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ee eh ek k rea PIS TT MMAR M IEC MAU LT cect ty Multivibradores ° Transductores ¢ Sistemas digitales Contenido Temal. ANALISIS PRACTICO 1 ‘A. Ajuste de tension y limitacin PRIMERA UNIDAD: DISPOSITIVOS Instrumental de un laboratorio de electronica: descripcién 1.1. Introduccion 12. Polimetro analégico-digital . 12.1. El polimetro analégico . 1.22. El polimetro digital . 13. Fuente de alimentacion : 1.4. Generador de baja frecuencia 1.5. Osciloscopio 8s 15.1. El TRC 1m Filamento y cétodo . Rejilla de control . Anodos aceleradores . Placas deflectoras . El amplificador vertical El amplificador horizont Las dos alimentaciones La base de tiempos... Ajuste de un osciloscopio . El control de intensidad o luminosidad "El control de enfoque.......... Los controles horizontal y vertical . El control de BT (base de tiempos) ‘ ™ Control de entrada Y (amplificador vertical) intensidad de una fuente de alimentacién . B. Medidas con el osciloscopio de sefiales suministradas por el enerador de baja frecuencia ...... Seen : m= Medida de frecuencia xv viii ~CONTENIDO Tema 2. Tema 3. = Medida de tensin . ™ Medidas de fase. 21. Estudio de la union N-P. 21.1. Semiconductores m Polarizacién directa . = Polarizacion inversa RrNaRTES 22. El diodo: componentes y caracteristicas mas importantes ........ 2.2.1. Caracteristicas tensién-corriente 2.2.2. Aplicaciones diversas . . = Limitador paralelo . 1 Fijador_positivo 23, El diodo LED: comportamiento y caracteristicas més important 24. Verificacion ¢ identificacién de los terminales de un diodo . ANALISIS PRACTICO 2. 25. Rectificadores monofisicos . 25.1. Rectificador de media onda sin filtro . ™ Factor de forma y factor de rizado ANALISIS PRACTICO 3. . 252. Rectificador de media onda con filtro ANALISIS PRACTICO 4. 253. Rectificador de onda completa .. 254. Rectificador en puente de Graetz ANALISIS PRACTICO 5. 26. El diodo Zener: componentes y caracteristicas mas importantes 26.1. Funcionamiento . 2.6.2. Verificacién e identificacién de terminales . ANALISIS PRACTICO 6. 2.6.3. Montaje de un estabilizador con ZENER | . = Funcionamiento . . ANALISIS PRACTICO 7.. El transistor bipolar: estructura y caracteristicas del componente .......... 3.1. Introduecién . 3.2, Estructura de un transistor bipolar 321. Caracteristicas . 3.22. Efecto transistor . . 3.23. Corrientes residuales............ = Pardmetros xy B. 1 Relaciones matematicas fundamentales entre pardmetros y corrientes 324. Modos de funcionamiento 33. Verificacién ¢ identificacién de los terminales de un transistor ANALISIS PRACTICO 8 3.4, Las distintas polarizaciones de los transistores: sus circuitos . 34.1, Circuito de un transistor con polarizacién fija . 342. Circuito de polarizacién y realimentacidn por resistencia de emisor ... 3.4.3. Circuito de polarizacién y realimentacién por resistencia de colector. . CONTENIDO ix 3.4.4. Circuito de polarizacién de un trai ‘or por divisor de tension 52 ANALISIS PRACTICO 9...... : 53 A. Montaje de un transistor con polarizacion y realimentacion por resistencia de emisor 33 B. Montaje de un transistor con polarizacién por divisor de tensién 55 35. Amplificacion con transistores: configuraciones basicas 56 3.5.1. Amplificador en emisor comin .......... 37 35.2. Amplificador en base comin... 58 3.53. Amplificador en colector comin 39 ANALISIS PRACTICO 10... 0 A. Montaje de un amplificador EC monoetapa . 60 B. Determinacién experimental dela 2, 2, 2 ™ Medida de Z,. 63 6B Caracteristicas téenicas de transistores (I) 64 Caracteristicas técnicas de transistores (II) 67 Caracteristicas téenicas de diodos .. 0 Caracteristicas técnicas de un osciloscopio 70 Caracteristicas técnicas de un GBF ...... . n Caracteristicas técnicas de una fuente de alimentacion n Hoja para oscilogramas .. B SEGUNDA UNIDAD: ACCIONAMIENTO ELECTRICO-ELECTRONICO Introduccion... 00.2. oe eee ce eee ceeseecseeesecesseeeeeetnesetseseteeeseescnees 1 Tema 4. Tiristores (I): Semiconductores y circuitos bisicos de accionamiento........... B 4.1, EI SCR 8 4.1.1. Caracteristicas del SCR 80 m Caracteristica directa real 81 m Curvas caracteristicas 82 ™ Caracteristicas de puerta. 84 m Aplicaciones del SCR. 86 4.12, Cireuitos de descebado del SCR 86 1 Descebado manual . . 86 1 Descebado con transistor 87 m= Descebado con SCR auxiliar 87 4.13. Semiconductores en los circuitos 88 42. EI transistor UJT . 89 4.2.1. Circuito y curvas caracteristicas . . 90 42.2. Oscilador de relajacion con el UIT... 91 = Comportamiento del circuito . 92 ANALISIS PRACTICO 11. 34 43. El transistor PUT . 94 4.3.1. Circuito y curva ‘caracteristica 94 43.2. Oscilador de relajacién con PUT 96 ANALISIS PRACTICO 12. n 44. Control en rectificadores de corriente alterna monofisica 98 44.1. Control de media onda SCR... 98 44.2. Control de onda completa con SCR . 100 x CONTENIDO Tema 5. Tema 6. Tema 7. ANALISIS PRACTICO 13... . ‘A. Control experimental de media onda con SCR por desfasador R-C B. Control experimental de onda completa con SCR por oscilador de rel i Tiristores (II): Semiconductores y control de potencia en corriente alterna monofisica Si. El TRIAC.. 52. El DIAC.. 53. DIMMER: control de potencia con DIAC y TRIAC. 5.3.1. DIMMER con histéresis . ANALISIS PRACTICO 14....... 5.3.2. DIMMER sin histéresis ANALISIS PRACTICO 15... 54. Introduccién a la rectificacién trifisica semicontrolada 5.4.1. Rectificador trifésico de media onda . : 5.4.2. Reetificador trifasico de onda completa . 5.43. Rectificador trfisico de onda completa semicontrolado | Circuito de control....... ANALISIS PRACTICO 16. ‘Aptadice Il. A. Caracteristicas técnicas de SCR’s... B. Caracteristicas técnicas de TRIAC’s . C. Caracteristicas técnicas de UJT's y PUT's D. Hoja para oscilogramas : TERCERA UNIDAD: AMPLIFICADORES OPERACIONALES Introduccién al amplificador operacional ...........0..2600.c00scee 6.1. Definicién y elementos ..... 62. Principio de funcionamiento . 63. Estructura interna . : = Amplificador diferencial ..... ‘uente de corriente constante ... m Etapas de ganancia de tension . m™ Adaptador de impedancia y ganancia de corriente m= Etapa de desplazamiento de potencial 64. Caracteristicas Relacién de rechazo de modo comin RRM). m Tensién de offset . Corrientes de polarizacién = Tierra virtual . Aplicaciones del amplificador operacional . 71. Circuitos aritméticos 7.1.1. Amplificador inversor ANALISIS PRACTICO 17............ 7.1.2. Amplificador no inversor ... 102 102 103 106 106 108 110 1 112 113 114 114 114 116 118 119 120 121 122 123 124 177 127 129 130 130 130 130 130 132 132 133 134 134 134 137 137 137 139 139 Tema 9. ANALISIS PRACTICO 18 7.1.3. Adaptador de impedancias 7.14. Amplificador sumador inver ANALISIS PRACTICO 19........ 7.1.5. Amplificador restador o diferencia 7.2. Circuitos de comparadores teks 7.21. Comparador no inversor... ANALISIS PRACTICO 20... 7.22. Comparador de ventana ANALISIS PRACTICO 21...... Apéndice IIL. A. Compensacién de las corrientes de polarizacion B. Datos técnicos de un operacional real C. Hoja para oscilogramas .. ie CUARTA UNIDAD: MULTIVIBRADORES 8.2. Multivibrador monoestable con el amplificador operacional 741 8.2.1. Descripcién del circuito . ; ANALISIS PRACTICO 22....... 83. Multivibrador astable con el amplificador operaciona 7a 83.1. Descripcién del circuito ‘ ANALISIS PRACTICO 23. Muttivibradores con los CI’s 555 y 556. 9.1. El circuito imtegrado $55 ......0...cccecsseeeseeesseeees 9.1.1. Elementos 0 entradas y salida de la estructura de un CI5SS = Comparadores .. 1 Biestable . ransistor T,, (descarga) ™ Etapa de salida (inversor) . = Transistor T,, (RESET) = Control de tension 9.1.2. Multivibrador monoestable con el = Descripcién del circuito en condiciones de reposo y actuacién . ANALISIS PRACTICO 24. 9.13. Multivibrador estable con el C1555 m= Descripcién del circuito ANALISIS PRACTICO 25. 9.2. El cireuito integrado 556 921. Modulador de audio por desplazamiento de also con el C1556... @ Descripcién del circuit... ANALISIS PRACTICO 26... | 9.22. Temporizador ciclico con el C1556. m Descripcién del circuito . ANALISIS PRACTICO 27..... 140 140 141 142 143 144 144 145 145 146 147 149 152 155 156 156 156 157 159 159 160 163 165 165 167 167 168 168 168 168 168 169 169 172 12 172 176 176 177 178 179 179 179 180 adi CONTENIDO Apéndice IV. A. Caracteristicas del circuito integrado 555 B. Caracteristicas del cireuito integrado 556 . C. Hoja para oscilogramas... QUINTA UNIDAD: SENSORES, TRANSDUCTORES Y ELEMENTOS DE MANDO Introduecién Tema 10. Familias de transductores (1) . Tema 11. 10.1. Transductores de presién, de caudal y de nivel ...... 10.1.1. Transductores de presién capacitivos y extensimétricos . 10.1.2. Transductores de medida de caudal con tubo Venturi 10.1.3. Transductores de control de nivel ..... “ Mecanico-resistivos . “ © Capacitivos . 10.14. Circuito de un detector de aren de rebase de presiones ANALISIS PRACTICO 28. aR : 10.2. Transductores de velocidad y de ‘posicién . 102.1. Transductores de velocidad 10.22. Transductores de posicién . 10.3, Transductores de proximidad . 103.1. Tipos de interruptores de proximidad . @ Capacitivos ¢ inductivos . Cilindricos y orientables . Tipo NPN y tipo PNP 1032. Control de presencia por captador inductivo/capacitivo . ANALISIS PRACTICO 29. 10.4. Transductores de reflexion ultrasonica 104.1. Control por ultrasonidos ANALISIS PRACTICO 30 Familias de transductores (II)... 11.1. Transductores de temperatura . L111. Termistores....... a Termistores NTC. | Termistores PTC. 11.1.2, Termopares ANALISIS PRACTICO 31.. 11.1.3. Regulador de temperatura con NTC para cargas de potencia en ca ANALISIS PRACTICO 32 11.2, Transductores de luminosidad 11.2.1. Componentes fotosensibles ... Resistores LDR.. & Fotodiodos y fototransistores .. 11.22. Componentes electroluminiscentes . .. ® Diodos LED... 1 Diodos emisores de infarojs RED. 11.2.3. Optoacopladores . . 1124, Control de iluminacién con LDR .. 182 187 188 191 193 193 193 193 194 194 196 196 199 210 212 23 214 216 217 217 217 219 220 220 222 222 224 ANALISIS PRACTICO 33....0....2000000000005 “i ns 11.25. Temporizador para cargas en ca activado por optoacoplador 26 ANALISIS PRACTICO 34 . . 27 Apéndice V. A. Caracteristicas del sensor de pre: ‘i 228 B. Caracteristicas de captadores inductivos tipo E2F............. 231 C. Caracteristicas de captadores capacitivos tipo E2K-X.......... 233 D. Caracteristicas de resistencias NTC. 238 E. Caracteristicas de resistencias PTC . 237 F. Caracteristicas de resistencias LDR 239 G. Caracteristicas de diodos LED 240 H. Caracteristicas de dispositivos fotosensibles 242 1. Hoja para oscilogramas ..... . 244 SEXTA UNIDAD: SISTEMAS DIGITALES Introduccion. 247 Tema 12. Funciones y puertas logica 248 12.1. Funciones logicas basicas . . 248 12.1.1. Funcién igualdad 249 12.1.2 Funcién unién.......... 249 12.1.3. Funcién interseccién . 250 12.1.4. Funcién negacién... 251 122. Funciones ldgicas derivadas 231 122.1. Funcion NAND. 281 Funcioén NOR . + 252 Funciones OR- EXCLUSIVA y NOR! EXCLUSIVA * = 22 12.3. Puertas ldgicas .. os . . - 253 123.1. Familias logicas mas importantes cectttttetetectteeeeeen 254 m= Familia logica TTL... 254 = Familia logica CMOS . 256 124. Tipos de puertas logicas . : 287 124.1. Puertas AND y NAND.. 287 124. Puertas OR y NOR 258 124.3, Puerta NOT... 258 12.4.4. Puertas EXOR y N-EXOR...2....00... awcmmantacion SE ANALISIS PRACTICO 35.... « " . . se - 29 ‘Tema 13. Algebra de Boole y reduccién gréfica por Karnaugh............ 261 13.1. Algebra de Boole.......... 261 13.1.1. Los diecisiete postulados de Boole 261 13.1.2. Los cinco teoremas de Boole 267 13.13. Leyes de Morgan......... coe : 270 ANALISIS PRACTICO 36... m én grifiea por Karnaugh . 2 13.2.1. Tipos de mapas de Karnaugh . mn Para dos variables m m Para tres variables. m m Para cuatro variables... 6... cece an xiv CONTENIDO 13.2.2. _Obtencidn de la reduccién grifica ANALISIS PRACTICO 37 cores Tema 14, Sistemas digitales integrados . 14.1. Sistema combinacional EI multiplexor m Disefio de un multiplexor de cuatro entradas . m= Creacién de funciones légicas Comparadores légicos . 142. Sistemas secuenciales...... Tipos de biestables m Biestable J-K.. mBiestable 7. m Biestable D Contadores ANALISIS PRACTICO 38 1423. Contadores preseleccionables .. w= Tablas de transicién ANALISIS PRACTICO 39 ANALISIS PRACTICO 40 14.2.4. Registros de desplazamieto ANALISIS PRACTICO 41... A 14.1.1. 14.1.2. 14.2.1. 14.2.2. Apéndice VI. B G. D. Comparador de 8 bits con 74LS85 Al. Montaje A2. Informacién téenica para proceder al montaje .. Registro universal de 4 bits derecha-izquierda 74LS95 Registro universal de 8 bits 74HCI65....... Doble J-K con PRESET y CLEAR 74HC76 Bibliografia : Indice analitico... 273 2s 216 216 276 mm 278 280 282 282 283 284 285 287 290 290 21 293 295 297 297 298 302 312 316 323 325 Prélogo El presente texto trata de cubrir el espacio docente en la formacién de los Médulos Profesio- nales, preferentemente los concernientes al Nivel II, tales como Mantenimiento en Instalacio- nes de Servicio y Mantenimiento en Linea, asi como los que tienen prevista su inmediata aprobacién y que poseen relacion con las nuevas familias profesionales de Electronica. Sin olvidar la Formacién Profesional actual en los cursos de 1.° y 2° de FP2 (rama Electricidad- Electrénica, especialidad Electronica Industrial), como también los cursos impartidos por el INEM (Técnico Electrénico) y otros relativos a la formacin ocupacional. Sera igualmente valido para la asignatura Tecnologia Industrial del nuevo Bachillerato Tecnolégico. Dado el nivel al cual va dirigida esta publicacion, se ha tratado con miras practicas sin olvidar la teoria, que sera siempre necesaria, pero sin profundizar en exceso. Esto se debe a que el proposito del texto y del curso es conseguir unos conocimientos generales, dejando para el resto del Sistema Educativo Superior la profundidad en los temas y la justificacion matematica de los ejercicios de disefio de circuitos. Diversifica y amplia los conocimientos adquiridos previamente por los alumnos (durante el primer grado de Formacion Profesional), prestando especial atencién a las aplicaciones practicas de los mismos, de forma tanto propuesta como resuelta. Esta caracteristica hace que sea un texto iddneo para la asignatura de Practicas de taller de segundo grado de Formacién Profesional EI libro se encuentra dividido en seis grandes unidades: dispositivos, accionamiento eléctrico-electrénico, amplificadores operacionales, multivibradores, transductores y sistemas digitales. Cada una de ellas consta de un nimero variable de temas. La tabla de Contenido, muy detallada, da idea de todos los que se abarcan y de la disposicién de los mismos. Al final de cada unidad apareceré un apéndice con informacion complementaria, reproduciendo material original (manuales profesionales). Para terminar, como es habitual en la serie Electricidad-Electronica, se incluirin un completo Glosario, Bibliografia e Indice analitico. A continuacidn de cada apartado teérico de envergadura, apareceran uno 0 mas ejercicios practicos (denominados Analisis Practico). El nimero de éstos dependerd de cada tema, asi como su estructura. En los casos mas simples la practica se propone pero, en aquellos mas complejos, se va explicando cada paso para la resolucin de la misma, dejando siempre la tltima parte (el dato numérico propiamente dicho, el comentario de las conclusiones o el paso de los datos obtenidos a la tabla correspondiente) para el alumno. No podemos terminar sin expresar nuestro agradecimiento a las casas COPRESA, HARRIS. SEMICONDUCTOR, MOTOROLA, NATIONAL SEMICONDUCTOR y OMRON, por cuya cortesia hemos podido reproducir la informacién contenida en los distintos apéndices de esta obra. Puerto de Sagunto-Picanya, 1992 LOS AUTORES x TEMA. Semiconductores: El diodo 2.1, ESTUDIO DE LA UNION N-P En este primer apartado veremos, para comenzar, los semiconductores, materiales empleados para producir la unién N-P. Después pasaremos a analizar los dos tipos de polarizaciones en Jos que puede configurarse la union N-P. 2.1.1. Semiconductores Se denomina semiconductores los materiales utilizados en electronica que cumplen una determinada arquitectura interna, en lo referente a su estructura quimica. Los podemos dividir en dos grandes tipos: intrinsecos y extrinsecos. + Los semiconductores intrinsecos son los Ilamados puros, es decir, aquellos en los que todo el material esté inicamente formado por un solo componente basico, esto es, Atomos de 4 e~ de valencia. + Los extrinsecos son, por asi llamarlos, impuros, queriendo con ello decir que no todo el material esta formado por un solo componente, sino que estin mezclados con otros, en proporcion y tipo adecuados. Los extrinsecos se dividen a su vez en dos grandes grupos: tipo P y tipo N. Los llamados tipo P son los materiales a los que se les agregan atomos de tres &~ de valencia, fijando con ello unas caracteristicas particulares. Debe mencionarse que para este tipo son portadores mayoritarios los h* (huecos), entendiendo por h* la ausencia de e~, que completan el enlace quimico. — Los llamados tipo N son los semiconductores a los que se les agregan Atomos de cinco e~ de valencia, fijandose, por tanto, unas caracteristicas distintas a los tipo P; en los N, se dice que son mayoritarios los e~. Ambos tipos de semiconductores (P o N) son, aisladamente, neutros a nivel eléctrico pero, al unirlos, se produce un fendmeno de difusion que hace que los portadores mayoritarios de tuno y otro bloque se desplacen atravesando la unién, hasta que se igualan los potenciales. 20 SEMICONDUCTORES: EL DIODO 21 Este proceso es parecido al que presenta una mezcla de agua y colorante tras un cierto tiempo, tomando un determinado color, que sera definitive a no set que aumentemos el colorante o el agua. Esta puesta en contacto de los bloques N-P origina una barrera de potencial propia de los materiales que se hayan usado para su creacién (SI = 0,65 V, GE ~ 0,25 V), estos valores de barrera se denominan tensién umbral (V). En esta situacion, al polarizar (suministrar tensiones) al bloque N-P, se producen dos opciones: polarizacién directa y polarizacién inversa. = Polarizacion directa Se denomina directa aquella configuracién en la cual el positivo de la fuente se conecta al bloque P. En esta situacidn, la polaridad de la fuente (siempre que sca superior a la tension de barrera) convertira al bloque N-P en conductor, dejando pasar una corriente eléctrica impor- tante que habra que limitar mediante resistencia externa a la unidn, en prevision de la maxima corriente que pueda soportar dicha unién. = Polarizaci6n inversa ‘Se denomina inversa la configuracién en la que el potencial positivo de la fuente se conecta al bloque N. De este modo, la barrera de potencial se ve reforzada y la corriente de paso a través del bloque es nula (en realidad minima de valor 4A). Ambas disposiciones se muestran en la Figura 2.1. IF Polriacon ier Figura 2.1. Polarizaciones. 2.2, EL DIODO: COMPONENTES Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES El dispositivo formado por una unién N-P se denomina diodo y es el mas simple de los componentes electronicos. Dispone de dos terminales llamados anode y cétodo que son, respectivamente, el bloque P y el N. Su simbolo grafico mas comin es el que se muestra en la 22 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, Diodo 1 = fnodo = A 2 = c&todo = K Figura 2.2. Diodo semiconductor. Figura 2.2. Su principal caracteristica es que slo deja pasar la corriente en un sentido, es decir, es unidireccional Al diodo asi definido se le conoce por rectificador y éste no es mas que un modelo de los muchos existentes (véase Fig. 2.3) dentro de la familia de los diodos, entre los que podriamos destacar dos: el diodo LED y el diodo ZENER. No obstante, conviene mencionar la existencia de otros dos tipos de diodos: el VARICAP y el TUNEL. Los mencionados diodos no seran objeto de estudio en este libro debido a que ambos hacen referencia a utilizaciones en Electronica de Telecomunicaciones, estando ésta fuera de los objetivos del presente texto. Figura 2.3. Fotografia de diversos diodos. SEMICONDUCTORES: EL DIODO 23. 