CONTENIDO

Captulo II.3 Capacidad y Energa Elctrica - Dielctricos -------------------------------2

II.3.1 Definicin de capacidad elctrica Capacitancia-------------------------------------2
II.3.1.a Capacitor de dos esferas -------------------------------------------------------------4
II.3.1.b Capacitor de placas paralelas -------------------------------------------------------5
II.3.1.c Clculo general de la capacitancia de una configuracin geomtrica -------8
II.3.2 Sistemas de capacitores ----------------------------------------------------------------- 10
II.3.2.a Configuracin en paralelo --------------------------------------------------------- 10
II.3.2.b Configuracin en serie ------------------------------------------------------------ 12
II.3.2.c Otras configuraciones -------------------------------------------------------------- 13
II.3.3 Campos elctricos en la materia: Dielctricos --------------------------------------- 15
II.3.3.a Efecto macroscpico del campo elctrico en la materia: Polarizacin y la ley
de Gauss en medios dielctricos ----------------------------------------------------------- 16
II.3.3.b Efecto microscpico del campo elctrico en la materia: Campo molecular y
polarizabilidad -------------------------------------------------------------------------------- 29
II.3.3.c El capacitor de placas paralelas con dielctrico. Capacitores
comerciales
-------------------------------------------------------------------------------------------------- 36
II.3.4 Energa elctrica ------------------------------------------------------------------------- 39
II.3.4.a Energa almacenada en un capacitor --------------------------------------------- 39
II.3.4.b Energa almacenada en el campo elctrico-------------------------------------- 41
PREGUNTAS - CAPITULO II.3------------------------------------------------------- 44
PROBLEMAS - CAPITULO II.3 ------------------------------------------------------ 45

Captulo II.3 Capacidad y Energa Elctrica - Dielctricos

A partir de los experimentos de Faraday, Cavendish y otros, se intuy la posibilidad de
emplear conductores y sistemas de conductores como dispositivos almacenadores de carga.
Luego el mismo Faraday reconoci la importancia del papel primordial que el medio entre
los conductores jugaba en este proceso. Sin embargo, no fue sino hasta muchos aos
despus hasta que se investig y determin tericamente el efecto del campo elctrico en la
materia cuando se pudo entender las causas y origen de este fenmeno. Esta investigacin
ha derivado en un nuevo campo de la electricidad antiguamente denominado dielectricidad,
y tambin en el estudio de un nuevo conjunto de materiales denominados dielctricos. El
conocimiento de esta nueva rea de la electricidad es de tal importancia que un curso
avanzado de electricidad debera empezar ms bin por tratar los materiales dielctricos y
el efecto que los campos producen en el interior de la materia en el mbito microscpico
antes de presentar las leyes de Coulomb y de Gauss. En este captulo se tratarn ambos
asuntos en un orden mas cercanamente cronolgico, empezando primero por definir y
conocer como se determina la capacidad elctrica es decir, la facultad que un cuerpo o
sistema puede tener para almacenar carga. De all se puede establecer la relacin con el
almacenamiento de energa, para llegar a una de las conclusiones mas paradjicas de la
electricidad:
La capacidad de almacenar carga de un sistema de cuerpos no depende para nada de
parmetros elctricos sino slo de geomtricos y de la constitucin del medio.
Se presentar tambin en este captulo con la ayuda de la teora atmica de la
constitucin de la materia y de algunos resultados del captulo precedente, un anlisis semiriguroso de cmo se originan efectos importantes cuando un campo elctrico externo acta
en el interior de la materia.
II.3.1 Definicin de capacidad elctrica Capacitancia
Un conductor cargado y aislado del resto del universo, es aquel que se encuentra bastante
alejado de todas las dems cargas, o equivalentemente podemos decir que la carga opuesta
se encuentra en el infinito. De las definiciones de campo y potencial elctrico ecs. II.2-25 y
II.2-105 se puede, para un conductor de esta naturaleza, establecer una relacin directa
entre la carga Q que el conductor puede poseer y el potencial elctrico que esta carga
establece en el espacio que la rodea, siendo el lmite establecido slo por el rompimiento
elctrico del medio. Para pequeas distancias, comparadas con la distancia que separa al
conductor aislado de las cargas restantes, esta relacin es directamente proporcional y se
puede escribir como:

Q =C

(II.3-1)

En donde la constante de proporcionalidad C viene a representar la capacidad que el

conductor tiene de almacenar o condensar la carga. Si suponemos que el conductor es una
esfera de radio R, se obtiene directamente de las ecs. II.2-114a y II.3-1 que la constante de
proporcionalidad entre la carga y el potencial de la esfera es:

Q = C(K0

Q
)
R

C=

R
K0

(II.3-2)

Concluyndose que la capacidad de almacenar carga depende solamente del radio de la

esfera y de la constante del medio.
El caso de un conductor aislado es una situacin hipottica, entonces; cmo sera la
relacin entre la carga y el potencial para una situacin real en donde sabemos que una
carga no puede estar aislada?, es decir, debe existir por lo menos un par de conductores
cargados.
En el captulo anterior se estableci, mediante el teorema de la unicidad para
conductores, que existe una manera nica en la cual se reparten las cargas entre un sistema
de conductores de forma tal que el campo elctrico sea nulo en el interior de todos ellos.
Este teorema tambin se puede interpretar cmo una conexin nica entre la relacin
carga-potencial y la disposicin geomtrica de los conductores portadores de carga. En la
base de este criterio se puede establecer el siguiente teorema para dos conductores,
derivable del teorema de la unicidad:
Dos conductores separados de cualquier forma, que puedan pero no necesariamente,
poseer cargas opuestas de igual magnitud, tienen la capacidad de almacenar carga
independientemente de la carga misma, del campo y potencial elctrico que sta produce y
depende solamente de la estructura o arreglo geomtrico conformado por los conductores
y del medio que los separa.
Este arreglo geomtrico se conoce cmo capacitor1 y la propiedad de almacenar la carga se
denomina capacitancia. Ntese la similitud entre esta variable fsica y la conductancia del
calor (vase parte I captulo I.4) o la conductancia de un fluido hidrodinmico (vase curso
de Fsica 11). Este tipo de variable fsica que es determinada por factores geomtricos es
comn en diversas reas de la Fsica en donde se presenta un flujo de materia, partculas o
energa.
Procede directamente del teorema anterior y del principio de induccin
electrosttica que un capacitor puede ser construido en cualquiera de las dos estructuras
siguientes: cargados los dos con cargas opuestas (fig. II.3-1a) o uno solo cargado mientras
el otro es conectado a tierra (fig. II.3-1b).

Fig. II.3-1. Capacitor a) Ambos cargados b) uno solo cargado y conectado a tierra.
1

Antiguamente se le conoca tambin como condensador, pero este trmino ha entrado en desuso.

Es directo establecer que para un par de conductores con cargas de igual magnitud
Q, por simple extensin de la ec. II.3-1 se puede escribir que la capacitancia debera estar
dada por:

C=

(II.3-3)

Siendo ahora
la diferencia de potencial entre los dos conductores. Dado que la
capacitancia depende solamente de factores geomtricos, por definicin es una variable
fsica siempre de magnitud positiva. Esto implica que en la aplicacin de la ec. II.3-3 se
debe emplear la magnitud de la carga, y la diferencia de potencial se debe evaluar como la
diferencia entre el punto de mayor al punto de menor potencial. Para verificar la validez del
teorema consideraremos dos estructuras geomtricas simples o capacitores ya vistas en
captulos anteriores: dos esferas y dos planos paralelos ambos conductores.
Un capacitor perfecto es aquel en el cual todo el campo elctrico, se desarrolla entre
los dos conductores, de manera que todo el flujo parte de un conductor y termina en el otro.
Por lo general esto no se cumple en la prctica ya que siempre se pierde parte del flujo
hacia otras cargas lejanas, en particular hacia tierra. La existencia de un flujo hacia tierra
desde el conductor positivo de la configuracin de la figura II.3-1b, produce una
capacitancia adicional denominada capacitancia parsita la cual es difcil de estimar.
II.3.1.a Capacitor de dos esferas
Supongamos dos esferas conductoras de radio R con cargas opuestas de magnitud Q y
separadas a una distancia r >>R en el vaco como se presenta en la figura II.3-2. Podemos
bajo esta condicin considerar el potencial de cada esfera como aproximadamente el
potencial correspondiente al de cada esfera aislada y dada por la ec. II.2-114a de la forma:
= K0

Q
R

(II.3-4)

As que la capacitancia vendr dada por:

2
C=

Q
( +Q )

( Q)

R
=
2 K0

R L MKS

R
L ues CGS
2

(II.3-5)

Se observa que, de nuevo la capacitancia slo depende del radio de las esferas y la
constante del medio. Ntese tambin que si una esfera se coloca en el infinito se tendra el
caso anterior de una esfera aislada.

Fig. II.3-2. Capacitor de dos esferas.

II.3.1.b Capacitor de placas paralelas
Se tienen dos placas conductoras paralelas con densidades de carga de igual magnitud pero
de signo opuesto en el vaco. El rea de las placas es A y se encuentran separadas a una
distancia d muchsimo menor que cualquiera de las dimensiones de las placas. En estas
condiciones se puede asegurar que el campo elctrico en el interior de las placas es de
simetra uniforme, es decir las lneas de fuerza seran lneas perpendiculares a las placas
cmo se ilustra en la figura II.3-3a. Esta aproximacin es vlida en cuanto el punto del
campo est ms alejado de los bordes y cerca del centro de las placas. El campo producido
por estas placas viene dado por la ec II.2-112, as que de la ec. II.2-74 la diferencia de
potencial entre las placas es:
+Q

r r
E d l = E d = 4

K0

(II.3-6)

La carga en las placas es Q= A, entonces, de la ec. II.3-3 la capacitancia de este capacitor

es:

C=

A
4

K0

A
=
K0 d

A
0 L MKS
d
A
L ues CGS
d

(II.3-7)

Una vez ms se obtiene como resultado que la capacitancia depende solamente de factores
geomtricos.
Cuando nos acercamos al borde de las placas del capacitor de placas paralelas, el
campo pierde la simetra uniforme y se asemeja al campo producido por un sector
puntiagudo. La combinacin del campo de los dos sectores de las dos placas resulta en una
simetra similar al de dos cargas puntuales de signo opuesto con una alta concentracin de
carga. El resultado es un efecto en el campo uniforme que se conoce como efecto de borde
o efecto de franjas, el cual produce una disminucin en el campo elctrico entre las placas.
5

Si se toma en cuenta el efecto de borde, la capacidad real de un capacitor de placas

paralelas se puede representar como:
C = fb

A
K0 d

(II.3-8)

En donde el trmino fb
cumple la condicin:

d/A, representa un factor responsable del efecto de borde y el cual

Lim f b = 1

d/A

(II.3-9)

El capacitor de placas paralelas como dispositivo condensador de carga, es un

arreglo comercialmente utilizado en la construccin de aparatos electrodomsticos y
electrnicos. Para este fin se requiere que las placas sean conectadas mediante otro
conductor al resto de los elementos que componen la parte elctrica del aparato. Este
conductor pasa a formar parte de la placa y por su forma y tamao contribuye en aumentar
la capacitancia parsita. Para evitar este efecto se emplean alambres conductores de tamao
despreciable comparados con las placas y alejados de tierra. En la figura II.3-3b se
representa el capacitor de placas paralelas de forma esquemtica en donde las lneas
punteadas representan los alambres y se supone que se encuentran al mismo potencial de
las placas.

