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Fabricacin de Transductores Ultrasnicos para Equipos automatizados

de inspeccin de lneas de Tuberas

Centro de Ingeniera y Desarrollo Industrial (CIDESI); Quertaro, Mxico

Telfono: +52 442 2119800, Fax: +52 442 2119839; e-mail: crubio@cidesi.mx, obduliomarrero@gmail.com
Resumen
Actualmente la necesidad de satisfacer la inspeccin de grandes cantidades de lneas de tuberas, tuberas
enterradas y submarinas, han originado que la aplicacin de equipos Automatizados para inspeccin (PIG) sea
cada vez mayor. Estos equipos en muchas ocasiones estn expuestos a condiciones de presin y temperaturas
extremas (1500 psi y 60 C) [1], por lo que es necesario asegurar la integridad de cada uno de los componentes de
estos equipos durante su etapa de diseo. Un componente fundamental en el caso de los PIG de ultrasonido, son
los transductores, ya que son estos los encargados de la emisin y recepcin de las ondas con los que se toman
las mediciones. Existen en el mercado gran nmero de transductores, pero no todos soportan las condiciones
antes mencionadas y los que si lo hacen usualmente son de gran tamao lo que dificulta un arreglo
suficientemente compacto para ser acoplado en algunos equipos. En el ao 2008 se puso en marcha un proyecto
en CIDESI para el diseo y fabricacin de un Diablo Instrumentado, capaz de realizar mediciones de espesores y
deteccin de grietas por mtodos ultrasnicos en lneas de tuberas de 10 de dimetro, por tal motivo fue
necesario disear y fabricar transductores de ultrasonido, que fueran capaces de soportar las condiciones de
operacin del Diablo y ofrecieran una Excelente relacin de ganancia resolucin. El presente trabajo recoge toda
le experiencia y conocimientos adquiridos en el diseo y fabricacin de Transductores de ultrasonido.
Keywords: Transductores de ultrasonido, PIGS, Lneas de tubera, Diablos Instrumentados, Ultrasonido.

1. Introduccin
Los diablos instrumentados son dispositivos de inspeccin que se introducen en lneas de
tuberas de distribucin de hidrocarburos, son transportados por el mismo flujo del fluido y
durante su viaje efectan una inspeccin con tcnicas no destructivas de la sanidad estructural
del material de la tubera. Los diablos deben ser capaces de discernir y almacenar la
informacin adquirida durante el trayecto recorrido y una vez fuera del ducto, transferir tal
informacin a la computadora y al software de anlisis. La informacin adquirida est
relacionada con la sanidad del material as como con la posicin y orientacin del equipo. El
proceso de inspeccin va precedido de procesos de limpieza e inspeccin geomtrica. Los
diablos de limpieza son comerciales, simples y de bajo costo. Los diablos gemetra (o caliper)
se utilizan para evaluar los defectos geomtricos del ducto tales como ovalamientos, arrugas o
abolladuras, utilizan brazos flexibles como sensores. El objetivo de introducir un diablo
gemetra antes del instrumentado, es determinar si el diablo instrumentado puede viajar a lo
largo del ducto sin problemas. Los diablos ultrasnicos son normalmente para medicin de
espesores (haz recto) y deteccin de grietas (haz angular).
A fin de asegurar la integridad de cada uno de los componentes uno de los aspectos que se
deben de considerar durante el diseo de estos equipos son las condiciones de operacin, las
cuales en muchas ocasiones suelen ser extremas para algunos de los componentes, como es el
caso de la presin y temperatura para los transductores de ultrasonido. Las altas presiones
pueden causar un dao significativo a la mayora de a los transductores, ya que estos no
fueron diseados para soportarlas y colapsan ante las mismas. Por otra parte temperaturas
superiores a los 50 C pueden ocasionar la despolarizacin del elemento activo (cermica
piezoelctrica) ocasionando de igual manera un dao irreparable en los transductores de
ultrasonido. Si bien es verdad que existen transductores de ultrasonido capaces de soportar las