2.2.1. Caracteristica tensidn-corriente Es, sin lugar a dudas, la més importante de las caracteristicas utilizadas, ya que nos indica las caidas de tensidn (cdt) y las corrientes que puede soportar el componente. Una muestra de esta caracteristica es la de la Figura 24. En ella se aprecia que durante la PI (polarizacién inversa) la corriente que circula es muy pequefia (A), ya que presenta una resistena muy elevada (MQ). Por el contrario, en la PD (polarizacion directa) la corriente es muy elevada (del orden de A) y su resistencia de valor Shmico muy bajo. Se aprecia también en la misma figura la tension umbral propia de cada material. Hay que destacar que esta caracteristica es propia de cada diodo que se ensaye, y ademas ésta variard con la temperatura. Polarizacién directa (PD) Vvsnos) Polarizacion inversa (Pl) 4, (WA) Figura 2.4. Grafica de |a caracteristica tensién-co! nte. La anterior grafica se puede obtener mediante una sencilla aplicacién con el osciloscopio, tal como se muestra en la Figura 2.5. La tension presente en extremos del componente se aplica también a las placas X del osciloscopio. La corriente que circula por el elemento también lo hace por la resistencia, provocindose una caida de tensién (cd/) proporcional a la corriente que la atraviesa, aplicdn- dose a las placas ¥ del osciloscopio. La resultante que se obtiene en pantalla es la caracteristi- ca del semiconductor. 24 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS: Lao Transformador Figura 2.5. Obtenci6n de la caracteristica V-/. A continuacién (Tabla 2.1) se muestran algunas de las caracteristicas de los materiales semiconductores base aplicados a los diodos, como complementos al estudio de los mismos. Tabla 2.1. Caracter'sticas de los materiales semiconductores base ¥, (V de umbral) =03V = 0A J, (1 inversa) = A Deriva térmica 21, por cada 12°C 2, por cada 8 °C Aplicaciones Deteceién sefial baja Usos generales Resistividad 60 Qcm 230.000 Gem 2.2.2. Aplicaciones diversas ‘Ademas de la aplicacién de rectificacién clasica del diodo convencional, se pueden realizar otras, tales como: limitadores y fijadores. Estas son en muchos circuitos decisivas, por la necesidad de modificar la forma de onda. Los limitadores, como su nombre indi limitan una tensin alterna a unos valores que nosotros determinamos mediante la eliminacion parcial o total de una o de las dos crestas del semiciclo. SEMICONDUCTORES: EL DIODO =. 25 El limitador puede ser serie o paralelo, Otra clasificacién hace referencia al lugar donde realicemos la limitaci6n (recorte), en este caso pueden ser: positivo, negativo, parcial o parcial doble. = Limitador paralelo En la Figura 2.6 se muestra un limitador que recorta la parte de sefial negativa que sobrepasa el valor V, del diodo, dejando inalterada la parte positiva. Resistencia Figura 2.6. Limitador paralelo. Por supuesto, al igual que se limita el valor de la semionda negativa, se puede realizar la positiva sin mas que cambiar la polaridad del diodo, o incluso recortar ambas semiondas con dos diodos que podrian estar individualmente conectados en seric con fuentes de cc de distinto valor, haciendo asi asimétricos los recortes. Las Figuras 2.7 y 28 muestran las graficas de las sefiales senoidales de entrada y salida del limitador. | t t Figura 2.7. Gréfica de la sefial senoidal Figura 2.8. Grafica de la sefial de salida de entrada del limitador. del limitador. < = Fijador positivo Se conoce como fijador o restaurador de cc al circuito formado por una red R-C en conjunto con un diodo, sin mas condicién que la constante de tiempo (t = R- C) sea al menos diez 26 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS veces superior al periodo de la sefial aplicada, evitando la posible descarga de C. Un ejemplo del circuito comentado se muestra en la Figura 2.9. Condensador —H 9 Senoidal Figura 2.9. Fijador positivo. ‘Al igual que se pueden realizar fijadore’ positivos, los podemos realizar negativos, sin mas que variar la polaridad del diodo. Con ello lo que se consigue es obtener la senoide en la parte negativa, toda ella y sin recortes; es decir, fijar el nivel negativo en un valor igual al maximo de la sefial de entrada también conocido como amplitud o valor de pico. Se pueden realizar fijadores, en los que la sefial resultante a la salida (Fig. 2.10) esté por encima (abajo) del nivel cero de tension afiadiendo una fuente de cc en serie con el diodo adecuadamente, polarizado. Figura 2.10. Grafica de la sefial de salida del fijador. 2.3, EL DIODO LED: COMPORTAMIENTO Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES El diodo LED (light emitting diode), diodo emisor de luz, es una unién N-P trabajando con PD, que tiene la facultad de emitir luz fria; es decir, no derivada del efecto Joule tradicional. La Figura 2.11 muestra el simbolo del LED. SEMICONDUCTORES: EL DIODO 27 Za LeD Figura 2.11, Simbolo del LED. Esta luz es el resultado de la energia que ceden los e~ al bajar de la banda de conduccién, que en el caso del 5, es en forma calorifica, mientras que en los elementos del grupo 3 y $ de la tabla periddica es en forma de fotones. La forma de construccién es la siguiente: — AsGa (arseniuro de galio): _infrarrojo — AsPGa (arseniuro-fésforo-galio: naranja — PGa (fosforo-galio): amarillo Cambiando las concentraciones de los distintos componentes se pueden conseguir otros colores, ¢ incluso que cambien de color (bicolores) al aumentar la intensidad de paso. La tensién umbral es superior a la de los diodos normales y su corriente inversa mAxima es menor. Tienen una vida itil 100 veces mayor que las lamparas de incandescencia y su respuesta al cambio on-off ¢s al menos diez veces superior (10 ns), por lo que se pueden usar para modulaci6n en alta frecuencia. Las aplicaciones del LED son muy diversas (siempre en relacién con Ia iluminacién y la presentacion de datos), sea en forma aislada como seftalizacion de equipos industriales o domésticos, o en forma agrupada bajo la forma de display de distintos segmentos (teniendo mejor definicién esta iltima). El inconveniente de las pantallas de LED es el importante consumo, que no es problema si €s un equipo fijo con fuente de alimentacion a red, pero si que lo ¢s si es autonomo (dada la precariedad de la alimentacién). Por este motivo han sido desplazados por los visualizadores de cristal liquido. 2.4. VERIFICACION E IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES DE UN DIODO La identificacién de los terminales de un diodo se realiza de distintas formas (segin los medios disponibles), siendo los mas usuales: « Identificacién por catalogo (todos). * Identificacién por la forma, catodo en la punta (BY127, etc). * Identificacién por el anillo en la superficie del ctodo (IN, etc.) « Identificacién por polimetro (véase Fig. 2.12). 28 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Resistencia baja Polarizacién Polarizacion + + ar E cE inversa ll fh, directa Figura 2.12. Identificacion de los terminales de un diodo por polimetro. La verificacién del estado de un diodo se realiza con ayuda de un polimetro analégico en la funcién de Shmetro, Tras la identificacién de la polaridad de la bateria interna que tiene presente su potencial en los bornes de conexién (se puede utilizar un diodo del que se conozcan sus terminales previamente) se proceder a conectar las puntas de prueba en extremos del diodo de forma que: «Con PD (polarizacién directa) la resistencia que debe marcar el Shmetro oscila entre unos 100 Q y 300 © (seleccién en ohmios por 10). * Con PI (polarizacién indirecta) la resistencia debe valer (dependiendo que sea Ge o Si) entre 200 y 300 KQ para Ge o varios MQ en el caso de Si. Resistencia Figura 2.13. Montaje para ensayo de un diodo. ‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO 29 Para realizar esta operacion se deberd tener presente la necesaria corriente a proporcionar por el Shmetro (recordando que la escalas mas pequefias son las de mayor deflexion de la aguja). Le Polimetros digitales disponen de una posicion seleccionada como (—b+), que mide la tensién de conduccidn de la union, siendo en PD ~ 0,5 — 0,6 V y en PI inmedible, dando como resultado OL (OVERLOAD). Ademas de verificar el diodo, podemos analizarlo en su caracteristica V- con ayuda del circuito que se muestra en la Figura 2.13. Identificar los terminales de uno 0 varios diodos y realizar el montaje de la Figura 2.13 siguiendo el procedimiento que se enumera a continuaciés 4) Con PD, ir obteniendo la lectura del amperimetro (A) y del voltimetro (V) para los valores dados de la Tabla 2.2. 4) Con PI, anotar los nuevos valores del amperimetro (A) para los valores de la Tabla 23. ©) Con los valores de ambas tablas dibujar la caracteristica V-J de los diodos ensayados (1N4007). 4) Comparar con los valores que faciliten los catélogos sobre los mismos componentes y obtener conclusiones. Tabla 2.2. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 2 0 O.1 02 04 06 07 08 Tabla 2.3. Resolucion del ANALISIS PRACTICO 2 ¥, (volt 0 2 6 10 15 20 30 2.5. RECTIFICADORES MONOFASICOS La aplicacién especifica 0, més bien, el disefio original del diodo, fue la rectificacién. Poste- riormente, ante el hecho de su falta de conduccién en un sentido, se le han agregado otras muchas aplicaciones. La rectifieacion surge por la necesidad de alimentar circuitos con tensiones de caracter estable en el tiempo. Si a esto afiadimos que el transporte de energia eléctrica se realiza bajo la forma de corriente alterna, ca, (por motivos econdmicos) esta justificada la utilizacion de 30 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS rectificadores como circuitos que convierten las sefiales eléctricas bidireccionales (senoidales en la prictica) en unidireccionales Es destacable que se haya dicho que el resultado de la rectificacién es una sefial unidirec- cional, pero no continua, que se tendré que obtener por procedimientos posteriores (filtrado). Tres son las posibilidades basicas dentro de los rectificadores: « Rectificador de media onda (con o sin filtro). + Rectificador de onda completa 0 doble onda. * Rectificador en puente de Graetz. Expondremos las caracteristicas de cada uno de ellos, intercalando los ANALISIS PRAC- TICOS correspondientes a cada tipo de rectificador. 2.5.1. Rectificador de media onda sin filtro En la Figura 2.14 se muestra un rectificador de media onda y sus sefiales mas importantes (véanse Figs. 2.15 y 2.16). Durante la alternancia positiva de la sefial de entrada el diodo se encuentra en PD. En estas condiciones conduce con la limitacin de corriente impuesta por R,, provocando sobre ella una cdi que cumple la ley de Ohm, menos la pequeia edt del diodo en sentido directo 0,7 V). : En el semiperfodo negativo de la sefial de entrada el diodo se encuentra en PI, lo que permite el paso de una pequeiisima corriente, ya que su resistencia en estos momentos es muy alta. Como resultado, la cdi en R, es minima, por no decir nula. Los valores propios de la sefial senoidal quedan modificados, pudiéndose demostrar que los valores eficaz, medio y maximo de tensién toman ahora las siguientes caracteristicas: Transformador Figura 2.14. Rectificador de media onda. SEMICONDUCTORES: EL DIODO 31 donde: %, valor medio de tensién, valor eficaz de tensién. valor maximo de tension, menos la cdf (caida de tensidn) directa del diodo. v Ye Como dato final, afiadiremos que el rendimiento de este rectificador (como cociente entre la potencia de continua presente en la carga y la de alterna que cede el secundario del transforma- dor) es como maximo de un 40 por 100, cantidad claramente deficitaria. Por tanto, si queremos aumentarlo, seré necesario utilizar otro tipo de rectificador, doble onda o en puente. Figura 2.15. Grafica de la sefial senoidal de entrada x Figura 2.16. Grafica de la seal de salida en resistencia. = Factor de forma y factor de rizado Estos dos parametros informan del grado de relacién que existe, en una sefial ondulada, entre las componentes continuas de esa sefial y aquellas partes de la misma que son variables. En definitiva, el factor de forma F, es el cociente entre el valor eficaz total de dicha magnitud ondulada y su valor medio. 32 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS El denominado factor de rizado, F, (también llamado grado de ondulacién) es el cociente entre el valor eficaz de la ondulacién exclusivamente y su valor medio. Se puede demostrar que ‘FF -— 1 a) Realizar el montaje de la Figura 2.14, visualizando con el osciloscopio el resultado de la rectificacién. Compararlo con las graficas de las Figuras 2.15 y 2.16. Ténganse en cuenta los siguientes datos: R, = 1009/7 W D = 1N4007 Transformador 220 V/12 V, 0,5 A 4) Bfectuar las medidas oportunas para calcular el factor de forma y el factor de rizado. 2.5.2. Rectificador de media onda con filtro ‘Como se puede apreciar en la Figura 2.14, la sefial de salida no es estable en el tiempo. Si deseamos una que si lo sea, deberemos efectuar a continuacién un filtrado de la misma que reduzca la ondulacién obtenida hasta este momento. Los dispositivos que pueden realizar la tarea reciben el nombre de filtros, pudiéndose dividir en dos grupos: * Pasivos: utilizan resistencias, bobinas o condensadores. « Activos: utilizan una red pasiva junto a elementos activos (transistores, valvulas, op-amp). También se puede establecer una segunda clasificacién, atendiendo a la frecuencia a la que responden: pasa baja, pasa alta y pasa banda. En la Figura 2.17 se muestran los filtros pasivos bisicos. El mas simple de los filtros se realiza con un condensador, que en la mayor parte de las aplicaciones es suficiente para obtener aceptables resultados, siempre que la carga lo admita y la rectificacion sea de onda completa o en puente (véase Fig. 2.174). El célculo de la capacidad necesaria para obtener el filtro, atin siendo sencillo, se omitira, dejando ‘inicamente la aplicacion de la formula final de este filtro: ‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO 33. (a) Filtro C (b) Filtro £-¢ (ce) Filtro Pr Figura 2.17. Filtros pasivos basicos. Siendo en esta formula: Tec = la corriente continua que pasa por la carga. Ves) = Valor eficaz de la tensién de rizado. F = frecuencia de red para media onda y 2F para onda completa y en puente. Existen algunas normas nemotécnicas utilizadas frecuentemente para el rectificador de doble onda y 50 Hz de red, que indican que sera valida la capacidad de valor igual o mayor a tantos uF como mA circulen de corriente continua. Caloular la capacidad necesaria para un rectificador de media onda por cuya carga circula uuna corriente continua de 1 A, sabiendo que la frecuencia de red es 50 Hz (si la V. no ha de ser mayor de 2,2 V de pico a pico en el rizado residual). 34 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 2.5.3. Rectificador de onda completa El uso del rectificador de onda completa (con dos diodos) mejora los principales inconvenien- tes del de media onda (bajo rendimiento, elevado factor de rizado, etc.), A pesar de todo, se incorporan otras desventajas, tales como: el uso de un transformador simétrico en el secunda- rio, mayor volumen del mismo, mayor peso (debido a que cada semidevanado debe aportar la potencia total requerida por la carga). A efectos de disefio, este transformador es como si fuesen dos (visto desde el secundario), pero en conjunto es deseable al de media onda. En la Figura 2.18 se muestra un circuito de onda completa. V salida rectificada Figura 2.18. Rectificador de onda completa El funcionamiento es muy simple: consiste en Ia alternancia de conduccién de los diodos 1 y 2a la frecuencia de red. Si la alternancia positiva de entrada hace conducir al D,, la negativa hace lo propio con el D,, cerrandose el circuit siempre a través de la toma media del transformador. ae a Gréfica de la sefial senoidal Figura 2.20. Gréfica de la sefial de salida de entrada. rectificada, Figura 2.1 SEMICONDUCTORES: EL DIODO 35. La grifica de la Figura 2.19 muestra la forma de onda en la entrada de red, por contra, en la grafica de la Figura 2.20 se destaca la tensién en R,, frente al MO (media onda), de doble nimero de alternancias, es decir, duplicando la frecuencia. Es de resefiar el valor doble de tension inversa que soportan estos diodos cuando no conducen, debido al devanado doble del transformador. 2.5.4. Reectificador en puente de Graetz El rectificador en puente de Graetz es el dispositivo que mayor niimero de componentes utiliza: 4 diodos asociados de la forma que se muestra en la Figura 2.21. El funcionamiento consiste en la alternancia de conduccién de una pareja de diodos; precisamente los que coinciden con las diagonales D, — D, y D, — D3. Conducen siempre el diodo de anodo mas positivo y el de citodo mas negativo. D V salida rectificada Figura 2.21. Rectificador en puente de Graetz. Las formas de onda son las mismas que las de las graficas de las Figuras 2.19 y 2.20, sin mis que restar una nueva edt por la conduccion simultanea de dos diodos (y no uno como en el de onda completa) a la salida en la R,; éste es, sin lugar a dudas, su inconveniente, lo que lo hace inutilizable para pequefias sefiales a rectificar. Por lo demas, es el sistema més usual de rectificacion monofasica, ya que se encuentra en el mercado, de forma integrada, bajo distintos encapsulados (segin la cortiente de paso por los diodos). Como resumen, las Tablas 2.4 y 2.5 recogen los pardmetros eléctricos de cada rectificador y las caracteristicas de los diodos a utilizar en cada disefio, respectivamente. Tabla 2.4. Parémetros eléctricos de cada rectificador Rect, media onda vy Vin 157 121 | 36 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Tabla 2.6. Caracteristicas de los diodos en cada tipo de rectificador Media onda ly 1 Y% Doble onda con toma media | 0,5i, o7 | 2% Doble onda con puente 05%, | 07 | Ko En la Tabla 2.5 se deberan entender los siguientes simbolismos: Ifay) = Corriente media directa que debe soportar cada diodo. Tans, = Cortiente eficaz directa que debe soportar cada diodo. V_ = Tensién inversa del diodo. V, = Tensién maxima/pico/amplitud. I, = Intensidad media en la carga. 1 = Intensidad eficaz en la carga. @) Montar el circuito de la Figura 2.21 y visualizar con el osciloscopio el resultado de la rectificacion. 5) Tomar las medidas en el circuito que se consideren oportunas para calcular el factor de forma y el factor de rizado. ©) UEn qué cambia la forma de onda en la salida si le colocamos un condensador en paralelo? 2.6. EL DIODO ZENER: COMPONENTES Y CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES 2.6.1. Funcionamiento El diodo ZENER basa su funcionamiento en el efecto de ruptura de su caracteristica inversa; aqui reside su diferencia con los diodos rectificadores ya que en la PD (polaridad directa) son basicamente iguales. En la Figura 2.22 se muestra el simbolismo de un ZENER. ‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO 37 Figura 2.22. Simbolos graficos del ZENER Los diodos ZENER estan disefiados para mantener dentro de un rango de corrientes (propias de cada modelo), la tension nominal de ZENER, haciendo de estabilizador de tension en ese rango de corrientes, tal como se aprecia en la caracteristica V-I de la Fi- gura 2.23 Figura 2.23. Gréfica tensién/intensidad ZENER. De esta manera el funcionamiento se realiza en base al nivel de dopado de los semiconduc- tores que forman el diodo, dando lugar a dos modos de realizarlo: efecto ZENER y efecto avalancha. 