Procesos de recocido

Un tratamiento trmico de recocido puede graficarse de la siguiente forma.

La pieza se calienta se mantiene durante un tiempo y luego se enfra muy lentamente
(5 a 10 (C/h).Tener en cuenta que un temple tiene una velocidad de 300 C/seg.
Existen muchos tipos de recocidos. Uno de los procesos para los cuales se usa es
el siguiente: vamos a estudiar el proceso de recocido que conduce a una serie de
procesos que concluyen con la regeneracin de la estructura, cuando una muestra
s esta deformando plsticamente.
Cabe observar que la muestra debe estar previamente deformada. Si no lo resta,
tambin se le puede hacer un recocido pero el resultado ser distinto al que
analizaremos.
Supongamos que tomamos una muestra de Al puro la pulimos y observamos al
microscopio .
Luego deformamos la muestra en un tren laminador y la observamos.
Luego colocamos la muestra en un horno a una temperatura de200 C durante 1 hora
y observamos en el microscopio, vindose una estructura libre de deformacin
similar a la inicial. El tamao de grano y el numero de dislocaciones son del mismo
orden que las iniciales.
La etapa que de la fig. 2 a la 3 y 4 se denomina recristalizacion y es el reemplazo de
una estructura deformada por una nueva.
El paso se debi a una disminucin de la energa del sistema, que es energa
elstica debida a las dislocaciones que disminuyen 10 6(diez a la sexta) veces. La
energa que dispona la muestra era la absorvida por la deformacin que es del
orden del 10% de la energa inicialmente entregada al tren laminador.
Pero adems hay defectos puntuales,etc.
Al proceso lo podemos dividir en 3 etapas(4 etapas):

Recuperacin o restauracin.

Recristalizacion

Crecimiento de grano.
Y se suele incluir una 4ta etapa comprendida entre la 1ra y la 2da que se denomina
poligonizacion.
Vamos a construir un grfico teniendo en cuenta la resistividad elctrica y la dureza
en funcin del tiempo.

El proceso de recocido se puede hacer en 2 formas: isotrmico y anisotermico. En el

recocido anisotermico el metal trabajado en fro se calienta continuamente desde
una temperatura mas o menos baja y la liberacin de energa se determina en
funcin de la temperatura.
En el recocido isotrmico se mide la energa liberada mientras se mantiene la
probeta a una temperatura constante. En el grfico que construiremos,
consideramos un recocido isotrmico.
La resistividad elctrica crece al ser deformado el metal. La conductividad depende
de los electrones, los que son depositados en el retculo cristalino. Pero las redes
no son perfectas, y todas las perturbaciones que tiene estas, tienen efecto sobre el
campo elctrico existente, de manera que al aumentar las perturbaciones o defectos
se incrementa la resistencia a la circulacin de los electrones.
Sin embargo tienen mucho mas importancia en la resistividad los defectos
puntuales que las dislocaciones, y en especial las vacancias. Hay una relacin
prcticamente lineal entre las vacancias y la resistividad. Lo que hay que averiguar
es por que aumenta el numero de vacancias al ser deformada la pieza.
Habamos visto que cuando se juntan 2 dislocaciones de distinto signo, dejan una
fila de vacancias(es una de las posibilidades). Otro motivo de formacin de
vacancias es la existencia de codos.
Colocamos la muestra en el horno a una temperatura dada y dejamos trascurrir el
tiempo , producindose las 3 etapas apuntadas.
Durante la etapa I, la resistividad cae lenta hasta niveles similares a la que tenia la
muestra al principio. Luego, en las etapas II y III se mantienen casi constantes
decreciendo lentamente.
Si el proceso no fuese isotrmico se podra hacer la etapa I a una temperatura
mucho menor que la que correspondera a temperatura ambiente es caliente para el
Pb y fra para Cu , por lo que es necesario definir que es fro y que es caliente para
un determinado metal.
Si el metal no ha sido deformado mucho, no podemos lograr la recristalizacion.
Existe un umbral mnimo de deformacin para el cual el metal puede recristalizar.
Vamos a suponer que tenemos una muestra deformada en forma importante (60% de
reduccin de espesor). Si para distintos metales hacemos esa reduccin de espesor
y a estos distintos metales les hacemos el proceso de recocido, de manera de lograr
la recristalizacion de la muestra en 1 hora, la temperatura a la que se pruduce es la
temperatura de recristalizacion(Tr).
Si para distintos metales si se anotan la temperatura de fusin y la de
recristalizacion obtenidas, se obserbara que existe una relacin entre ambas:
Tr=0.4Tf((K).
Por lo tanto para el Cu 240 (C , resulta fro y 300 (C resulta caliente.
Haciendo lo mismo para el Pb :