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Carlos RUBIO, Obdulio MARRERO

condiciones de operacin del Diablo (1500 psi y 60 C), las dimensiones de estos
transductores imposibilitaban un arreglo de ellos lo suficiente mente compacto como para ser
acoplado a un equipo para inspeccin de lneas de tuberas de 10 de dimetro. Es por todo
esto que se tuvo la necesidad de disear transductores de tamao reducido, capaces de
soportar las condiciones de operacin del Diablo y que sumado a ello ofrecieran un alta
sensibilidad y resolucin, siendo la sensibilidad el ms importante de estos ltimos dos
parmetros, debido a la prdida de energa del pulso ultrasnico emitido por diversos efectos
tales como; dispersin del haz en zonas corrodas o la atenuacin que pueda generar el medio
liquido (crudo o cualquier producto asociado) entre el transductor y el ducto, ya que el equipo
realizara mediciones mediante la tcnica de pulso eco por inmersin.
1.1 El transductor de ultrasonido
Un transductor es un dispositivo que puede convertir una forma de energa en otra, en el caso
de un transductor de ultrasonido convierte energa elctrica en mecnica en forma de onda y
viceversa, es por esta razn que la mayora de los transductores de ultrasonido pueden
utilizarse para aplicacin de pulso eco. La figura 1 muestra un esquema general de un
transductor de ultrasonido en la que se pueden observar las partes principales de mismo, las
cuales son las siguientes: Elemento activo o piezoelctrico, Backing o contramasa y Capa de
acoplamiento. La importancia y funcionamiento de ellas se explican a continuacin.

Conector
Cables
Sintonizador
Elctrico

Aislante
Backing o contramasa

Externo
Housing
Elemento activo

Electrodos

Capa de
acoplamiento

Fig. 1 Esquema y partes de un Transductor de Ultrasonido

El elemento activo o elemento piezoelctrico es el encargado de realizar la conversin

electromecnica, el cual est conectado elctricamente al exterior a travs de contactos
soldados en los electrodos que cubren al elemento piezoelctrico. Junto a dicho elemento, se
encuentran otros elementos no activos que determinan las caractersticas temporales de
emisin y/o recepcin. Estos elementos son el llamado Backing o contramasa y capa de
acoplamiento.
Estos sistemas mecnicos pasivos tienen como funcin realizar una asimetra de emisin, lo
cual se entiende de la siguiente manera. La placa piezoelctrica vibra, emitiendo energa

mecnica en ambos sentidos. Las aplicaciones prcticas, solo utilizan la emisin en una sola
de las caras. Con este fin se coloca la contramasa en la cara posterior que tiene como objetivo
fundamental absorber la energa mecnica en esa direccin y detener la oscilacin de la
cermica, originando un transductor con mayor resolucin.
La capa de acoplamiento por su parte tiene dos funciones, proteger el elemento activo y
asegurar una mayor transferencia de energa, esto ltimo se logra fabricndola de un material
con una impedancia acstica intermedia entre el elemento activo y el material sobre el cual se
espera utilizar el transductor.

2. Procedimiento experimental
2.1 Caracterizacin de cermicas piezoelctricas
Con el fin de conocer la frecuencia de mxima y mnima impedancia cada una de las
cermicas estas fueron caracterizadas con un impedancmetro digital marca Omicron Lab
modelo Bode 100, de esta forma se obtuvieron los grficos de resonancia de las cermicas
piezoelctricas. Posteriormente se dimensionaron y pesaron a fin de conocer su densidad. Con
esto se pudo estimar la frecuencia central de vibracin de cada una de ellas y la impedancia
acstica con la ecuacin (1) [2]. Esta etapa resulta fundamental en el proceso de fabricacin
por razones que se explicarn ms adelante.
(1)
donde:
Z= impedancia acstica.
v=velocidad de propagacin de onda en el material.
=densidad del material
2.2 Seleccin de materiales para Backing
Despus de realizar una investigacin referente a los materiales utilizados para la fabricacin
de Backing para transductores de ultrasonido, se seleccion polvo de Baquelita y resina
epxica para ser probados y seleccionar aquel que aseguraran una mayor transmisin de
energa de acuerdo a la ecuacin (2) [3]

(2)
donde:
Z1= impedancia acstica medio 1.
Z2= impedancia acstica medio 2.
T = coeficiente de transmisin de energa.
Esto se realiz de la siguiente manera:
1. Se fabricaron probetas de 31.71 mm de dimetro y altura variable con cada uno de
los materiales a fin de determinar su densidad y velocidad de propagacin de onda.
De esta forma se puede estimar su impedancia acstica mediante la ecuacin (1).
2. Posteriormente se pegaron a las cermicas para probar su capacidad de
amortiguamiento.