38 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS * El efecto ZENER se manificsta cuando un diodo esté muy dopado y el arranque de electrones se hace por campo eléctrico; son los diodos de valores hasta unos 6 V nominales. La tensin de ZENER en estas circunstancias, disminuye con la temperatura. * El efecto avalancha se produce cuando se provoca la ruptura por impacto de los e~ entre ellos; predomina para valores nominales de tensidn del diodo superiores a 6 V. La tension ZENER asi conseguida aumenta con la temperatura. Cuando las tensiones que se quieren estabilizar, 0 usar de referencias, son inferiores a 2 V no se usan diodos ZENER, se prefieren diodos convencionales conectados en serie y polariza- dos directamente. 2.6.2. Verificacién e identificacién de terminales La identificacién de los terminales se puede realizar de igual manera que un diodo convencio- nal, sin mas que tener en cuenta que al polarizarlo inversamente la bateria del elemento de medida no sea superior al valor de ruptura. es 2) Montar el circuito de la Figura 2.23 (ZENER en polarizacién inversa). 5) Deducir el valor de resistencia adicional a colocar en serie (usar un ZENER de 12 V/400 mW). ©) Aumentar la tensién inversa aplicada con la fuente de alimentacion regulable y colocar los valores en la Tabla 2.6. Tabla 2.6. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 6 av sv [ ay wv | i5sv 2.6.3. Montaje de un estabilizador con ZENER La necesidad de mantener estable la tensién en los circuitos electronicos es fundamental para su correcto funcionamiento. La estabilizacion se realiza a la salida del filtro del rectificador, puesto que se dispone de una tension unidireccional aunque con ciertas variaciones debidas al rizado residual. ‘SEMICONDUCTORES: EL DIODO 39 Tension estabilizada Figura 2.24. Estabilizador ZENER paralelo de tensién. Con los ZENER se pueden realizar circuitos, sin grandes pretensiones, pero, eso si, a un bajo coste y con unos resultados aceptables. Existen dos formas clsicas de obtener estabiliza- dores: conexién serie con la carga y conexién paralelo con Ia carga. El estabilizador paralelo cs el mas extendido cuando solo se utiliza un ZENER y en él nos vamos a detener, intentando, ademas, calcular su circuito. En la Figura 2.24 se muestra un estabilizador paralelo con ZENER. = Funcionamiento EI principio de funcionamiento del estabilizador consiste en el mantenimiento de la tension ZENER que ¢s la misma que tiene la carga R,, por estar el diodo en paralelo con ella. Dado que la corriente total (/,) ¢s la suma de las corrientes de ZENER (J,) mas la de la carga (Ir,), mientras la variacion de la intensidad total o la de carga no haga que la de ZENER sc salga del rango de trabajo (J. minim — 1: mixina) la tension sera mantenida con una pequefia fluctuacién, perfectamente aceptable. Las posibilidades de variacién son tres: « Variacién de la resistencia de carga. « Variaciones de la fuente de alimentacion. + Ambas situaciones simultaneas. Por ser, en la practica, la mas corriente la tercera de las causas, el disefio para el montaje lo efectuaremos para esta situacién de variacion simultanea. Calcular, montar y analizar un estabilizador paralelo con ZENER bajo los siguientes condi- cionantes: 4) Variacién de Ia corriente de carga entre 25 mA y 50 mA, bajo una ddp de 12 V. 6) Variacién de la fuente de alimentacion entre 15 y 18 V. 40 _PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS En principio, calcularemos el valor de Ryo. En esta situacion, la corriente a considerar por la carga sera la maxima y la que atraviesa el ZENER ser minima; este valor, que encontraremos en catilogo, puede ser de 5 mA Con los datos del ejercicio, el resultado es de 54,54 Q, pero este valor no es comercial, por Jo que habra que colocar Ja resistencia comercial mas cercana, cuyo valor normalizado es 56 2. Determinaremos a continuacién la potencia que deberd disipar dicha resistencia. Para ello el diseiio se considerara en la peor de las situaciones; la més desfavorable se da cuando la Vp, ¢8 maxima, teniendo en cuenta el valor de resistencia ya calculado: Vins, — Va) Pg, = Cine = ah La formula anterior nos dara un resultado de 0,6428 W, que habra que ajustar al valor comercial superior para seguridad; siendo este de 1 W. En lo referente al ZENER, la potencia maxima que disipa sera la que se deriva de la menor demanda de corriente por la carga, cuando en la entrada se presente el maximo valor de tensién. Por tanto: Lo que nos da un valor de 82,14 mA y como consecuencia la potencia de ZENER maxima seré: = V1... = 09857 W En la practica usariamos un ZENER de | W o mas. Tras realizar el montaje del circuito calculado, rellenar las casillas de la Tabla 2.7 con los datos obtenidos de las medidas reales sobre el circuito practico. Tabla 2.7. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 7 15 16 16,5 7 17,5 18 TEMA, El transistor bipolar: Estructura y caracteristicas del componente 3.1. INTRODUCCION El desarrollo del transistor (TRANSfer-resISTOR) en la década de los cincuenta supuso el definitivo comienzo de la Era Electrénica, haciendo evolucionar a la técnica en general de forma vertiginosa. Vino a sustituir en las valvulas a su homélogo el triodo al igual que el diodo semiconductor lo hizo con el de vacio (con las ventajas que este cambio supuso: reduccién de volumen, peso, precio, ete.). Véase Figura 3.1. Los podemos dividir en dos grandes familias: transistores unipolares y transistores bipolares. Los transistores unipolares, aunque conocidos tedricamente a la par que los bipolares, no se desarrollaron hasta los afios sesenta, motivo (junto con el manejo) que ha convertido a los Figura 3.1. Fotografia de diversos transistores. 41 42 — PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS bipolares en los mas conocidos. Diremos que los transistores unipolares reciben este nombre porque los portadores de carga son Unicos, e~ 0 i*, dependiendo del tipo de semiconductor empleado para su fabricacion. Esto significa que la corriente que gobiernan esta debida a un solo tipo de portador. 3.2, ESTRUCTURA DE UN TRANSISTOR BIPOLAR Los transistores bipolares, motivo de nuestro estudio, son aquellos en los que la corriente es originada por los dos tipos de portadores citados. 3.2.1. Caracteristicas Un transistor bipolar es un dispositivo con tres terminales de conexion, unidos a tres bloques semiconductores extrinsecos, tal como se muestra en la Figura 3.2, ; Pe fefe ° ‘ Pde] . i Transistor NPN Transistor PNP 2 3 2 3 1 1 1 = base 2 = colector 2 = emisor 3 = emisor 3 = colector Figura 3.2. Simbolos y terminales del transistor bipolar NPN y PNP. Los nombres de sus terminales son: Base. Terminal cuya conductividad es contraria a los otros terminales. Es la encargada de realizar el gobierno de la corriente que atraviesa los terminales principales, por lo que se construye con un espesor menor que el de éstos. « Emisor. Es el terminal fuente de la corriente principal (de conductividad igual al colector y la mas dopada de las tres). + Colector. Es el terminal encargado de recoger la corriente que, regulada por la base, emana del emisor. Esta menos dopado que el emisor y mas que la base. EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 43, Dado que los tres terminales son capas alternadas de semiconductores, existen dos tipos: NPN y PNP. Con ambos modelos se puede realizar cualquier aplicacién sin mis que recordar las distintas polarizaciones que tendremos que efectuar pero, puesto que lo mas corriente es disponer de positivo respecto de masa, el mas utilizado es el tipo NPN. Dado que existen tres zonas semiconductoras, habra dos uniones N-P, una formada por la zona base-colector y la otra por la zona base-emisor. 3.2.2. Efecto transistor Se conoce como efecto transistor al fenémeno fisico que permite el paso de un elevado nivel de portadores a través de una unién N-P polarizada inversamente. Para ello deberemos Polarizar adecuadamente el transistor, como se ve en la Figura 3.3, es decir, polarizando directamente la union base-emisor e inversamente la unién base-colector. Figura 3.3. Polarizacién de un transistor bipolar. Sentidos de las corrientes. NOTA. Las corrientes marcadas con «-------» son en sentido electrénico, es decir, con el ‘movimiento de e~, no de h*, que es el sentido eléctrico (estas tiltimas marcadas con raya continua). Mediante la PD (polarizacion directa) de la B-E se permite el paso de los portadores mayoritarios del emisor (e~) al bloque central tipo P, que constituye la base, donde los e- que Iegan son minoria. Ahora bien, la PI (polarizacion inversa) de la unién C-B tiene un campo eléctrico importante que facilita el paso de los electrones que fluyen desde emisor hacia el colector, 44 _PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS menos los e~ que se derivan hacia la base (minoritarios), de ahi la importancia de su estrechez. En la Figura 3.3 se muestra la ecuacién fundamental de un transistor bipolar, que no es mas que la suma de las corrientes de base y colector igual a la de emisor. 3.2.3. Corrientes residuales Se denominan asi las corrientes medidas cuando uno de los tres terminales esta abierto, y se representan por subindice 0. Las mas importantes son [ip € Joe que Son, respectivamente, la corriente colector-base con el emisor abierto y la colector-emisor con la base abierta. La primera (Ji) tiene un valor de 1A y es debida a los portadores minoritarios; varia con la temperatura. La segunda (I...) ¢s del orden de centenares de wA y es debida a los portadores mayoritarios, por tanto, no depende de la temperatura. = Pardmetros a y B « Alfa (a): es el cociente entre la corriente de colector y emisor, por ello nunca seré mayor que la unsdad. + Beta (f): es el cociente entre la corriente de colector y la de base, su valor es elevado (entre decenas y varios cientos) dependiendo del transistor. ‘Ambos son nimeros adimensionales, por lo que no se expresan en ninguna unidad. @ Relaciones matemiticas fundamentales entre parimetros y corrientes ‘Acontinuacién se muestran algunas relaciones matematicas entre los pardmetros a, B y las corrientes: I,=1,+ 1, T= Body + bee T= a'h, + leo De las relaciones anteriores, que podrian Ilamarse bisicas, se deducen las siguientes: Bri 1. = Boh) + B+ MV) Tre Con las ecuaciones mostradas anteriormente se puede conocer la situacién del transistor en general, siendo deseable que el alumno aprenda a manejar y comprender la informacién EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 45 por ellas aportada. Especial importancia tiene la tiltima expresin matematica, pues muestra que la corriente de colector posee una componente térmica, expresada en el factor B+ D> Leto 3.2.4. Modos de funcionamiento Tres son los modos de funcionamiento posible de un transistor, dependiendo del punto de trabajo donde se encuentre, es decir, de los valores de J, y Ve que tenga en un momento determinado. Estos tres modos son: saturacién, corte y amplificacion. + Saturaci6n. Es el estado en el que el transistor funciona tal como si fuese un interruptor cerrado, quiere esto decir que su Vz- en esta situacion (ddp entre los terminales del supuesto interruptor) es nula, o practicamente nula, y la corriente a través del colector es maxima. * Corte. Es la situacion contraria a la saturacién, es decir, cuando el transistor no permite el paso de ninguna corriente (el supuesto interruptor est abierto), siendo ahora la V., maxima. + Amplificacion. Es la posibilidad que tiene el transistor para que siendo gobernado por una pequefia corriente de mando (/,), pueda controlar corrientes mucho mayores a lo largo de la rama colector-emisor. En esta situaci6n, la corriente y la tension en sus extremos puede ser diferente en funcién de las condiciones de trabajo de dicho compo- nente, 3.3. VERIFICACION E IDENTIFICACION DE LOS TERMINALES DE UN TRANSISTOR Al igual que en el caso de los diodos, tenemos varias opciones para la identificacion de los terminales: por catélogo y con el polimetro analégico o digital El primer caso no presenta ningin problema y habrd tnicamente que observar la posicién de la ilustracién del catilogo referente al encapsulado para determinar el patillaje. EI segundo método implica un procedimiento con el cual hay que operar metédicamente segiin la siguiente pauta: a) Identificar la polaridad de los terminales del polimetro, es decit, la polaridad de la pila interna del hmetro. Seleccionar el multiplicador - 10 y aplicar las puntas a los electrodos del transistor, teniendo presentes las premisas que se citan a continuacién. 5) Averiguar cual es el electrodo de Ia base, dado que es el tnico terminal al que aplicdndole una determinada polaridad poseerd baja resistencia con los otros dos electrodos. Ahora bien, si el electrodo identificado como base se ha conectado a positivo, el transistor sera NPN, mientras que si se conecté a negativo el transistor sera PNP. Con polaridad contraria a la descrita no habra deflexién de la aguja del Shmetro (elevada resistencia). ©) Una vez averiguado el terminal de base, hay que observar la resistencia que presenta el polimetro al conectarlo en cada uno de los dos terminales restantes (cambiar el selector 46 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS a 1), El que mayor valor shmico presente sera el emisor; el colector, por elimina- ibn, seré el electrodo que queda En la grafica de la Figura 3.4 se resume lo enunciado. Pore ALTA NPN pero Valores de resistencia (con indicacién de polaridades) ‘en la verificacion de un transistor bipolar. Para la verificacién del funcionamiento del transistor se puede plantear el montaje de la Figura 3.5 y trasladar los datos a la Tabla 3.1, representando posteriormente la grifica de salida de forma similar a la Figura 3.6. Se seguird el siguiente procedimiento: @) Fijar un valor de corriente de base de los que se encuentran en la Tabla 3.1 mediante la manipulacién del potenciémetro de 47 K con Vz. nula. +) Partiendo de una V,, nula ir progresivamente aumentandola, anotando los valores de J, que se obtienen para los de V,, indicados en la Tabla 3.1. o) Al llegar al maximo valor de V.., desconectar la fuente y repetir los puntos a) y 6). En la Figura 3.6 se muestra cual es el comportamiento de un transistor bipolar NPN, al realizar con una corriente de base constante un progresivo aumento de la tension colector- emisor (Vig). Se puede apreciar que para corrientes bajas de base /,,, la corriente de colector es muy pequefia pues estamos cerca de la zona de corte. La corriente /, no aumenta practicamente EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 47 Figura 3.5. Montaje para verificacién de un transistor. Tabla 3.1. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 8 48 PRACTICA CON SISTEMAS ELECTRONICOS ‘Ampliticacion aunque crezca la V;-, salvo que V,_ llegue hasta el valor maximo de potencia soportado por el transistor, quedando éste destruido por tal razén (linea ascendente practicamente vertical). Si aumentamos la corriente de base a otro valor Iya, faa, et. la caracteristica es distinta, ya que aumenta més rapidamente la /,, hasta llegar al codo de saturacién propio de esa corriente a partir del cual la curva caracteristica se mantiene casi constante y paralela al eje de tension Vzg pot mucho que aumente dicha corriente. Si sobrepasamos la mxima potencia que puede disipar el transistor, éste quedard destruido del mismo modo que en el caso precedente, pero ahora para un valor menor de V.., puesto que el término méxima potencia implica también a la [,, que en este caso es mayor que en el anterior 3.4. LAS DISTINTAS POLARIZACIONES DE LOS TRANSISTORES: SUS CIRCUITOS Por motivos de ahorro y comodidad, en los circuitos pricticos se suprimen las pilas de polarizacién de los transistores por redes resistivas que apliquen los potenciales adecuados a cada necesidad, partiendo de una sola fuente de alimentacién. Al establecer la polarizacién se determina el punto de trabajo o punto de reposo (se representa por subindice q), que es el punto de la interseccién de los valores Vieg — Jog (que posee el transistor cuando esta alimentado por la fuente V,, de corriente continua (véase Fig. 3.7). EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 49. Maxima corriente posible Figura 3.7. Punto dé reposo. 3.4.1, Circuito de un transistor con polarizacién fija Veamos algunos de los métodos de polarizaci6n bajo el criterio comentado, empezando por el mis simple, que se muestra en la Figura 38. Polarizacién fija NOTA. Corrientes sentido eléctrico. Figura 3.8. Circuito de polarizacion 50 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, Este método de polarizacién es, con diferencia, el peor de los posibles, dado que los cambios de temperatura afectan al punto de trabajo deseado. Asimismo, también alteran el reposo del transistor las variaciones de R,, que es de un elevado valor Shmico, asi como las posibles sustituciones del transistor por averia ya que el nuevo dificilmente poseeré el mismo valor de f que el sustituido. Si analizamos este método vemos que la corriente de base es producida por Va través de R, Por otra parte, la J, no se ve afectada por la V,,, por lo que un cambio de f provocaria un desplazamiento del punto de trabajo. 3.4.2. Circuito de polarizacién y realimentacién por resistencia de emisor El montaje que se muestra en la Figura 3.9 es una mejora del de la Figura 38, ya que introduce un concepto muy importante en electronica, como ¢s el de realimentacién. Realimentacion o retroalimentaci6n es el sistema por el cual se crea un chequeo constante de la salida de un circuito, en busca de diferencias respecto del valor que se le ha prefijado, de forma automatica y continua. Figura 3.9. Polarizacion de un circuito y tealimentacién por resistencia de emisor. EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 51. Las formulas principales de disefio son las que a continuacién se muestran: Vee = 1,° Re We — Vs) =e . R 4% Vee + Vrre El circuito asi montado dispone de mejoras notables respecto al anterior: @) El valor de R, sera menor, dado que la dp que absorve es también menor, ya que el potencial de base es mayor (V,, + Vp,)- 4) La estabilidad es mayor: si aumenta la temperatura la J.,, aumentard, y también la J. Como /, = I,, la Vz, aumentaré, haciendo disminuir la polarizacion del transistor y aproximando los valores de V, y V., con lo que /, es de menor valor y asi compensa- mos el incremento inicial de J,. Por todo lo anterior, también es mas estable frente a los cambios en los valores de f. 3.4.3. Circuito de polarizacién y realimentaci6n por resistencia de colector En el montaje, que se muestra en la Figura 3.10, se vuelve a realizar una realimentacion, en este caso de distinta forma, pero consiguiendo el mismo resultado final. Figura 3.10. Circuito de polarizaci6n y realimentacion por resistencia de colector. 52 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Esta realimentacién funciona de la forma siguiente en lo referente a la temperatura: al aumentar ésta, la Jj, aumenta por lo que la cdt en R, también lo hace (disminuyendo el potencial en el terminal de colector), lo que origina una disminucién de la polarizacién base-emisor (disminuyendo la J) que compensa el inicial aumento de /.. A nivel comparativo, diremos que el resultado es mas satisfactorio que en la realimenta- cién por emisor. La principal formula para el diseiio es: Ro) = Vee! I U. R= Con este método apreciamos que el transistor no puede llegar a saturar; si disminuimos el valor de R,, V._ tendria un valor, como minimo, de 0,7 V lo que lo haria igual a V,.. 