Captulo 1

Concepto de sistema integrado mixto

La tecnologa de circuitos integrados, como tcnica para desarrollar productos basados en circuitos
electrnicos, representa en la actualidad el 80% del mercado mundial de semiconductores. Dado que
han sido los sistemas de ndole digital, especialmente las memorias y los microprocesadores, quienes
han estirado del proceso de evolucin continua desde su origen hasta la actualidad, este tipo de sistemas han tenido hasta ahora una situacin predominante en el campo de los circuitos integrados (chips)
de alta complejidad (VLSIC). Sin embargo, en la actualidad, la accesible y desarrollada capacidad
tecnolgica, la temtica de las aplicaciones con mayor crecimiento y las nuevas metodologas y herramientas de diseo permiten incorporar importantes secciones analgicas junto a complejos sistemas
digitales en un mismo chip. Esta capacidad de desarrollar sistemas mixtos (analgico-digitales) junto a
la creciente incorporacin de dispositivos micromecanizados (MEMS) permiten la realizacin de sistemas de funcin amplia y compleja con un numero mnimo de circuitos integrados, en la mayora de
casos en un nico cristal. Esto es especialmente aplicable a sistemas de control y comunicaciones sin
deterioro del intenso avance que se espera en los sistemas de computacin. En este captulo se presentan los parmetros que caracterizan a estos circuitos integrados junto a su evolucin pasada y futura. Se presentan el orden de complejidad y la capacidad de los sistemas actuales en dos campos relevantes, las computadoras digitales y los circuitos de telecomunicacin, junto a una previsin de la
capacidad de esta tecnologa en la prxima dcada, sirviendo de introduccin y motivacin al contenido del libro.

1.1 Introduccin
Desde la aparicin, en 1958, de los principios de los circuitos integrados, gracias a sus inventores
Kilby [1] y Noyce [2], hasta la actualidad, hemos sido testigos de una de las ms revolucionarias y
transformadoras tecnologas. Un circuito integrado puede ser definido como la incorporacin de

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Diseo de circuitos y sistemas integrados

todos los componentes activos y pasivos de un circuito electrnico de mane2

ra conjunta en una nica pastilla de
material semiconductor.
1.5
En este texto nos concentraremos
en la tecnologa del silicio (Si) y ms
1
concretamente en los circuitos basados
en dispositivos transistores metal0.5
xido-semiconductor (MOS) de tipo
complementario (CMOS) junto a sus
0
variantes (SOI, BiCMOS). Esta tecno1985
1990
1995
2000
2005
2010
A o
loga cubre actualmente ms del 85%
del mercado mundial de semiconductoFig. 1.1 Evolucin pasada y prevista de la dimensin critica
res y es considerada como la tecnologa
() de la tecnologa de circuitos integrados
ms madura actual, en la que se incorporan los circuitos ms avanzados, sin
E volu cin m e m oria s D R AM
perjuicio
de otras tecnologas como las
100 0
basadas en transistores bipolares o de
heterounin, cuyos campos de aplica10 0
cin sern referenciados en captulos
10
posteriores.
Los actuales procesos de fabrica1
cin de circuitos integrados estn basa0.1
dos en los principios de la tecnologa
planar, en la que todos los componen0.01
tes estn localizados en la superficie
197 5
198 0
1985
1 990
1 995
2 000
2005
A o
superior del cristal de silicio, por lo que
el proceso de fabricacin consiste en la
Fig. 1.2 Evolucin de la capacidad de las memorias digitales
aplicacin de una secuencia de proceDRAM
sos fsico-qumicos en la superficie del
cristal, actuando de forma selectiva
mediante el uso de mscaras junto a un delicado y crtico proceso de fotolitografa miniaturizada.
La evolucin de la tecnologa planar de circuitos integrados durante estas tres ltimas dcadas ha
estado prcticamente basada en un proceso de miniaturizacin de las mscaras fotolitogrficas, permitiendo alcanzar en la actualidad una resolucin de fracciones de micra (m) y la consiguiente realizacin de circuitos que incorporan millones de transistores en una superficie de cristal de silicio del
orden de un centmetro cuadrado. El aumento de la complejidad de los circuitos que conlleva esta
tecnologa es el motor que ha permitido integrar de forma acelerada, y con la previsin de mantener
este crecimiento durante los prximos aos, circuitos con funciones ms complejas y caractersticas
ms relevantes (especialmente velocidad).
Esta continua evolucin de la tecnologa electrnica que permite desarrollar sistemas cada vez
ms complejos est recogida en la denominada ley de Moore [3], que Gordon Moore, fundador de
Intel, pronostic en 1970, y que en la actualidad puede ser enunciada de la siguiente manera: La
capacidad de las memorias digitales de estado slido aumenta a un ritmo de un factor de 2 cada 1,5
aos. Las memorias digitales, concretamente las memorias de tipo dinmico (DRAM), son los circuitos electrnicos, que por su regularidad topolgica permiten la integracin de un mayor numero de
transistores para un determinado nivel tecnolgico. Dan, pues, idea del mximo numero de transisto(M bits)