A medida que el material utilizado para el Backing tenga una impedancia acstica similar a
la del material piezoelctrico, mayor cantidad de energa ser transmitida hacia l, resultando
en un transductor fuertemente amortiguado que tendr una alta resolucin pero baja amplitud
de seal. Si por el contrario la diferencia entre las impedancias acsticas de estos elementos es
muy grande, mayor cantidad de energa ser reflejada hacia adelante, lo que resulta en un
transductor con una gran amplitud de seal y baja resolucin.

2.3 Seleccin de materiales para capa de acoplamiento

La seleccin del material para la capa de acoplamiento se bas en las propiedades acsticas
del material, por lo que se procedi de manera similar a lo explicado en la etapa (2.2)
exceptuando el inciso (2), es decir se fabricaron probetas de las dimensiones especificadas y
se caracterizaron acsticamente.
2.4 Fabricacin de Transductores de ultrasonido
Los transductores de ultrasonido fueron fabricados con cermicas de tipo piezocompuesto
PZT-5 (Plomo, Zirconio, Titanio) de de dimetro. La seleccin del dimetro del
transductor se tom a en base a la necesidad de lograr transductores lo suficientemente
pequeos que permitieran un arreglo de 100 transductores dentro del Diablo. En cuanto al
criterio para la seleccin del tipo de cermica, esta se bas en las especificaciones tcnicas
del fabricante para procurar que el transductor soportaras las temperaturas de operacin del
Diablo.
Para establecer el contacto elctrico entre la cermica y el exterior se utiliz hilo de cobre
esmaltado de 0.10 mm de dimetro aproximadamente, los cuales fueron soldados sobre los
electrodos del elemento piezoelctrico.
La unin entre el elemento piezoelctrico, el Backing y la capa de acoplamiento se logr
mediante el uso de pegamento, especficamente pegamento de tipo epxico.
La carcasa o Housing externo se fabric en acero inoxidable para brindarle al transductor
resistencia a la corrosin. El conector elctrico seleccionado es de tipo Microdot 10-32.
Sintonizacin de la capa de acoplamiento
Esta es la etapa donde se requiere un mayor cuidado en todo el proceso de fabricacin, la
sintonizacin del transductor debe hacerse meticulosamente, procurando no ajustar demasiado
la capa de acoplamiento.
La capa de acoplamiento debe tener un espesor de de la longitud de onda del material con
el que se fabric [4] en base a la frecuencia de oscilacin de la cermica (he aqu la
importancia de la etapa (2.1)). Esto se logra mediante un desbaste controlado de la misma una
vez que el transductor esta ensamblado, esto es: el desbaste de la capa de acoplamiento debe
hacerse en etapas y en cada etapa se debe observarse la forma del pulso y la curva de
impedancia del transductor, a medida que nos acercamos al espesor deseado, el grfico de
impedancia presenta desplazamientos y desaparicin de picos de resonancia, en cuanto a la
forma del pulso se observa que cada vez presentar una forma ms suave y con menos
distorsin. Finalmente cuando el transductor est sintonizado (se logro un espesor en la capa

de acoplamiento de de ) el grfico de impedancia slo debe presentar 2 picos de

resonancia, los cuales se deben a la frecuencia de mxima y de mnima impedancia de la
cermica con la que se fabrico el transductor, tal como se muestra en la Figura 2. Para esto se
utilizo una vez ms el impedancmetro digital Omicron Lab modelo Bode 100 y un
osciloscopio Digital.

a)

b)

Fig. 2 Imgenes de las curvas de impedancia obtenidas antes y despus del ajuste de la
capa de acoplamiento de un transductor de ultrasonido (curvas rojas magnitud y curvas
azules fase). (a) Antes del ajuste (b) una vez terminado el ajuste

2.5 Prueba de transductores fabricados en CIDESI a las condiciones de operacin del

Diablo
Una vez terminados los transductores, deban ser probados a las condiciones de operacin del
Diablo con el fin de asegurar su integridad, por esta razn fueron sometidos a pruebas
trmicas y de presin de la siguiente manera:
Pruebas trmicas
Los transductores fueron utilizados por inmersin tal como se observa en la figura 3, la
temperatura del medio se incremento en 5 C cada 15 min, desde los 23 C hasta los 66 C.
Una vez llegado a los 66 C se realiz una prueba de 8 horas ininterrumpidas a esta
temperatura, de esta manera se asegura la integridad de los transductores a la temperatura de
trabajo. La temperatura en el medio se mantuvo homognea mediante una bomba de agua.
Los datos fueron adquiridos con un emisor receptor de ultrasonido Marca Ultratek modelo
USB-UT350.