3.4.4. Circuito de polarizacién de un transistor por divisor de tensién Este montaje, llamado universal o autopolarizado, que se muestra en la Figura 3.11, es el mas utilizado en la practica. Recibe su nombre por la red resistiva que fija el valor de tensién en la base (compuesta por dos resistencias en serie) actuando como divisor de tensién. Figura 3.11. Circuito de polarizaci6n por divisor de tensién (autopolarizado). EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 53 Las principales formulas de disefio son: 1= 10-4, 10-1, NOTA. Siempre que haya cuatro resistencias en el circuito de polarizacién (como sucede en la Fig. 3.11) Ry, se aumenta 9 veces y Ry, 10, de ahi que estos nimeros aparezcan en las formulas, En este apartado pasaremos a realizar algunos montajes sobre las polarizaciones vistas anteriormente. A. Montaje de un transistor con polarizacién y realimentacién por resistencia de emisor Teniendo como base el circuito de la Figura 3.9 (Apartado 3.4.2), vamos a calcular los valores que deberian tener los componentes necesarios, para un supuesto dado, comprobando poste- riormente su comportamiento en el circuito montado. Disponemos de un transistor de: Se quiere que trabaje en: B = 125 Tq = 25 mA Veg = 50V Veg = 10 V P. = 500 mW Vy, =2V Ne = 0,7. V v= 20V @) Calcular las resistencias necesarias para su correcta polarizacién. Despreciando las corrientes residuales, el valor de J, se nos queda: L= Boh dado el valor de B, que es muy grande (/, « J,), podemos asegurar sin mucho error que J, = 1,, Por tanto, la R, sera (aplicando la Ley de Ohm): R, = Val, = 2V/25 mA = 809 cuyo valor normalizado es de 82 0. La tensin en la base sera la suma de la Vg, y la Vie, por tanto: Ve = Vee + Va, = 0.7 +2=27V 54 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS, Esta serd la ddp que deberd absorber la Ry, También se puede calcular el valor de corriente que circula: puesto que conocemos f y la /,, tendremos un valor de Jy: I, = [JB = 25 mA/125 = 0,2 mA Asi el valor de Ry: Ry = (Ve — Villy = (20 — 2,7) V/0,2 mA = 86,500 2 Que normalizado es de 82 kQ. Quedaré, para finalizar, el valor de R,, que se obtendra tras averiguar el valor de edt, que debe provocar: Para poder aplicar la anterior expresion necesitamos saber V;, que es la suma de las tensiones de la resistencia de emisor y la Vie que se desea que tenga el transistor. Vi = Ve, + Veeq = 2+ 10 = 12V Por tanto: Ve = yel valor de la R,, aplicando Ohm: R. = VaJI. = 8 V/25 mA = 3202 Normalizada da un valor de 470 0. Por tanto, los valores reales normalizados de las resistencias calculadas seran: R, = 829 Ry = 82k R. = 3300 Montar el circuito y completar la Tabla 3.2 a partir de las medidas de tensién y corriente que se tomen en el mismo. Tabla 3.2. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 9A EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 55. B. Montaje de un transistor con polarizaci6n por divisor de tensién El circuito a montar es el de la Figura 3.11 (Apartado 3.4.4), con los valores de resistencias que se obtengan del calculo que explicamos a continuacién. Las necesidades serin las del anterior montaje para realimentacion por emisor, también se utilizara el mismo transistor; de esta forma se podran comparar resultados, El céleulo se puede empezar por R,, dado que se conoce lo necesario para su determina- cion: R, = Vall. = 802 Normalizada a un valor de 82 9 (recordar que J, = [,). El valor de R, serd evidente, ya que la malla del anterior ejercicio es la misma y el resultado también, es decir, 330 Q. Lo que si cambia es el valor de las resistencias de base. Como conocemos el valor de J, = 1/B, despreciando las corrientes residuales, nos da un valor de 0,2 mA. La corriente / es el factor que debemos calcular para poder realizar el resto del disefio: T= 1,:10=2mA Dado que la tensién de base (V,) es la suma de la Vj, y la Vp,, tendremos: Vi = Vie + Ve, = 07+2=27V Por ello la edt provocada en la Ry, debera ser: Vax, = Vee — Vy = 0-27 = 173 V La resistencia Ry,, aplicando la ley de Ohm, es: Ro = Vpy,/l = 17,3 V/2 mA = 86509 normalizado a 8k2. Queda finalmente el valor de Ry2, que no es mas que el cociente de su ddp y la corriente que la atraviesa. Rua = Vi — 4) = 2,7 V/8 mA = 15000 + Resumen de valores de las resistencias: R= 3300 | R, = 829 Ry = 82.0 | Rea = 1k5Q 56 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Anotar en la Tabla 3.3 los valores pricticos y tedricos tras realizar el montaje del circuit y efectuar las medidas necesarias: Tabla 3.3. Resolucién del ANALISIS PRACTICO 9B 3.5. AMPLIFICACION CON TRANSISTORES: CONFIGURACIONES BASICAS Definiremos amplificador como el dispositive que dispone de la facultad de modificar am- pliando en su salida (véase Fig. 3.12) alguna(s) de las caracteristicas eléctricas (tales como tension, corriente, impedancia, etc.) presentes en su entrada. Los amplificadores son circuitos formados por elementos activos (valvulas, transistores, ete.) que actian en asociacin con elementos pasivos que les determinan las polarizaciones Figura 3.12. Fotografia de la visualizacién de una amplificacién. — Sefial superior de salida : 100 mV/div. — Sefial inferior de entrada: 10 mV/div. EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 57 y los margenes de trabajo (frecuencia, ancho de banda, pendientes de crecimiento, impedan- cias, ete). En esencia, son circuits dotados de dos terminales de entrada y dos de salida, por lo cual se les llama con frecuencia euadripolos. En la Figura 3.13, se muestra el esquema general de un amplificador. Figura 3.13. Estructura de un cuadripolo amplificador bésico. Las relaciones mis importantes que podemos obtener son las ganancias entre los distintos factores 0 pardmetros eléctricos, definiéndose las siguientes: — Ganancia de tensién: 4, = V/V, (Adimensional). — Ganancia de intensidad: 4, = 1,/1, (Adimensional). — Ganancia de potencia: 4, = A,» 4, (Adimensional). Existen otras que no siendo ganancias son muy importantes a la hora de conocer las caracteristicas de un amplificador, tales como: — Resistencia de entrada: Z( ViJh, (O). — Resistencia de salida: Z(R,) = V;/7, (0). — Ancho de banda o zona itil de frecuencias, donde la ganancia de tensién no desciende del 70 por 100. Dado que hay tres terminales en un transistor, tres son también los montajes basicos Posibles con un mismo transistor, a saber: emisor comén, colector comin y base comin, Cada uno de los anteriores impone unas caracteristicas distintas a las demas conexiones, Por lo que sera necesario conocer a grandes rasgos cuales son esas particularidades. 3.5.1. Amplificador en emisor comin En la Figura 3.14 se muestra el esquema de una conexién en emisor comén. Como se observa, el terminal comin a entrada y salida es el emisor, de ahi su nombre. Para descubrir en un 58 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Figura 3.14. Amplificador en emisor comin. circuito complejo con transistor cuAl es la configuracién, es deseable no fijarse en el terminal comin y si observar cuales son los terminales de entrada y salida; el que falta de ellos es el nombre de Ia configuracién. En este montaje la entrada ¢s la base y la salida es el colector, por ello es una configura- cién en emisor comin. Sus caracteristicas son las siguientes: — La ganancia de tensién es alta; va en funcién de la resistencia de carga (al aumentar ésta aumenta también la ganancia), — La ganancia de corriente es alta; decreceré cuando la resistencia de carga aumente. —La ganancia de potencia cs clevada, al serlo también las ganancias de tensién y corriente, La ganancia de potencia es maxima cuando la resistencia de carga es igual a la de la salida del transistor. — La impedancia de entrada suele ser baja (~1 kA). La resistencia de entrada disminuye al aumentar la carga. — La impedancia de salida. Su valor medio es de ~40 kQ. 3.5.2. Amplificador en base comin Al igual que en el anterior, lo que determina el nombre es el terminal comin a las mallas de entrada y salida. En la Figura 3.15 se muestra un esquema de una conexién en base comin. El terminal de entrada es el emisor y el de salida el colector, por ello es un montaje en base comin. Sus caracteristicas son: — La ganancia de tensién, al igual que en el amplificador en emisor comin, es elevada. Cuando se aumenta la resistencia de carga aumenta también la ganancia de tensién. —La gamancia de corriente es inferior a la unidad. La corriente de salida es igual 0 inferior a la de entrada; decrece cuando aumenta la resistencia de carga. — La ganancia de potencia es bastante menor que la del emisor comiin, debido a que la ganancia de corriente es muy pequefia. EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 59 Y “% Figura 3.15. Amplificador en base comin. — La impedancia de entrada tiene un valor bajo kQ), Crece cuando la carga aumenta. — La impedancia de salida tiene un valor alto (~800 ‘kQ). 3.5.3. Amplificador en colector comin En esta configuracién el terminal comin a ambas mallas es el colector, la sefial de entrada es Ja base y la de salida el emisor, tal como se muestra en la Figura 3.16. Las caracteristicas del amplificador son las siguientes: — La ganancia de tensi6n: su valor es bajo, aproximadamente la tension umbral. — La ganancia de corriente es muy clevada. — La ganancia de potencia es baja, debido a que la ganancia de tension no supera la unidad. — La impedancia de entrada es muy elevada (~300 k). La resistencia de entrada crece cuando aumenta la carga. — La impedancia de salida es baja (~2 kQ), Figura 3.16. Amplificador en colector comin. ‘60 _PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS A continuacién, en la Tabla 3.4, se resumen las caracteristicas mas importantes de los tres amplificadores. Tabla 3.4. Caracteristicas de los tres tipos de amplificadores Ganancia de corriente Muy baja < a Alta < p Alta < B Ganancia de tensién Alta Alta Muy baja <1 Ganancia de potencia Alta Muy alta Media Ancho de banda Grande Pequeiio Median Impedancia entrada Muy baja = 100 0 Media ~1 kO Muy alta 200-400 kA. Impedancia salida Muy alta 500-1000 k@ | Media =30-50 kQ Baja 100-200 2 Estabilidad térmica Buena Muy mala Media Desfase No 180° No Aplicaciones —Adaptador baja-alta | —Osciladores —Adaptador alta-baja impedancia — Amplificador de baja] impedancia —Amplificador radio- | frecuencia frecuencia —Uso de inversor logico A continuacién se pasarén a realizar dos pricticas del transistor como amplificador; la primera de un amplificador en EC (emisor comin) y la segunda sobre la determinacién experimental de los valores de Z; y Z, del mismo amplificador. A. Montaje de un amplificador EC monoetapa En el circuito de Ia Figura 3.17 se muestra un EC autopolarizado con condensadores de acoplo (C,, C,) y desacoplo (C,). Los condensadores de acoplo fijan las frecuencias a las que el amplificador sera util, es decir, el ancho de banda. El condensador de desacoplo fija en buena medida la ganancia de tension. C107 Figura 3.17. Amplificador para baja frecuencia en emisor comin. Si queremos disminuir la influencia de estos condensadores, deberemos calcularlos hacien- do uso de la regla de la décima, esto es, reduciendo la reactancia capacitiva (X,) a la décima parte del valor de las resistencias que afectan. Los valores de los componentes a utilizar en el montaje son: Ru = Ry = 5k6.Q R= 2k20 R, = 2009 Potencidmetro = 100 k@ C= 2 uFRSV C, = 47 wE25 V C, = 33 wF25 V Vee = 20 El amplificador funcionara en el centro de la recta de carga. Se seguir el procedimiento desglosado a continuacién: @) Teniendo abiertos los dos interruptores, variar P hasta obtener una Veog=10 V (1/2 V,.). 4) Fijar un valor del generador de 40 mV de pico a pico a una frecuencia de 1 kHz. 62 _ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS ©) Conectar el interruptor S, de paso a la sefial que se desea amplificar (desconectado es una simple polarizacion). d) Conectar el osciloscopio a la R, y observar la forma de onda en la pantalla, con y sin 5, conectado. Dibujarlas en una hoja de oscilogramas. ¢) Calcular la A, del montaje como el cociente de la V, y la V, de generador. Observar el desfase de las sefiales salida-entrada. f) Modificar la frecuencia para valores superiores e inferiores y observar las modifica- ciones en la ganancia. B. Determinacién experimental de la Z, y Zo En las Figuras 3.18 y 3.19 se muestran las disposiciones de medicién de estas caracteristicas. Figura 3.18. Medida de la Z, = Medida de Z, El proceso de medida es muy sencillo y consiste en la utilizacién del osciloscopio u otro instrumento de medida de alta impedancia de entrada (que mida la V, del GBF y la V, de entrada real al amplificador) después del potenciémetro. Procederemos de la siguiente manera: a) Medir la tension del generador directamente mediante osciloscopio (el generador no esta conectado al circuito). EL TRANSISTOR BIPOLAR: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS DEL COMPONENTE 63. Figura 3.19. Medida de la Z,. 4) Conectar circuito segan muestra la Figura 3.18 «) Medir ¥, con osciloscopio hasta alcanzar la mitad de la tension medida en el punto a. 4) Desconectar el potenciémetro y medir el valor hmico de éste. e) La Z, del amplificador se calcula sumando la resistencia del potenciémetro mas la resistencia interna del generador: RG ~ 600 2. = Medida de Z, El cdlculo de la Z, del montaje de la Figura 3.16 se reduce al siguiente procedimiento: 4) Medir la tensién de salida del circuito, en las condiciones de la Figura 3.17, a cireuito abierto (sin carga alguna), 5) Realizar la conexién de la Figura 3.19. ©) Ajustar el potenciémetro hasta medir una tension mitad de la medida en el punto a. @) Desconectar el potencidmetro y medir el valor Ohmico de éste (que coincide con el de la Z,). NOTA. El valor que se deberd medir es aproximadamente el de R., es decir, sobre 2k2. APENDICE A. CARACTERISTICAS TECNICAS DE TRANSISTORES (I) (Cortesia de MOTOROLA) Metal-Can Transistors Motal-can packages are intended for use in industrial ‘applications where harsh environmental conditions are ‘encountered. These packages enhance reliability of the end products. due to their resistance to varying humidity and ‘extreme temperature ranges. Metal-Can General-Purpose Transistors “These transistors are designed for DC to VHF amplifier applications, general-purpose switching applications, and complementary circuitry, Devices are listed in decreasing order of V(BR)GEO within each package group. BCYs6.vI ci09¢ Case 22-03 — TO-206AA (TO-18) — PNP. BRESASSEEES BaSSB8888 88 SS8818 8ee2 ‘2N2306A 0 200 50 ‘22907 60 200 50 ‘2N32514 60 200 10 Bor778 45 200 10 BCY7RAX 465 180 10 8C¥79.Vi “5 180 10 Be888s 64 lon RaeeoT OTR) " i" PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS STMLEt sms: PIN. EMITTER PIN 1. BASE 2 COLLECTOR 2) COLLECTOR 3. BASE 7 Ase 7707 3. EMITTER (TO-225AA) Plastic TO-225 Type (Formerly TO-126 Type) uieive Swtching Device Type gcont | Vezoveus) te « fr | Po (Case) fimpe | Wot ei] om | ue | ec | ume | Wen Mex | mn NPN we | winter | Ag | tex tex _| ame | win | 2c os | 350 | mueseso woneo | 002 18 8 os | 180 | mueadt 257200_[ 005 1s | 208 200 | MsEsae onan _[ 005 15 | 208 50 | 2Ns655 goes [or | ase | oztwp | or | 1 | 2 0157 soz | 005 20 300 [anise soe [008 2 mucsao®) | msexs018) | 30240 | 005 m8 205656 soso | o1 | 35m | ozeyp | ox | 10 | 20 wo | anes 3oa0 | 01 | a5wp | o2ewe | on | 10 | 20 30240 | 005 20 7 ~ zon [os | cen | oye | os | 3 30 © zona [os | osye | oye [os | a 30 % zona [os | osye | osm | os | 3 30 s | * ism | 08 6 20 40250 | 015 125 0 woos [07s 125 [apres ismim | 08 @ 20 80139 40250 | 0.15 125 saieo | 01s 125 00 | mie ra0aei™™) wes fi | 4 07 vfs 0 “400 [ mu T300sT5N7) wes fa | 4 o7 | s 20 2 eo __[anzas 0236 zame [1 3 2s eo [e027 smn | + 3 | roo [msearoT@nT [sear [vscmen [02 é 5 ee ir pata tome pa fot [aor ‘B0180 co 3 3 muevez®) —_|mser72 | soso | 01 | oe | o1znp | or | so | 25 zo [euveae 30min] 05 2 | Tyg @ 1m ‘cores eo, (M3867 (Sve 3), ‘Devices lted in bod, italic are Motorola preferred devices. (arma redo APENDICE 1 B. CARACTERISTICAS TECNICAS DE TRANSISTORES (II) (Cortesia de MOTOROLA) Plastic-Encapsulated Transistors 67 Motorola's small-signal TO-226 plastic transistors ‘encompass hundreds of devices with a wide variety of ‘characteristics for general-purpose, amplifier and switching applications. The popular high-volume package combines proven reliability, performance, economy and convenience to provide the pérfect solution for industrial and consumerdesign problems. ‘All devices are laser marked for ease of ‘identification and shipped in antistatic containers, as part of Motorola's ongoing practice of maintaining the highest standards of quality and reliability, 1-WaTT (T0-82) Plastic-Encapsulated General-Purpose Transistors ‘These general-purpose transistors are designed for small-signal amplification from dc to low useful as oscillators and general-purpose switches. Complimentary devices shown whore fv radio frequencies. They are also ailable (Tables 1-4), Yeaeeo rele © re @ ie NF wate mA aa NPN, PNP Min Min] ma | wax | win | mex | ma _| mex | sive Case 29-04 — TO-226AA (T0-92) wescos [ursesoe | 00 150 10 ‘200 [100 | 300 10 = T mPsaos | MPsass 2 100 10 500 | 100 — 100 = 1 anaaio | — 0 Ca 10 20 | 60 400 10 = 1 css | ac556 6 150 10 roo | 120 | 450 20 10 7 BC546A | BOSSEA 6 150 10 woo | 120 | 220 20 10 7 Bcs4e8 | BOssen 6 150 10 100 | 10 | 450 20 10 7 MPSAOS | MPSASS 60 100 10 ‘500 50 = 100 = 1 Mes2e07A | 60 200 50 0 | 100 | 300 150 = 1 scree — | aoaie 50 200 10 too | 120 | 460 20 10 “ ecza78 | Bo3078 6 150 10 10 | 200 | 460 20 10 7 ecss7_— | acazz 45 | ato) | 10 200 | 100 | eo | 100 = 7 ecsa7 | Bcs67 6 150 10 100 | 120 | 450 20 10 v7 ecs<7a | BCS57A 4s 150 10 soo | 120 | 220 20 10 7 ecsi78 | Bcs576 6 150 10 soo | 10 | 450 20 10 7 Bcs«7c | Bcss7c 6 150 10 100 | 300 | B00 20 10 7 /MPSA20 | MPSA7O 0 125 50 100 40 | 400 50 - 1 MPsz2z28 0 300 20 800 | 10 | 300 | 150 = 1 2nasor | 2neeos 40 200 20 00 | 10 | 300 | 450 = ‘ 2Ne400 | aNeaae 40 180 20 00 50 150 | 150 = 1 upseeo2 |urseesz | 40 100 50 | 100 | 50 = 500 = 1 ‘2nao03 | 2N3005 40 200 10 200 50 1 10 60 1 ‘2nae04 | 23906 40 250 10 20 | 100 | 300 10 50 1 C548 30 | sot) | 10 100 | 120 | 200 20 10 7 BC54BA 30 | 300) | 40 so | 120 | 220 20 10 7 Bc5488 | BcssaB 30 | soot) | 40. woo | 10 | 40 | 20 10 7 /Bcs48c 0 300 10 wo | a0 | 200 | 20 10 ” 2neizs | anares 30 200 10 200 50 150 20 60 1 2nei24 | aner26 25 250 10 200 | 120 | 260 20 80 1 eos |acaze 2 | awl) | 10 oo} 10 | 60 | 100 = 7 (ypcal Devices sted in bol, italic are Motorola prferrsd devices. Pat gure Til ounce e ‘= 3 1 OMENS AHO TOLERANCNG PER AS i Couecron 3 ae ‘Sueno ume mu sme ouoene Hot rae Be wanes il ren Lt We, - pm PEDEe TAS] SS) . ae Jom Blaiopooe OT] AG] eo] ne ‘SECTION Xx 6 4" omar 2 sras ome oars Tet aren Tet mse rt mene Tat. canoe “Fai ow toe aren tee: ge TS ie sme te sms ome omer. eT waovremmous Pat earn “rat! moog That moe “TF” couscron| 2 ae, "2 Gouin 2 Stnove |S ae 2 Se E Mivrowmws 3 ae E moot ance en oe ur i Soe i om CASE 29-04 APENDICEL 69 . CARACTERISTICAS TECNICAS DE DIODOS (Cortesia de MOTOROLA) General-Purpose Rec! iers Motorola offers a wide variety of low-cost devices, pack- All devices are connected cathode-to-case or cathode-to- aged to meet diverse mounting requirements. Avalanche _heatsink, where applicable. Reverse polarity may be available capability is availabe in the axial lead 1.5, 3.0 and 6.0 amp _on some devices upon special request. Contact your Motorola packages, shown below, to provide protection trom transients. representative for more information, General-Purpose Rectifiers 19; AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT (Amperee™) 7 3 . . 