(m icras)

D im en sin crtica ( )

24

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Concepto de sistema integrado mixto

res por unidad de superficie que se puede integrar, al que los otros tipos de circuitos (microprocesadores, circuitos de comunicacin, etc.) se aproximan.
La capacidad fotolitogrfica y, como consecuencia, la capacidad de integrar dispositivos de una
tecnologa, viene caracterizada por la magnitud dimensin crtica (, usualmente coincidente con la
longitud mnima de canal de los dispositivos MOS), a la que son referidas las dimensiones de las
mscaras y, correspondientemente, las de los dispositivos y lneas de interconexin integradas. En las
Fig. 1.1 y
Fig. 1.2 se muestran, respectivamente, la evolucin durante las dos ltimas dcadas de la dimensin crtica de las tecnologas MOS (progreso de la miniaturizacin) y de la capacidad de las memorias DRAM (aumento de complejidad).
Un efecto muy significativo y diferencial de la tecnologa CMOS, que ser estudiado de manera
especial en el prximo captulo, es el hecho de que al aumentar la miniaturizacin de los circuitos no
slo cada vez es posible integrar circuitos ms complejos, sino que esta miniaturizacin lleva consigo
la reduccin de las capacidades parsitas (capacidades de carga) de estos circuitos, al mismo tiempo
que una aceptable o mejorada capacidad de manejar corriente, parmetros influyentes en la constante
de tiempo de respuesta a transitorios. En
otras palabras, un mismo circuito electrnico desarrollado sobre una tecnologa
Frecue ncia de reloj
ms miniaturizada incorpora directa10
mente un aumento de la velocidad de
respuesta del mismo. Luego, y espe1 00 0
a ltas p resta cion es
cialmente en el caso de circuitos digitales, el progreso de la tecnologa conlleva
coste m o d e rad o
10 0
de manera intrnseca un aumento de su
velocidad de operacin. En la Fig. 1.4 se
10
muestra este efecto en la evolucin de la
frecuencia de reloj de los circuitos mi1
croprocesadores y en la Fig. 1.3 el im1 98 5
1 99 0
1 995
2 000
2 005
2 010
Ao
pacto directo en la capacidad de computacin de los sistemas integrados.
Fig. 1.4 Evolucin y previsin de la frecuencia de reloj en
El paulatino aumento de la velocimicroprocesadores de dos entornos de caractersticas difedad y la complejidad de estos circuitos es
rentes
lo que permite que en la actualidad existan en el mercado potentes procesadores
C a pa cid a d de com pu tacin (Sp ecin t'92 )
100 0
con ms de diez millones de dispositivos
R 10000
que operan a frecuencias de reloj superiores a los 500 MHz y que existan cirA lpha
10 0
cuitos de memoria de capacidad de 256
R 300
P5
Mbit. Que existan circuitos de comuniR 420 0
caciones digitales operando con flujos de
R 200
i486
10
datos superiores a 1 Gbaudio o que
i386
existan circuitos de Radio Frecuencia
trabajando por encima de los 900MHz,
1
198 2
1 984
1986
198 8
1 990
1992
199 4
1 996
1998
permite, con una visin global, el acceso
A o
a circuitos de gran complejidad trabajanFig. 1.3 Evolucin de la capacidad de computacin como
do en las ms modernas tcnicas del
consecuencia del desarrollo de la previsin de Moore de una
proceso o la comunicacin digital. Todo
serie de procesadores
ello en tecnologa estndar CMOS.
(M H z)

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

25

Diseo de circuitos y sistemas integrados

(voltio s)

poten cia (vatios)