Tr(Cu)=640 K=270 C
Tr(Pb)=240 K =-33 C
Por lo que el plano recristaliza solo al pasar por una trefiladora.
El plano deformado a temperatura ambiente no se endurece.
Durante la etapa I, lo que hacemos es proponer mecanismos de difusin que actan
sobre los defectos puntuales, recuperndose las propiedades que dependen de
estos defectos(por ejemplo la resistividad). En este caso los defectos lineales no
tienen por que resultar afectados ya que la difusin no los molesta.
Veamos que ocurre en la poligonizacion. En un apilamiento, la accin es mas
marcada que cuando estn las dislocaciones dispersas. Si pasamos de un
apilamiento a un conjunto de dislocaciones dispersas(de igual numero), se produce
un descenso de energa.
A fenmenos de este tipo se debe la pequea disminucin de dureza que se da en la
zona I.Luego hay un descenso ms rpido cuando aparece la poligonizacion.
Durante la etapa de poligonizacion, se si se tiene configuracin de dislocaciones
dispersas, es de mayor energa que a la que vamos a arribar.
Como todas las dislocaciones estn en un mismo octante tienden a rechazarse. Ya
sea el recocido iso o anisotermico, la difusin ya ha actuado en mayor forma en la
en la etapa I.
La tendencia de las dislocaciones es trepar(para que no queden los mismos
signos)y una vez que estn todas en el mismo plano tienden a ponerse una encima
de la otra.
Primero trepar(para escapar de los campos de tensiones)y luego se atraen para
formar un sublimite de grano (subestructura granular).
El fenmeno de poligonizacion se produce por el hecho de que hay muchas
dislocasiones (con todas) que eran del mismo signo.
Si embargo todava no ha habido el cambio de estructura. Todava suponemos las
1012dislocaciones /cm2 de la muestra deformada, conservndose el porcentaje de la
energia. Vamos a ver que esta energa se usara para la formacin de una nueva
estructura a partir de un mecanismo de similar al de solidificacion, es decir por
medio de nucleacion, con la diferencia que ahora los cristales se nutren de slido en
lugar de liquido. Los cristales nuevos crecen con 10 6 dislocaciones/cm2 y los
viejos tienen10 12 d/cm2, por lo que la fuerza repulsora viene dotada por esta
diferencia de energias. Estos nuevos cristales crecen en forma similar a la vieja
estructura(la no deformada).
Puesto que la fuerza impulsora es la energa elstica acumulada, es lgico suponer
que los ncleos se ubiquen en las zonas de mayor energia, tales como

intersecciones de lneas de deslizamiento, intersecciones gemelas de deformacin y

reas cercanas a los limites de granos.
En una estructura deformada, donde la densidad de dislocaciones es maxima, se
ubicaran los centros de energia. Todas las zonas prximas al borde de grano son el
lugar donde se acumulan las dislocacionesy son por lo tanto, los ncleos de
crecimiento (prximo al borde y no en el borde). Se supone que los ncleos existen
y que simplemente y que simplemente cuando en funcin de la temperatura se les
proporciona la posibilidad de crecer, crecen. Si no se les suministra la temperatura
necesaria para crecer quedan dormidos.
Al ser la temperatura mas alta, mayor ser la cantidad de ncleos formados(pueden
crecer)y el nico cambio que hay entre el cristal y nuevo y el viejo es el numero de
dislocasiones(las 2 redes son iguales). Entonces los ncleos son zonas que tienen
bajo numero de defectos. Por ello es que no requiere un tiempo de nucleacion
porque el ncleo ya existe.
Si se traza un grfico % derecristalizacion -tiempo, ser :
Al principio y al final la velocidad de recristalizacion es lenta y en el tercio medio es
rapida. Se podra llevar a cabo el proceso de recristalizacion a una temperatura
menor(T3), lo que conducira a tiempos ms largos y a una temperatura mayor(T4)
con tiempos menores.
Como es muy difcil definir el 100% de recristalizacion ya que las curvas son
asisntoticas, se definen 95% para poder definir la temperatura de recristalizacion(Tr).
Esta es la temperatura a la cual se produce el 95%de recristalizacion en 1 hora.
Resumiendo, durante todo el proceso de recristalizacion hay una disminucin de las
propiedades mecnicas(dureza y resistencia mecnica) y un ascenso de la
ductilidad.
Variables que afectan a la Tr :
Las ms importantes son:
a)grado de deformacin previa
b)Tamao de grano
c)Pureza
d)Grado de recristalizacion
a)Uno de los efectos ms importantes es el de la energa de deformacin plstica
acumulada. La Tr depender de la magnitud y del tipo de deformacin (plegado,
embutido, etc.).
Si la deformacin es mayor, es la energa almacenada, disminuyendo la Tr.El tope de
energa acumulada es del orden de 10 a 12% de la energa entregada.

