
terico.
Vef Trans.
Vmx Trans.
Ief Trans.
Vmx RL
Vdc RL
Idc RL
Clculo
Osciloscopio
Vmx/2
Polmetro
V en AC
Vef/RL
Vef*2
I en AC
Vdc*
DC-AC
Vdc/RL
V en DC
I en DC
1.- INTRODUCCION
As como un rectificador de media onda se obtiene un semiciclo por cada ciclo de la seal del
transformador, en los rectificadores de doble onda (onda completa), se obtiene dos semiciclos por cada
periodo (ciclo) de la seal del transformador.
La rectificacin de doble onda u onda completa se puede realizar:
Su nombre viene dado por el hecho de utilizar un transformador de toma intermedia, el cual
proporciona dos tensiones en el secundario (Vt1 y Vt2), de igual amplitud pero desfasadas 180. Esta toma
intermedia hace de masa punto de referencia de tensiones.
T1
RED
220V
D1
B
C
T1
RED
220V
R1
D2
D1
R1
T1
RED
220V
A
B
C
R1
D2
En cada uno de los semiciclos de la tensin aplicada, conducir un diodo y el otro estar polarizado
inversamente. Es decir cada semiciclo es rectificado por un diodo, obtenindose en la carga una seal pulsante
de doble onda.
En el circuito podemos apreciar dos mallas:
1) A-D1-RL-B
2) C-D2-RL-B
A) SEMICICLO POSITIVO: A e s p o s i t i v o r e s p e c t o a B:
El diodo D1 est polarizado directamente y conduce, mientras D2, al ser B negativo con respecto a
C, est polarizado inversamente y no conduce. De esta forma la corriente que circula por RL es debida a
Vt1 y;
VR1 = Vt1 - VD1 = Vt1 - 0,6V (para Vt 0,6V)
B ) SEMICICLO NEGATIVO: C e s p o s i t i v o c o n r e s p e c t o a B :
El diodo D2 est polarizado directamente y conduce, mientras que el D1, al ser ahora A negativo
con respecto al B est polarizado inversamente y no conduce. De esta forma la corriente que circula por RL
es debida a Vt2 y
VR1 = Vt2 - VD2 = Vt2 - 0,6V (para Vt20,6V).
En ambos casos VR1 tienen la misma polaridad y el mismo sentido de la corriente. Hemos conseguido que
durante ambas alternancias circule corriente por RL.
VALORES MEDIOS Y EFICACES EN UN RECTIFICADOR DE DOBLE ONDA
Con toma central:
V t = V RL + V D
Entrada
Valor
Eficaz
Valor
medio
V mx
V ef =
2
V mx
V dc =
EJEMPLO DE CALCULO.
Se quiere calcular un rectificador de doble onda para alimentar a una carga cuyos datos son:
Vdc = 5 V
T1
RED
220V
Idc = 0.5 A
D1
B
C
R1
D2
Datos en la carga:
Vdc
por
RL = 5V
I dc
por
RL = 0,5 A
RL =
Vdc
5V
=
= 10
I dc 0,5 A
2 Vmx
V
Vmx = dc
2
Vmx
Vef =
2
Vdc =
Vmx
I mx
I dc =
I mx
I ef =
2 I mx
I
= dc
2
I mx
2
5
=
= 7,85V
2
0,5
=
= 0,78 A
2
I FRM = 0,78 A
I dc 0,5
=
= 0,25 A
2
2
= 2 Vmx = 2 7,85 = 15,7V
I F ( AV ) =
V RWM
Vef =
Vef =
Vmx
2
7,85
= 5,5V
2
0,78
= 0,39 A
I ef =
2
Pef = 2 (Vef I ef ) = 4,36W
IT2,ID2
El diodo D1 queda polarizado directamente y conduce a travs de la resistencia RL y del diodo D3, hasta
el punto B (A-D1-C-RL-D-D3-B), donde se cierra el circuito. Los diodos D2 y D4 estn polarizados
inversamente. Se produce dos caidas de tensin Vd1 y Vd3, siendo la tensin en RL
VRL = Vt - (Vd1 + Vd3) = Vt - 1,2V (para Vt>1,2 V.)
B)
En ambos casos la corriente ha circulado en el mismo sentido por RL, siendo C positivo respecto a
D. Vemos que los resultados sean similares a los del rectificador con toma intermedia, pero ahora VRL es
inferior en 1,2V a Vt, ya que la corriente ha de atravesar dos diodos y provoca dos caidas de tensin en
lugar de una.
Ejemplo de Clculo
Se quiere calcular un rectificador de doble onda en puente para alimentar una carga cuyos datos son: Vdc=15V
Idc=3.
2
.
D4
D1
RED
220v
D3
D2
3
Vdc = 15V
I dc = 3 A
RL =
Vdc 15V
=
= 5
I dc
3A
2 Vmax
2 I max
I dc =
V
I
Vmax = dc
I max = dc
2
2
Vmax
I max
Vef =
I ef =
2
2
15
Vmax =
= 23,6V
2
3
I max =
= 4,7 A
2
I FRM = I max = 4,7 A
Vdc =
I dc 3
= = 1,5 A
2
2
= Vmax = 23,6V
I F ( AV ) =
V RWM
Vef =
Vmax
I ef =
I max
23,6
2
4,7
= 16,7V
=
= 3,32 A
2
2
Pef = Vef I ef = 55,44W
Vdc=15V
RL
PRCTICA
MATERIAL UTILIZADO
1 Transformador 220/6V+6V.
4 Diodos 1N4007.
1 Resistencia de carga 220 ohm
1 Osciloscopio
1 Polmetro.
PROCESO OPERATIVO
1.- Realizar el montaje del circuito y calcular los datos caractersticos del diodo, transformador, teniendo en
cuenta que:
Resistencia de carga: 220 ohm
2
.
D4
D1
RED
220v
D3
D1-D4 1N4007
1
RL
220ohm
D2
3
Transformador:
Diodos:
Carga:
Veft =
IFRM =
RL =
Ieft =
IF(AV) =
Vdc =
Peft =
VRWM =
Idc =
REALIZAR
Vef Trasnformador
Vmax
VdcRL
IdcRL
CALCULO
OSCILOSCOPIO
VmaxT/2
POLIMETRO
V en AC
2*Vmax/
VefT*2
V en DC
Vdc/RL
I en DC