Fig. II.3-3. Capacitor de placas paralelas a) con efectos de borde, b) representacin

esquemtica.
Unidades
En las ecuaciones II.3-5 y II.3-7 se ha empleado la definicin de la constante de unidades
(ec. II.1-7) para los dos sistemas ms utilizados en electricidad. Se puede apreciar que
adems de la dependencia con factores geomtricos, la capacitancia depende tambin de la
permitividad del medio, en este caso el vaco, como un factor multiplicativo. Esta constante
6

tambin conocida cmo constante dielctrica no posee unidades en el sistema ues-cgs y en

el MKS posee el inverso de las unidades de la constante K0. Se acostumbra en el sistema
MKS denominar a la unidad de capacitancia C/V= (CT/L)2(1/M)= Faradio (F), en tanto
que en el sistema ues-CGS se puede ver de las ecuaciones para las capacitancias que la
unidad es equivalente a cms. Esta unidad se acostumbra denominarla stat-Faradio.
Empleando las conversiones de carga y potencial respectivas, es fcil encontrar que: 1
Faradio= 9 x1011 cms ( stat-Faradios). As que es obvio ver que la unidad de Faradio es
muy grande ya que para construir un capacitor de placas paralelas de 1 faradio separadas a
una distancia de 1 cm se requerira de la ec. II.3-7 un rea de A= 4 x109(10-2) 109 m2
!! En tanto que para construir un capacitor de 1 faradio con una esfera, sta debera poseer
un radio de 18x109 mts !!. En consecuencia para representar la capacitancia de un capacitor
de dimensiones normales, cuya capacitancia sera muy pequea, se emplean submltiplos.
En la tabla II.3-1 se indican los submltiplos ms comunes para capacitores comerciales.

Tabla II.3-1. Submltiplos del Faradio.

Sin pensarlo mucho parecera paradjico que la capacidad de almacenar carga
dependa solamente de factores geomtricos y de la permitividad del medio. A fin de
corroborar experimentalmente este resultado se ejecuta el montaje del experimento E.II.3-1
con un capacitor de placas paralelas, el cual consiste de dos discos de rea A uno fijo
cargado y conectado a un electroscopio, y otro movible a lo largo del eje de los discos y
conectado a tierra. Si acercamos el disco movible desde lejana distancia se aprecia que
colapsan las hojas del electroscopio. Es obvio que la carga en el electroscopio permanece
constante, entonces el potencial del disco fijo debe disminuir, lo cual concuerda con el
hecho de que un conductor descargado siempre disminuye el potencial de otro cargado. En
consecuencia la diferencia de potencial entre los discos disminuye y por la definicin de
capacitancia segn la ec. II.3-3, la capacitancia debe aumentar. Esto corrobora la validez de
la ec. II.3-7 en cuanto a su dependencia con la distancia entre las placas. Si ahora se repite
el experimento con placas de mayor rea a una distancia fija, observamos que las hojas
colapsan de nuevo. Invocamos de nuevo constancia de la carga y debido a una variacin en
la densidad de carga el electroscopio indica una disminucin de la diferencia de potencial,
implicando por la ec. II.3-3 un aumento de la capacitancia. Nuevamente la ec. II.3-7
corrobora esta dependencia.
Para estudiar la relacin con el medio, se coloca totalmente entre las placas otro
disco de un material aislante, se observa que independientemente de la naturaleza del
material siempre las hojas del electroscopio colapsan. Si la carga es constante, entonces la
diferencia de potencial disminuye conduciendo a un aumento de la capacitancia. Se puede
entonces aseverar que un medio material entre los conductores aumenta la capacitancia con
respecto al vaco. En la seccin II.3-3 se justificar el origen de esta dependencia mediante
el empleo de la teora atmica de la constitucin de la materia.
Exp. II.3-1. Estudio de los parmetros del capacitor de placas paralelas.

II.3.1.c Clculo general de la capacitancia de una configuracin geomtrica

La capacitancia obtenida en los dos casos anteriores de configuraciones geomtricas
sencillas fue fcil por la determinacin simple e inmediata del campo elctrico y la
diferencia de potencial. Para configuraciones geomtricas asimtricas o complejas la
determinacin del campo elctrico y de la diferencia de potencial es ms difcil. En
determinadas circunstancias se puede emplear la ley de Gauss para la determinacin de la
carga, de manera que de las ecs. (II.2-41) y (II.2-74), podemos escribir la definicin de
capacitancia de la forma:

C=

r r
E dA

1
4

K0

+Q

(II.3-9)

r r
E dl

Se ve as que para la deduccin de la capacitancia de una configuracin geomtrica de

cualquier forma es crucial el conocimiento del campo elctrico establecido en la regin
entre los dos conductores. Como muestra del empleo de la ec. II.3-9 se encontrar la
capacitancia de dos estructuras ms complejas pero que poseen simetra.
El capacitor esfrico
Esta estructura geomtrica consiste de dos esferas concntricas de radios R1 y R2 sostenidas
por separadores aislantes de dimensiones despreciables como se seala en la figura II.3-4.
Suponemos que se coloca en la esfera interna una carga positiva y en la esfera externa una
negativa o bien sta ltima se conecta a tierra. El campo elctrico establecido entre las dos
esferas se determina mediante la ley de Gauss y es aquel correspondiente al de la esfera
interna como si toda la carga Q estuviese concentrada en su centro y dado por la ec. II.2-51;
as que si ejecutamos la integracin en la direccin radial desde la esfera interna hasta la
externa, la capacitancia vendra, de acuerdo con la ec. II.3-9 dada por:

C=

Q
R2

K0 Q
dr
2
R1 r

=
K0

1
R1

1
R2

R1 R2
K 0 (R2 R1 )

(II.3-10)

Fig. II.3-4. Capacitor esfrico

El capacitor Cilndrico
Este capacitor est conformado por dos cilindros concntricos de radios R1 y R2 de la
misma longitud L. El capacitor cilndrico se encuentra por lo general en los cables
coaxiales de transmisin de seales de TV y video y tambin en los cables submarinos.
Si consideramos que los radios son pequeos podemos considerar que los cilindros
interno y externo poseen densidades de carga lineal -! y +! respectivamente. Como se
indica en la figura II.3-5a, la carga que cada cilindro poseera sera Q=!L. Si adems los
radios son pequeos comparados con la longitud, aplicamos la ley de Gauss a una
superficie gaussiana como la de la figura II.3-5b, se obtendra que el campo elctrico
poseera simetra radial y vendra dado por la ec. II.2-59. Entonces la capacitancia de
acuerdo con la ec. II.3-9 sera:
C=

R2

R1

!L
2 K0 !

Cos 180 o d r

L
R
2 K 0 Ln 2
R1

(II.3-11)

Ya que se ha considerado la longitud muy grande para emplear simetra radial, se

acostumbra manejar la capacitancia por unidad de longitud:

1
R
2 K 0 Ln 2
R1

(II.3-12)

La dependencia de la capacitancia con slo factores geomtricos de las dos

configuraciones geomtricas presentadas, es una vez ms evidente. Por lo tanto, la
capacitancia de una configuracin geomtrica de cualquier complejidad se puede expresar
como:

C=

1
[FG ]
4 K0

(II.3-13)

En donde FG representa el factor geomtrico y el cual comprende todos los parmetros que
determinan la geometra de la configuracin.

Fig. II.3-5. Capacitor cilndrico visto en perspectiva

II.3.2 Sistemas de capacitores
La resolucin del problema de la redistribucin de la carga en un sistema de n conductores
cuando se afectan mutuamente la distribucin de sus cargas es un problema complejo. An
en esta situacin complicada sigue siendo vlido el teorema de la unicidad para n
conductores. Un cambio en la carga de un conductor traer como consecuencia una
variacin en la carga de otro(s) conductor(es), como resultado habr un cambio equivalente
en la diferencia de potencial, pero con la caracterstica de que no habr variacin en la
forma relativa en que se distribuyen las cargas en la estructura en equilibrio. Por otra parte,
si se tiene un sistema de 2n conductores y el cual est conformado por n capacitores y la
capacitancia de cada uno depende de la estructura geomtrica, entonces es de esperar que la
capacitancia del sistema depender a su vez de la forma como se acomoden estos
capacitores unos con respecto a los otros. En la base de este criterio un sistema de n
capacitores se puede, bajo ciertas condiciones presentar en dos configuraciones sencillas
principales: paralelo y en serie. Mediante estas dos configuraciones se pueden resolver una
gran diversidad de configuraciones susceptibles de ser descompuestas en combinaciones
serie-paralelo. En lo sucesivo se supondr que los capacitores se pueden unir mediante hilos
conductores que no forman parte ni afectan la configuracin geomtrica conformando as lo
que se conoce como un circuito de capacitores.
II.3.2.a Configuracin en paralelo
En determinadas configuraciones es posible descomponer la geometra de la estructura en
un conjunto de capacitores de capacitancias conocidas. Supongamos que se tiene un
sistema de n capacitores el cual es construido de forma que, mediante hilos conductores,
todas las placas positivas estn unidas al mismo punto de potencial positivo. De la misma
forma todas las placas negativas estn unidas al mismo punto de potencial negativo o
10

tierra. Esta estructura que de forma esquemtica se muestra en la figura II.3-6a y de forma
real en la figura II.3-6b se conoce como configuracin en paralelo. Es de suponer, tal como
se seal anteriormente, que los hilos conductores sealados con lneas punteadas, no
producen diferencias de potencial y son de dimensiones mnimas comparadas con las
placas. As que no juegan un papel importante dentro del anlisis del sistema. Se pretende
entonces determinar si es posible asignar a este sistema una capacitancia nica o tambin
denominada capacitancia equivalente, es decir, como si se tuviese equivalentemente un
solo capacitor con una capacitancia igual a la del sistema y determinar la relacin con las
capacitancias conocidas.
Por cuanto consideramos a los hilos conductores perfectos; entonces, todos los
capacitores estn sometidos a la misma diferencia de potencial . Al colocar una cantidad
de carga Q, esta cantidad se distribuye entre todas las placas. As que la carga qi que cada
capacitor de capacitancia Ci conocida adquiere, viene dada de acuerdo con la ec. II.3-3 por:

qi =

Ci

$ i = 1K n

(II.3-14)

La carga total del sistema viene determinada segn el principio de conservacin de la carga
por la suma algebraica de todas las cargas; as que de acuerdo con la ec. II.3-14 se tendr
que;
n

Q = % qi = %
i =1

Ci =

% Ci

(II.3-15)

i =1

Despejando se obtiene una expresin equivalente a la ec. II.3-3 para la definicin de una
capacitancia nica de la forma:

= % Ci = C e

(II.3-16)

i =1

De esta expresin se concluye que:

La capacidad equivalente de la configuracin en paralelo corresponde a un capacitor de
capacitancia igual a la suma algebraica de las capacitancias individuales
Es obvio que la capacitancia equivalente de una configuracin en paralelo es
siempre mayor que cualquiera de las capacitancias individuales. Esto justifica porqu se
construye un capacitor de una pila de capacitores en paralelo, como en la figura II.3-6a,
para obtener un capacitor de alta capacitancia que no ocupa mucho espacio.
Tal como se discuti en la seccin II.3-1b los hilos conductores afectan el sistema
produciendo una capacitancia parsita, sin embargo, dado que el flujo parsito de los
conductores hacia tierra conforma una capacitancia en paralelo con el capacitor, entonces
siendo sta pequea, y por el carcter aditivo, se torna despreciable en comparacin con la
capacitancia total.
En algunas configuraciones geomtricas es posible descomponer las placas de
forma compleja pero separadas a una distancia L, en un conjunto de elementos de

11

capacitores de placas paralelas de diferencial de rea dA en una configuracin en paralelo,

cada uno con una capacitancia diferencial dado por la ec. II.3-7 de la forma;
dC =

dA
4 K0 L

(II.3-17)

En estas condiciones se puede por la ec. II.3-15, considerar la capacitancia de la

configuracin como constituida por la suma algebraica de estos elementos diferenciales de
capacitores de forma que la capacitancia equivalente se puede expresar como la integral:
Ce =

1
4

K0

dA
L

(II.3-18)

Si la distancia L es fija se tiene un conjunto de elementos de capacitores de placas paralelas

en paralelo.

Fig. II.3-6. Sistema en paralelo a) esquemtico b) en la realidad.