Fig. 3 Diseo experimental para pruebas trmicas de transductores fabricados en CIDESI

Pruebas de Transductores a altas presiones

Los transductores fueron sometidos a presiones hidrostticas que variaron desde 300 psi hasta
llegar a una presin de 1650 psi (el incremento fue de 50 psi en cada paso), en cada
incremento el transductor permaneci trabajando por periodos de una hora, excepto a la
presin de 1650 psi donde el transductor permaneci trabajando ininterrumpidamente por 3
horas. Esto se logr de la siguiente manera: gracias a una modificacin en un cilindro
hidrulico con una capacidad mxima de presin de 6000 psi fue posible acoplar los
transductores de ultrasonido al mismo, posteriormente se incremento la presin interna del
cilindro, sometiendo a su vez a los transductores a la misma presin dentro del cilindro, con
una tarjeta pulsador Marca Ultratek modelo USB-UT350 fueron obtenidos los datos de los
pulsos de los transductores.
Manmetro

Cilindro
Hidrulico
a)

b)
)

Transductor

Tarjeta
pulsador
a
Fig. 4 a) Diseo experimental
para pruebas presostticas de transductores fabricados en
CIDESI. b) Manmetro con el que se mide la presin dentro del cilindro

2.6 Comparacin entre transductores ultrasnicos fabricados en CIDESI y comerciales

Con el fin de obtener una estimacin de la calidad de los transductores fabricados en CIDESI
se estableci una comparacin de la longitud de pulso, ancho de banda (BW por sus siglas en
ingles), Amplitud y Relacin seal ruido (SNR por sus siglas en ingles). Todas las medidas se
realizaron segn lo especificado en la norma ASTM E 1065. El ancho de banda de un
transductor se calcula como se muestra a continuacin con la ayuda la ecuacin (3) y (4) [5].

Amplitud

(3)

Donde fc (frecuencia central) se puede

calcular de la siguiente manera:
(4)
Frecuencia (MHZ)

Fig. 5 Curva tpica de ancho de banda

para un transductor de ultrasonido

Para determinar la longitud de pulso de un transductor de ultrasonido se procede segn se

muestra en la Figura 6 [5], Se seleccionan los picos de mxima y mnima amplitud, a partir de
ellos con la ayuda de la ecuacin (5) se realiza una cada de amplitud de -20 dB y se trazan
lneas horizontales en los valores correspondientes a la cada de -20 dB. Por ltimo todo lo
que crucen estas lneas horizontales se consideran parte del pulso [5].
(5)
donde:
dB= Variacin de decibeles.
A1= Amplitud inicial.
A2= Amplitud final.

Fig. 6 Mtodo de cada de 20 dB para determinar la longitud de

pulso de un transductor de ultrasonido

La relacin seal ruido (SNR) de un transductor de ultrasonido es el nivel de amplitud que

separa la seal proveniente de un reflector con el ruidos de fondo y se calcula mediante la
siguiente ecuacin [6]
(6)

donde:
SNR = Relacin seal ruido.
Vseal= Amplitud de seal proveniente de un reflector.
Vruido= Amplitud de ruido de fondo.
Todos los datos obtenidos para esta comparacin se tomaron con los mismos parmetros de,
ganancia, frecuencia de repeticin de pulso (PRF) y Voltaje de excitacin, no se utilizo
ningn tipo de filtro ni amplificador.

3. Resultados y anlisis
En este captulo se presentan de manera resumida los resultados ms relevantes obtenidos en
cada una de las etapas del desarrollo experimenta (inciso 2. del presente trabajo), de igual
manera se discuten los resultados obtenidos en cada etapa.

3.1

Caracterizacin de cermicas piezoelctricas

En la tabla 1 se muestran los valores obtenidos para cada una de las cermicas utilizadas en el
presente trabajo, como se dijo en lneas anteriores las cermicas seleccionadas son del tipo
piezocompuesto PZT-5. El pesado de las mismas se hizo con una balanza de alta precisin, la
caracterizacin de las cermicas permiti conocer propiedades de gran importancia, como es
el caso de la impedancia acstica, la cual nos permite predecir qu materiales pudieran ser
utilizados en la fabricacin del transductor y cules no.
Tabla 1 Valores obtenidos para cermica PZT-5 de 5 MHz

En la figura 7 se observa un grfico de impedancia tpico de una cermica piezocompuesta,

este grfico corresponde a la cermica N (5) de las caracterizadas, ntese que el mismo posee
solo dos picos uno para la frecuencia de mnima impedancia y otro de mxima impedancia, lo
que indica que esta cermica solo tiene un modo de vibracin, se trata de el modo espesor.
Esta caracterstica de tener un slo modo de vibracin es lo que hace especial a las cermicas
del tipo piezocompuesta, ya que las mismas al estar embutidas en una resina amortiguan las
vibraciones en el llamado modo radial, el cual genera picos elctricos que se transforman
finalmente en ruido.

