TCEF.

Problemas de pequea seal del BJT (1)

Introduccin
Modelos de pequea seal
La losofa del anlisis de pequea seal consiste en la descomposicin de las seales en dos partes: Una es el nivel
de continua, que es constante y no vara con el tiempo, y la otra es la componente alterna que recoge las variaciones
temporales de la seal. En lo sucesivo utilizaremos el siguiente criterio de notacin para las seales:
voltaje

VE : Nivel de continua
ve

vE : Valor instantaneo

Ve

Ve : Nivel de alterna (amplitud)

vE

ve : Valor instantaneo de alterna

VE
tiempo

Como podemos comprobar las magnitudes con mayscula se reeren a valores (tanto de continua como de alterna)
que no varan con el tiempo mientras que las magnitudes con minscula tienen una variacin explcita con el tiempo. Los
subndices en minsculas se reeren a componentes alternas de la seal. El nivel de la seal alterna se puede denir de tres
formas distintas. As, para una seal de una nica componente frecuencial del tipo v E = VE + A cos(t) podemos denir
el nivel de alterna como la amplitud de la sinusoide: Ve = A, como el valor pico a pico (p.a.p.) Ve = 2A, o como un valor

ecaz o rms (rms: root mean square) Ve = A/ 2. Las seales alternas son capaces de pasar a travs de condensadores,
cosa que no pueden hacer las componentes continuas, y para ellas una fuente de tensin constante es equivalente a un
cortocircuito. Por estas razones se suelen tener circuitos equivalentes distintos para las seales contnuas y alternas de un
mismo circuito fsico y su resolucin se suele hacer de forma separada.
En los circuitos en los que intervienen transistores se suele hacer adems otra aproximacin: suponer que las seales
alternas son de amplitud pequea. Gracias a ello se pueden encontrar circuitos equivalentes para los transistores por medio
de un desarrollo de Taylor de sus caractersticas no lineales del que nos quedaremos slo con la primera derivada. As, en
un BJT en la regin activa tenamos:
iE  iE0 exp(vBE /VT ) ; iB =

1
iE0 exp(vBE /VT )
+1

donde VT es KT /e (25 mV a 300K). La corriente de base depende casi exclusivamente de la tensin v BE de modo
que podemos escribir su desarrollo en serie de Taylor como:

iB (vBE ) 
(vBE VBE ) + . . .
iB = IB +
vBE  p.o.
o bien, quedndonos slo con la componente alterna:
ib =


iB (vBE ) 
vbe + . . .
vBE  p.o.

donde p.o. signica en el punto de operacin del transistor. La derivada nos da:

ib =

1
IE
vbe
iE0 exp(vBE /VT ) vbe ; ib
vbe ; ib =
( + 1)VT
( + 1)VT
r

donde hemos hecho iE IE (aproximacin de pequea seal), y donde tenemos r = ( + 1) VIET = VICT
Si ahora consideramos que la corriente de colector es iC = iB , independiente de vCE , obtenemos los siguientes
modelos equivalentes de pequea seal para el transistor bipolar en la regin activa:
Ib

C
Ib

C
g mV be

( h fe Ib )

r =

VT
IC

gm=

IC
VT

En el primer circuito la corriente de colector depende de la corriente de la base a travs del parmetro adimensional
, tambin llamado h f e , mientras que en el segundo la corriente de colector depende de la tensin Vbe a travs de la
transconductancia, gm , que tiene dimensiones de conductancia (A/V , 1 , mho o Siemmens). Ambos modelos han de dar
la misma corriente, por lo que obtenemos gm =

IC
VT

. Usaremos un modelo u otro segn nos convenga.

Amplicacin
Hay cuatro tipo de amplicadores dependiendo del tipo de seal que tienen presente en la entrada y la salida:

Amplificador de
TENSION
ZO

vi

ZI

Amplificador de
CORRIENTE
vo

A V vi

ii

ZI

Amplificador de
TRANSCONDUCTANCIA
io

A I ii

io

vi

ZO

ZI

G m vi

ZO

Amplificador de
TRANSRESISTENCIA
ZO
ii

ZI

vo

Rm ii

Zi es la impedancia de entrada del amplicador y Zo la impedancia de salida. Estas impedancias son resistivas para
frecuencias bajas. En los amplicadores ideales las impedancias de entrada y salida alcanzan valores extremos. En la
siguiente tabla se resumen las caractersticas de los amplicadores ideales:

Tipo

Entrada

salida

Zi

Zo

Ganancia

Unidades

Tensin

tensin

tensin

Av

Corriente

corriente

corriente

Ai

Transconductancia

tensin

corriente

Gm

Transresistencia

corriente

tensin

Rm

Ningn amplicador real alcanza los valores de impedancia de su equivalente ideal. Esto no impide que podamos clasicar los amplicadores dependiendo de sus impedancias. As, un amplicador con Z i alta y Zo baja encaja mejor como
un buen amplicador de tensin en lugar de un mal amplicador de corriente o un mediocre amplicador de transconductancia. La impedancia de entrada se obtiene del cociente entre la tensin de entrada y la corriente de entrada: Z i = viii .
La obtencin de la impedancia de salida de un amplicador es un poco ms laboriosa: En el mtodo que proponemos en
primer lugar se obtiene la tensin de salida, vo , sin ninguna carga conectada a la salida (circuito abierto), y por lo tanto
con io = 0. A continuacin la salida se cortocircuita y se obtiene la corriente de salida, i o , cuando la tensin de salida es
vo = 0. La impedancia de salida ser entonces:
Zo =

vo |circuito abierto
io |cortocircuito

En la gura se muestran los circuitos equivalentes para la determinacin de Z o en un amplicador de tensin, as como
un mtodo alternativo:
Salida en circuito abierto
ZO

vi

ZI

Salida en cortocircuito
vo

vi

A V vi

Prueba con fuente en la salida

ZO

ZI

io

A V vi

vi =0

ZO

ZI

A V vi
=0

io
vo

Existen otros mtodos para la obtencin de la impedancia de salida. Por ejemplo, en la ltima gura se muestra que
se puede cortocircuitar la entrada del amplicador, conectar una seal de prueba a la salida y obtener Z o como el cociente
entre tensin y corriente en la salida: Zo = vo /io

Etapas amplicadoras bsicas con BJT

En la siguiente gura se muestran las etapas amplicadores bsicas con transistores bipolares.

Emisor comn

Emisor comn con

degeneracin de emisor

Base comn

Colector comn
(seguidor de emisor)

V CC

V CC

V CC

V CC
IB

RC

IB

vo

RC

RC
vo

vo

RS V B+v i
vo

vi

vi

vi
RE

RL

IE

VB

IE

Y en la tabla 1 se muestran sus caractersticas.

Emisor comn y emisor comn con degeneracin de emisor:

Ganancia grande y negativa. Esto signica que la salida est invertida respecto a la entrada o si se preere que
est desfasada 180o
Las impedancias de entrada y salida son parecidas y de valor medio. Esto indica que estas etapas no forman
por s solas ninguno de los amplicadores tipo (tensin, corriente, transconductancia, transresistencia)
Colector comn o seguidor de emisor:
La ganancia de tensin es ligeramente menor que 1 y positiva. La salida sigue a la entrada.
Las impedancias de entrada y salida estn relacionadas por la del transistor. En primera aproximacin la
impedancia de entrada es veces mayor que la resistencia de carga (R L ) y la impedancia de salida es 1/
veces la de la fuente (RS ). Esta es por lo tanto una etapa que tiene su principal aplicacin como transformador
de impedancias.

Cuadro 1: Caractersticas de las etapas amplicadoras bsicas con BJT

Tipo de etapa
Av
Zi
Emisor Comn
Emisor Comn con degeneracin de emisor
Colector Comn (seguidor de emisor)
Base Comn

-gm RC = VICT RC
RC
RC
RE +VT /IC RE
1

gm RC =

IC
VT

RC

r = VICT

r + ( + 1)RE
r + ( + 1)RL
1
gm

VT
IC

Zo
RC
RC

RS +r
RS
+1 +1

RC

+ g1m

Base comn:
La ganancia es grande y positiva. No se invierte la seal de entrada.
La impedancia de entrada es muy pequea por lo que esta etapa es un mal amplicador de tensin. Rara vez
se usa esta etapa en solitario. Normalmente sigue a una etapa de emisor comn (amplicador cascodo) o a una
de colector comn (amplicador diferencial).

Problemas
En todos los problemas propuestos los condensadores son sucientemente grandes para poder ser considerados cortocircuitos para corriente alterna.
1 - Vericar que las expresiones de la tabla 1 para la ganancia, impedancia de entrada e impedancia de salida son
correctas.
2 - Encontrar los valores de Av , Zi y Zo en el circuito de la gura (Prob. 2). Despreciar IB a efectos de polarizacin.
( = 100)
3 - Encontrar los valores de Av , Zi y Zo en el circuito de la gura (Prob. 3). Despreciar IB a efectos de polarizacin.
( = 100)
4 - Encontrar los valores de Av , Zi y Zo en el circuito de la gura (Prob. 4). ( = 200)
5 - Encontrar los valores de Av , Zi y Zo en el circuito de la gura (Prob. 5). ( = 200)

Prob. 2

Prob. 3
10V

10V

Prob. 5

Prob. 4
10V

10V

5V
5V

73K

4K

73K

4K

vo
vi

4K
4K

vo
100K

vi

50K
vo
vi

vi
27K

2K

27K

2K

50K

vo