II.3.2.b Configuracin en serie
Un sistema de n capacitores de capacitancias conocidas, cuyas placas se conectan mediante
hilos conductores uno a continuacin del otro en forma de cascada, conforman lo que se
conoce como configuracin en serie. Para esta configuracin es factible asignar una
capacitancia nica o capacitancia equivalente. Si como se muestra en las figuras II.3-6a
(esquemtica) y II.3-6b (real), las placas extremas de esta configuracin inicialmente
descargadas se conectan a las fuentes de carga positiva y negativa, es evidente que existir
una cadena de inducciones electrostticas de la placa de un capacitor hacia la del siguiente.
Entonces, la carga entre dos placas consecutivas debe ser igual y de signo opuesto, para que
de acuerdo con el principio de conservacin de la carga sta se conserve nula en las placas
interconectadas. Si denominamos Q la magnitud de la carga en cada placa, la diferencia de
potencial existente entre las placas de cada capacitor es;

12

Q
Ci

$ i = 1L n

(II.3-19)

Por el principio de superposicin, los potenciales as como las diferencias de

potenciales entre las placas, son aditivas para proporcionar la diferencia de potencial total
del sistema &; as que de II.3-19 se tiene que:
n

=%
i =1

n
Q
=Q % 1
Ci
i =1 Ci
i =1=
n

=%

$ i = 1L n

(II.3-20)

Despejando se obtiene:

1
1
=
Ce
i =1 C i
n

=%

(II.3-21)

Se concluye entonces que:

El inverso de la capacitancia equivalente de la configuracin en serie corresponde a un
capacitor igual a la suma algebraica de los inversos de las capacitancias individuales
En antagonismo a la aditividad algebraica de las capacitancias en paralelo, la
aditividad de los inversos de las capacitancias en serie, resulta en una capacitancia
equivalente menor que cualquiera de las capacitancias individuales. He aqu porqu la
capacitancia parsita crea una gran dificultad tcnica en la construccin de un capacitor a
partir de un conjunto de capacitores en serie en un espacio reducido.

Fig. II.3-7. Configuracin en serie a) esquemtica b) real

II.3.2.c Otras configuraciones
Una gran diversidad de sistemas de capacitores estn conformados por configuraciones que
resultan de combinaciones serie-paralelo de las configuraciones anteriormente presentadas.
Estas configuraciones pueden ser descompuestas en conjuntos separados serie y paralelo
13

cuando son analizadas desde adentro hacia fuera. Es decir, comenzando por el ms
interno que pueda ser identificable se descompone el conjunto como una configuracin
serie o paralelo; y as se procede hacia el ms externo hasta reducir la descomposicin a
una sola capacitancia equivalente. En la figura II.3-8 se presenta un sistema el cual se
puede descomponer de la siguiente manera:
1) Englobados en lneas punteadas se puede identificar dos conjuntos en paralelo: C1,
C2 y C3 forman una capacitancia equivalente Ce1; C5 y C6 forman otra capacitancia
equivalente Ce2. .
2) Englobados en lneas segmentadas se puede identificar dos conjuntos en serie: C4 y
Ce1 forman una capacitancia equivalente Ce3; C7 y Ce2 forman otra capacitancia
equivalente Ce4
3) Englobado en lneas punteadas-segmentadas Ce3 y Ce4 forman un conjunto en
paralelo del cual finalmente se obtiene la capacitancia equivalente del sistema.
Otras combinaciones serie-paralelo ms complejas se presentan en los problemas.

Fig. II.3-8. Configuracin serie-paralelo

Otra configuracin de capacitores, comnmente utilizada para la determinacin de
capacitancias desconocidas, es el puente de Wheastone mostrado en la figura II.3-9. Esta
configuracin no puede ser descompuesta en una combinacin serie-paralelo. Sistemas de
capacitores que no pueden ser descompuestos en combinaciones serie-paralelo sern
considerados en el captulo II.4 cuando se presenten los capacitores como partes de un
circuito elctrico en condiciones no-electrostticas, es decir, cuando las cargas son mviles.

14

Fig. II.3-9. Puente de Wheastone

II.3.3 Campos elctricos en la materia: Dielctricos
El efecto del campo elctrico en la materia puede ser considerado desde dos puntos de
vista: macroscpico y microscpico. Desde el primer punto de vista el efecto se visualiza
como un desplazamiento global limitado, macroscpico y continuo de la carga negativa con
respecto a la positiva. De esta manera se crean densidades de carga superficial y
volumtrica en el material el cual se dice que est polarizado y posee una polarizacin
neta. Segn el punto de vista microscpico ocurre un desplazamiento relativo de las cargas
negativa y positiva a escala atmica y/o molecular, crendose as dipolos inducidos y
permanentes. Mediante argumentaciones de la teora atmica y molecular se puede
proceder a mostrar como se origina de forma discreta una polarizabilidad atmica y
molecular y de all la polarizacin neta que se manifiesta macroscpicamente
La materia en su estado natural imperturbable por la accin de cuerpos cargados o
campos elctricos permanece en estado neutro y sin separacin de cargas. En el mbito
microscpico an cuando el tomo posee electrones de carga negativa revoleteando
alrededor del ncleo, vista la rbita en un plano, la posicin promedio de estos electrones
sera en el centro del tomo. Podra decirse que el centro de masa y el centro de carga
coinciden. Esto es una mera suposicin o aproximacin ya que los campos elctricos
producidos por agentes externos siempre estn presentes en cualquier medio, los que
podramos denominar campos elctricos ambientales. Sin embargo, los campos producidos
por cuerpos cargados muy alejados podemos asumir que son muy dbiles y pueden ser
despreciados. En consecuencia se puede aseverar que el tomo en su estado normal alejado
de todos los dems tomos se puede considerar aislado, posee carga nula, no posee
separacin de cargas y por lo tanto no existen dipolos. Esta situacin se presenta en los
materiales aislantes, an en la presencia de un campo elctrico de magnitud normal, tal
cmo se ha considerado en los dos captulos previos. Existen una gran diversidad de
materiales que an cuando se pueden considerar como aislantes, cuando se encuentran bajo
la accin de un campo elctrico, an de pequea magnitud, presentan una separacin
microscpica de cargas, pero notable y mesurable a escala macroscpica, es decir existe
una induccin electrosttica microscpica formndose dipolos. Estos materiales reciben el
nombre de dielctricos ya que como veremos en esta seccin significa la presencia de dos
tipos de cargas las cuales podemos asociarlas a dos tipos de electricidad. Para el tomo,

15

sta separacin de cargas fundamentalmente involucra al electrn por un lado y al ncleo

por el otro.
Se tiene claro entonces que los tomos y molculas de un dielctrico crean dipolos
los cuales producen una polarizacin macroscpica que tiene como efecto primordial la
reduccin del campo elctrico en la materia. El siguiente paso en el estudio electrosttico es
determinar el campo elctrico en el interior de un material polarizado por la accin de
campos externos. Sin embargo, en este proceso se confronta una situacin recurrente o
recursiva ya que parte del campo elctrico en el medio es producido por el medio mismo a
travs de la polarizacin, la cual a su vez es dependiente del campo en el medio. Para
complicar las cosas el efecto externo de este campo en el dielctrico es a su vez alterar el
campo externo distante.
II.3.3.a Efecto macroscpico del campo elctrico en la materia: Polarizacin y
la ley de Gauss en medios dielctricos
Cualquiera que sea la ndole de la generacin de la polarizacin podemos considerar a un
dielctrico bajo un campo elctrico externo como una serie de dipolos alineados en la
direccin del campo como se muestra en la figura II.3-10. Si tomamos una superficie
gaussiana S se puede ver que las cargas en el volumen del cuerpo se cancelan quedando un
conjunto superficial de cargas de signos opuestos en cada superficie del dielctrico opuesta
al campo. Entonces resulta una densidad superficial de carga de polarizacin en cada cara
del dielctrico. Sin embargo, sabemos que todo el volumen del dielctrico est polarizado
por un elevado nmero de dipolos, as que tambin se puede considerar que existen
densidades volumtricas de carga '+ y '- de los dipolos. Por lo tanto, el efecto del campo
elctrico sobre el dielctrico se puede analizar y describir mediante la densidad superficial
de carga de polarizacin y mediante la densidad de carga volumtrica de los dipolos en
todo el volumen. Esta carga se denomina regularmente carga ligada ya que no puede
desplazarse mas de una distancia atmica, pero tambin se le denomina carga ficticia ya
que desaparece cuando se remueve el campo elctrico. La carga ligada debe distinguirse de
la carga de un solo signo que adquiere el dielctrico por otros medios por contacto u otro
procedimiento, la cual de ahora en adelante la denominaremos libre, sin que esto signifique
que tenga movimiento.
Siguiendo un procedimiento originalmente propuesto por Poisson se considera
primero la distribucin volumtrica de dipolos. Si el momento de cada dipolo es pi, el
momento total producido por todos los dipolos es:
N

M = % pi

(II.3-22)

i =1

siendo N el nmero de dipolos.

Ya que se considera una distribucin volumtrica de dipolos, de forma similar a como se
defini la densidad de carga volumtrica, se puede dentro de un volumen ( definir una
densidad de dipolos con un momento dipolar por unidad de volumen:

16

P=

(II.3-23)

Este concepto tambin se le denomina polarizacin neta o total. Pero como se considera
que los dipolos macroscopicamente se distribuyen de forma continua, entonces para un
elemento d( de volumen del dielctrico, el momento dipolar es:
N

d M = Lim % pi = P d(
)

(II.3-24)

i =1

Si el nmero de fuentes de dipolos por unidad de volumen es n=N/( y suponemos

que todos los dipolos poseen la misma carga y separacin *l; entonces, la polarizacin neta
tambin se puede escribir como:
P=nM =nq*l

(II.3-25)

Fig. II.3-10. Polarizacin macroscpica

Se concluye entonces que el efecto de un campo elctrico externo en el interior de un
dielctrico es en primer trmino crear una polarizacin equivalente al momento dipolar
volumtrico. Para determinar las consecuencias macroscpicas se determinar el potencial
y el campo producidos por esta polarizacin. De la ec. II.2-? el potencial producido por un
nmero de dipolos discretos es:

= K0

r
ur

%p
i =1

r r2
R r

= K0

r
p
+
% i R
N

i =1

1
r r
R r

(II.3-26)

17

Si la densidad de dipolos es elevada an cuando sta es en esencia discreta se puede

considerar continua; as que, de la ec. II.3-24 la sumatoria se convierte en una integral de la
forma:
=

r
P +R

K0

1
r r
R r

d ( (r )

(II.3-27)

En donde el subndice R en el gradiente significa que las derivadas se toman con respecto a
esta variable. Pero como la integracin se realiza en la variable r en donde estn localizados
los dipolos, entonces, se debe transformar el gradiente a esta variable mediante:
r
ur

r r2
R r

r
= +R

r
1
1
r r = +r r r
R r
R r

(II.3-28)

Mediante la ec. A-xx del apndice matemtico se tiene que:

r
+r

r
r 1
+r P
P
=
+ P +r
r
r
r

(II.3-29)

As que la integral II.3-27 se puede descomponer en dos:

= K0

+r

P
d(
r

+r P
d(
r

(II.3-30)

En lo sucesivo omitiremos el subndice r quedando entendido que el gradiente se ejecuta en

la misma coordenada de integracin.
Empleando el teorema de Green (vase seccin II.2-6) la integral de volumen se
puede convertir en una integral de superficie para obtener que el potencial en el dielctrico
se puede escribir como:

= K0

P dS
r

r
+ P d(
K0

, K0

P
S

dS
r

K0

'P d(
r

(II.3-31)

Esta expresin indica que el potencial resultante de todos los dipolos, o mejor dicho la
polarizacin, corresponde a la accin combinada de:
Una distribucin superficial de carga con densidad de carga;

18

P dS
= Pn
dS
y carga ligada superficial:
P

qP S =

dS =

P dS =

(II.3-32a)

Pn d S

(II.3-32b)

Una distribucin volumtrica de carga con densidad de carga;

r
'P = + P

(II.3-33a)

y carga ligada volumtrica:

r
+ P d( =

'P d( =

qPV =
V

P dS

(II.3-33a)

En donde se ha empleado de nuevo el teorema de la divergencia. Obsrvese que las

ecuaciones II.3-32-33 corroboran lo que expresa la ec. II.3-23, esto es, las unidades de la
polarizacin son Carga/rea
La carga total ligada en todo el volumen del dielctrico debido a la polarizacin es;

qPT =

r
( + P) d ( = 0

P dS+

(II.3-34)

Ntese que por el teorema de la divergencia en el segundo trmino, esta carga total es nula.
Para corroborar este resultado matemtico analizaremos fsicamente como ocurre la
separacin de carga. De la ec. II.3-25 la polarizacin en la superficie se puede escribir
como:
P

= Pn d S = P d S = n q* l d S

(II.3-35)

En la superficie asociamos una densidad de carga P a la cual le ocurre un desplazamiento

de carga *l, podemos asociar al volumen de dipolos una densidad volumtrica de carga, as
se puede decir que:

nq*l = '*l =

(II.3-36)

De las ecs. II.3-35-36 se deduce la igualdad dada por la ec. II.3-32a. esto es, P=Pn. Ahora
bien, si existe una distribucin de momentos dipolares en el volumen del dielctrico fuera
de la superficie, entonces existe una carga volumtrica en el dielctrico. La carga ficticia en
la superficie es proveniente de un flujo desde el interior en el dielctrico, el cual representa
una prdida de carga. Dado que el dielctrico es neutro se puede decir que sta prdida
corresponde al negativo de la divergencia de la polarizacin.