2 | =~ = 29.03 01 25708 Tee08 2454.02 309-02 (00-41) Metal Plastic Plastic (00-2024) Pastels) Paste sie | catode Sie Metal sive 1 ‘catnode « Peolaty Bane Siyle2 Polat Band J Venu (vor) o vnwoow®) | awari@ | ynsao0 | —wavs0 | _wnrv20_] _wrzo00 | wRavoo INTIBAB 100) vwaoaa®) | inavzo | ansaor | _mavsy | wana | —wnooo1 | waar INI20A8 200 woos) | —inarar | _insaae | _warsa | wriize | wrooce | —wrbaoa INI202A8 00 wwaoow®) | warez | 1Wsaos | waves | maria | _mnzooa | wapeow 16120648 oo vnaoose® | —snavza | ywsaos | wnrse | _wrvaae | Rance | waaeo6 1N1206.4.8 0 inaoose®) | Nave warsa | _wnvize | — wR008 "1000 or area | maviao | wAzo10 = 30 300 7200 00 30008) 00 200 (amps) Ta © Ratedig 75 75 T= 108 % 3) Te © Ratedig 180 160 135 co) Te 178 178 175 175 190 175 75 (iio tea aesee ouput (2) ackage Sn 0 120 max ameter by 0 260" max length (4) oats mounting contguratons of TO-220 cure (@) FSM itor M120 ses, INV199= 100, A= 20, 8 = 250, Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices. 70 —_PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS D. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UN OSCILOSCOPIO DATOS TECNICOS Modos de funcionamiento — Canal |, canal Il, canal | y Il. Amplificador vertical (Y) — Margen de frecuencia de ambos canales: 0-20 MHz (~3 dB), 0-28 MHz (-6dB). — Tiempo de subida: 17,5 ns. — Impedancia de entrada: 1 m0/25 pF. — 12 posiciones calibradas de 5 mV/cm a 20 V/cm (secuencia 1-2-5) con ajuste fino sin calibracin hasta 2 mV/cm. Am — Margen de frecuencia 0-2 MHz (—3 dB), entrada por canal II. Para mas datos técnicos ver ampli icador horizontal (X) Base de tiempos — 21 posiciones calibradas de 0,5 us/cm a 2 s/cm (secuencia 1-2-5) con ajuste fino hasta 200 ns/cm, con expansor de 5 hasta 40 ns/cm, exactitud de las posiciones calibradas +3%. — Barrido retardable, 7 posiciones de 100 ns a 1 s con regulador fino 10:1, indicacién por diodo LED. Varios — Pantalla rectangular de 8 x 10 cm, tensién de aceleracién 2 kV, consumo aproximado 38 W, frecuencia de trabajo 50-60 Hz. APENDICE! 71. VISTA DE FRENTE HAME ) DUAL TRACE OSCILLOSCOPE HM412-5 jormel CHT Mono AR Bema a were ¥-POS. Ready Reset Single Hor. ext. Trig. tEVEL Y-POS:' avert | CHW Dual Chop. me Sel. Oversean al AMPLE Aw AMPL. 1 O. Ie i @ 102: 9 72 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS E. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UN GBF Margen de frecuencias — Desde 0,001 Hz hasta 100 kHz en 7 rangos. Formas de onda — Senoidal, triangular, cuadrada. Tensi6n de salida — >20 V,., con circuito abierto. Atenuador — En pasos de 0 dB, 20 dB, 40 dB. Distorsi6n — <0,6% de 20 kHz a 30 kHz. — <1,5% de 30 kHz a 100 kHz. F. CARACTERISTICAS TECNICAS DE UNA FUENTE DE ALIMENTACION Tensién de salida — Regulable y estabilizada de 0-30 V. a Corriente de salida — Regulable 0-2 A. Tensién de rizado — <0,01% en toda la gama de tensiones. Tensiones fijas — Salida de tensiones simétricas +15 V para amplificadores operacionales. — Salida de +5 V para aplicaciones digitales. Varios — Ajuste fino/grueso de tensién. — Programable en corriente maxima. — Cortocircuitable por proteccién interna. — Proteccién por fusible. — Visualizacién por display de LED de corriente y tensién. APENDICEI 73 G. HOJA PARA OSCILOGRAMAS PH HH At. canal A: ‘At. canal A: Sefial de: Sefial de: At. canal B: ‘At. canal B: Sefial de: Sefial de: Base de tiempos: Base de tiempos: At canal A: At. canal A: Seftal de: Sohal de: At. canal B: At. canal B: Seftal de: Sohal de: Base de tiempos: Base de tiempos: Sexta unidad SISTEMAS DIGITALES Introduccién Bajo este epigrafe se encuentra una auténtica filosofia de tratamiento de la informacion y de control de variables, necesarias para la actual vida doméstica e industrial. En definitiva, podria hablarse de un auténtico mundo digital. La Electronica, esa tecnologia que hoy nos controla y facilita la vida diaria, se puede dividir en dos grandes ramas o formas de resolver las necesidad: « Electronica analdégica (EA). © Electronica digital (ED). La primera, ya vista en los temas anteriores, es la veterana en la resolucién de los problemas y no ha sido superada en muchos aspectos, dada la forma de presentacién de las variables en la naturaleza: presion, luz, calor, velocidad, etc. Pero, por su misma forma de trabajo y por las variaciones en el tiempo de la magnitud a gobernar, la Electronica Analégica €s imprecisa, imprecision que se puede reducir con costosos equipos y procesos de ajuste largos y continuos. La Electronica Digital, por su parte, es la forma de evolucién de la Electronica, siendo la escogida, por sus mejores resultados, cuando se da la posibilidad de optar por una de ellas. Se dice que el auge de la Electronica digital es debido a la similitud con nuestras mentes en la forma de resolver problemas y tomar decisiones, més ain si cabe con la incorporacién de nuevas técnicas digitales que acercan ms la solucién de problemas a nuestro planteamiento mental. Una de ellas es la teenologia FUZZY, donde se admiten datos tales como persona atractiva, bastante azul, etc., términos desconocidos hasta el momento en la légica corriente. FUZZY no es un estudio teérico, hoy es una realidad; ya existen productos en el mercado de las videocimaras con sistemas ultrarrépidos de ajuste FUZZY. Los sistemas digitales, en su evolucién primera, se desarrollan mediante la denominada logica cableada, aquella en la que, como su nombre indica, es necesario un cableado para su puesta en marcha, puesto que la funcién se cablea. Aparece después, gracias a la integracién de los semiconductores, la posibilidad de la logica programada, aquella que con un pequefio niimero de circuitos integrados (CI) permite generar funciones logicas y, ademas, modificarlas sin necesidad de cablear nuevamente; estamos frente a los microprocesadores, controles ldgicos programables y microcontroladores. No se podria cerrar esta introduccién sin nombrar las aplicaciones de la ED, y no se podria hacer porque en la actualidad practicamente todo aquello que usamos esta impregna- do de ED: TV, videocasetes, audio, ordenadores, hornos microondas, relojes, juguetes, auto- moviles, etc., por lo que dejaremos al tiempo que rellene el final de este apartado. 247 Funciones y puertas légicas 12.1. FUNCIONES LOGICAS BASICAS Se define funci6n logica a la variable binaria cuyo valor final depende de una expresién algebraica enlazada por operadores matematicos. Estas funciones sélo podran tener dos valores posibles 1 0 0, verdadero o falso, si o no, abierto o cerrado, distinguiéndose de las posibilidades que pueden tener las operaciones aritméticas convencionales. Las funciones Iégicas tienen una representacién grafica a través de las tablas de verdad, auténtica visualizacién de las posibilidades que tiene cualquier funcién légica, tal como se muestra en la Tabla 12.1. Tabla 12.1. Tabla de 4 B F verdad de una funcién 3 a \6gica 0 1 ° 1 oO ° 1 1 1 Donde A y B, son las variables binarias, que slo pueden tomar los valores 0 0 1. Puesto que las variables son dos, las combinaciones seran 2", donde n es el numero de variables y, por tanto, en nuestro ejemplo: 2? = 4, El valor que toman las combinaciones de A y B para cada caso se representa por F, con las cuatro posibles opciones, igual al namero de combina- ciones. 248 FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 249 12.1.1. Funcién igualdad Es la funcién mas simple de todas, y en ella el valor de Ia variable es igual al de la funcién FoaA La tabla de verdad seria la Tabla 12.2 y la representacién eléctrica de la funcién, la Fi- gura 12.1. Tabla 12.2. 4 F Tabla de verdad de la funcién a 0 igualdad 1 1 F = 1 encendida F = 0 apag A v 2 A= 1 cerrado A= Oabierto Figura 12.1. Funcién igualdad. El comentario de la tabla anterior es bastante obvio, pues la funcion y la variable toman simultaneamente el mismo valor. 12.1.2. Funcién unién La funcién unién, suma O u OR, es de importancia fundamental, siendo su expresién algebraica FH=A+B En la Tabla 12.3 se muestra la tabla de verdad y en la Figura 6.2 su esquema eléctrico, La explicacién de la tabla es también muy sencilla y se resume en que la lampara (sera 1) lucira si alguna de las variables esti activa (cerrado el interruptor) y estara apagada cuando los dos interruptores estén abiertos, es decir, 0 (cero logico); su simbolo es 250 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS. Tabla 12.3. Tabla de 4 B Fr verdad de la funcién 7 TF unién 0 0 0 0 1 1 =| 1 0 1 1 1 1 Figura 12.2. Funci6n unin. 12.1.3. Funcién interseccion La iltima de las funciones claves de la légica digital es la funcién producto, interseecién, AND oY. La expresién matemitica es F=A-B La tabla de verdad se muestra en la Tabla 12.4 y el esquema eléctrico en la Figura 12.3. Tabla 12.4. Tabla de verdad de la funcién interseccion FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 251 ee oe fi 7 Figura 12.3. Funcién interseccion. Como se aprecia en la Figura 12.3, el resultado de la funcion F sdlo sera 1 si ambos interruptores estan cerrados, es decir, su valor légico es 1. 12.1.4. Funcién negacién También conocida por funcin NO 0 NOT, es la funcién que niega el valor légico presente en su entrada. Su representacién matematica es Foa y su tabla de verdad la que se muestra en la Tabla 12.5. oT ~SCTabla 12.5. A - fe verdad de la funcién 0 1 negacién 1 0 12.2. FUNCIONES LOGICAS DERIVADAS 12.2.1. Funcién NAND Con esta funcién comenzamos las Ilamadas funciones derivadas de las basicas anteriormente expuestas, siendo la NO-Y o NAND la que realiza el producto negado, teniendo como expresion matematica: F=AB 252 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Su tabla de verdad es la que se muestra en la Tabla 12.6, donde se aprecia que el valor logico es 1, justamente el caso contrario de la funcién interseccién 0 AND. Tabla 12.6. Tabla de verdad de la funcion NAND 12.2.2. Funci6n NOR Al igual que la AND o interseccién posee una funcién inversa, también la tiene la OR 0 unin, y se denomina NOR o NO-O. En ella la salida es 1 légico, contrariamente a la funcién OR, es decir, cuando la suma es cero, en el resto de las combinaciones el resultado es cero. La expresion matematica es: F=Aa¢B La tabla de verdad se muestra en la Tabla 12.7, donde se observa la total inversion de resultados respecto de la funcién OR. Tabla 12.7. Tabla de verdad de la funcién NOR 12.2.3. Funciones OR-EXCLUSIVA y NOR-EXCLUSIVA Esta funcion EXOR, Tabla 12.8 y su negada, la NOR-EXCLUSIVA, Tabla 12.9 (N-EXOR), son funciones especiales usadas gencralmente para la determinacion de situaciones coinciden- tes o su contrario. En las tablas siguientes se muestran cuales son las salidas logicas frente a las combinaciones de sus entradas. FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 253 Tabla 12.8. Tabla de Tabla 12.9. Tabla de verdad de la funcién verdad de la funcién OR-EXCLUSIVA NOR-EXCLUSIVA Como se aprecia en las tablas, la OR-EXCLUSIVA tiene salida 1 cuando los valores de sus entradas son distintos, mientras que la NOR-EXCLUSIVA lo tiene cuando son iguales. Sus expresiones matematicas son: F = A ® B, para la OR-EXCLUSIVA F = A® B, para la NOR-EXCLUSIVA 12.3. PUERTAS LOGICAS Reciben el nombre de puertas logieas los componentes electronicos que realizan las funciones logicas vistas en los apartados anteriores. Son circuitos integrados (Cl) de pequefta escala de integracién (SSI) y de distintas tecnolo- gias de fabricacién. Permiten la resolucién de problemas logicos de indole simple 0 como complemento de circuitos complejos, en los que son generalmente circuitos adicionales, pero sin ellos no podrian funcionar estos circuitos. En la figura siguiente se muestran, a modo de informacion de apoyo y para la mejor asimilacién del concepto puerta ldgica, algunos modelos que posteriormente se definiran y detallaran. I i 1 2 3 2 12 4 6 24 13 s—] also 74LSO0 cnae Figura 12.4. Distintos tipos de puertas légicas con indicacién del Cl a que corresponden y terminales correspondientes. 254 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Las anteriores puertas logicas son elementos que pertenecen a los circuitos integrados. En la Figura 12.5 se muestra la disposicion interna de uno de éstos. fi] fro] [s Figura 12.5. Circuito integrado 74LS22. 12.3.1. Familias légicas mas importantes Bajo el nombre de familias logicas se agrupan todos los circuitos integrados logicos que poseen idénticas caracteristicas eléctricas, aunque cada uno de los miembros de esas familias pertenezca a modelos de puertas distintos. Existen un mimero de familias logicas como: TTL, CMOS, RTL, DTL, ECL, etc., que en este texto vamos a reducir a las dos que en la practica acaparan el mercado, las familias: TTL y CMOS. = Familia légica TTL La familia légica transistor transitor (TTL) ¢s, junto con sus subfamilias (LS, ALS, S, L, H), la mas utilizada en la actualidad, seguida muy de cerca por la rapida evolucion de la CMOS. La puerta logica estandar TTL es del tipo funcion NAND con las siguientes caracteristi- cas: — Vg +5-V £10%. — Temperatura de trabajo entre 0 y 70 °C. — Disipacién por puerta: 10 mW. — Margen tipico: 10 nsg. — Retraso tipico: 10 nsg. — Frecuencia méxima para flip-flop: 35 MHz. En la Figura 12.6 se muestra el esquema interno de una puerta estandar TTL NAND de dos entradas; analizaremos su comportamiento. Ry = 442 Ry = 16 Ry-1k Ry = 130 T, = Trans. multiemisor +5V Figura 12.6. Puerta estindar TTL NAND. En el circuito podemos distinguir tres etapas: « La’primera, de entrada, compuesta por R, y T, (transistor de emisor miltiple a través del cual aplicaremos los niveles). « La segunda, de conmutacién, formada por R;, T; y Ry. Estos componentes hacen de divisor de fase. « La tercera, de salida, est formada por Ry T,, D y Ty. Supongamos que la puerta TTL est, en principio, en un nivel bajo (esté presente algin cero). Cuando esto ocurre, el transistor 7, esta trabajando en saturacién mediante una corriente que circula entre R, y la union emisor-base. La tensién es insuficiente para polari- zar adecuadamente al transistor T,, que estara en corte, lo mismo que el transistor 7. El transistor 7, estara en saturacion, debido a que recibe una corriente de base a través de R, y D. Como consecuencia, la salida tendra un nivel alto: V, Veg — Vn, + Vee, — Vo) La afirmaci6n anterior sera cierta siempre y cuando apliquemos un nivel alto al transistor T,; es decir, cuando estén presentes los dos unos. En este caso, la unién emisor-base estar 256 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS: polarizada inversamente (7, no conduce), pero habra una pequefia corriente que estaré en la base de T;, poniéndolo en saturacién. 7, suministrard corriente a 7;, y éste también pasara a saturacién, La corriente para T, es insuficiente, porque lo impide el diodo D. Finalmente, en la salida obtendremos un nivel bajo. = Familia Iogica CMOS La familia metal 6xido semiconductor complementaria (CMOS) se realiza con transistores unipolares tipo MOSFET (véase Fig. 12.8). Esta familia y sus variantes poseen indiscutibles ventajas respecto de la TTL, tales como la posibilidad de tensiones de alimentacién variables entre 3 y 15 V, el bajo consumo que puede llegar a 0,01 mW, la alta densidad de integracion y la elevada inmunidad al ruido. En la Figura 12.7 se muestra una NOR con esta tecnologia. En ella se destaca la ausencia de resistencias fisicas, suplidas por los transistores T; y T, de canal P conectados en serie, mientras los T, y 7, de canal N conectados en paralelo actian como conmutadores. Figura 12.7. Puerta NOR de tecnologia CMOS. FUNCIONES Y PUERTAS LOGICAS 257 El funcionamiento de la puerta se reduce, como en el caso anterior, a dos situaciones: a) Si existe algin 1 l6gico. 5) Sino hay ningin 1 logico. « Enel primer caso, al existir algin 1 el transistor T; 0 el T, estardn en conduccién, por Jo que la salida sera baja, obteniéndose un cero légico. + Enel segundo caso, T, y T, estan en corte y los transistores 7, y T, estén en saturacién, obteniéndose la salida alta. Equivalencias de funcionamiento de los MOSFET N y P Figura 12.8. Cuadro resumen de los transistores MOSFET. 12.4. TIPOS DE PUERTAS LOGICAS Los tipos coinciden con las funciones. Sus representaciones grificas mas comunes se mues- tran a continuacion. 12.4.1. Puertas AND y NAND En la Figura 12.9 se muestran los simbolos de ambas puertas. 7400 7408 Puerta NAND 2 entradas... TTL 7400 Puerta AND 2 entradas... TTL 7408 Figura 12.9. Simbolos de las puertas AND y NAND. 258 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 12.4.2. Puertas OR y NOR En la Figura 12.10 se muestran los simbolos de ambas puertas. 7432 7402 Puerta OR 2 entradas... TTL 7432 Puerta NOR 2 entradas... TTL 7402 Figura 12.10. Simbolos de las puertas OR y NOR. 12.4.3. Puerta NOT En la Figura 12.11 se muestra el simbolo de la puerta NOT. — Puerta NOT... TTL 7404 Figura 12.11. Simbolo de la puerta NOT. 12.4.4. Puertas EXOR y N-EXOR En la Figura 12.12 se muestran los simbolos de las puertas. =>- 7aLs86 7ALS266 Puorta EXOR... TTL 74LS86 Puerta N-EXOR... TTL 74LS266 Figura 12.12. Simbolo de las puertas EXOR y N-EXOR. A continuacién se plantean ejercicios con funciones, puertas logicas y tablas de verdad para resolver por el alumno. 4) Resolver la funcién siguiente con el empleo de las puertas logicas que se necesiten, F=A+(B+C)4+ 4-6 b Resolver con las puertas necesarias las funciones que a continuacién se indican. FoA-B+A-C+A-BC S=A-B+A-C+A-BC + D) ©) Obtener Ja funcién que se presenta en la salida J del circuito de la Figura 12.13. Dada la siguiente ecuacién, representar los valores que toma la salida para cada una de las combinaciones con ayuda de la Tabla 12.10 correspondiente: G=(4+8)-C ¢) Realizar con puertas NOR y NAND de dos entradas una puerta OR de dos entradas. Figura 12.13. Grafico del apartado c del ANALISIS PRACTICO 35. Tabla 12.10. Resolucién de! apartado d del ANALISIS PRACTICO 35 Algebra de Boole y reduccién grafica por Karnaugh 13.1. ALGEBRA DE BOOLE El filgebra de Boole es un estudio desarrollado en el siglo x1x, mucho antes que la Electronica apareciese, pero que ha servido, aprovechando los dos ‘inicos estados logicos del algebra de Boole, para aplicarla a la Electronica Digital. Esta compuesta por postulados y teoremas. Postulados que no precisan demostracién y teoremas que si la precisan y se basan en dichos postulados. 13.1.1. Los diecisiete postulados de Boole A continuacién comenzaremos a enunciar los postulados de Boole, asi como a exponer sus caracteristicas y representacién grafica. = Postulado 1.° Es la funcién unién suma u OR, vista y representada graficamente en el Tema 12, Aparta- do 12.1.2. = Postulado 2.° Es la funcién interseccién producto o AND, vista y representada grificamente en el Tema 12, Apartado 12.1.3. = Postulado 3.° La asociacién en paralelo de un contacto A con otro siempre cerrado equivale a otro también siempre cerrado, véase Figura 13.1 261 262 _PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS A +Vv — +V = ——_ Salida «ty * Saicla 85 Cerrado. Figura 13.1. Esquema de equi lencia eléctrica del Postulado 3.° de Boole. La expresién algebraica de este postulado es la que a continuacién se indica: A+1=1 = Salida @ Postulado 4° La asociacion de un contacto A, en paralelo con uno siempre abierto, es igual a 4. La expresion algebraica del postulado sera: Salida = A=A+0 En la Figura 13.2 se muestra la equivalencia eléctrica del Postulado 4.° de Boole. En la figura puede apreciarse que la salida s6lo dependera del valor légico que tome la variable C. A = —_ A ¥ eo ° Salida «A> 7 satis as I ° 7432 Figura 13.2. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 4.° de Boole. = Postulado 5.” Un contacto A en serie con otro siempre cerrado es igual al contacto A. En la Figura 13.3 se muestra el esquema de equivalencia del postulado. La expresion matematica es la siguiente: Salida = A-1 =A ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 263 Como se aprecia en la figura, el resultado de la funcién ¢s nicamente el valor que adopte la variable A, en cada momento. + Ae 4 Cerrado 7408 Figura 13.3. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 5.° de Boole. = Postulado 6.° Un contacto en serie siempre abierto, con una variable A, es igual siempre a 0 légico. En la Figura 13.4 se muestra el esquema equivalente. La funcién matematica es la siguiente: Salida = A-0=0 En la figura se aprecia que el resultado de la salida es 0, sea cual sea el valor que tome la variable A. Vv 0 0 —o— > 2 ——+e —_)- 7408 Figura 13.4. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 6.° de Boole. = Postulado 7.° Dos contactos iguales en paralelo equivalen a uno solo, y la funcién tomard el valor que este contacto adopte. En la Figura 13.5 se muestra el esquema eléctrico equivalente y la funcion matemitica aparece a continuacién: Salida = A+A=4 Como se ve en la figura, el resultado de la funcién no puede ser otro que el valor de la variable que es posible modificar, y que se presenta en ambos contactos. 264 —_ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS A I+ =D =o oS A A 7432 Figura 13.5. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 7.° de Boole. = Postulado 8.° Dos contactos iguales en serie equivalen a uno solo. En la Figura 13.6 se muestra el esquema equivalente, La funcién matematica es la que sigue: Salida = A-A 0 a I }— A a— 7408 Figura 13.6. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 8.° de Boole. = Postulado 9.” Propiedad conmutativa de la suma: el orden de los sumandos no altera la suma. En la Figu- ra 13.7 se muestra el esquema equivalente eléctrico y su funcién matematica: A+B=B+A LH} D=D- Figura 13.7. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 9.° de Boole. ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 265, = Postulado 10.° Propiedad conmutativa del producto ldgico: el orden de los factores no altera el producto. En Ja Figura 13.8 se muestra el esquema eléctrico equivalente y la funcién matematica correspon- diente es: A:B=B-A | SAT YY Figura 13.8. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 10.° de Boole. = Postulado 11.° Se pueden utilizar paréntesis y corchetes para agrupar sumas, productos etc., sin alterar su resultado. = Postulado 12.° Propiedad distributiva del producto légico: la asociacién de un contacto en serie con otros dos en paralelo equivale a la asociacién en paralelo de dos circuitos serie formados por el producto de cada uno de los otros dos. En la Figura 13.9 se muestra el esquema eléctrico equivalente. La funcién matematica es la que sigue: A(B + C) = (AB) + (4-0) A 8B o_o a4 A. | | © z 3 aoc 7408 A 7432 7408, *(A:B) + (AC) Figura 13.9. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 12.° de Boole. 266 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS = Postulado 13.° Segunda propiedad distributiva del producto légico: la asociacién de un contacto en paralelo con otros dos en serie equivale a la disposicion en serie del contacto independiente, en paralelo con cada uno de los otros dos. En la Figura 13.10 se muestra el esquema equivalente y la funcién correspondiente: (B-C) + A=(4 + B)(A+C) ab > 8 7432 8 (B-C)+A . c A oO, 7408 7408 7432 c 7432 * (A+B) (A+C) Figura 13.10. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 13.° de Boole. = Postulado 14.° Funcion complementaria: la suma légica de una misma variable en su valor real y su negado es siempre uno. En la Figura 13.11 se muestra el esquema equivalente, siendo la funcién logica que cumple: En la gréfica se aprecia que sea cual sea el valor de la variable (el negado o el mismo) el resultado sera siempre 1 logico. ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 267 7432 Figura 13.11. Esquema de equivalencia eléctrica del Postulado 14.° de Boole. = Postulado 15° Es la funcién negacién NO o NOT, ya vista en el Apartado 12.1.4 del Tema 12. = Postulado 16.* Es la doble negacién, cuya expresién matematica se representa: A=A = Postulado 17.° Propiedad transitiva, enunciada igual que en el Algebra tradicional: A=B B=C entonces se deduce que: A c 13.1.2. Los cinco teoremas de Boole Para la demostracién de los teoremas se utilizaran las tablas de verdad. Aparecerd, asimismo, la expresion matematica que corresponde a cada uno. Pero, antes, recordemos las siguientes igualdades: 268 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS = Teorema 1.” Expresién matematica: A+A:B=A Tabla 13.1. Tabla de verdad del Teorema 1.° de Boole = Teorema 2° Expresion matematica: A(A + B= Tabla 13.2. Tabla de verdad del Teorema 2° de Boole = Teorema 3° Expresion matematica: A + (4° B) = (4 + B) = 5] Tabla 13.3. Tabla de verdad del Teorema 3:° de Boole ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 269 = Teorema 4° Expresion matematica: (4+ B)-B=A-B = Teorema 5° Expresion matematica: (4 + B)-(4 + C) = (AC) + (4B) Tabla 13.5, Tabla de verdad del Teorema 5° de Boole EN arte Fes arr bee ae ofoj]o} o 1}ojo} 41 ofifo} 1 rfrjo} 4 4+ ofofi|o 1fojfa 1 ofijfa 1 rtada 1 270 _PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 13.1.3. Leyes de Morgan Con la aplicacién de las dos leyes de Morgan se permite la realizacién de circuitos con puertas NOR 0 NAND, independientemente de la forma que tome la funcién. Desde otro punto de vista, se puede decir que con la aplicacién de Morgan se convierten circuitos serie a paralelo y viceversa. La demostracién de las dos leyes la haremos con tablas de verdad. = Primera ley Expresion matematica: A+B=4°B Tabla 13.6. Tabla de verdad de la primera ley de Morgan = Segunda ley Expresién matematica: A-B=A+B Tabla 13.7. Tabla de verdad de la segunda ley de Morgan ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 271 ANALISIS PRACTICO 36 a) Reducir la funcién siguiente aplicando los postulados y teoremas de Boole. S=(A-B)+(A-B) 5b) Reducir la siguiente expresién por algebra de Boole. =(4-B:C)+(4-°B°C) + (ABC) ©) Realizar la reduccién de la siguiente funcién por algebra de Boole. S=A(A + B)+(B+A)-A-B 13.2. REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH El método gréfico de Karnaugh nos permite reducir funciones booleanas de hasta cinco variables sin gran dificultad siendo, en la practica, itil como maximo para cuatro. Para reducciones de mayor numero de variables se utilizan métodos numéricos, como el de Quine-McCluskey. El sistema de Karnaugh data de 1953; consiste en un tablero con un determinado nimero de filas y columnas cuyo producto es igual al niimero de combinaciones de las variables que entran en la funci6n. La reduccion se basa en el agrupamiento de casillas adyacentes, que son aquellas que no difieren de las variables en mas de un valor. Habré que tener en cuenta que el mapa de Karnaugh es como una esfera desplegada, es decir, las filas primera y ultima, asi como la primer y iltima columna, son también adyacentes. 13.2.1. Tipos de mapas de Karnaugh = Para dos variables Columnas t i BA 0 1 Filas + o | wo 10 Tabla 13.8. Equivalencia de las casillas de un mapa a 1 W de dos variables 272 _ PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS = Para tres variables Tabla 13.9. Equivalencia de las casillas de un mapa de tres ve = Para cuatro variables Tabla 13.10. Equivalencia de las casillas de un mapa de cuatro variables nu 10 0100 | 1100 | 1000 ooor | o1or | 1101 | 1001 ool | ON | 11 loll oo10 [on 1110 | 1010 Las zonas sombreadas muestran los valores que pueden tomar las variables. Observar para dos y tres variables la secuencia de valores que no difieren en més de una variable (00, 01, 11, 10) En el resto de los mapas de Karnaugh se indica la celda con su combinacién correspon- diente; por ejemplo, en el mapa de cuatro variables la celda correspondiente a la segunda columna (01), fila tercera (11), vale como combinacion 0111. Una vez planteado el mapa debemos pasar a su lugar adecuado el valor légico de la funcién, sea cero o uno en Ia tabla de verdad, para posteriormente hacer grupos. ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 273, 13.2.2. Obtencién de la reduccién grafica Veamoslo con un ejemplo. Dibujaremos en un Karnaugh la funcion que se muestra en la Tabla 13.11. Tabla 13.11. Funcién logica La anterior funcién, pasada a Karnaugh, sera la que muestra la Tabla 13.12. Tabla 13.12, Funcién légica pasada @ Karnaugh Ahora que ya tenemos los valores logicos de la funcién en sus lugares correspondientes deberemos elaborar los grupos para reducir la expresién al minimo. Existen varias normas que aplicadas nos daran la solucién: « Hay que realizar, el menor némero de grupos. + Los grupos deben ser lo més grandes posible. « Se pueden agrupar o los ceros o los unos del mapa, lo corriente son los unos. « Se deben reunir en grupos que sean potencias de 2, es decir, 2". Por tanto, serén grupos validos, 1, 2, 4, 8, 16, 32, etc, y no lo seran, cualesquiera otros. ‘« La forma de esos grupos no podra ser otra cosa distinta a cuadrados o rectangulos, formados entre casillas adyacentes y no son posibles los grupos formados por diagonales. Como se dijo anteriormente, el mapa de Karnaugh no es una superficie plana, sino esférica. Por este motivo, podemos encontrarnos con dos casos: a) Si aparecen unos en las cuatro esquinas tendremos un grupo de cuatro (Fig. 13.12a). Si aparecen en dos esquinas conseguiremos un grupo de dos (Fig. 13.125). 5) Podemos coger también los unos de un lado con los del opuesto. Asi obtendremos un grupo de ocho (Fig. 13.12c). (e) Figura 13.12. Diferentes posibilidades de! mapa de Karnaugh. En el caso que nos ocupa, para cubrir todos los unos, bastara un solo grupo de dos unos, formando un rectangulo vertical en la primera columna, como se ve en la Figura 13.13. F=A-B+A4-B=A Tabla 13.13. Solucién de Karnaugh para el ejemplo En la figura anterior se aprecia e indica cual es el procedimiento para reducir la funcién. En el grupo formado por los dos unos, la variable que cambia de valor es B, que en una celda vale cero y en la otra uno, esa es la variable que se reduce, quedando: FA ALGEBRA DE BOOLE Y REDUCCION GRAFICA POR KARNAUGH 275, Aplicar la reduccién grafica por Karnaugh a las siguientes funciones y obtener su expresion simplificada: a) F=(4-B-C)+(A-B-C)+(4-B-C) (A-B-T)+(4- BC) é + BCD) +(A-B-C-D) + +) H=(-B-CD)+4-B-C-D) +4: +(4-B-C-D) +(A-B-C-D) Sistemas digitales integrados En este tema trataremos de ver qué son los sistemas digitales integrados superiores a las puertas légicas, es decir, aquellos en los que la tecnologia de fabricacin ha permitido integrar més componentes, puertas basicamente, para obtener sistemas complejos. Los podriamos dividir en dos grandes bloques atendiendo a que el valor de salida dependa o no exclusivamente de las entradas: * Sistemas combinacionales. * Sistemas secuenciales. 14.1. SISTEMA COMBINACIONAL Es aquel en el que la salida s6lo depende de las combinaciones de las entradas. Entre los combinacionales nos encontramos con diversos tipos de elementos: multiplexores, demulti- plexores, codificadores, decodificadores y comparadores. De todas las posibilidades, desarrollaremos en este apartado al multiplexor y al compara- dor, por ser los mas frecuentes. 14.1.1. El multiplexor Es un dispositivo digital que realiza la tarea de seleccionar una de las entradas presentes mediante unas lineas de control, para presentar esta entrada y sélo ésta en la salida. En la Figura 14.1 se muestra el esquema general de un multiplexor. En la Figura 14.2 se muestra un multiplexor comercial. Entre las aplicaciones destacan la multiplexacién, para lo cual fue creado, la conversién de datos paralelo a serie y la creacién de funciones ldgicas. 276 SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 277 Salida verdadera Multiplexor de 8 entradas con inhibidor E N T R A D A s CONTROLES Figura 14.1. Esquema bésico de un multiplexor. 7ALS151 Figura 14.2. Patillaje (Pin's) de un multiplexor 74L$151. = Disefio de un multiplexor de cuatro entradas Seguiremos el procedimiento que se enumera a continuacién. a) Se calcula el nimero de entradas de control n necesarias sabiendo las entradas N, segiin la formula NM (mayor que M) y 4) Que existen dos unos en la columna de igual que (=), y que éstos coinciden con una funcién légica derivada, como es la NOR-EXCLUSIVA. Con las anteriores expresiones matematicas nos resulta una resolucién con puertas logi- cas, tal como se muestra en la Figura 14.5. Figura 14.5. Comparador de 1 bit con puertas. En la préctica, los comparadores pocas veces son de 1 bit (por lo general son de varios bits), por lo que se hace necesario utilizar circuitos integrados al efecto, tal como el 7485, que es un comparador ldgico de 4 bits en una cépsula dual in line, de 16 pin’s. En el Apéndice VI, con informacién adicional sobre esta unidad, se muestra una lamina con las conexiones necesarias para una comparacién de 8 bits, en base al uso del anterior Cl. De 282 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS esta manera se puede usar para multiples aplicaciones en las que son necesarias las compara- ciones de una palabra de datos de 8 bits. 14.2. SISTEMAS SECUENCIALES Son unos dispositivos en los que la salida depende no sdlo de las combinaciones de entrada, sino que ademas hay que tener en cuenta el valor que tenia la salida antes. En resumen, es como si en las entradas estuviese presente una entrada mas, que es la salida que habia antes. Los sistemas secuenciales son aquellos sistemas complejos cuyas células elementales estan realizadas por biestables, entre los que destacamos: Biestable R-S, Biestable T, Biestable D y Biestable J-K. Los biestables 0 flip flops son circuitos capaces de poder permanecer en uno de sus estados estables aiin sin la sefial que produjo el paso; es decir, son capaces de almacenar una informacién. Su forma mas elemental de conexién consiste en dos inversores interconexiona- dos (la entrada de uno con la salida del otro y la salida de éste con la entrada del anterior). Realimentaci6n K=(M+K)+P Figura 14.6. Funcién memoria con puertas NOR. Estos biestables son distintos entre ellos por causa de sus disefios particulares, pudiéndo- los encontrar activos por nivel o por flanco, sincronos 0 asincronos, pero todos ellos tienen una caracteristica comtn: que poseen dos estados diferenciados 1 y 0 a los que se llega al cumplir una condicién, y si los dejamos en esa situacion 1 0 0 permanecerdn en ella ininterrumpidamente. En la Figura 14.6 se muestra un esquema general de un sistema secuencial, correspon- diente a la funcién memoria. Obsérvese la realimentacién de la salida sobre la entrada, verdadero determinante del funcionamiento. 14.2.1. Tipos de biestables Estudiaremos los tres ultimos tipos de biestables arriba mencionados, por ser los mas frecuentes en cuanto a su uso. = Biestable J-K Se ha elegido al J-K como representante de los secuenciales dada su enorme utilizacion y posibilidades, ya que con él se pueden obtener los D y los T, que son quienes configuran SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 283, contadores y registros. Por tanto, veamos el funcionamiento de uno de estos biestables J-K. En la Figura 14-7 se presenta un J-K comercial. Biestable J-K 7473 activo al flanco de bajada. El 7473 es un J-K sincrono, activo por flanco descendente (obsérvese el pin del clock -o-)). Presenta también una entrada asincrona CL (clear) para borrado o puesta a cero de la salida Q, ademas de las J y K. NOTA. Los otros niveles tienen las siguientes representaciones grificas: — Por nivel alto CLK. — Por flanco ascendente > CLK. — Por nivel bajo— CLK. — — Por flanco descendente —o> CLK. La tabla de verdad (Tabla 14.5) que cumple los J-K, es la siguiente: Tabla 14.5. Tabla de verdad de los biestables J-K 0 1_[imput [1 [0 1 1 [impeur [To [1 | o 1 IMPUL | t | 1 2 En la tabla de verdad se aprecia que si el CLR (entrada asincrona de CLEAR) esta a nivel bajo, la salida es cero, estén como estén las otras entradas (X = indistinto), Estando en 1 CLR el funcionamiento es normal y la salida responde a las entradas, Cuando se presenta un impulso a la entrada de CLOCK, la salida dependera del estado de las entradas. 284 —PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Si J y K son cero la salida que tendremos (Q,4; = futuro inmediato) sera la que ya teniamos (Q, = estado actual). y K y K Por ultimo, si se presentan simultaneamente dos unos, en J y K, la salida pasara al valor contrario que tenia Q,, es decir, . ), se fuerza la salida a 1. 1, se fuerza la salida a 0. = Biestable 7 El biestable T (Toggle), como se ha dicho anteriormente, se puede obtener a partir de un J-K. Presenta una inica entrada y dos salidas complementarias Q (verdadera) y Q (negada). En la Figura 148 se muestra la equivalencia entre un J-K y un T. clock —) ol Figura 14.8. Biestable 7 y su equivalencia con un J-K. En la Tabla 14.6, se muestra la respuesta de un biestable T, frente a las entradas que se le pueden presentar. Fp Ge [Gar | intitle rene entedes 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 De la observacién de la tabla anterior se pueden obtener las siguientes conclusiones: a) Si la entrada es T = 0, la salida que tenemos Q, no variard, obteniéndose el mismo valor logico después del impulso de reloj en Q,+,. Obsérvese con detenimiento las dos primeras filas. ‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 285 6) Sila entrada es T = 1, la salida que tenemos en Q, si que variard, pasando a valer después del impulso de reloj en Q,,, lo contrario de lo que teniamos. Obsérvense las dos iltimas filas. Recordar que Q, significa cl estado actual y Q,,, el estado futuro, lo que sera después del impulso, el valor del pin Q, del biestable. Con lo anterior, podemos ver un ejemplo de cronograma en Ia Figura 14.9; aparece la respuesta de un biestable 7, activo al flanco ascendente del reloj, frente a una supuesta variacion por el pin 7. xen t t 1 i No cambia Cambie No cambia Figura 14.9. Cronograma biestable 7. = Biestable D Este biestable posee una entrada de datos y dos salidas, una verdadera (Q) y otra negada (Q), ademas de la sefial de CLOCK para el sincronismo. Se puede obtener a partir de un J-K, tal y como se muestra en la Figura 14.10, a modo de ejemplo se ha realizado el sincronismo por nivel alto. ctock i “cock ol Figura 14.10. Biestable D a partir de J-K. 286 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS En la Figura 14.11 se presenta un biestable D comercial. E N R A D A s Figura 14.11. Biestable cuadruple D 74175. La tabla de verdad (Tabla 14.7) que cumplen estos biestables se muestra a continuacién: Tabla 14.7. Tabla de verdad de los biestables D De la observacién de la Tabla 14.7 se pueden obtener unas conclusiones, partiendo de que el biestable es sincrono por nivel alto, esto es, que los cambios se efectuaran siempre que la sefial de reloj esté a valor légico 1, quedando enclavado con el valor que posea mientras no aparezca un nuevo nivel alto en el reloj. Al biestable D, debido a este enclavamiento de datos, se le conoce por Jatch o cerrojo. Las mencionadas conclusiones son dos en esencia. a) La salida que tendremos Q,., sera 0 si en D existia un 0, independientemente de lo que hubiese antes en Q,. 4) La salida seré 1 en Q,, si éste fue el valor que habia en D, independientemente de lo que hubiese antes en Q,. En el siguiente cronograma de la Figura 14.12 se muestra un ejemplo de respuesta de un biestable D frente a una entrada y su reloj correspondiente. ‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 287 Figura 14.12. Cronograma de un biestable D activo a nivel alto. 14.2.2. Contadores Un contador es un circuito secuencial compuesto por un determinado nimero de biestables basicos, por lo general tipo T, que presentan en el conjunto de sus salidas, en un cddigo determinado, el niimero de impulsos que se les han aplicado en la entrada. La capacidad de conteo se puede calcular como 2, siendo N el mimero de biestables utilizados. Esta expresin nos mostrard cudntos estados distintos pose el contador, es decir, la capacidad de conteo. Podemos dividir los contadores atendiendo a cuatro propiedades: forma de conteo, forma del impulso de entrada, frecuencia de impulsos y capacidad de conteo. + Segiin la forma de conteo pueden ser ascendentes (UP) o descendentes (DOWN). Quicre esto decir que a cada impulso de conteo irdn ascendiendo en su valor (1, 2, 3, 4, 5, etc.) 0 bien descendiendo en su valor (5, 4, 3, 2, 1). Si el cddigo de conteo no es el binario, sera necesario realizar su disefio con biestables independientes. * La frecuencia de impulsos determina la tecnologia de los biestables (DTL, HTL, TTL, MOS, etc). Mediante una tabla de excitacién de biestables podremos seleccionar el tipo deseado. + La capacidad de conteo indica el mayor 0 menor nimero de impulsos que han de ser contados por el sistema. + Segiin la forma del impulso de entrada el modo de operacién es el siguiente: todos los biestables que reciben simulténeamente el impulso de conteo se Ilamaran sineronos; en el caso que el impulso de conteo lo reciba sélo uno de los biestables que conforman el contador diremos que es asincrono. 