26

Esta evolucin de la complejidad de los componentes tiene, sin embargo, algunos efectos negativos que sern estudiados de manera adecuada en el texto. En primer lugar, la miniaturizacin provoca la reduccin tambin de los grosores de los elementos aislantes (de manera especial el ms estrecho, el grosor del xido de puerta, (tox), con dimensiones actuales del orden de 5 nm) alcanzando el
campo elctrico en el dielctrico unas intensidades elevadas que pueden llegar a provocar la ruptura
del mismo. Como consecuencia, son un riesgo para la fiabilidad de los componentes. Para evitar este
efecto, en las tecnologas posteriores aproximadamente desde 1993, a la reduccin del tamao se
aade una reduccin de las tensiones de alimentacin y trabajo. Esto conlleva, a partir de ese momento, una fuerte reduccin de la tensin (VDD) de alimentacin de los circuitos con el fin de limitar
el campo elctrico en el xido de puerta. A modo de idea, hasta 0,5 m la alimentacin poda ser de 5
voltios, mientras que para 0,35 m es de 3,3 voltios, para 0,25 m de 2,2 voltios, 1 voltio para 0,1 m
y an inferiores para tecnologas ms avanzadas (la Asociacin de Industrias de Semiconductores,
SIA, prev tensiones de alimentacin de 0,6 voltios para el ao 2010). En la Fig. 1.5 se muestra la
evolucin de la tensin de alimentacin en circuitos CMOS. El esfuerzo (stress) que soportan los
materiales aislantes como consecuencia de la miniaturizacin tambin aparece en los conductores, en
donde una reduccin de su seccin implica un aumento de la densidad de corriente, con efectos de
reduccin de la fiabilidad del componente por efecto de la electromigracin de material.
Un segundo efecto negativo, consecuencia del elevado aumento de componentes en los circuitos
integrados, es el aumento de la potencia que
stos consumen. Si bien la reduccin de la
tensin de alimentacin favorece la reduccin
V alor d e V D D
del consumo de potencia, el aumento de la
6
velocidad, y de manera especial el aumento del
5
nmero de componentes integrados, hacen que
4
la tendencia del consumo de potencia aumente
fuertemente los prximos aos, con el consi3
guiente
aumento de temperatura. Este aumento
2
de temperatura implica consumo adicional por
1
una parte y aceleracin de los procesos de ave0
ras por otro. As pues, en el diseo actual y en
198 5
199 0
199 5
200 0
200 5
201 0
A o
el futuro se le dedica un especial inters a las
tcnicas
de diseo orientadas a la reduccin del
Fig. 1.5 Evolucin y tendencia de la tensin de alimenconsumo
(low power design).
tacin de los circuitos CMOS [4]
La Fig. 1.6 muestra la evolucin prevista
por la SIA en su National Technology RoadE voluc in de l cons um o
100 0
map for Semiconductors. Obsrvese la previsin de un consumo superior a los 100 vatios
a ltas pre stacion es
en los circuitos de principios del ao 2003.
10 0
Con esta potencia y una cada vez mayor tenco nsum o m od erado
dencia a sistemas porttiles y, por tanto, ali10
mentados por bateras, el diseo electrnico, a
nivel circuito y sistema, aumenta considerablemente la rigidez de sus requerimientos.
1
198 5
199 0
1995
2000
2005
2010
Complementariamente obsrvese que si un
A o
circuito se estima que consuma 100 vatios y
Fig. 1.6 Evolucin y previsin de la potencia consumida
que est alimentado a 0.6 voltios en el ao
por un circuito integrado
2003, implica una corriente de alimentacin
(IDD) de unos 166 amperios. As pues las reglas

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Concepto de sistema integrado mixto

de diseo de los futuros sistemas electrnicos deben ser reconsideradas a partir de estas previsiones,
con el consiguiente apasionante reto de encontrar nuevas metodologas de diseo de los futuros componentes.
1.1.1 Sistemas integrados de proce so digital
En esta seccin, a modo de ejemplo de la evolucin y el estado actual de los elementos de proceso
digital, mostramos la evolucin de los circuitos microprocesadores de la familia Intel, desde la aparicin del primer microprocesador, el 4004, hasta la actualidad (Tabla 1.1). En la tabla se muestra la
fecha de introduccin y la tecnologa, la velocidad o frecuencia del reloj, la anchura del bus de datos,
el numero de transistores incorporados y la tecnologa en trminos de su dimensin crtica, la capacidad de direccionamiento de memoria y la velocidad de ejecucin de instrucciones.
Una posible seleccin de elementos de esa familia que dan idea de la evolucin tecnolgica es:

N m ero de transistore s (m iles)

i8085, ao 1976, primer microprocesador trabajando a 5 voltios (todos los anteriores trabajaban a 12 voltios), 8 bits, 6.500 transistores y tecnologa de 3 micras. Frecuencia de reloj de
5 MHz, con la que precisaba 10 minutos para recorrer, carcter a carcter, la Enciclopedia
Britnica.
i80286, ao 1982, microprocesador de 16 bits con 134.000 transistores, 1,5 m, 12 MHz de
reloj; recorra la Enciclopedia Britnica en 45 segundos.
i80386, ao 1985, microprocesador de 32 bits, 275.000 transistores, 1 micra. Frecuencia de
reloj 33 MHz; recorra la Enciclopedia Britnica en 12,5 segundos.
i80486, ao 1989, microprocesador que
incorpora memoria cach, 1.200.000
transistores, tecnologa de 0,8 micras,
Evoluc in de la com plejidad de los C I's
capacidad de direccionar 64 Tbytes de
1 000 0
memoria virtual; recorre la Enciclopedia Britnica en 3,5 segundos.
100 0
Pentium II, ao 1997, 450 MHz de reloj,
10 0
arquitectura MMX, 2,2 y 1,6 voltios de
alimentacin.
10
Pentium III, ao 1999, con 70 instrucciones ms que su antecesor orientadas a
1
mejorar su capacidad de manejar obje197 0
197 5
198 0
1 985
1 990
1 995
2000
A o
tos, incluyendo figuras 3D. 9,5 Mtransistores, 2,2 voltios de alimentacin, Fig. 1.7 Evolucin del nmero de transistores en los micro600 MHz de frecuencia de reloj, 0,25
procesadores de la Tabla 1.1
micras, rea del chip: 10,17x12,10 mm2.

En la Fig. 1.7, se muestra que la evolucin del numero de transistores (complejidad) de los elementos de esta familia, no es ms que una de las manifestaciones de la ley de Moore y del progreso de
la tecnologa de circuitos integrados. En la Fig. 1.8 se muestran las fotos de estos circuitos, as como
su rea relativa.

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

27

Diseo de circuitos y sistemas integrados

P
i4004

i8008
i8080

i8085
i8086

Memoria
Direccionable/virtual
640 bits/-

Velocidad de
ejecucin

Breve
descripcin

0.06 MIPS

3.500
10 micras
6.000
6 micras

16 Kbytes/-

0.06 MIPS

64 Kbytes/-

0.64 MIPS

8 bits

3 micras

64 Kbytes/-

0.37 MIPS

5 MHz
8 MHz
10 MHz
5 MHz
8 MHz

16 bits

29.000
3 micras

1 Mbyte/-

8 bits

29.000
3 micras

1 Mbyte/-

0.33 MIPS
0.66 MIPS
0.75 MIPS
0.33 MIPS
0.75 MIPS

6 MHz
10 MHz
12.5 MHz
16 MHz
20 MHz
25 MHz
33 MHz
25 MHz
33 MHz
50 MHz
60 MHz
66 MHz
90 MHz
120 MHz
133 MHz
200 MHz
150 MHz
180 MHz
200 MHz
200 MHz
233 MHz
233 MHz
266 MHz
300 MHz
450 MHz
266 MHz
333 MHz
400 MHz
450 MHz
500 MHz
800 MHz
1 GHz

16 bits

134.000
1,5 micras

16 Mbytes/
1Gbyte

32 bits

275.000
1,0-1,5
micras

4 Gbytes/
256 Gbytes

32 bits

1.200.000
1,0 micras
0,8 micras
3.100.000
0,8 micras
0,6 micras

4 Gbytes/
64 Tbytes

Primer P,
manipulacin
aritmtica
Manipulacin
Dato/carcter
10X las
prestaciones
del 8008
Primer P a 5
voltios.
10X las
prestaciones
del 8080
Igual que
8086 pero bus
externo 8 bits
3-6X las
prestaciones
del 8086
Primer chip
X86 que
maneja datos
De 32 bits
Memoria
cache en chip