19

De la misma forma como se encontraron las leyes de la electrosttica en el vaco

(vistas en los captulos II.1 y II.2), se puede ahora derivar y formular las leyes de la
electrosttica para dielctricos tal como el teorema de Gauss, tanto en forma integral como
diferencial.
Forma Integral
Para formular el teorema de Gauss en su forma integral tomamos dentro del dielctrico una
superficie gaussaina que lo cubra de forma que abarque todas las cargas libres (qL) y
ligadas (qPS, qPV), como se muestra en la figura II.3-11. De forma similar a la ec. II.2-41, el
teorema de Gauss para estos dos tipos de carga se puede escribir como:
r
E dS

-=

K0

% qi = q L + q P S + q P V

i =1

= qL +

P dS
S

P dS
S

(II.3-37)
La primera integral por ser una superficie que no cubre la superficie del dielctrico no
aporta contribucin y resulta ser nula, en tanto que la segunda es una superficie que
encierra slo parte del volumen del dielctrico. Al colocar las unidades respectivas para
cada sistema y re-arreglando trminos se obtiene que:
r
E+4 P

r
E+P

dS =4

q L K ues CGS

d S = q L K MKS

(II.3-38)

(II.3-39)

El trmino vectorial entre parntesis se define como:

r
D = E+4 P

D=

(II.3-40)

r
E+P

(II.3-41)

Mediante esta definicin se obtiene la ley de Gauss para dielctricos como:

D dS =

%q
%q

Li

Li

L ues CGS
L MKS

(II.3-42)

20

Esta expresin no se puede expresar en una forma unificada aplicable a cualquiera de los
dos sistemas siguiendo la terminologa para la constante K0 de unidades de captulos
anteriores.
Forma Diferencial
El teorema de Gauss en forma diferencial para dielctricos requiere que se incluya, adems
de la densidad de carga volumtrica libre, la contribucin volumtrica de las cargas ligadas
que toman en cuenta la polarizacin expresada por la ec. II.3-33a. Por lo tanto, la ec. II.265 para un medio dielctrico se escribira como:
r
+ E=4

K0 'L

r
+ P

(II.3-43)

Re-arreglando los trminos se obtiene para los dos sistemas de unidades;

E
+4
K0

P =4

'L

(II.3-44)

Si definimos de nuevo el vector entre parntesis por la ec. II.3-42 se tiene la ley de Gauss
en forma diferencial para dielctricos:

+ D=

' L Lues CGS

' L L MKS

(II.3-45)

Fig. II.3-11. Superficie gaussiana para dielctricos.

J. C. Maxwel interpret este resultado matemtico desde un punto de vista Fsico
suponiendo que cuando un campo elctrico acta en un medio ocurre un desplazamiento de
electricidad similar a como ocurre en conductores pero de forma controlada y limitada y
denomin al vector D: desplazamiento elctrico. Se puede decir que este vector toma en
cuenta la relacin entre el campo elctrico en el medio y la polarizacin. Esta teora
originalmente propuesta por Maxwell como teora del desplazamiento elctrico constituye
hoy da lo se que se conoce como Teora Clsica del Campo Electromagntico. En 1898 J.
C. Maxwell propone en su teora electromagntica que la polarizacin en un medio puede
ser producida tanto por campos electrostticos como variantes en el tiempo presentes en
una onda electromagntica2, trayendo como principal consecuencia la existencia de una
permitividad y una disminucin de la propagacin de la onda en el medio.

El ejemplo ms conocido de una onda electromagntica es la luz visible en el rango de longitud de onda
4000-7000 .

21

Sin entrar en detalles en algunas situaciones particulares que consideraremos en la

siguiente seccin, la polarizacin vista macroscpicamente aparece en un dielctrico
siempre que sobre ste acte un campo elctrico, entonces es aparente que si despreciamos
el efecto de los dipolos mismos, la polarizacin es creada slo por el campo en el medio. Es
un hecho experimental que la polarizacin es directamente proporcional al campo elctrico.
Si se tiene un material dielctrico en el cual todas las propiedades elctricas son las mismas
en cualquier direccin en el medio, entonces se tiene un dielctrico isotrpico. Para este
tipo de material es lgico suponer que la polarizacin y el campo elctrico en el medio son
paralelos, es decir, poseen la misma direccin. Tomando en cuenta que la polarizacin se
expresa en Carga/rea pero el campo elctrico se expresa diferente en los dos sistemas de
unidades, entonces la proporcionalidad directa entre polarizacin y campo elctrico es de la
forma simple:
E

P=.

L ues CGS

(II.3-46)

L MKS
0 E

En donde la constante de proporcionalidad adimensional denominada susceptibilidad

elctrica, se define de forma diferente en los dos sistemas y puede llegar a depender del
campo elctrico. Materiales que obedecen esta ley se denominan dielctricos lineales o
ideales.
De la relacin II.3-46 podemos ahora encontrar una relacin vectorial solo entre el
campo elctrico y el vector desplazamiento elctrico. Para ello reemplazamos la ec. II.3-46
en II.2-40,41 para obtener en los dos sistemas:
D = E +4
D=

. E = (1 + 4

E+.

E = (1 + . )

. )E =
0

E=

E L ues CGS
0

E =

(II.3-47a)
(II.3-47b)

E L MKS

En estas ecuaciones se han definido dos nuevas constantes:

La constante (permitividad) dielctrica relativa (adimensional) de uso mayoritario en el
sistema ues-CGS como:
r

= (1 + 4

.)

(II.3-48a)

y la constante (permitividad) dielctrica absoluta (en unidades de

en el sistema MKS como:
= (1 + . )

0),

de uso mayoritario
(II.3-48b)

De esta ltima definicin se deduce la relacin entre las dos constantes dielctricas en el
sistema MKS como:

22

= (1 + . )

(II.3-48c)

Ntese como las ecs. II.3-48 corroboran la diferencia en definicin tanto de D como P en
los dos sistemas de unidades, resultando que la constante . es diferente y r es la misma en
ambos sistemas. Esto explica la aparente paradoja como estos vectores en el sistema uesCGS son equivalentes al campo elctrico, y en el sistema MKS son el producto de una
constante dimensional por el campo. Sin embargo, se debe tener claro que en ambos
sistemas de unidades poseen las mismas unidades: carga/rea. Las constantes dielctricas
aqu definidas estn referidas con respecto a campos electrostticos y por lo tanto son mejor
conocidas como constantes dielctricas estticas. Si los campos son variantes entonces las
constantes adquieren un valor diferente y se les denominan constantes dinmicas.
Si se emplean las definiciones II.3-48 en la ec. II.3-46 se puede expresar la
polarizacin en ambos sistemas tambin de la forma:

P=

1)
E
K0

(II.3-49)

La constante r es la constante fundamental a partir de la cual se derivan las otras

constantes, por lo tanto es la que usualmente se reporta en las tablas de datos y referencias.
En la tabla II.3-2 se muestran los valores de esta constante para los materiales dielctricos
de uso ms comn desde un punto de vista tecnolgico. Los valores son presentados con 6
cifras significativas a temperatura ambiente (20-25 C) a menos que se indique lo contrario.
El valor para el vaco es exactamente 1. La mayora de los materiales poseen una constante
r que vara desde cercanamente a 1 hasta alrededor de 100. En los gases la constante no
difiere mucho de la unidad hasta la tercera cifra decimal; pero, en lquidos y slidos puede
adquirir valores bastante alejados de la unidad. Esto es debido en parte al movimiento
trmico aleatorio y en parte al alto grado de libertad de las molculas en un gas.
Gases
Aire
Argn
Nen
Helio

Constante
1.000590
1.000545
1.000127
1.000065

Oxigeno
1.000523
Nitrgeno
1.000580
Dixido
de 1.000985
Carbono
Slidos
Constante
Parafina

2.20

Rigidez
(kV/m)
3x103

Rigidez
(kV/m)
104

Lquidos
Agua
Acetona
Aceite de Castor
Aceite
de
Transformador

Slidos
Ambar

Constante
78.74
20.7
4.67
2.22

Constante

Rigidez
(kV/m)

12x103

Rigidez
(kV/m)

2.65
23

Vidrio Pyrex
Cuarzo fundido
Caucho

4.2- 6.0
3.75-4.1
2-3.5

4x104

Poliestireno

2.4-2.75

2x104

Asfalto
Mica
Porcelana

2.26
2.5-7.0

105
104

Tabla II.3-2. Constantes dielctricas relativa y rigidez dielctrica.

Los dielctricos reales presentan varias propiedades caractersticas que entre otros
comportamientos se reflejan en una dependencia de la polarizacin elctrica con el tiempo,
fenmeno conocido como relajacin dielctrica. Sin embargo, la mayora de los
comportamientos de los dielctricos reales se refleja en una dependencia ms compleja con
el campo elctrico que aquella dada por las ecs. II.3-46,49; en cuyo caso se dice que el
dielctrico no sigue una relacin lineal con el campo elctrico. Por ejemplo, a campos
moderados la relacin entre P y E puede ser cuadrtica, cbica o de mayor orden. Pero
tambin puede ocurrir que la susceptibilidad elctrica se torne dependiente del campo
elctrico. Cuando el campo elctrico es muy elevado los electrones de la ltima capa
ligados al tomo o aquellos que participan en los enlaces moleculares estn sujetos a una
enorme fuerza elctrica, por lo cual pueden adquirir libertad de movimiento convirtiendo al
dielctrico en un conductor. Bajo estas circunstancias se dice que ocurre rompimiento
dielctrico. Entonces, se define rigidez dielctrica como:
Magnitud mnima del campo elctrico necesario para que aparezca el rompimiento
dielctrico
La rigidez dielctrica depende de varios factores en el material tales como:
constitucin atmica/molecular, espesor, temperatura, humedad y por supuesto del rango de
magnitud del campo elctrico. Por ello, los valores de la rigidez dielctrica para algunos
materiales que se reportan en la tabla II.3-2 son aproximados. El rompimiento dielctrico
debe ser evitado a toda costa ya que produce deterioro y posiblemente dao permanente en
el dielctrico tales como: corona, chispa y hasta perforaciones. En el captulo II.2 se
proporcion la magnitud del rompimiento dielctrico del aire seco, el cual acta ms como
un aislante.
Las ecs. II.3-39,40 para el vector desplazamiento elctrico y la ley de Gauss en
dielctricos tanto en su forma integral como diferencial indican segn Maxwell que es D y
no E el vector campo que desempea el rol fundamental. Como consecuencia de esto las
propiedades elctricas ms importantes de los medios dielctricos vendrn determinadas
por el vector D. A continuacin se har una revisin de otras leyes, teoremas y definiciones.
1)
Representacin grfica del vector D
La tangente a las lneas de desplazamiento elctrico representan el vector de
desplazamiento elctrico y vienen determinadas por la ecuaciones diferenciales obtenidas
mediante una expresin similar a la ec. II.2-?;

dx dy dz
=
=
Dx D y Dz

(II.3-50)

24

2) Ley de Coulomb
Dos cargas puntuales q1 y q2 separadas a una distancia r12 en un medio dielctrico de
constante dielctrica r se repelen con una fuerza;

q1 q 2
2
r r12

F = K0

(II.3-51)

De modo que la fuerza de Coulomb en un medio dielctrico se reduce por un factor 1/ r.