288 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS En la Figura 14.13 se muestra un asincrono ascendente y su cronograma correspondiente. +, a, Q, a, a, Figura 14.13. (a) Contador asincrono ascendente. (b) Cronograma ideal para 9 impulsos de! contador asincrono. ) Conectar el circuito de la Figura 14.13 y comprobar el cronograma, extendiendo el anilisis hasta el impulso 16. 4) Repetir el punto anterior, pero habiendo realizado las conexiones discontinuas de la Figura 14.13. Deberds observar que el valor inicial no ¢s 0000, como antes, al contrario, es 1111 y desde éste, como inicial a cada impulso, se descontara un valor binario. ©) Comprobar que el funcionamiento sera como el de la Figura 14.13 siempre que la sefial de CLEAR esté a nivel adecuado 1. En la Figura 14.14 se muestra un contador sinerono de tres biestables con 8 posibles estados (2°), realizado en sentido ascendente. Figura 14.14. (a) Contador sincrono ascendente. (b) Cronograma ideal con 9 impulsos del sincrono 0 ascendente. 290 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS ‘Como puede apreciarse, el resultado frente a los impulsos de entrada es igual al caso del asincrono, nos preguntamos entonces, donde esta la diferencia? La respuesta se encuentra en la mayor velocidad de trabajo posible en el sincrono frente a la del asincrono. Debido a que el impulso es simulténeo, cada uno de los biestables responde en un intervalo de tiempo propio, llamado tiempo de propagacién, sin esperar a la respuesta en cadena del anterior biestable (asincrono), lo que eleva el tiempo de respuesta del que se encuentra mas alejado del punto de entrada del impulso de conteo. 14.2.3. Contadores preseleccionables Se desea en muchas ocasiones que los contadores efectiien secuencias especiales (impares, pares, cédigos propios), para lo que hay que disefiar la circuiteria combinacional a afiadir al contador propiamente dicho. Estos contadores reciben el nombre de preseleccionables, Para resolver éstos hay que utilizar algunas de las herramientas vistas en este tema, como los J-K y la reduccion grafica por Karnaugh (vista en el Tema 13). = Tablas de transicién Antes de nada debemos conocer la tabla de transicién de los J-K, auténtico talisman para la resolucion de este punto. Esta tabla consiste en una expresin especial de la tabla de verdad de los J-K: se citan los valores a aplicar a las entradas J y K si queremos fijar un valor futuro, haciendo indistinto el valor légico de la otra entrada. Para la obtencién de la tabla de transicién, necesitamos disponer de la de verdad, observandola y preguntandole de forma adecuada nos serd facil llegar a obtener la de transicién. Tabla 14.8. Tabla de verdad del J-K ampliada 1 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0 0 1 1 0 ‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 2911 En la tabla anterior se ha tratado a Q, como si de una entrada se tratara y entonces se presentan 8 posibilidades; veamos qué se desprende de su estudio: a) Sien Q, tenemos un 0, y queremos seguir teniéndolo (Q,,, = 0), bastaré con fijar un 0 en la entrada J, Véanse filas 1." y 3.* de la Tabla 148. 5) Si en Q, tenemos un 0 y deseamos en Q,., un 1, bastard con fijar un 1 en J. Véanse filas 2.* y 4.* de la Tabla 14.8, ©) Sien Q, tenemos un 1 y se desea en Q,+; un 0, bastar con fijar en K un 1, Véanse las filas 7 y 8. @) Sien Q, hay un 1 y se desea mantener en Q,, ,, bastard con fijar en k un 0. Véanse las filas 5° y 64. Como consecuencia de lo anterior nos queda la tabla de transicién (Tabla 14.9) siguiente, donde las X significan que el estado es indistinto. Tabla 14.9. Tabla de transicién de un biestable J-K Como ejemplo de aplicacién de los contadores preseleccionables vamos a resolver un conta- dor de secuencia decimal 0, 2, 3, 7, 6, 4, 0 dard la pauta para resolver casos simi ..con biestables J-K. El siguiente procedimiento nos ) Determinar el nimero de biestables a utilizar. Puesto que el mayor niimero decimal es 7, bastard con 3 biestables ya que 2° > 7. 4) Escribir la tabla de verdad que refleje el conteo que se quiere realizar. La Tabla 14.10 se obtiene colocando las combinaciones binarias correspondientes a los ‘iimeros decimales para los tres biestables que entran en el contador (23, Qy, Q,). La fila correspondiente a cada valor decimal se rellena observando los valores de cada uno de los biestables y relaciondndolos con sus entradas. Por ejemplo, en la columna de Q,, para obtener los valores de Jy y Ko se tendrin en cuenta el cero del decimal 0 y el cero del decimal 2. Puesto que lo que se quiere es que no cambie Q, de valor, la tabla de transicién nos dice en este caso que la combinacién de entradas debe ser 0 para J, y X para Ky. Sigamos con el ejemplo; queremos saber qué combinacién sera necesaria en las entradas del biestable Qo. Para el cambio de éste entre los valores decimales 7 y 6, vemos que en 7Q, es 1 y en 6 vale 0 este cambio de valor en la tabla de transicion es X para Jy y 1 para Ky. 292 PRACTICA CON SISTEMAS ELECTRONICOS Tabla 14.10. Tabla de verdad de un contador de secuencia decimal x 2 0 1 0 1 x 0 0 - 3 0 1 1 x 0 x 0 I x # 1 1 1 x 1 x 0 x 0 bal? 1 oO 0 x i 6 1 x x 0 {eh tS 4 1 0 0 oO x 0 x x 1 | 6) Reduccién por Karnaugh de las combinaciones de cada una de las entradas, que aparecen en el ejemplo 6 (n.° decimal) de la Tabla 14.10. Resolvemos a modo de recordatorio dos entradas, las que corresponden a Qo. Destacaremos en este punto que las X en los mapas de Karnaugh pueden tomar el valor 1 0 0, ef que nos convenga, en la mayor parte de las situaciones se opta por el 1. Tabla 14.11. Tabla para Jo Con un s6lo grupo de dos unos (1 — X) se cubren todos, por lo que la reduccién se queda en Jo = Q2° Di Tabla 14.12. Tabla para Ky En este caso el grupo maximo es de 4, tres X y un I, lo que reduce la expresion de Ky = 22 ‘SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 293 Para las restantes entradas hay que realizar sendos Karnaugh, y los resultados son: n= K=O, k= K=% EI resultado del contador con las premisas requeridas se muestra en la Figura 14.15, Figura 14.16. Contador sincrono preseleccionado de secuencia 0, 2, 3, 7, 6, 4. Siguiendo el método anterior se puede resolver cualquier conteo por dificil que parezca en principio; més aiin, es el método idéneo con légica cableada para la resolucién de automatis- mos industriales. Realizar con biestables J-K activos al flanco descendente un contador sincrono preselecciona- ble que efectie la secuencia 0, 1, 3, 5, 7, 0... El resultado de este ejercicio es el siguiente: Jo=1 Ko = 9.°O K,= Ky, = Q 294 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 14.2.4. Registros de desplazamiento Los registros de desplazamiento son circuitos secuenciales realizados por una serie de biesta- bles del tipo D conectados en cascada. Por estar confeccionados con estos biestables pueden almacenar tantos bits (minima expresin de informacién 1 0 0) como biestables posea el registro. Tienen la capacidad de presentar esta informacién almacenada en su interior de varias formas, por lo que es general la siguiente division: — Entrada serie-salida serie. — Entrada serie-salida paralelo. — Entrada paralelo-salida serie. — Entrada paralelo-salida paralelo. En la Figura 14.16 se muestra un registro universal donde se aprecian todas las anteriores posibilidades. En esta figura se ha introducido un pin en los biestables J-K, que conforman el 0 denominado PRESET (PR) activo a nivel bajo igual que el CLEAR, pero con una wn contraria: sirve para forzar las salidas Q a valor logico 1 y es de la misma forma que el CLEAR asincrono, es decir, en el momento que se activa este pin la salida se fuerza a 1, independientemente del clock. En la misma figura se muestran la linea de activacién de las ENTRADAS PARALELO Salige sore Lines de contr 7408 7408, 7408 a, 5 SALIDAS PARALELO Figura 14.16. Registro universal de 3 bits. SISTEMAS DIGITALES INTEGRADOS 295 entradas paralelo y la linea de activacion de las salidas paralelo, ademas de la entrada serie y salida serie. Obsérvese que los J-K estin conectados como tipo D, ya que siempre tendran en sus entradas valores opuestos, bien por el inversor en el caso del biestable Q,, o bien por estar conectados a Q y Q en los casos de los Q, y Q.. Hay que destacar, en el caso de usar la entrada y salida serie que se puede obtener en los cireuitos comerciales, que el desplazamiento se efectie a derechas o izquierdas, En la informa. cién complementaria del Apéndice VI de la Sexta Unidad se muestra un circuito integrado comercial al efecto. ANALISIS PRACTICO 41 Como aplicacion de registros y multiplexores vamos a efectuar el diseio de un montaje utilizable como cerradura codificada para la apertura de cualquier caja secreta. Se desea activar una cerradura codificada mediante cuatro combinaciones provenientes de tres interruptores A, B, C, introducidas en los valores correctos con el uso de un multiplexor de cuatro entradas y un registro de desplazamiento serie-paralelo. La combinacién correcta sera 2, 4, 5, 7, evidentemente la podéis cambiar a vuestro gusto ¢ incluso ampliarla con el uso de un registro de mayor mimero de elementos y mas interrupto- res de entrada. El procedimiento que se propone tendra los siguientes pasos: @) Debemos realizar la funcién logica con el multiplexor, para ello se deberdn seguir los puntos expuestos en el Apartado 14.1.1 dedicado a los multiplexores (véase Ta- bla 4.13). ‘Vamos a utilizar como controles del multiplexor a A y B, siendo C la variable que se utilizaré como entrada en el multiplexor; en la tabla 4.13 la funcion F es 1 cuando la combinacién es correcta como parte del cédigo de apertura de la cerradura. a 7 0 0 0 ANALISIS PRACTICO 41 0 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 0 1 1 1 1 0 0 t 1 1 1 296 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS 6) Acontinuaci6n se realiza la Tabla 14.14, reducida de la anterior para determinar las conexiones del multiplexor. Tabla 14.14. Resolucién del Apartado 6 de! ANALISIS PRACTICO 41 “cas | ow | o | un | 10 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 ¢) Dela tabla anterior se obtiene que las conexiones son como muestra la Figura 14.17. +e Figura 14.17. Multiplexor para la cerradura codificada. @) Solucionado el multiplexor, pasaremos a enlazarlo con el registro de desplazamiento, tal como se muestra en la Figura 14.18. SALIDA HACIA RELE/TRANSISTOR xez Figura 14.18. Circuito completo de la cerradura codificada. APENDICE A. COMPARADOR DE 8 BITS CON 74LS85 A.1. Montaje DIAGRAMA DE CONEXION DE UN COMPARADOR DE 8 BITS ee jaz) [az] [ar rE fasL {12 Glosario ‘A (amperio). Unidad de intensidad de corriente. AID. Abreviatura del convertidor de seital analé- gica a digital. Agu Ancho de banda, referido a transistores. ‘A, Ganancia de intensidad expresada en db (deci- ‘elios). Se obtiene mediante el cociente de la intensidad de salida y la intensidad de entrada: jut ¢ un nimero adimensional Angulo de conduccién. Angulo referido a la por- cion de la sefial aplicada, durante la cual un tiristor SCR conduce. Se expresa mediante el simbolo ®. ‘Angulo de encendido, Tramo de la onda presente en extremos de un tiristor SCR, comprendido entre el origen y el instante en que se aplica el impulso de conduccién 0 cebado. Se expresa mediante la letra griega alfa (a). = ©, siendo ¢ cl tiempo que transcurre entre el origen de la seftal y el instante del impulso. T indica el perio- do de la sefial alterna. AND (¥). Abreviatura de una de las funciones basicas de la logica digital. También se la llama funcién producto o interseccién. Tipo de puerta logica que coincide con la funcion logica descrita anteriormente A, Ganancia de potencia expresada en decibelios. |, = 8 obtiene un niimero adimensional ‘Asincrono. Se denomina asi el caso en el que slo uno de los biestables que conforman un conta- dor reciba el impulso de conteo. ‘Ay Ganancia de tensién expresada en decibelios, 316 Ava Ganancia de tensin del montaje. a (alfa). Letra griega utilizada como parametro de un transistor bipolar. Relaciona el cociente de las corrientes de colector y emisor. x = 7 Battery (bateria). Fuente de alimentacion de co- rriente continua (cc) realizada como una agru- pacién de elementos basicos. Bit. Contraccién de digito binario (binary digit) minima expresion de informacion binaria 0 0 1. B,. Abreviatura de base de tiempo. Circuito gene- rador de dientes de sierra de frecuencias distin- tas para el sincronismo de las sefiales que se quieren visualizar en un osciloscopio. B (beta). Letra griega utilizada como parametro de un transistor bipolar que relaciona el cocien- te de las corrientes de colector y base. = Wa I, ¢ (capacidad), Propiedad por la que los dispositi- vos llamados condensadores pueden almacenar cargas eléctricas, Su unidad es el faradio (F). ca, Siglas por las que se conoce, de forma abrevia- da, a la corriente alterna. ce. Siglas por las que se conoce, de forma abrevia- da, a la corriente continua. edt. Siglas por las que se conoce, de forma abre- viada, a la caida de tension. C,. Abreviatura de condensador de emisor. Cebado. Término que, referido a los SCR’s, alude ‘ala condicién de saturacién que alcanza el dis- positive. Esta situacién se consigue, gene mente, tras la aplicacién de una tensién de dis- paro en su electrodo de mando. C, Abreviatura de condensador de input (entrada) referida a transistores. Cl. Siglas de circuito integrado, en inglés IC (inte- grated circuit). , (clear). Pin asinerono de puesta a de Ia salida Q. Entrada de borrado general. C,. Abreviatura de condensador de output (salida) Teferida a transistores, Control. Término aplicable a un circuito o electrodo de un dispositivo electronico en el que se generan © aplican las érdenes a modo de variaciones de parimetros eléctricos que posibilitan el gobierno del circuito principal o seccién de potencia. CMOS. Siglas de metal éxido semiconductor com- plementario. (complementary metal oxide semi- conductor). Se trata de una tecnologia de fabrica- ccién de circuitos integrados en plena expansion y competidora directa de la tecnologia TTL. CMRR, Siglas de la expresion inglesa common ‘mode rejection ratio, es decir, relacién de recha- zo en modo comin (también expresado como RRMO). Es la caracteristica que manifesta la capacidad de rechazo de un OP-AMP para no amplificar sefiales idénticas aplicadas simulté- neamente en sus entradas. D/A. Abreviatura del convertidor de seiial digital a analégica. dp. Abreviatura de diferencia de potencial. DIAC. Siglas que corresponden a la expresion inglesa diode alternating current (diodo para co- rriente alterna). Elemento bidireccional cuya conduccién se efectiia cuando se supera la ten- sion de encendido (Vy) aplicada entre sus dos electrodos. Se utiliza para montar circuitos de control sencillos. Display (visualizador). Conjunto de LED's dis- uestos en forma de digito numérico o alfanu- mérico. Es un dispositive sobre el que se pre- senta una informacion, proveniente de un Circuito eléctrico, para su manejo, programa- cidn, ete. DOWN (descendente). Indica una caida (de ten- sién, corriente, etc). e° (electrén). Carga eléctrica basica de signo ne- gativo. EA. Siglas de electronica analégica. ED. Siglas de electrénica digital. Espectro lumfnico. En el margen de radiacién lu- minica visible, de mayor a menor longitud de onda, las tonalidades de los colores son: rojo, anaranjado, amarillo, verde azul, afl y violeta, A las tadiaciones luminicas cuya longitud de GLOsARIO. (317 onda es tan grande que hace imposible su visi- bilidad, se las denomina infrarrojos. Las radia- ciones de longitud de onda demasiado pequeiia para hacerlas visibles, se llaman ultravioletas. 1. Letra griega eta. Es un pardmetro inherente al gradiente de potencial interno de un transistor UJT 0 externo de un transistor PUT, EXOR. Forma abreviada de denominar a la fun- ibn logica derivada OR-EX-CLUSIVE, que se- fiala al detector de desigualdad. EX-NOR. Forma abreviada de denominar a la funcion légica derivada NOR-EXCLUSIVE, que sefiala al detector de igualdad, F (frecuencia). Nimero de ciclos completos por segundo. F,, Abreviatura de factor de forma. Flanco. Se define activo por flanco, de subida 0 bajada, el biestable que efectia la lectura de los valores en sus entradas en las transiciones de 9 a 1, 0 bien de 1 a (cero légico), dependiendo del modelo. Se procede, segin su tabla de ver- dad, al modificar su salida. Fotodiode. Diodo fotosensible que actiia permi- tiendo el paso de corriente inversa, de valor roporcional a la luz que incide sobre él cuando su unién se encuentra polarizada inversamente. Fototransistor. Transistor fotosensible que actiia permitiendo el paso de corriente inversa, de va- Jor proporcional a la luz incidente sobre la unién colector-base. F, Abreviatura de factor de rizado. GA. Electrodo de control de la puerta anodo, GBF. Siglas del generador de baja frecuencia. Ins- trumento de miltiples aplicaciones, cuyo meca- nismo permite disponer de distintas formas de sefiales, variables éstas en amplitud y frecuencia, Ge. Simbolo quimico del germanio, material semi- conductor bisico ampliamente utilizado. h* (dueco). Carga positiva basica, por ausencia dee. Hy, Parametro de la resistencia de entrada en emisor comin de un transistor bipolar. 1 Simbolo eléctrico de Ia intensidad de corriente. I,. Forma de reconocer la intensidad de anodo. I, Forma abreviada de denominar la intensidad de base. 1, Forma abreviada utilizada para reconocer la intensidad de colector. Tue Intensidad de corriente residual, medida entre colector-base con el terminal de emisor abierto. 318 — GLOSARIO I, Intensidad de corriente continua. I, Intensidad de cortiente residual, medida entre ‘colector-emisor con el terminal de base abierto. Iq Corriente de colector en reposo, sin sefial de ‘corriente alterna que amplificar. I, Forma abreviada de denominar la intensidad dde emisor. I, Intensidad forward (directa), aplicada desde una polarizacién directa y medida con un am- perimetro. Taye Corriente media directa que debe soportar diodo. Trasesr Cofriente eficaz directa que debe soportar ‘cada diodo. I, Corriente de disparo 0 corriente minima nece- saria para el cebado de un tiristor SCR. Ig. Intensidad de puerta. I, Corriente de mantenimiento o de corte. Valor minimo que es preciso que circule a través de un SCR para que éste se mantenga en la zona de conduccin. 1,, Corriente de mantenimiento a través de la carga, ‘algo superior a la corriente de mantenimiento mi- rnima (1,) de un SCR a la que el tiristor conduce después de efectuado el impulso de encendido. I, Intensidad media en la carga. Impedancia. Resistencia eléctrica alterna que se le aplica. Se mide en Q (ohmnios). I,, Intensidad de pico en los transistores UIT y PUT. Iq. Intensidad reverse (inversa) aplicada desde una polaridad inversa y medida con un tnico ampe- rimetro. Tuy Intensidad por la resistencia de carga. Tn... Intensidad por la carga maxima, Tq. Intensidad por la carga minima, I, Intensidad total. I, Intensidad de valle en los transistores UJT y PUT. I, Intensidad que circula por el diodo ZENER ‘cuando éste esta trabajando en la zona inversa. 