b)Una segunda variable que afecta a la Tr es el tamao de grano de la muestra. Para

la misma deformacin, una muestra con tamao de grano pequeo tendra una
mayor densidad de energa almacenada y por lo tanto una Tr menor.
c)Una tercera variable es la pureza o presencia de impurezas. Suponemos que hay
nucleacion y crecimiento, y por lo tanto desplazamiento de la interface(borde de
grano en este caso). Las impurezas se sitan en el borde de grano frenando el
avance de la interface. Por lo tanto, al ser mayor el tenor de impurezas es mayor la
Tr.
d) Una variable adicional es el grado de recuperacin previa. Al someter una muestra
al recocido(iso o anisotermico) se produce antes de la recristalizacion la etapa de
recuperacin consumiendo parte de la energa para recuperar la muestra.
Por la tanto, cuanto mayor sea el grado de recuperacin previa, mayor es la energa
utilizada y por lo tanto debe ser mayor la Tr.
Existen otras variables que modifican la Tr, pero estas 4 son las principales.
Analizaremos la energa entregada por la muestra: se intruduce una muestra en una
bomba calorimetrica y el proceso de recocido se hace isobaras(aunque puede
hacerse por otro camino).
El primer pico corresponde a la cesin de energa de la muestra en la etapa de
recuperacion. La segunda curva o pico corresponde a la recristalizacion y queda un
remanente para el crecimiento del grano. Las 2 curvas se superponen, lo que indica
que la recristalizacion y la recuperacin se superponen.
El total de la energa que la muestra entrego es el rea que esta por debajo de la
curva.
Si hiciramos el estudio a otra temperatura se tendra:
Disponindose de mas energa para la recristalizacion y siendo la temperatura de
recristalizacion menor.
La recristalizacion empieza al poco tiempo de haber comenzado la recuperacin.
En cambio en el caso, en el caso siguiente se requerira una temperatura de
recristalizacion mayor(el primero es el intermedio de estas 2).
Crecimiento de grano
Para la etapa de crecimiento de grano no es necesario que la muestra este
deformada. La fuerza impulsora sale del borde del grano. Si tenemos una muestra
con muchos granos, hay mucha energia, lo que disminuye al disminuir el numero de
granos(aumentan el tamao).
Cuando sometemos una pieza no deformada a la accin de temperatura, crecern
sus granos a expensas de la energa de los bordes. Si observamos una muestra, los

cristales tienden a tener la forma hexagonal en un corte y disponindose en

exahedros en el espacio.
Como no todos los granos son hexagonales, los que tienen mas de 6 lados, tienden
a crecer en tamao consumiendo a los cristales de menos de 6 lados, a la vez que
tienden a disminuir el numero de lados a la cantidad de equilibrio (6).
No es posible que un cristal consuma a todos los otros formando un monocistal, si
no que se produce un equilibrio entre ellos.
Para una deformacin dada, nos conviene llevar a cabo el proceso de
recristalizacion a una temperatura alta ya que tendremos mas embriones
disponibles a crecer a crecer y obtendremos una estructura de grano fino; teniendo
en cuenta de hacerlo en un tiempo corto porque se puede producir el crecimiento
del grano.