Velocidad
del reloj

Anchura
de Bus

108 KHz

4 bits

01/04/72
NMOS
01/04/74
NMOS

200 KHz

8 bits

2 MHz

8 bits

05/03/76
CMOS
08/06/78
CMOS

5 MHz

i8088

01/06/79
CMOS

i80286

01/02/82
CMOS

i386 DX

17/10/85
CMOS

i486 DX

10/04/89
CMOS

Pentium

22/03/93
BiCMOS

Pentium
Pro

01/11/95

Pentium
MMX
Pentium
II

08/01/97
CMOS
07/05/97

Celeron

15/04/98

Pentium
III

26/02/99

28

Nmero de
transistores
y tecnologa
2.300
10 micras

Fecha de
Introduccin y
tecnologa
15/11/71
NMOS

15/02/00

64 bits

64 bits

64 bits

0,35 micras
5.500.000
0,35 micras

7.500.000
0,35 micras

4 Gbytes/
64 Tbytes

64 Gbytes/
64 Tbytes

64 Gbytes/
64 Tbytes

0,25 micras
7.500.000
0,25 micras
19.000.000
9.500.000
0,25 micras
0,18 micras

0.9 MIPS
1.5 MIPS
2.6 MIPS
5-6 MIPS
6-7 MIPS
8.5 MIPS
11.4 MIP
20 MIPS
27 MIPS
41MIPS
100 MIPS
112 MIPS
150 MIPS
203 MIPS
250 MIPS
180 MIPS
230 MIPS
175 MIPS
250 MIPS
250 MIPS

520 MIPS
300 MIPS

Arquitectura
superescalar.
5X las prestaciones
del i486 DX a
33 MHz
Arquitectura
de ejecucin
dinmica
Tecnologa
MMX1
Bus dual
independiente.
Tecnologa
Intel MMX

460 MIPS
520 MIPS
580 MIPS
750 MIPS
1000 MIPS

Tabla 1.1 Caractersticas los principales microprocesadores de la familia Intel

MMX es una arquitectura de procesador orientada a mejorar la respuesta en plataformas de comunicaciones y multimedia.

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Concepto de sistema integrado mixto

a) Fotografa del procesador i486[5]

b) Fotografa del procesador PentiumII[5]

29

c) Fotografa del procesador PentiumIII

Fig. 1.8 Fotografas de las ltimas generaciones de microprocesadores de Intel

1.1.2 Sistemas de telecomunicacin

El avance de la tecnologa de circuitos integrados no slo se aplica a los sistemas digitales, sino tambin a los circuitos de tipo mixto en general y por ello influye en el actual progreso de los sistemas de
telecomunicaciones (ver Fig. 1.9, Fig. 1.10 y Fig. 1.11).
A modo de ejemplo, y pensando en circuitos analgicos receptores de radiofrecuencia (RF), a
menudo situados en la periferia de circuitos digitales complejos, en comunicaciones sin hilos (wireless
communication) la Fig. 1.12 nos muestra la evolucin y posibilidades de la tecnologa actual. Observemos que la tecnologa CMOS convencional tiene cada vez un papel ms claro en receptores de alta
frecuencia. En la actualidad los receptores de la telefona mvil, entre 0,9 GHz y 2 GHz, estn siendo

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Diseo de circuitos y sistemas integrados

implementados en tecnologa CMOS convencional [6][7] con el consiguiente impacto en el abaratamiento de estos sistemas. Si consideramos la tecnologa BiCMOS, tecnologa CMOS que incorpora
mscaras adicionales y la posibilidad de integrar componentes bipolares, encontramos una cobertura
de frecuencias [8] que hasta hace unos aos estaba reservada a la tecnologa GaAs. Tambin se observa en la figura Fig. 1.12 la aparicin reciente y creciente de receptores de muy alta frecuencia trabajando con tecnologas hbridas tipo SiGe [9], an hoy en da de elevado costo, pero con un claro futuro
protagonismo.

Fig. 1.9 Receptor de Satlite QPSK. Flujo de datos

variable 2-90 Mb/s. ADC de 8bits y 125MHz. Decodificador de Viterbi de 64 estados. Decodificador ReedSalomon T=8. 1.2 Mtransistores, 22 mm2, tecnologa
0.35m, 3.3 voltios, CMOS convencional, 4 niveles de
metal. Broadcom Corporation [10]

Fig. 1.10 Transceptor de vdeo. 43 Mb/s 64/256-QAM.