1, aix- Intensidad maxima del diodo ZENER. So- brepasado este valor el diodo se destruye, 1, aia Intensidad minima que el diodo ZENER necesita para poder trabajar en la zona inversa. kg/cm’, Unidad de presién en el sistema MKS. kHz, Medida que indica mil hercios o mil ciclos por segundo. La unidad es el Hz (hercio). KO. Unidad de medida que indica mil ohmios. LDR. Siglas de la expresion inglesa light depent resistor, es decir, resistencia dependiente de la luz, cuyo valor varia en raz6n inversa a ésta. LED. Diodo emisor de luz. Las iniciales vienen del inglés light emitting diode. Se trata de un diodo electroluminiscente, es decir, emisor de luz de distintos colores: rojo, verde, ambar, infrarrojo (IRED}, etc, utilizado para seftalizacién, Longitud de onda. Distancia entre dos posiciones consecutivas, en idéntica fase de una sefial equi- valente al espacio recorrido por el movimiento ondulatorio en un periodo (7) mA. Milésima parte de amperio. MAT. Abreviatura de muy alta tensidn. Se aplica a aquellos circuitos que generan la tension nece- saria para acelerar a los electrones en su camino a través del TRC. MO. Medida que se lee: millon de ohmios. La unidad es el ohmio (Q). ms. Milésima parte de un segundo. ms/div. Expresién que indica la parte de tiempo que representa cada division horizontal de la cuadricula del osciloscopio. Mulkivibrador. Circuito que, basando su funciona- miento en la realimentacién positiva, es capaz de entregar ondas cuadradas, rectangulares 0 impulsos de estos perfiles de onda. mV. Milésima parte del voltio, mW. Milésima parte del watio. HA. Letra griega mu y simbolo del amperio. Am- bas unidades quieren decir millonésima parte del amperio (10~°). MUX. Abreviatura de multiplexor. NA (normatmente abierto). En términos generales, es la situacién contraria a la que se describe como NC (normalmente cerrado). NAND. Abreviatura de la funci6n légica derivada también conocida como NO-Y; realiza la nega- cion del producto. NC (normalmente cerrado). Término alusivo al es- tado de reposo de un contacto. Referido a ele- mentos activos de salida en el Ambito de los transductores significa que, en reposo, éstos se encuentran activados. Nivel. Se define activo por nivel, alto o bajo, al biestable que efectita la lectura de los valores en sus entradas durante el tiempo (mucho mayor que en los biestables de flanco) que el reloj se en- cuentra en 1 o en @ (cero légico), procediendo, segiin su tabla de verdad, a modificar su salida. NOR. Abreviatura de la funcién logica derivada, también conocida como NO-O, que realiza la negacion de la suma. NOT (inversor). Abreviatura de la funcién légica basica también conocida como NO o funcién negacion. Es la funcién que niega el valor légico presente en su entrada. NPN. Tipo de transistor bipolar compuesto por dos bloques N y uno P. ns, Su lectura es nanosegundo. Mil millonésima parte de un segundo (10~° s). NTC. Siglas inglesas de la expresién negative tem- perature coefficient, es decir, resistencia depen- diente de la temperatura, cuyo valor varia de forma inversamente proporcional a ésta. OFF. En ElectrOnica, este término inglés indica desconectado 0 apagado. Offset. Ajuste necesario antes del uso de los am- plificadores operacionales OP-AMP. 2 (omega). Letra griega que simboliza el ohmio, el cual es la unidad de medida de la resistencia eléctrica. Q/¥. Expresion que indica la medida de sensibili- dad de los voltimetros analégicos. ON. En Electronica, este término inglés quiere decir activo, en funcionamiento, conectado 0 en contacto, OP-AMBP. Abreviatura del inglés operational am- plifier. Amplificador operacional de elevada ga- nancia en bucle abierto. Optoacoplador. Circuito 0 dispositive que, uti zando una sefial de gobierno que atraviesa un diodo LED 0 IRED, consigue que las varia ciones luminicas de éste se conviertan en el mando de un fotodiodo, fototransistor, fototriac y fototransistores que actian como receptores. Generalmente, los dos semiconductores se mon- tan sobre el mismo encapsulado. OR. Forma abreviada de denominar a la funcién logica basica unién, también denominada suma légica u O (traduccién de! término inglés OR). Oscilador de relajacién. Utiliza la caracteristica y pendiente negativa del elemento activo para ge- nerar impulsos de corta duracién, con la inter- vencién de una red auxiliar R-C. PD. Siglas de la polarizacién directa. Esta polari- zacién consiste en conectar el potencial positivo del generador al bloque P de un semiconductor extrinseco; el potencial negativo se conecta al bloque N, PL. Siglas de la polarizacién inversa. Este tipo de GLOSARIO 319 polarizacin consiste en lo contrario de la ante- rior; es decir, se conecta el potencial positivo del generador al bloque N de un semiconductor extrinseco y el negativo al bloque P. Pin. Terminal fisico de un circuito integrado. Es el lugar donde se efectia la conexion. PNP. Tipo de transistor bipolar compuesto por dos bloques P y uno N. P,,. Potencial disipada por la resistencia de pro- teccién. Preset. Terminal asincrono que obliga a tomar el valor 1 al terminal Q. PTC. Siglas de la expresién inglesa positive tempe- ature coeficient, es decit, resistencia dependien- te de la temperatura, con coeficiente positivo. PUT. Siglas de la expresi6n inglesa programable unijuntion transistor. Su comportamiento se ase- meja al del-transistor UST, pero en este caso, la diferencia radica en que en el transistor PUT se programa externamente el gradiente de po- tencial de conduccién abrupta mediante un di- visor de tensién resistivo. Tiene una estructura de cuatro capas semiconductoras con un elec- trodo de mando (G,) aplicado a la capa de gobierno. P,,..- Potencia maxima disipada por el diodo ZE- ‘NER Q, Estado actual de 1a salida Q. Q,..- Estado proximo de la salida Q. R (Resistencia). Propiedad de los materiales para ‘oponerse al paso de la corriente eléctrica. Su unidad de medida es el ohmio (0). R,, Resistencia de base. R,, Resistencia de colector. Realimentacion negativa. Parte de la sefial de sali- da de una cadena amplificadora. Se inyecta a la entrada de ésta, con fase opuesta a la seiial aplicada. De esta forma, se consigue un mejor comportamiento del circuito en frecuencia, a costa de reducir su ganancia. Realimentacion positiva. Es el principio fundamen- tal de Ia mayoria de los osciladores. Se produce cuando una fraccién de la sefial de salida de un elemento activo se inyecta a su entrada en fase con la sefial alli presente. R,, Siglas de la expresi6n inglesa resistor load. Es la resistencia de carga, es decir, el elemento so- bre el que se manifiesta el resultado del circuito. Ry.» Resistencia de proteccién. Ryrenu’ Resistencia de proteccion minima. 320 © GLOSARIO Saturacion negativa, Nivel negativo maximo que es capaz de entregar un amplificador operacio- nal a su salida, siempre y cuando esté alimenta- do con tensién simétrica. Saturacién positiva. Nivel positive maximo que es capaz de entregar un amplificador operacional a su salida, siempre y cuando esté alimentado con tensin simétrica. SCR. Siglas que corresponden en castellano a rec- tificador controlado de silicio (en inglés, silicon controlled rectifier), entre cuyos electrodos prin- cipales (nod y citodo) polarizados directa- mente, fluye corriente cuando es aplicado un potencial positivo en su electrodo de control (puerta). Esta situacién se mantiene indefinida- mente, en tanto la corriente no descienda por debajo del valor de mantenimiento. Si, Simbolo quimico de! silicio, elemento compo- nente de los SCR, transistores, diodos, ete. Sincrono. Se llama asi a todo contador cuyos bies- tables reciben simultineamente el impulso de conteo. T. Notacién correspondiente al periodo de una sefial (en segundos). Su valor es el inverso de la frecuencia: T = = £ %. Constante de tiempo. Es el producto de la resistencia por la capacidad; se mide en segun- dos: f= R°c. Tiristor. Nombre genérico de una familia de dis- positivos semiconductores de cuatro capas. ‘Transductor. Conjunto formado por un captador sensible a una magnitud fisica y un circuito adicional, encargado de transformarla en varia- ciones de magnitudes eléctricas. Este circuito puede estar integrado en el Bloque o cuerpo del captador, o bien constituir una seccién separa- da fisicamente de éste. Transductor NPN. Transductor que entrega a su salida un nivel bajo de tensién al ser activado, siendo el terminal positivo comin al circuito de alimentacién y salida del elemento. Transductor PNP. Transductor que entrega a su salida, al ser activado, un nivel alto, general- mente de tensién. El terminal de potencial OV (0 masa) es comin a la salida y a la alimenta- cién del elemento. ‘Transformador. Maquina estatica de induccién clectromagnética capaz de modificar los valores de tensién e intensidad eléctrica (desde la entra- da hasta la salida). Transitorio. Calificativo inherente al comporta- miento temporal respecto de la tensién 0 co- rriente que presentan especialmente las bobinas y los condensadores. TRC. Tubo de rayos catédico. Se trata de una valvula especial utilizada para la visualizacion de informacién en osciloscopios. Es parte inte- grante de monitores y televisiones. TRIAC. Dispositivo bilateral de cuatro capas se- miconductoras, equivalente al montaje de dos SCR en antiparalelo y con ambas puertas uni- das. TTL. Corresponden estas siglas a la expresién inglesa transistor-transistor logic. Se trata de una tecnologia de construccién de circuitos in- tegrados digitales de muy amplia utilizacién. UST. Siglas correspondientes a la expresion ingle- $a unijunction transistor, es decir, transistor de unin Gnica, Se trata de un elemento dotado de una nica unién de silicio que por su disposi- cidn, permite la circulacién de corriente, de mo- do abrupto, entre el electrodo de control (emi- sor) y una de sus bases. Esta situacién se consigue cuando la tensiOn presente entre el emisor y la base-1 supera a la tension interna establecida por el gradiente de potencial aplica- do entre base-I y base-2. UP (ascendente). Indica una subida (de tensién, corriente, etc.). V (voltio). Unidad de medida de la tensién eléc- trica. V~. Notacin relativa a la tensién positiva aplica- da a la entrada no inversora de un amplificador operacional V~. Notacién relativa a la tension negativa apli- cada a la entrada inversora de un amplificador operacional. Vy Tensién interanédica en el DIAC. También puede aparecer como FV, V;. Vaaar- Tension entre anodo 2 y anodo 1 Vax Tension de alimentacién del terminal del ‘énodo. Vax. Tension anodo-catodo. ‘Y,- Genéricamente, tensi6n de ruptura. Si se refie- re a tiristores UJT es la tensién de encendido. Se trata del valor positivo que toma la tensién de bloqueo, a la que el tiristor se enciende para una corriente de mando definida. ‘Vu Tension de alimentacion del terminal de base Y,. Tensién entre base y emisor. Vue Tension de encendido o corriente nula. Yar Tension nominal de un generador de corriente alterna. Vee Tension de alimentacién del terminal de co- lector. Vee Tension entre colector y emisor. Ve Tension maxima entre colector y emisor: i 0. ‘Ve: Tension en reposo entre colector y emisor (g = punto de reposo). Vay- Tensidn emisor-base 1. Indica en qué se utili "a ésta Vue Tension de alimentacion del terminal del emi- sor. Va. Valor eficaz de la tensién. Vp Tensién forward (directa) aplicada como pola- rizacién directa. V,. Tensién del generador. Vg. Tension del terminal de puerta anddica. Veare Tension entre puerta y anodo-1. Veg: Tension de alimentacién del terminal de Puerta, Vox. Tension puerta-citodo. V,. Tensi6n umbral. Nivel de tensién minima para polarizar un material semiconductor. También puede aparecer como Vem. V..- Tensién input (de entrada) maxima, Y._; Tensién input (de entrada) minima. Vy Valor del potencial interno de igualacién en el transistor UJT. GLOSARIO = 321 Vq- Valor medio de la tension. V,, Valor maximo de la tensién. Volta. Escala de tensiones. Los metales y, en gene- ral, todos los cuerpos se ordenan en sentido de los potenciales decrecientes que presentan, Vy Tensidn de pico en los transistores UIT y PUT. Vy Voltio pico a pico. Representa la maxima Pérdida posible en una sefial alterna. Va. Tensién reverse (inversa) continua aplicada como polarizacion inversa. Veg nie? Tension en la resistencia de proteccién maxima, Va_- au: Tensidn en la resistencia de proteccion Thinima. Vee: Tension en la resistencia de emisor. Vee Valor eficaz de la tensién de rizado. ‘Yq, Valor del potencial externo de igualacién en el transistor PUT. V,. Tensién directa que presenta entre anodo y catodo un tiristor SCR cuando esta cebado, Vj. Tensidn de valle en los transistores UJT y PUT. V,. Tension de ZENER nominal. W (watio). Unidad de medida de potencia. X,. Reactancia capacitiva. Es la componente de la ‘impedancia de un condensador que depende de la frecuencia y la capacidad del mismo. Z, Impedancia input (de entrada). Zee Impedancia de entrada del montaje. Z,, Impedancia output (de salida). Za Impedancia de salida del montaje. Bibliografia ANGULO, J. M.: Electrénica digital moderna. Teoria y Practicas, Paraninfo, Madrid, 1990. ANGULO, C,, MUNOZ, A., y PAREJA, J.: Practicas de Electronica 9. Semiconductores basicos: diodo y transistor, McGraw-Hill, Madrid, 1989. BERGTOLD, F:: Triac y tiristores, CEAC, Barcelona, 1980. COLLAZO, J. L: Diccionario enciclopédico de términos técnicos. Inglés-espaiol, espafiol-inglés, McGraw-Hill, México, 1980. 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Indice analitico Actuador, 191 Alimentacién, fuente de, 6-8 Ajuste, de intensidad, 14, 15 de tension, 14, 15 Amperimetro, 8 Amplificacion, 45, 46 Amplificador diferencial, 129, 130 estructura interna, 130-132 Analogica, 247 AND, 250, 257 Angulo, de conduccién, en el SCR, 99, 101 en el TRIAC, 110 de encendido, en el SCR, 99, 102 en el TRIAC, 110 ‘Anodo, del DIAC, 108 del diodo, 22 del display, 220 del LED, 220 del SCR, 81 del TRIAC, 106 Autopolarizado, 53, 54 Banda, ancho de, 13, 57 de conduccién, 28, 220 energética, 220 Base, 44 ‘comin, 58 UST, 91 Biestable, D, 282 JK, 282 RS, 282 T, 282 Bitonal, 177 Boole, Algebra de, 261 postulados, 261-267 teoremas, 267-269 Captador, 191 Cargas inductivas, en el SCR, 100 Casilla adyacente, 271 Catodo, del diodo, 22 del display, 220 del LED, 220 del SCR, 77 del TRIC, 106 Cebado o encendido, en el SCR, 83 Circuito de puerta, 6 Clases de precision, 4 Colector, comin, 59 Comparador, Togico, 280-282 Contador preseleccionable, 290 Conversién de datos, 276 Corte, 45 Cuadripolo, 57 Curie, punto de, 211 324 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS Decodificador, 276 Deflexién, en las placas del TRC, 9 placas de, 12 Demultiplexor, 276, 277 Descebado 0 bloqueo, en el SCR, 86-88 Desfase, 99 Detector, 197-198 DIAG, caracteristicas, 108, 109 jafragma, 194 Diagrama de bloques, 8 Digital, electronica, 247 polimetro, 5, 6 DIMMER, 110-114 Diodo, analisis, 21, 22 caracteristica tension-corriente, 23-24 IRED, 220 LED, 27, 220-222 TUNEL, 22 VARICAP, 22 verificacién ¢ identificacién, 27-29 ZENER, 22 Disparo, del SCR, 88 Display, 220 Doblador de tensién, 207 Doble constante, 113, Dual in line, 281 Efecto, avalancha, 38 Joule, 26 ZENER, 38 Eletroluminiscente, 217 Emisor, comin, 57 del UJT, 89 luminico, 217 ultrasonico, 207 Encapsulado, del SCR, 79 Error de paralelaje, 4, 5 Estabilizador, paralelo, 39 serie, 39 Extensimetro, 193 Factor, de forma, 31, 32 de rizado, 31, 32 Familias logicas, CMOS, 256-257 TTL, 254-256 Fase medida de, 18, 19 Fijador, 26, 27 Filamento, 10 Filtro, activo, 33, pasa alta, 33 pasa baja, 33 pasa banda, 33, pasivo, 33 Fluido, 193 Fotocélulas, 223 Fotodiodo, 219 Fotones, 219 Fotosensible, 217 Fototransistor, 219 Frecuencia, medida de, 3 Funcién, igualdad, 249 interseeci6n, 250-251 memoria, 282 NAND, 251-252 negacién, 251 NOR, 252 NOR-EXCLUSIVA, 252-253 OR-EXCLUSIVA, 252-253 union, 249-250 Funciones logicas, biisicas, 248-251 derivadas, 251-253 FUZZY, tecnologia, 247 Galvanica, separacién, 223 Ganancia, de intensidad, 57-59 de potencia, 57-59 de tension, 57-59 Generador de baja frecuencia, 8, 9 Germanio, 25 Graetz, puente de, 35 Histéresis, 111 Infrarrojo, 217, 222 Instrumento de laboratorio, 3 Interrupcién de haz ultrasénico, 206-207 Interruptor de proximidad, 200-203 Inversora OP-AMP, entrada, 128 Karnaugh, agrupacién, 271 mapas de, 271-272 normas de obtencién por, 273-274 reduccién grifica por, 271-275 LDR, caracteristicas, 217-218 LED, vida ail, 29, 220 Limitador, 25-27 Lissajous, método de, 15 Logica, cableada, 247 funciones, 248 programada, 247 Membrana, 193 Morgan, leyes de, 270 Multiplexor, 276-280 Multivibrador, biestable, 155 monoestable, 155 NPN, como transistor, 43 como transductor, 202-203 ‘Ondas ultrasénicas, 205 Optoacoplador, 222, 223, 226, 227 Optoaislador, 223 Optoelectrénico, 217 Oscilador, con PUT, 96 con UJT, 92 Osciloscopio, 8-9 ajuste del, 14 INDICE ANALITICO alimentaci6n del, 9, 13 amplificador horizontal del, 9, 13 amplificador vertical del, 9, 12 base de tiempos del, 9 caratula de la pantalla del, 16 entradas Xe ¥, 14 ‘TRC del 9-12 Pardmetros, ay B44 1,89 Piezoeléctrico, 206 PNP, como transistor, 43 como transductor, 202 Polarizacion, directa, 21 inversa, 21 Polarizar, 21 analdgico, 4 clases de precision del, 4 conversion D/A, 6 digital, 5 errores, 4, 5 fondo de escala, lectura, 4 sensibilidad, 4, $ visualizadores, 5 Presencia, control de, 203-204 Puerta, del TRIAC, 106 del SCR, 83 standar TTL, 255 Puertas logicas, ‘AND y NAND, 257 EXOR y N-EXOR, 258 NOT, 258 OR y NOR, 258 Q Punto de trabajo, 48, 49 Realimentacién, 50, 51 Receptor ultrasénico, 205 Rectificador, con filtro, 32 monofasico de media onda, 30, 31 monofasico de onda completa, 34, 35 puente, 35 326 PRACTICAS CON SISTEMAS ELECTRONICOS rendimiento del, 30-31 trifésico de media onda, 114 trifésico de onda completa, 116 trifésico semicontrolado, 118 Reflexion ultrasénica, 205-208 Rejilla, 10, 11 Relé, 226 Resistencia, de entrada, 57 de salida, 57 Restaurador, 26 Saturacion, 45 SCR, Angulo del, 99 caracteristicas del, 80, 81 control de ca con, 86 Sensibilidad, del polimetro, 4, 5 del transductor, 191 Sensor, 191 Semiconductor, diodo, 21, 22 extrinseco, 20 intrinseco, 20 tipos P y N, 20, 21 Silicio, 25 Sistemas digitales, combinacionales, 276-282 secuenciales, 282 SSI, circuitos integrados, 253 Tabla, de transicién, 291 de verdad, 248 Temporizador, 226 Tension, de pico, 18 de umbral, 23 eficaz, 18 medida con osciloscopio, 18 valor maximo de, 18 valor medio de, 18 valle, 91 Termistores, NTC, caracteristicas, 209 encapsulado, 210 PTC, caracteristicas, 210, 211 encapsulado, 212 Termopares, uniones de los, 212-213 Tiempo, medido con osciloscopio, 8, 9 Tierra virtual, 134 Tiristores, DIAG, 77, 108 SCR, 78 TRIAC, 77, 106 Transductores, de control de nivel, capacitivos, 196 mecénico-resistivos, 194 de luminosidad, 217 de medida de caudal, 193-194 de posicién, 199-200 de presién, 193 capacitivos, 193 extensimétricos, 193 de proximidad, capacitivos, 200-201 cilindricos, 201 inductivos, 200-201 orientables, 201 tipo NPN, 212-213 tipo PNP, 212-213 de reflexién ultrasénica, 205-208 de temperatura, 209-216 de velocidad, 199 Transistores, bipolares, 42 caracteristicas de los, 42 polarizacién de los, 48 PUT, 96 UST, 91 unipolares, 47 verificacion ¢ identificacién, 45 TRIAC, caracteristicas del, 106-108 cuadrantes del, 108 Unién, anédica, 79 catédica, 79 con polarizacién directa, 22 ‘con polarizacién inversa, 22 Valvula, 10 Variable logica, 248 Venturi, tubo de, 193-194 Visualizador de siete segmentos, 220 ‘Wehnelt, anillo de, 10, 11 INDICE ANALITICO. = 327 Wheatstone, puente de, 4 ZENER, caracteristicas del, 36 efecto, 38 estabilizador con, 39 verificacion e identificacién del, 39 Z, 62 Zp 8