3) Ecuaciones de Poisson y Laplace
De las ecuaciones II.2-83 y II.3-47 se obtiene que:

+2

D=

D=

L ues CGS

(II.3-52a)

L MKS

(II.3-52b)

Empleando ahora la ley de Gauss diferencial (ec. II.3-45) se obtiene que:

4 'L
L eus CGS
4 K0 'L
r
(II.3-53a)
=
=
'
L
r
L MKS

Obviamente la ecuacin de Laplace se obtiene cuando no existen cargas libres.

De forma similar la ley de Gauss en su forma integral y diferencial se puede re-escribir para
dielctricos isotrpicos cuando la ec. II.3-46 es aplicable como:
4
E dS =4

K0

qLT

+ E=

K0 'L
r

L ues CGS

q L Ti

q L Ti

(II.3-53b)

L MKS

'L
'L

(II.3-53c)

Todas estas ecuaciones confirman que el efecto primordial del dielctrico ideal es
disminuir la carga libre por un factor equivalente a la constante dielctrica o r segn sea
el sistema de unidades.

25

4) Condiciones de Frontera
En la mayora de los problemas electrostticos en medios dielctricos, los diferentes
campos escalares y vectoriales se resuelven mediante la ecuacin de Poisson y Laplace para
dielctricos. Las metodologas de solucin de estas ecuaciones requieren que se conozcan
las condiciones de frontera al alcanzar los campos la interfase entre los diferentes medios.
Por otra parte los conocimientos de esta condiciones de frontera son de gran utilidad para la
determinacin de parmetros tales como: constantes dielctricas y capacitancias. Para la
derivacin de las condiciones de frontera se consideran dos medios de constantes
dielctricas relativas r1 y r2. Como se muestra en la figura II.3-12a comenzamos por
considerar de forma general que los vectores campo y desplazamiento elctrico inciden y se
refractan oblicuamente. Para un medio dielctrico ideal es lgico suponer que el campo
elctrico debe ser conservativo. En consecuencia la circulacin del campo elctrico debe
ser nula. Para saber que le sucede al campo elctrico en la interfase aplicamos entonces la
ec. II.2-80 al camino ABCD de la figura II.3-12 el cual consiste de un rectngulo con los
tramos largos tangenciales a los dielctricos y los cortos perpendiculares a la interfase.
Para este camino se obtiene que:
E1

lT + E 2

lT + E 1

l/ + E 2

l/ = 0

(II.3-54)

Para poder evaluar el campo elctrico justo en la interfase los tramos cortos deben ser los
mas pequeos posible. As que en el lmite L/ 0 se tiene que:
E1

LT = 0

(II.3-55)

De donde se deduce que:

E1T = E1 Sen 01 = E 2/ = E 2 Sen 0 2

(II.3-56)

Esta expresin conocida como ley de refraccin del campo elctrico significa que:
La componente tangencial del campo elctrico es continua al atravesar la interfase entre
dos medios dielctricos.
Esta condicin de continuidad es equivalente a una condicin de continuidad en el
potencial a travs de la interfase (ver problemas).
Las condiciones de frontera para el vector desplazamiento elctrico pueden ser
deducidas mediante la ley de Gauss en dielctricos. Para alcanzar este objetivo tomamos
como superficie gaussiana un cilindro achatado de seccin transversal A y longitud L el
cual atraviesa la interfase como se muestra en la figura II.3-12b. Los vectores
desplazamiento elctrico los consideramos oblicuos y suponemos que existe una densidad
de carga libre en la interfase tanto superficial como volumtrica. Entonces, por aplicacin
de la ec. II.3-41 se obtiene que:

D d S = (D1n

D2 n ) A =

A + ' A L )L ues CGS

A + ' A L )L MKS

(II.3-57)

26

En donde se han denotado mediante D1n y D2n como las componentes normales a la
interfase del vector desplazamiento elctrico dadas por la ec. II.3-42 o forma compacta para
ambos sistemas. Similar al caso anterior la condicin se quiere determinar justo en la
interfase; es decir, la superficie gaussiana debe incluir solo el rea en la interfase. Por lo
tanto, el cilindro debe ser de longitud mnima, as que, en el lmite L 0 el volumen del
cilindro tiende a cero y se puede considerar que la carga volumtrica es nula, obtenindose
de II.3-57 que:
D1n

D2 n = D1 Cos 01

D2 Cos 0 2 =

L ues CGS
L MKS

(II.3-58)

Este ecuacin tiene como significado:

La discontinuidad o variacin de vector desplazamiento elctrico a travs de la interfase
es equivalente a la densidad de carga superficial libre
Si se emplea la forma explcita de las ecs. II.3-40,41 se obtiene una condicin de frontera
para E y P en ambos sistemas de la forma:

E n1

En2
K0

=4

[(Pn 2

Pn1 ) +

(II.3-59)

Una expresin equivalente se puede encontrar en trminos de las constantes dielctricas

para ambos sistemas mediante II.3-47.
En el caso particular de que =0 se tiene que:
D1n = D1 Cos 01 = D2 n = D2 Cos 0 2

(II.3-60)

Si las magnitudes del vector D se expresan en trminos de las constante dielctricas

mediante las ecs. II.3-47, la ec. II.3-60 se reduce a:

r1

E1 Cos 01 =

E1 Cos 01 =

r1

E 2 Cos 0 2 Lues CGS

E 2 Cos 0 2 L MKS

(II.3-61a)

(II.3-61b)

y la ec. II.3-59 para ambos sistemas se reduce a:

E n1

En2
K0

=4

(Pn 2

Pn1 )

(II.3-61c)

De las ecs. II.3-56, 61a-b se obtiene la ley de refraccin del desplazamiento elctrico:

27

Tan 01
=
Tan 0 2

r1

(II.3-62)

r2

Fig. II.3-12. Campos vectoriales en una interfase

Para comprender como se aplican estas condiciones de frontera y los resultados a
los cuales conduce consideraremos dos casos particulares de interfase ya conocidos:
conductor en el vaco y dielctrico en el vaco.
Conductor en el vaco
Supongamos que el medio 2 es un conductor y el medio 1 es el vaco. Ntese que de la ec.
II.3-56 01=02 =0, de forma que la componente tangencial es continua a travs de la
interfase y nula en ambos medios tal como requiere un conductor. Sabemos que para un
conductor el campo elctrico interno es nulo, entonces En2=Dn2=0, tambin en el medio 1
r1=1; as que de las ecs. II.3- 47 y 58 se obtiene para los dos sistemas:
D1n =

L ues CGS
L MKS

E n1 = 4

(II.3-63)

K0

Corroborndose los que sabamos acerca de un conductor tal como se discuti en el

captulo II.2.
a) El campo elctrico es normal a la superficie del conductor
b) La discontinuidad en la componente normal del campo elctrico est determinada
por la densidad de carga libre en la superficie
Dielctrico en el vaco
Si el primer medio es el vaco y el segundo un dielctrico de constante relativa r, P1n=0,
D1n=E1n (ues-CGS), D1n= 0 E1n (MKS). Si suponemos que no hay carga libre, entonces
=0 y de la ec. II.3-61c se tiene que:
E n1

En2 = 4

Pn 2

(II.3-64)

28

Esta ecuacin establece que:

La discontinuidad en el campo elctrico en una interfase dielctrico-vaco es equivalente
a la polarizacin en el dielctrico y la cual es deducible de un anlisis fsico de la relacin
carga-campo.
El establecimiento de las condiciones de frontera para el potencial y sus derivadas
son condiciones o requisitos para encontrar las soluciones de la ecuacin de Poisson. Estos
son procedimientos seguidos en textos ms avanzados y no sern tratados en esta obra; sin
embargo, estas condiciones son equivalentes a la continuidad de los vectores campo y
desplazamiento elctrico respectivamente (ver problemas).
La determinacin del origen del campo elctrico en un medio material es uno de los
mtodos en Fsica ms difciles y complejos basado en procedimientos matemticos
complicados tratados slo en textos mas avanzados de la electricidad y la electrodinmica;
los cuales no sern abordados en esta obra bsica. Sin embargo, con el fn de proporcionar
una idea del origen de algunos de las conclusiones y resultados ms interesantes de los
fenmenos dielctricos, en la seccin siguiente se considerar una explicacin semicuantitativa de la polarizacin en el mbito molecular. El resultado del anlisis a este nivel
trae como consecuencia dos causas primarias de los fenmenos de la dielectricidad: la
polarizabilidad y el campo molecular.
II.3.3.b Efecto microscpico del campo elctrico en la materia: Campo
molecular y polarizabilidad3
Cuando un campo elctrico acta sobre la materia, a escala microscpica es lgico
considerar primero cual sera el efecto sobre el tomo como un ente individual. Sin prdida
de mucha Fsica del tomo, se puede considerar a ste como una nube de electrones
consistente de los ms externos4, girando en rbitas cercanamente circulares alrededor del
ncleo puntual en un radio aproximadamente 100.000 veces mayor que el dimetro del
ncleo y ste a su vez es 2000 veces ms masivo que el electrn. Es entonces fcil entender
que la accin de un campo elctrico sobre el tomo se reflejar mayormente en la nube de
electrones la cual acta como un apantallamiento del ncleo, trayendo como resultado que
ste permanecer imperturbable y la nube sufrir una notable modificacin. El efecto del
campo elctrico resulta as en una alteracin de la nube electrnica la cual como se muestra
en la figura II.3-13 en primer orden se podra considerar como un simple desplazamiento
de la rbita electrnica hacia el origen del campo, pero en realidad ocurre una deformacin
de la rbita la cual deja de ser simtrica alrededor del ncleo. Esto deriva a su vez en un
desplazamiento promedio del centro de carga con respecto al centro de masa, es decir, la
carga negativa de la nube electrnica y la positiva del ncleo (nmero de electrones Ze)
estn en promedio separadas por una distancia *l. Se genera as un dipolo elctrico atmico
de magnitud de carga Ze y con un momento dipolar elctrico atmico dado por:

r
r
p = Ze e * l

(II.3-65)

Dada la complejidad de este tpico, esta seccin puede ser omitida o su lectura postergada.
Los electrones ms internos distribuidos en capas, se encuentran fuertemente ligados al ncleo, por lo que no
son afectados por campos elctricos de magnitud normal.

29

Este dipolo a su vez afectar el medio siendo el efecto primordial una disminucin del
campo elctrico externo en el medio. El efecto de separar cargas a nivel microscpico se
denomina Polarizacin atmica y cuando sta ocurre por el desplazamiento lineal de las
cargas se denomina Polarizacin por desplazamiento. En el caso particular de que sta
ocurra slo en electrones se denomina Polarizacin por desplazamiento electrnico.
Cuando el campo elctrico se desconecta o se elimina, los electrones vuelven a sus rbitas
simtricas. Por ejemplo el tomo de Argn sujeto a un fuerte campo elctrico posee un
momento dipolar electrnico de 1.81x10-18 esucm, si suponemos un electrn desplazado se
tendra una distancia entre los centros de carga de 0.38 . Comprese con el radio inico
del Ar el cual es de 0.97 .

Fig. II.3-13. Polarizacin electrnica por desplazamiento

Cuando dos o ms tomos se acercan e interactan para formar una molcula, es
bien conocido que los tomos por su afinidad o necesidad de electrones y a fin de alcanzar
una estructura estable, comparten o entregan electrones de su ltima capa para estructurar
el enlace que mantiene a los tomos unidos. Es as obvio que la polarizacin no est
restringida al tomo, tambin se presenta en el mbito molecular denominndose
Polarizacin molecular producida por el enlace. El enlace puede ser covalente, es decir por
compartimiento de electrones en cuyo caso en promedio los electrones no pertenecen a uno
u otro tomo. As, se puede aseverar que no existe un desplazamiento electrnico y en
consecuencia no hay dipolos moleculares y no aparece una polarizacin por desplazamiento
producida por las fuerzas elctricas involucradas en el enlace.
La simetra de los tomos juega tambin un papel determinante en la polarizacin de
la molcula; por ejemplo, puede ocurrir que an cuando la molcula posea momento
dipolar entre un par de tomos el momento dipolar neto de la molcula es nulo. Las
molculas que no presentan polarizacin molecular perceptible an en la presencia de un
campo elctrico externo moderado se denominan molculas no-polares. No obstante, debe
quedar claro que a campos extremadamente altos cualquier molcula se polarizar
irremisiblemente, en este caso la molcula no-polar adquiere un momento dipolar inducido
el cual desaparece cuando el campo elctrico se elimina. En la figura II.3-14 se muestran
unos ejemplos de molculas no-polares tales como: N2, CO2.