Receptor QPSK 2 Mb/s, Convertidor D/A de 6 bits, 20
MS/s. Transmisor QPSK/16-QAM de 20 Mb/s, A/D de
10 bits, 200 MHz. 2.3 Mtransistores, 64 mm2, 0.35m,
tecnologa CMOS convencional, 4 niveles de metal.
Broadcom Corporation [11]
Receptore s RF
60

50
S iG e
frecuencia (G H z)

30

40

30
G aA s
20
BIC M O S

10
CMOS

0
1996

Fig. 1.11 Mdem para comunicacin cable. Recepcin

64/256-QAM, 30 MS/s, Convertidor A/D 10 bits, 30
MHz. Transmisor 20 Mb/s QPSK/16-QAM, Convertidor Digital-Analgico 10 bits, 200 MHz. 3.5 Mtransistores, 67 mm2, 0.35 m, 3.3.voltios [12]

199 6

199 6

199 7

199 8

199 8

199 8

199 9

199 9

Fig. 1.12 reas de cobertura en frecuencia de las

tecnologas de circuitos integrados

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Concepto de sistema integrado mixto

El impacto de estos circuitos (consecuencia del avance tecnolgico previsto en la ley de Moore)
est provocando rpidos y significativos progresos en los circuitos de comunicacin en las reas de

Receptores directos de satlites (Direct Broadcast Satellite)

Redes locales de alta velocidad (High Speed LANs)
Comunicacin sin hilos (Terrestrial Wireless Services)
Comunicaciones digitales (ATM, Cable Modems)
Transferencia y proceso de imgenes
Comunicaciones de banda ancha (High speed digital communications)

Los nuevos componentes de comunicaciones comparten objetivos con los componentes de computacin: bajo costo, bajo consumo, porttiles, reduccin o eliminacin de componentes externos,
bajas tensiones de alimentacin y alta velocidad de operacin. Por ello una misma tecnologa da, actualmente, soporte a ambas reas, generalizndose en el concepto de circuitos mixtos.
1.1.3 Conclusin
Los circuitos integrados, en su versin de tecnologa CMOS, actualmente madura, o en la de tecnologas previsibles a medio plazo, han tenido un protagonismo en el progreso de las reas de la computacin, las comunicaciones y la automatizacin. Hasta la actualidad y segn la previsin para la prxima
dcada, este progreso se puede expresar bsicamente por la ley de Moore.
En [13] se enuncia una denominada ley de Moore generalizada que pretende dejar patente este
hecho: Todos los parmetros caractersticos de las tecnologas de la informacin mejoran en un factor de 2 cada 1,5 a 3 aos. Todo ello con una fuerte reduccin del costo de un dispositivo.
Ao
Anchura de una lnea
Bits/cm2 en una memoria DRAM

Tamao de un chip de P (primera versin)

Frecuencia de reloj en chip
Nmero de niveles de interconexin
Nmero de E/S
Potencia disipada por un chip
Tensin de alimentacin
Rendimiento de fabricacin
Costo de un bit en memoria
DRAM encapsulada
Costo de un transistor en un P
encapsulado

1997
200
96

1999
140
270

2006
70
2200

2012
35
17000

300

340

520

750

mm2

400
750
6

600
1250
6-7

1100
2000
7-8

1800
3000
9

MHz

800
1.450
70
2,5-1,8
90%
36

975
2.000
90
1,8-1,5
87%
18

1970
4.000
160
1,2-0,9
75%
1.6

3580
7.300
175
0,6-0,5
52%
0,2

910

525

75

15

Tabla 1.2 Previsiones de los principales parmetros[14]

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

unidades
nm
Mbits

W
V
10-5$
10-5$

31

Diseo de circuitos y sistemas integrados

Como ejemplo del estado futuro esperado de los circuitos se muestra en la Tabla 1.2 el progreso
de una serie de caractersticas. Estas previsiones estn anunciadas en los informes National Technology Roadmap for Semiconductors de la SIA. Observemos la previsin para la prxima dcada del aumento de la frecuencia de reloj, el nmero de entradas/salidas o la potencia disipada y prestemos una
especial atencin a la continua reduccin del coste unitario de un dispositivo.
Complementariamente a todas las tendencias analizadas en este captulo, actualmente se consolidan dos directrices:
Sustitucin del substrato de la tecnologa CMOS convencional por substrato SOI (Silicon On
Insulator), permitiendo este cambio tecnolgico un incremento entre el 20-35% de aumento
de la velocidad de operacin, una reduccin de consumo (25%) y una menor interaccin
entre circuitos.
Sustitucin de materiales en las interconexiones metlicas. Sustitucin del conductor Aluminio por el Cobre. Cambio de la estructura del dielctrico SiO2 por una ms porosa y por ello
con una menor constante dielctrica. Aumento de velocidad conseguido por este cambio
tecnolgico: 30%.