Fig. 7 Curva de impedancia de una cermica

piezocompuesta PZT-5 de 5 MHz
3.2

Seleccin de materiales para Backing

Despus de realizadas las pruebas se seleccion para la fabricacin de las contramasas polvo
de Baquelita, el cual posee una densidad de 1.4 g/cm3 (dato proporcionado por el fabricante),

dicho polvo fue sometido a un proceso de molienda obtenindose una granulometra

aproximada a los 60 m, posteriormente se introdujo en un molde y se logr la forma
compacta deseada para el Backing o contramasa por termo-endurecido. Una vez endurecido
este material tiene una impedancia acstica de 4.65*106 Kg m2/s y una velocidad de
propagacin de onda de 3000 m/s, este valor de impedancia acstica obtenido es cercano al
obtenido para la cermica piezoelctrica (13.855*106 Kg m2/s). En la figura 8 se puede
apreciar el efecto que tiene el Backing de Baquelita una vez unido a la cermica
piezoelctrica, se observa una disminucin en la amplitud de las frecuencias de mxima y
mnima impedancia una vez que el Backing est unido a la cermica, lo que se traduce en
un amortiguamiento en la oscilacin de la misma.

Fig. 8 Curva de impedancia de una cermica piezocompuesta

PZT-5 de 5 MHz con y sin Backing (curva azul cermica
sola, curva verde cermica con Backing)
Una vez obtenidos estos resultados tambin se fabricaron contramasas mezclando polvo de
tungsteno y polvo de Baquelita con la finalidad de obtener un material que ofreciera un mayor
amortiguamiento a la oscilacin del elemento piezoelctrico, lo que originara un transductor
de ultrasonido con mayor resolucin. Los resultados obtenidos con cada uno de estos
materiales se muestran ms adelante.
3.3

Seleccin de materiales para la capa de acoplamiento

El material seleccionado para la capa de acoplamiento en la fabricacin del transductor de

ultrasonido fue polvo de Baquelita. Este material fue seleccionado por las siguientes razones:
Dureza: una vez endurecido el polvo de Baquelita presenta una alta dureza, lo que lo hace
ideal para proteger el elemento piezoelctrico contra ralladuras o la erosin.
Qumicamente estable: la estabilidad qumica de este material nos permite asegurar que la
capa de acoplamiento no sufrir ningn tipo de corrosin, o reaccin con los medios que
estar en contacto.

Estabilidad trmica: la Baquelita es una resina Fenlica termo endurecida que adems posee
la caracterstica de ser termo fija, lo que asegura que la misma no sufrir ningn tipo de
cambio con la temperatura de operacin del diablo.
Propiedades acsticas: La impedancia de la Baquelita (4.65*106 Kg m2/s) es intermedia entre
la impedancia acstica de la cermica (13.855*106 Kg m2/s) y el agua (1.48*106 Kg m2/s) [2],
lo que nos asegura una buena transmisin de energa.
3.4
Prueba de transductores fabricados en CIDESI a las condiciones de operacin del
Diablo
Los resultados obtenidos en las pruebas a las cuales fueron sometidos los transductores con el
fin de comprobar si estos soportan las condiciones de operacin del Diablo se muestran a
continuacin:
Pruebas trmicas
Despus de someter los transductores a las pruebas trmicas antes mencionadas, se pudo
constatar que estos resisten las temperaturas de operacin del Diablo. Los transductores no
sufrieron ningn cambio permanente o temporal. La forma del pulso y el ancho de banda
permanecieron sin ningn tipo de alteracin. La figura 9 muestra la seal obtenida de un
transductor de 5.0 MHz fabricado en CIDESI durante su prueba a una temperatura de 60 C.