30

Fig. II.3-14. Ejemplos de molculas no-polares

En cambio si el enlace es inico, es decir ocurre una transmisin de electrones de un
tomo a otro; entonces existe un desplazamiento electrnico trayendo la aparicin de una
polarizacin molecular originada por el enlace. En este caso el desplazamiento de los
electrones provoca que uno o ms de los tomos de la molcula queden con deficiencia de
electrones adquiriendo una carga positiva en tanto que los tomos que reciben los
electrones poseern un exceso y adquirirn una carga negativa, esto es, aparece un dipolo
molecular. Se dice entonces que la molcula se polariza y pasan a denominarse molculas
polares pues adquieren un momento dipolar molecular permanente originado por el enlace.
Este momento dipolar permanente puede ser direccional o consistente de la suma vectorial
entre dos o ms dipolos. En un material dielctrico consistente de molculas polares bajo
un campo elctrico nulo en equilibrio a una temperatura T con su medio ambiente, los
dipolos moleculares permanentes se comportan de forma similar a las molculas de un gas.
Esto es, se encuentran en un estado de movimiento trmico catico, los vectores dipolares
estn al azar por lo cual no existe una orientacin preferencial de los dipolos moleculares.
Como resultado el material no posee un momento dipolar neto ni una polarizacin neta.
Por lo contrario, una molcula polar en la presencia de un campo elctrico externo, por lo
presentado en la seccin II.2-11 se deduce que, en primer trmino se ejerce un torque sobre
el dipolo molecular permanente el cual tiende a alinear el vector momento dipolar con el
campo elctrico. A Este proceso de alineacin se le opone el movimiento molecular
produciendo una oscilacin de los dipolos alrededor de la direccin del campo elctrico
externo. Como resultado de esta alineacin el material poseer un momento dipolar neto, es
decir una polarizacin neta. En segundo trmino, si el campo elctrico es elevado, se puede
aumentar el momento dipolar permanente de las molculas polares por la polarizacin por
desplazamiento. Cuando el campo elctrico es removido el movimiento trmico catico
desordena de nuevo los dipolos moleculares. En la figura II.3-15 se muestran unos
ejemplos de molculas polares tales como: HCl, H2O, NH3.
Existen algunos materiales en los cuales los dipolos interactan de una forma
organizada o cooperativa que conduce a una tendencia de los dipolos en alinearse
mutuamente en la ausencia de un campo elctrico externo. Estos materiales poseern
entonces una polarizacin permanente y se denominan ferroelctricos. En otros materiales
los dipolos despus de alinearse con el campo elctrico externo permanecen orientados an
despus de remover el campo externo. Estos materiales se denominan electretos.
La explicacin de la polarizacin basada en la existencia de dos enlaces extremos
que dan origen a dos posibilidades de molculas polares y no-polares es simple. No es
estrictamente aplicable en muchas molculas ya que existen una diversidad de enlaces que

31

se determinan por un grado de covalencia o de ionicidad y esto da origen a una gama de

grados de polarizacin, pero esto es materia de textos especializados en el tema.

b)
a)
Fig. II.3-15. Ejemplos de molculas polares a) H2O, b) HCl
En un slido pueden presentarse adems de las anteriores polarizaciones, otras
derivadas de las interacciones entre muchos tomos. Los diferentes mecanismos de
produccin de polarizacin que se pueden presentar en un dielctrico slido se engloban en
cuatro procesos: 1) Polarizacin electrnica 2) Polarizacin inica 3) Polarizacin
orientacional de dipolos, 3) Polarizacin por cargas espaciales. En la figura II.3-16 se
muestra como ocurre la polarizacin de acuerdo a estos mecanismos bajo un campo
elctrico externo; y en la figura II.3-17 se presenta la dependencia con la frecuencia del
campo y el orden de magnitud de los diferentes mecanismos de polarizacin.

32

Fig. II.3-16. Mecanismos de polarizacin de un slido bajo un campo elctrico.

Fig. II.3-17. Dependencia con la frecuencia y orden de magnitud de la polarizacin.

Para culminar el estudio y anlisis de las propiedades de los dielctricos slo resta
por determinar cul es el campo en el medio. Ya se mencion al comienzo de sta seccin
la complejidad en este procedimiento debido a la situacin recurrente en el campo. El
campo elctrico en el medio debe incluir no slo aqul debido a todas las fuentes externas
sino tambin el campo debido a todas las molculas polarizadas el cual a su vez depende
del primero. Una clarificacin y denominacin acerca de los campos es imperativa antes de
seguir adelante. El campo responsable de la polarizacin de las molculas es un campo
microscpico y se denominar de ahora en adelante: campo molecular, local o efectivo Em
que acta sobre las molculas. Este campo no puede ser el mismo que el campo
macroscpico E que determina el carcter lineal de las ecs. II.2-46,47. Sin embargo, en
gases a presiones bajas y en algunos lquidos, la molculas estn suficientemente separadas
tal que sus interacciones pueden ser despreciadas; en consecuencia, el campo dipolar que
unas producen sobre las otras puede ser despreciado en comparacin con el campo externo.
De aqu que, se puede asegurar que en un gas el campo local y el externo son idnticos.
Adems de la dificultad anterior se presenta otra por la manera cmo se ha definido
el campo en el captulo II.2. Si se quiere determinar el campo en un medio el cual de
acuerdo a la ec. II.2-2 se define como la fuerza que se ejerce sobre una carga de prueba, se
requerira un espacio vaco en el medio para colocar la carga de prueba; pero entonces sta
ya no estara en el medio. Esto trae como consecuencia un dilema, el cual se resuelve
mediante la siguiente aproximacin.
Se considera una cavidad en el dielctrico de dimensiones moleculares, la cual
rodea el punto en donde se quiere determinar el campo molecular de forma que el medio se
divide en una cavidad y el resto del dielctrico. El campo elctrico en el dielctrico cerca
de la cavidad ahora puede ser considerado como la suma de una parte no perturbada antes
de introducir la cavidad la cual viene representada por un medio continuo, ms el efecto de
la cavidad el cual viene representado por los dipolos de las molculas de forma discreta.
Sin embargo si las dimensiones de esta cavidad son muy pequeas entonces su efecto
perturbador es despreciable y el campo fuera de la cavidad es justamente el campo en el
33

dielctrico el cual queremos determinar. Al existir una cavidad en el medio obviamente se

requerir la aplicacin de condiciones de frontera en la interfase cavidad-medio lo cual trae
como resultado que cavidades de formas diferentes producirn relaciones diferentes entre
los campos vectoriales. No obstante, bajo ciertas aproximaciones se puede demostrar que
el campo es cercanamente independiente del tamao de la cavidad.
Consideraremos a manera de ejemplo una de las cavidades mas comunes y
esperadas cuando se tiene un dielctrico en el campo uniforme de unas placas paralelas
como en la figura II.3-10: una cavidad esfrica. El campo dentro de la cavidad puede ser
determinado en trminos del campo macroscpico mediante la resolucin de la ecuacin
de Poisson en la interfase medio-cavidad. Sin embargo, este procedimiento entraa
complejos mtodos matemticos de la Fsica tratados slo en textos ms avanzados y no
sern analizados aqu. En vez de ello seguiremos un mtodo ms sencillo basado en el
anlisis de las cargas ligadas. Al aislar la cavidad como se ilustra en la figura II.3-18 el
medio dielctrico externo a la cavidad viene a estar representado por las polarizacin o
cargas ligadas. En tanto que la esfera viene a estar representada por una densidad de carga
superficial en la superficie interna que produce una polarizacin Pn. Es posible demostrar
(ver problemas) que la contribucin a la polarizacin por el material dentro y fuera de la
cavidad se cancelan lo cual garantiza que el introducir una cavidad no tiene efecto en la
polarizacin del medio. Si despreciamos por ahora la contribucin de los dipolos que se
encontraran en el interior de la cavidad misma, se puede aseverar que el resto del
dielctrico produce en la cavidad esfrica un campo elctrico molecular Em que es igual a:
E m = E + EC

(II.3-66)

El campo Ec es el producido por las cargas ligadas o polarizacin Pn en la superficie

interna de la cavidad. No es difcil demostrar (ver problemas) que ste campo est
determinado por la polarizacin macroscpica del medio dielctrico y dada para ambos
sistemas por:
EC =

K0 P

3 0
As que la ec. II.3-66 queda en la forma:

Em = E +

K0 P
3

(II.3-67)

(II.3-68)

Reemplazando en esta ecuacin la expresin II.3-49 para la polarizacin se obtiene que la

relacin entre el campo molecular y el campo en el dielctrico es de la forma:

Em =

+ 2)
E
3

(II.3-69)

34

Si por el contrario despejamos de II.3-49 el campo en el dielctrico en trminos de la

polarizacin se tiene que la relacin entre la polarizacin y el campo molecular para ambos
sistemas sera:

P=

3
4 K0

r
r

1
Em
+2

(II.3-70)

De la misma forma como macroscpicamente se relaciona la polarizacin con el

campo elctrico en el medio, se puede desde un punto de vista microscpico relacionar el
momento dipolar asociado a la molcula con el campo molecular. As, si suponemos que
por cada molcula se tiene un dipolo, entonces de acuerdo con la teora molecular de la
polarizabilidad, el momento dipolar de una molcula es directamente proporcional al
campo molecular, esto es;
pm = 1 Em

(II.3-71)

En donde la constante 1 representa la polarizabilidad molecular o respuesta de la molcula

a la accin polarizante del campo molecular. Ya que existe un dipolo por cada molcula,
entonces la concentracin de dipolos N tambin representa la concentracin de molculas y
por consiguiente se tiene que la polarizacin vendra dada en trminos de la polarizabilidad
como:
P = N pm = N 1 Em

(II.3-72)

Igualando las ecuaciones II.3-70 y II.3-72 se encuentra una relacin entre las constantes
microscpica y la macroscpica, es decir, entre la polarizabilidad y la constante dielctrica
para ambos sistemas de la forma:

1=

3
4 K0 N

r
r

1
+2

(II.3-73)

Esta expresin es conocida como la ecuacin de Clausius-Mosotti. Obsrvese en un todo de

acuerdo con la ecuacin II.3-71 que las unidades de 1 son las de rea.
La inclusin del trmino dipolar debido a las molculas dentro de la cavidad da
origen a una contribucin microscpica que se manifiesta de forma discreta. Esta
contribucin trae como consecuencia una dependencia de la polarizabilidad con la
temperatura, efecto el cual es muy importante para comprender otros fenmenos
dielctricos y la aplicacin de la polarizabilidad como una herramienta para el estudio de la
estructura molecular. Estos temas son tratados en textos avanzados de Fsica del Estado
Slido y Molecular.

35

Fig. II.3-18. Cavidad esfrica en un medio dielctrico.