32

Las posibilidades que esta tecnologa brindar en los prximos aos, como la eliminacin de conexiones a travs de picoredes (Bluetooth[15]), la diagnosis mdica porttil y remota, los servicios de internet con elevado flujo de datos, el guiado automtico de vehculos, etctera, darn lugar a un par de
dcadas de avance tecnolgico impensable. En [16], Toshiba realiza una previsin para el ao 2006 en
el campo de los sistemas multimedia, donde se pronostica la televisin interactiva, 3D (eleccin del
punto de vista de observacin), la unin de servicios de computacin, comunicacin, de ocio y cultura
en un nico sistema personal porttil.
Ao
Tipo de Display
Servicio Principal

2000
CRT
HDTV
EPG simple

Servicio de Datos

Ancho de Banda
Estimado

Servicio de compra
Grficos 2D
Web (HTML)
100 Kbytes/s

2003
CRT/FPD
HDTV
Punto de visin mltiple
2D/3D EPG
Almacn virtual
Grficos 3D
Web 3D (MPEG4)
Telefona TV
1 Gbytes/s

2006
CRT/FPD
HDTV
3D
EPG con capacidad de
bsqueda
Almacn virtual 3D
Animacin 3D
Web 3D (MPEG4)
Telefona TV
50 Gbytes/s

Tabla 1.3 Evolucin prevista para sistemas de vdeo[9]

1.2

Principios, subsistemas y diseo

Este texto pretende dar a conocer al lector las principios fundamentales y las estructuras de los subsistemas (ver Tabla 1.4) que configuran los circuitos integrados mixtos modernos, as como el estado
y evolucin prevista para la tecnologa de fabricacin.

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Concepto de sistema integrado mixto

A modo de principios tecnolgicos, en el captulo 2 se presentan los principios fsicos de los

dispositivos MOS, parmetros de proceso, modelos elctricos, el concepto de mscaras que definen
una tecnologa, as como los diferentes escenarios de escalado de los circuitos. Se introducen las
fuentes de defectos y fallos de los circuitos integrados en el proceso de fabricacin. Se analiza el concepto de rendimiento del proceso, parmetros principales que lo configuran y modelos. Por ltimo, se
consideran los efectos de la desviacin de los parmetros de los circuitos como consecuencia de las
variaciones del proceso de fabricacin.
El captulo 3, se dedica a presentar los principios de los flujos y herramientas de diseo, fundamentales para gestionar circuitos y sistemas con miles o millones de componentes y realizar una verificacin precisa, siempre conforme a objetivos de productividad. Se presentan los conceptos de lenguajes de descripcin, simuladores elctricos y lgicos, verificadores en los diferentes niveles,
herramientas de sntesis automtica, entornos CAD y escenarios de diseo conforme a objetivos.
Principios fundamentales
de la tecnologa de CIs

Principios de Entornos de
diseo

Subsistemas

Diseo mixto

Parmetros tecnolgicos
Modelos de dispositivos e interconexiones
Escalado de circuitos
Defectos de fabricacin y test
Rendimiento del proceso
Desviaciones del proceso
Diagrama de flujo de diseo
Lenguajes
Simuladores
Verificadores
Sintetizadores/Optimizadores
Sntesis en alto nivel
Escenarios de diseo
Clulas de E/S
Lgica aleatoria y estructurada
Subsistemas digitales y Memorias
Osciladores y relojes
Referencias de tensin
Referencias de corriente
Amplificacin
Capacidades conmutadas
Filtrado
Baja tensin/bajo consumo
Conversin A/D
Conversin D/A
Ruido de acoplamiento, compatibilidad
tecnolgica y/o elctrica
Tecnologas BiCMOS y SOI
Ejemplos de diseo de sistemas integrados
Tecnologas MCM y MEMS

Tabla 1.4 Principios, subsistemas y diseo

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

33

Diseo de circuitos y sistemas integrados

El anlisis del comportamiento de las interconexiones es fundamental en los circuitos de alta

velocidad actuales. El captulo 4 se concentra en este punto. Se analiza el impacto de las conexiones
en el retardo digital, y se presentan modelos de componentes concentrados y distribuidos para las
mismas. Los parmetros y el diseo de las celdas de entrada/salida son analizados en ese captulo, as
como las tcnicas de realizar componentes como resistencias, capacidades e inductancias sobre circuitos integrados. Se introduce la tecnologa de encapsulados y las fuentes de ruido interno. Se plantean las alternativas de implementacin de circuitos existentes actualmente y se presenta un anlisis de
coste
El captulo 5 se concentra en subsistemas y circuitos propios de las secciones digitales de un circuito integrado. Parmetros de la lgica convencional y nuevas estructuras estticas, as como circuitos lgicos dinmicos son evaluados en este punto. Se profundiza en el diseo y tipos de memorias
digitales. Se analizan circuitos osciladores y de manera especial los generadores de reloj, as como la
distribucin del mismo a travs de un circuito complejo. Se trata de una manera especial los principios
del diseo de circuitos de bajo consumo (low power).
Las funciones principales analgicas son contempladas en el captulo 6, en donde se analizan
circuitos referencia de tensin y corriente, amplificacin y filtrado, con especial atencin a circuitos
de capacidades conmutadas y a las actuales tendencias de circuitos de bajo consumo y de baja tensin
(low voltage). Las estructuras ms actuales utilizadas como convertidores A/D y D/A en los circuitos
modernos se presentan en este captulo.
El ltimo captulo, el captulo 7, se centra en aspectos propios de diseo de circuitos mixtos
complejos. Se presentan las tecnologas BiCMOS, CMOS SOI, MCM y MEMS. Por ltimo se consideran cuatro casos estudio de diseo de circuitos mixtos en aplicaciones actuales.
34

Referencias
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]

[7]

[8]
[9]

[10]

J.S. Kilby, Miniaturized Electronic Circuits, U.S. Patent 3,138,743, June 23, 1964 (filed
February 6, 1959)
R.N. Noyce, Semiconductor Device-and-Lead Structure, U.S. Patent 2,918,877, April 25,
1961 (filed July 30, 1959).
Gordon Moore, VLSI: Some Fundamental Challenges, IEEE Spectrum, vol. 16, p.30, 1979.
National Technology Roadmap for Semiconductors, Sematech, www.sematech.org.
www.intel.com
J.C. Rudell, Jia-Jiunn Ou, T. Byunghak Cho, G. Chien, F. Brianti, J.A.Weldon, P.R. Gray, "A
1.9-GHz Wide-Band IF Double Conversion CMOS Receiver for Cordless Telephone Applications", IEEE J. Solid-StateCircuits, vol. 32, no. 12, pp. 2071-2088, December 1997.
Derek K. Shaeffer, Arvin R. Shahani, S. S. Mohan, Hirad Samavati, Hamid R. Rategh, Maria
del Mar Hershenson, Min Xu, C. Patrick Yue, Daniel J. Eddleman, and Thomas H. Lee A
115-mW, 0.5-um CMOS GPS Receiver with Wide Dynamic-Range Active Filters IEEE
Journal of Solid-State Circuits, Dec. 1998, pp. 2219-2232.
Timothy Tredwell Technology Directions, Proceedings of the 22nd Solid State Conference,
San Francisco, 1999.
Takenori Morikawa, A SiGe Single Chip 3.3V. Receiver IC for 10Gb/s Optical Communication Systems, Proceedings of the 22nd Solid State Conference, San Francisco, pp. 380382, 1999.
Alan Kwentus et al., A Single-Chip Universal Digital Satellite Receiver with 480 MHz IF
Input, Proceedings of the 22nd Solid State Conference, San Francisco, pp. 332-333, 1999.

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.

Concepto de sistema integrado mixto

[11]
[12]

[13]

[14]
[15]
[16]

Robindra Joshi et al., A 52Mb/s Universal DSL Transceiver IC, Proceedings of the 22nd
Solid State Conference, San Francisco, pp. 250-251, 1999.
Henri Samueli, Broadband Communication ICs: Enabling High-Bandwidth Connectivity in
the Home and Office, Proceedings of the 22nd Solid State Conference, San Francisco, pp.
26-30, 1999.
Theo Claasen, Is High-Speed the Only Solution to Exploit the Intrinsic Computational
Power of Silicon?, Proceedings of the 22nd Solid State Conference, San Francisco, pp. 2225, 1999.
International Technology Roadmap for Semiconductors, Semitech, www.semitech.org, 1999.
Bluetooth standard, www.nokia.com.
Haruo Nakatsuka, The new frontier created by High-Bandwidth Digital Video Systems and
Services, Proceedings of the 22nd Solid State Conference, San Francisco, pp. 16-19, 1999.

35

Los autores, 2000; Edicions UPC, 2000.