II.3.3.c El capacitor de placas paralelas con dielctrico. Capacitores
comerciales
En la seccin II.3-1b se obtuvo de forma experimental como el medio aumenta la
capacitancia del capacitor. Es un hecho experimental encontrado por Cavendish y Faraday
que la capacidad de un capacitor depende no slo de su geometra y arreglo de los
conductores sino tambin de la naturaleza del medio material entre los conductores.
Experimentos posteriores realizados por Faraday en 1838 comprueban hallazgos de que la
capacidad de un condensador con un medio dielctrico es alterada con respecto en el vaco
por un factor que es independiente de la geometra y depende solamente de las propiedades
del medio dielctrico. Faraday denomin la razn entre las capacidades con y sin
dielctrico: capacidad inductiva o especfica.
Como ejemplo didctico e histrico del efecto de un dielctrico en las propiedades
elctricas consideraremos el caso del capacitor de placas paralelas de la seccin II.3-1b con
un medio dielctrico entre la placas de constante dielctrica relativa r. Al introducir un
dielctrico sin producir ningn otro cambio es obvio que la carga en las placas seguir
siendo la misma, pero adems de la variacin en la capacitancia ocurrirn cambios
importantes en el potencial, campo y desplazamiento elctrico entre las placas.
Supondremos que el dielctrico posee la misma rea de las placas y un espesor t y el
espacio restante, el aire, lo podemos considerar como el vaco. Las variaciones en los
potenciales de las diferentes interfases sern entonces como se indica en la figura II.3-19.
Se crean densidades de carga superficial ligada + P y - P en las interfases aire-dielctrico
correspondientes a la polarizacin en el medio. Dado que el dielctrico es ideal, es decir
isotrpico y homogneo, entonces la uniformidad del campo no debera ser alterada. Por lo
tanto, por sta continuidad las lneas del campo y el desplazamiento elctrico seran como
se indica en la figura II.3-19. Ntese la disminucin del campo y la continuidad del
36

desplazamiento elctrico en el medio. La determinacin de todos los parmetros elctricos

para este caso se deja al lector como ejercicio (ver problemas), para facilidad de clculo
supondremos ahora que el dielctrico llena todo el espacio entre las placas de separacin d.
El hecho de que el dielctrico est en contacto con las placas metlicas no significa que las
cargas se cancelan ya que las cargas ligadas no se pueden desplazar. Para establecer las
diferencias denotamos por Q la carga libre en las placas de forma que la densidad de carga
libre es =Q/A. Denotaremos por E0,
0 y C0 y ED,
D y CD como el campo, diferencia
de potencial y capacidad elctrica antes y despus de introducir el dielctrico
respectivamente.
Mediante la aplicacin de la ley de Gauss y el vector desplazamiento en el
dielctrico, ecs. II.3-42, 47, se obtiene que la carga viene dada por:

A ED
4 K0

Q=

(II.3-74)

El campo elctrico producido por las placas metlicas antes de introducir el dielctrico est
dado por las ecs. II.3-6 y II.2-112; as que II.3-74 tambin se puede escribir como:

ED =

K0

E0

(II.3-75)

Este resultado pudo haberse obtenido tambin por aplicacin de las condiciones de frontera
en la interfase placa metlica-dielctrico.
La diferencia de potencial entre las placas con dielctrico tambin puede ser
determinada por la ec. II.2-74 , obtenindose junto con el potencial antes de introducir el
dielctrico, ec. II.3-6 y II.3-75 que;
+Q

r
r
E d
ED d l = ED d = 0 =
r

(II.3-76)

Mediante la aplicacin de las ecs. II.3-74-76 en II.3-3 en se obtiene que la capacitancia con
dielctrico es:
C=

=
D

A
= C0
K0 d

(II.3-77)

Es importante observar que la capacidad inductiva definida por Faraday es precisamente la

constante dielctrica relativa del medio.
La magnitud de la polarizacin y la correspondiente densidad de carga ligada se
obtiene de la ec. II.3-49 como:

37

P=

(
4

1)
ED =
K0

r
r

E0
= 1
4 K0

1
r

(II.3-78)

Resultado que indica como la magnitud de la carga ligada es tan solo una pequea fraccin
menor que la de las placas en tanto mayor sea la constante dielctrica.
Si se suman las densidades de carga adyacentes en la interfase placa-dielctrico se
obtiene en un todo de acuerdo con las ecs. II.3-53 que:
T

(II.3-79)
r

Todos estos resultados determinan en el capacitor de placas paralelas que:

El efecto de un dielctrico es reducir la densidad de carga total, el campo y el potencial
elctrico y aumentar la capacitancia por un factor equivalente a la constante dielctrica
relativa
Si en vez de mantener la carga constante se mantiene mediante un dispositivo
electrosttico la diferencia de potencial constante entre las placas, los resultados son
totalmente diferentes (ver problemas).

Fig. II.3-19. a) Potenciales y b) Campo y desplazamiento elctrico en el capacitor de placas

paralelas.
El primer capacitor de placas paralelas construido con el fin de almacenar carga fue
inventado por Leyden en 1746, casi 100 aos antes de conocerse la teora de la
capacitancia y el efecto de los dielctricos. Este capacitor se conoce hoy da como Jarra de
Leyden. Por razones pedaggicas se muestra en la figura II.3-20 una representacin
esquemtica de este capacitor, el cual consiste de una botella de vidrio que sirve como
dielctrico, con sus paredes externa e interna recubierta de una delgada lmina de estao
las cuales fungen como las placas metlicas. La lmina externa se conecta a tierra en tanto
que la interna se conecta a una perilla de bronce externa la cual sirve para cargar el
capacitor.

38

Fig. II.3-20 Jarra de Leyden.

II.3.4 Energa elctrica
Los seres vivientes con cierto grado de organizacin han sentido la necesidad de almacenar
alimentos para su posterior aprovechamiento en tiempos de escasez. El ser humano como
ser inteligente ha transferido esta actitud en su necesidad de disponer de energa para
tiempos de crisis. De forma similar como los humanos desde tiempos inmemoriales
almacenan lea durante el verano para su uso en el invierno, los cientficos han intuido la
posibilidad de almacenar energa. Los primeros investigadores de la electricidad se
impresionaban en el laboratorio cuando chispas saltaban entre los terminales de los
generadores electrostticos, pero an mas admiracin y asombro les produca la enorme
cantidad de energa desarrollada en los rayos y relmpagos. De aqu naci una inquietud y
ambicin por la posibilidad de almacenar carga y domesticar la energa elctrica para su
posterior uso a medida que se necesitara. Esta desenfrenada ambicin trajo consigo un
desarrollo tecnolgico en la bsqueda de dispositivos que pudieran fungir como
almacenadores de electricidad, de manera que an cuando para 1746 ya se haba presentado
uno de estos dispositivos, la jarra de Leyden, no fue sino ms de 100 aos despus que se
tenan claro los principios o teoras que regan la capacidad de un cuerpo o sistema en
almacenar y condensar la carga. Este es uno de los casos ms patticos en los cuales la
tecnologa antecede la teora.
II.3.4.a Energa almacenada en un capacitor
La energa almacenada en un capacitor puede ser evaluada de la misma forma cmo se
procedi en la seccin II.2.9. Para ello evaluaremos el trabajo necesario en ensamblar la
carga en el capacitor de forma que en un instante dado la carga que poseen las placas es q.
Se quiere ahora aumentar la carga en las placas llevando una diferencial de carga positiva
dq desde la placa positiva a la negativa en contra del campo elctrico como se indica en la
figura II.3-21. En este proceso se debe hacer un elemento de trabajo dW para vencer al
campo elctrico el cual de acuerdo con la definicin de diferencia de potencial y por la ec.
II.3-3 es:

39

dW =

dq=

d(

)=

q
dq
C

(II.3-80)

Se quiere cargar el capacitor desde su estado totalmente descargado hasta su estado de

carga total Q correspondiente a una diferencia de potencial mxima
. As que por el
principio de conservacin de la energa el trabajo total es equivalente a la energa potencial
elctrica almacenada en el capacitor es igual a:
Q

q
Q 2 C(
dq=
=
C
C
2
2
0

)2

WT = U E = d W =
0

(II.3-81)

Mediante las ecs. II.3-74-77 se puede expresar la energa en el capacitor en trminos del
campo y la constante dielctrica de la forma:

UE =

A
4 K0

( E d )2

K0

(( E )
2

(II.3-82)

De donde se puede tambin obtener la densidad de energa o energa por unidad de

volumen:

uE =

K0

E2

(II.3-83)

Obsrvese que la energa potencial elctrica es directamente proporcional al cuadrado del

campo elctrico, por ello se dice que la energa almacenada en el capacitor reside en el
campo elctrico dentro del dielctrico, El efecto primordial de la constante dielctrica es
aumentar la energa por un factor equivalente a la constante dielctrica. Todo esto es una
caracterstica general de los medios dielctricos y no del arreglo geomtrico como veremos
a continuacin.

Fig. II.3-21. Ensambladura de la carga de un capacitor.

40

II.3.4.b Energa almacenada en el campo elctrico

En la seccin II.2.7 se determin la energa potencial de una distribucin de carga. Ahora
consideremos distribuciones de carga volumtrica en aislantes y superficial en conductores
y evaluaremos la energa potencial elctrica, para encontrar de una forma general, pero
similar a como se procedi en la seccin anterior, qu relacin existe entre sta y la energa
del campo electrosttico. Cuando se tienen distribuciones volumtricas tanto como
superficiales la energa potencial elctrica se puede a partir de la ec. II.2-91 expresar como:

' (r ) d (

UE =

(r )

dA

(II.3-84)

Mediante la ec. II.2-84 y la propiedad A.xx de la divergencia (apndice A) el primer

trmino de la ec. II.3-84 se puede escribir como:

' (r ) d (
2

(+ E )
r r

d(

8 K0

r
+

( E) d (
r

8 K0

r r
E + d(
8 K0

(II.3-85)

Empleando el teorema de la divergencia ec. II.2-63 en el primer trmino y la ec. II.2-83 en

el segundo, la ec. II.3-85 queda en la forma:

' (r ) d (
2

( E) d S +
r

8 K0

r r
E E d(
8 K0

(II.3-86)

Si ahora se toma en cuenta que es un escalar y que el producto escalar del campo con los
elementos de superficie slo es diferente de cero en las superficies de los conductores,
entonces, ya que el campo es opuesto al elemento de superficie este producto, el cual
representa un flujo negativo, proporciona la componente normal del campo, es decir;

r r
E dS =

E n dS

(II.3-87)

Se puede ahora emplear la ec. II.2-112 para escribir la ec. II.3-86 de la forma:

' (r ) d (
2

En d S
E2 d(
+
=
8 K0
8 K0

dS
2

E2 d(
8 K0

(II.3-88)

Remplazando en II.2-84 el trmino superficial se cancela quedando que:

UE =

E2 d(
8 K0

(II.3-89)

41

Este resultado indica que la energa potencial elctrica de una distribucin de cargas est
totalmente comprendida en el campo elctricos siendo proporcional al cuadrado del mismo
con una densidad de energa por unidad de volumen E2/8 K0. La evaluacin de la integral
se ejecuta en todo el espacio recordando que en aqul ocupado por los conductores el
campo es nulo.
La presencia de un medio dielctrico no impone ninguna restriccin en la
determinacin de la energa potencial elctrica mediante la ec. II.3-84, siempre y cuando el
medio sea isotrpico e ideal. En estas condiciones el campo determinante es el
desplazamiento elctrico. As que procediendo de forma similar al caso anterior, el primer
trmino de la ec. II.3-84 se convierte mediante la ayuda de las ecs. II.3-45 y el teorema de
la divergencia, ec. II.2-63, en;

' (r ) d (
2

(+ D )
r r

2 [4

d(

r
+

( D) d (
r

2 [4

r r
D + d(
=
2 [4 ]

r r
D dS
2 [4 ]

r
D + d(
2 [4 ]

(II.3-90)
En estas ecuaciones y las siguientes para simplificar las ecuaciones en los dos sistemas se
emplear como nomenclatura el smbolo [ ], el cual significa que el factor dentro de
corchete se emplea para el sistema ues-CGS y no se emplea para el MKS.
De nuevo se puede considerar que como es un escalar el producto escalar del
campo con los elementos de superficie se realiza en las superficies de los conductores pero
en este caso proporciona el opuesto de la componente normal del desplazamiento elctrico,
es decir;

r r
D dS =

Dn dS

(II.3-91)

La componente normal del desplazamiento elctrico viene dada por la ec. II.3-63 mediante
sta ecuacin y la II.3-91 se puede escribir la ec. II.3-90 de la forma:

' (r ) d (
2

dS
2

r
D + d(
2 [4 ]

(II.3-92)

Remplazando sta expresin en II.2-84 el trmino superficial de nuevo se cancela quedando

que:
UE =

r
D + d(
2 [4 ]

(II.3-93)

Mediante las ecs. II.2-83, II.3-47,52 esta expresin se puede colocar en tres formas
diferentes pero equivalentes en trminos de los vectores de campo y desplazamiento
elctrico como:

42

r r
D E d(
UE =
=
2 [4 ]

[ r]

E2 d(
D2 d (
=
2 [4 ]
2 [4 ] [ r ]

(II.3-94)

As que la densidad de energa se puede escribir como:

r r
D E
uE =
=
2 [4 ]

E2
[ r]
2 [4

D2
=
] 2 [4 ]

(II.3-95)
[ r]

Se concluye una vez ms que la energa reside en todo el espacio en donde se encuentran
los campos elctrico y de desplazamiento.

43

PREGUNTAS - CAPITULO II.3

1) Explique y justifique porqu un capacitor de dos conductores es ms eficiente para
almacenar carga que uno de un solo conductor.
2) Proporcione varios argumentos por los cuales no es apropiado utilizar slo aislantes
para almacenar carga.
3) Explique en detalle porqu en el experimento E.II.3-1 el aumento de las reas de las
placas conduce a una disminucin de la diferencia de potencial entre ellas.
4) En cuanto vara la energa elctrica de un capacitor de placas paralelas si la distancia
entre las placas se disminuye a la mitad ?, en las condiciones de:
a. Carga constante
b. Diferencia de potencial constante
Qu sucede con la variacin de la energa?
5) Explique porqu una molcula lineal simtrica como la de CO2 no posee momento
dipolar elctrico permanente.
6) En el problema # 24 se determin el trabajo necesario para separar las placas de un
condensador con carga y diferencia de potencial constante. Cmo explica usted la
diferencia en el trabajo bajo estas condiciones?.
7) Por qu es necesario que el medio sea isotrpico e ideal para la determinacin de la
energa del campo electrosttico mediante la ec. II.3-84?.
8) Explique cmo y por qu un capacitor construido de n placas en paralelo es de alta
capacidad y ocupa un espacio mnimo en comparacin con n capacitores en paralelo
(ver problema # 30).

44

PROBLEMAS - CAPITULO II.3

1) En la figura se muestra un capacitor consistente de tres esferas conductoras concntricas
de radios R1<R2<R3, con las esferas interna y externa conectadas a tierra. Determine la
capacitancia de esta configuracin geomtrica.
2) Determine la capacitancia por unidad de longitud de dos cilindros de radio R y longitud
L tal que L R, con sus centros separados una distancia D, cuando a) D>>R, b) D R.
Demuestre que una expresin se reduce a la otra dentro de los lmites de aplicabilidad.
3) Deduzca una expresin para la capacitancia de dos esferas metlicas de radios a y b con
cargas +q y q respectivamente, separadas a una gran distancia d entre sus centros tal
que aun cuando el potencial de una afecta el de la otra stas no se afectan la distribucin
de la carga. Demuestre que el resultado en primer orden se reduce a:

2 ) 1
C = K0 ( 1 + 1
a
b
d
Repita el problema si d>>a,b tal que el potencial de una esfera no afecta el de la otra.
Ayuda: Vea problema II.2-19.
4) Entre las placas del capacitor de la figura II.3-3 se coloca un dielctrico de la misma
rea y de espesor t y constante dielctrica relativa r. Demuestre que la capacitancia con
respecto a la brecha en el vaco aumenta por un factor:

t
1
1
d

1
r

5) En el problema anterior si en vez de un dielctrico se introduce una placa de metal de

la misma rea y de espesor t, demuestre que la capacitancia con respecto al capacitor de
brecha en el vaco es:

C = C0 1 +

1
t
d

6) Determine las variaciones de la carga, el campo elctrico y la capacitancia de un

capacitor de placas paralelas sometido a una diferencia de potencial constante cuando
se introduce un dielctrico.
7) Capacitor esfrico con dielctrico. A un capacitor esfrico como el de la figura II.3-4 de
radios R1 y R4 se le coloca una concha esfrica de constante dielctrica r concntrica
de radios R2 y R3 tal que R1< R2 < R3 < R4. Deduzca una expresin para la diferencia de
potencial como funcin del radio entre los dos conductores. Demuestre que la
capacitancia viene dada por:

45

1
1
1
=
+
+ 1
C R1 R4

1
r

1
R2

1
R3

8) Capacitor esfrico con dos dielctricos. El espacio entre las esferas del capacitor
esfrico se llena con dos dielctricos, el primero de constante dielctrica relativa r1
ocupa el volumen entre R1 y una esfera de radio R0 >R1, el segundo de constante
dielctrica relativa r2 ocupa un volumen entre R0 y R2>R0. Determine la capacitancia
de la configuracin.
9) Una esfera conductora de radio 5 cms se encuentra inmersa en aire, agua o aceite de
transformador. Para cada medio determine con 5 cifras significativas (incluyendo la
constante de unidades): a) la capacitancia, b) la carga mxima, la densidad de carga
mxima y la energa mxima que puede retener la esfera. Examine las diferencias
producidas por cada material dielctrico.
Resp.: 5.5665 pF, =0.833996 C, 26.5469 C/m2, 6.2476x10-2 J en el aire.
10) Demuestre que la condicin de continuidad en la componente tangencial del campo
elctrico (ec. II.3-57 ) es equivalente a una continuidad en el potencial elctrico.
11) Demuestre que la condicin de continuidad o discontinuidad en el vector
desplazamiento elctrico (ec. II.3-59) es equivalente a una condicin de continuidad o
discontinuidad de la derivada del potencial elctrico modificado por la constante
dielctrica del medio.
12) Se tiene una interfase entre dos medios de permitividad 2 y 10. Determine en que
direccin con respecto a la vertical a la interfase se tuercen las lneas del campo y el
desplazamiento elctrico
13) A partir de las condiciones de frontera deduzca una relacin entre los vectores campo y
desplazamiento elctrico y la densidad de carga libre en la interfase entre un conductor
y un medio dielctrico de constante dielctrica relativa r.
14) Si el campo necesario para el rompimiento elctrico del aislamiento de un dielctrico es
de magnitud E0, determine una expresin para la diferencia de potencial entre las
esferas del capacitor esfrico si ste posee una constante dielctrica uniforme .
15) Z Si suponemos que un dipolo molecular produce un campo EP=-+ siendo el
potencial dado por la ec. II.3-26, demuestre que las contribuciones a la polarizacin
debido al material dielctrico dentro de una cavidad esfrica es igual pero opuesta a la
contribucin del material fuera de la esfera.
16) Z Demuestre que el campo dentro de una cavidad esfrica viene dado por la ecuacin
II.3-67.
17) La tira dielctrica del problema # 4 se jala hacia un costado de forma que slo una
parte x de la tira queda ente las placas. La placa es cuadrada de lado L y se desprecia
efectos de borde. Deduzca una expresin para la capacitancia y la energa en funcin de
x y C0 la capacitancia sin dielctrico. Si suponemos al capacitor aislado con una carga
Q, encuentre la fuerza sobre el dielctrico y determine si la tira es atrada o repelida por
las placas.
18) ZDemuestre el teorema de Thomson:
Un aumento en la constante dielctrica sin alteracin de las cargas disminuye la
energa almacenada en el campo elctrico.

46

19) En un capacitor de placas paralelas de rea A y separacin d se coloca una carga Q,

luego se coloca entre las placas un dielctrico de constante dielctrica que slo cubre
un rea A0 como se muestra en la figura. Determine a) las densidades de carga en los
sectores sin y con dielctrico, b) la fuerza sobre las placas, c) la capacitancia
20) Varios conductores reciben una cierta cantidad fija de carga. Demuestre que la carga se
redistribuir en las superficies de los conductores de forma tal que la energa del
sistema es mnima.
21) Una configuracin geomtrica consiste de tres esferas concntricas de radios R1< R2 <
R3 . La esfera ms interna es conectada mediante un hilo conductor muy fino a la esfera
externa a travs de un hueco en la esfera intermedia, en tanto que sta ltima es
conectada a tierra. Determine la capacitancia de sta configuracin.
22) Un capacitor formado por dos esferas de radios a y b se divide en dos hemisferios ( la
esfera es cortada en dos mitades por un plano diametral). Demuestre que la fuerza
requerida para mantener las dos mitades juntas es:
F=

1 2 1
Q
8
b2

1
a2

23) Demuestre que las placas paralelas de un capacitor de rea A y densidad de carga
superficial se atraen con una fuerza :
F = 2 K0 2 A
Demuestre que la presin entre las placas es equivalente a la densidad de energa del
capacitor. Demuestre que si se agrega un dielctrico de constante relativa r. La fuerza
se reduce por un factor 1/ r.
24) En la base del resultado del problema anterior, calcule el trabajo necesario en separar
las placas de un condensador de placas paralelas de 100 cm2 desde una separacin de 5
mm hasta una separacin final de 1 cm, cuando:
a) Las placas se mantienen con una carga constante de 1 nC.
b) Las placas se mantienen con una diferencia de potencial constante de 100 V.
En qu se invierte el trabajo?, cmo vara la energa del capacitor?.
Suponga campo elctrico uniforme y desprecie efectos de borde.
Resp.: a) 2.83 mDinas, b) 4.43 mDinas.
25) Demuestre que el mismo resultado del problema anterior es posible no en trminos de la
fuerza sino en trminos de la variacin en energa elctrica debido a la variacin en
capacitancia.
26) Dos capacitores de capacitancias C1 y C2 y cargas iniciales Q1 y Q2 son conectados en
paralelo. Determine la energa del sistema en paralelo y la variacin de energa con
respecto a los capacitores separados. Es la variacin positiva o negativa, es decir hay
prdida o ganancia de energa?, hacia donde va la prdida de donde proviene la
ganancia?.
27) Demuestre cualitativamente o justifique el siguiente teorema:
Cualquier pedazo de material dielctrico sometido a un campo elctrico es sujeto a
fuerzas que lo arrastran desde la regin de campo (potencial) bajo hacia la regin de
campo (potencial) alto.
28) El capacitor de una esfera presentado en la seccin II.3.1 se pinta con una laca de
constante dielctrica relativa de 10. Si la capa de laca tiene un espesor de 2 mm y la
47

esfera un radio de 9 mm, calcule la capacitancia del capacitor y el factor multiplicativo

por el cual aumenta la capacitancia de la esfera sin laca. Resp.: 1.2 pF, 110/92.
29) Obtenga el resultado de la ec. II.3-75 mediante la aplicacin de las condiciones de
frontera en la interfase conductor-dielctrico.
30) Capacitores comerciales son construidos de n placas de rea A en paralelo a una
separacin constante d. Deduzca una expresin para la capacitancia de este sistema.
31) Demuestre que la capacitancia equivalente de una configuracin en serie es siempre
menor que cualquiera de las capacitancias individuales.
32) Deduzca una expresin para los vectores campo, desplazamiento y polarizacin
elctrica para una carga puntual q en un medio dielctrico de constante dielctrica
relativa r. Muestre que no hay densidad de carga volumtrica y que la carga total en el
medio es q/ r .
33) Z Suponga que tal como se muestra en la figura II.3-13 la nube electrnica se desplaza
de forma rgida una distancia *l con respecto al ncleo de carga Ze. Suponga tambin
que el tomo se puede considerar como una esfera de carga positiva de radio r0 (el radio
del tomo) y la nube electrnica desplazada como una esfera de carga negativa de radio
*l , Empleando la ec. II.3-65 demuestre que la polarizabilidad del tomo es:
2

r
1= 0 K
0

Utilice el radio atmico del tomo de Oxgeno y Nitrgeno y evale la polarizabilidad de

estos tomos. Compare con los valores obtenidos de la ecuacin de Clausius-Mosotti y
explique las diferencias encontradas.
34) En las figuras a y b se presentan dos sistemas de capacitores. Encuentre la capacitancia
equivalente de cada sistema, la carga y energa acumulada en cada capacitor y la carga
y energa total en el sistema.

48