Fig. 9 Seal de un transductor de ultrasonido fabricado en

CIDESI trabajando a una temperatura de 60 C
Prueba de transductores a altas presiones
Los primeros transductores fabricados en CIDESI no resistan las presiones de operacin del
Diablo, los mismos colapsaban a presiones inferiores a los 800 psi. El problema radicaba en el
espacio ocupado por aire dentro del transductor en la parte posterior del Backing, ya que de
no existir algo que impida el desplazamiento de los elementos internos estos seden ante la
presin ocasionando que el transductor se descomponga. Una alternativa que dio buen
resultado fue rellenar este espacio con resina epxica, la cual una vez solidificada se torna en
un slido bastante resistente, este hecho sumado a la adherencia que forma con las paredes

internas de la carcasa del transductor debido a la naturaleza caracterstica de este tipo de

materiales, le otorga a los transductores una resistencia a la presin considerable.
La figura 10 muestra las seales obtenidas de un transductor sometido a presiones de 100 psi
y 1650 psi, se puede apreciar que no existe prcticamente ninguna variacin significativa en la
forma del pulso ni en el ancho de banda, las pequeas diferencias que existen se deben al
cambio de propiedades del fluido debidas a la presin interna. El transductor no sufri ningn
tipo de dao y mantuvo sus propiedades antes y despus de la prueba.

Seal obtenida
100 psi

Ancho de banda

Forma del Pulso

Seal obtenida
1650 psi

Ancho de banda

Forma del Pulso

Fig. 10 Caracterizacin de un transductor de ultrasonido 5.0 MHz fabricado

en CIDESI a presin de 100 psi y 1650 psi durante una prueba de presin

3.5

Comparacin entre transductores ultrasnicos fabricados en CIDESI y comerciales.

Los resultados de la caracterizacin de los transductores fabricados y los comerciales se

muestra a continuacin, posteriormente se muestra una tabla resumen con los datos ms
importante de cada uno de ellos con el fin de establecer comparacin entre el rendimiento de
los transductores comerciales y los fabricados en CIDESI. El transductor comercial
seleccionado para establecer la comparacin es un transductor de la marca Panametrics de
banda ancha de de dimetro y frecuencia de 5.0 MHz

Amplitud
Max

Amplitud
Min

Amplitud
Total
(Max-Min)
20

Longitud de
pulso
(-20 dB)
0.715 s

7.5100

12.4900

Resolucin
Max
(en Acero)

Ancho de
Banda
(-6db)

SNR
(Amplitud)

SNR
(dB)

2.10 mm

110.22 %

53.1902

34.5166

Forma de Pulso

Ancho de banda
Fig. 11 Caracterizacin transductor comercial de 5.0 MHz, Los datos mostrados
en los cuadros se desprenden de las grficas
La figura 11 muestra el pulso y el ancho de banda obtenido del transductor comercial, se
puede observar que la forma del pulso no presenta distorsin y que es un pulso de relativa
poca amplitud. Este transductor tiene buena SNR (34.51 dB) y un ancho de banda de 110.22%
lo que lo convierte en un transductor de banda ancha.

Amplitud
Max

Amplitud
Min

Amplitud
Total
(Max-Min)
139

Longitud de
pulso
(-20 dB)
1.47 s

63.0637

-75.9363

Resolucin
Max
(en Acero)
4.33 mm

Ancho de
Banda
(-6db)

SNR
(Amplitud)

SNR
(dB)

63.47 %

302.3549

49.6103

Forma de Pulso

Ancho de banda
Fig. 12 Caracterizacin fabricado en CIDESI de 5.0 MHz con Backing de
Baquelita, Los datos mostrados en los cuadros se desprenden de las grficas

Los resultados obtenidos en la caracterizacin del transductor de 5.0 MHz con Backing de
baquelita se observan en la figura 12, donde podemos observar que la forma de este pulso es
ms larga comparada con la del transductor comercial. El ancho de banda de este transductor
es de 63.47% (banda media) con una gran amplitud de seal, lo que lo convierte en un
transductor con alta sensibilidad.

Amplitud
Max

Amplitud
Min

Amplitud
Total
(Max-Min)
133

Longitud de
pulso
(-20 dB)
1.005 s

58.9426

-74.0574

Resolucin
Max
(en Acero)
2.95 mm

Ancho de
Banda
(-6db)

SNR
(Amplitud)

SNR
(dB)

124%

289.1304

49.2219

Forma del Pulso

Ancho de banda
Fig. 13 Caracterizacin fabricado en CIDESI de 5.0 MHz con Backing de
Baquelita y Tungsteno, Los datos mostrados en los cuadros se desprenden de las
grficas
Por ltimo se muestran los resultados obtenidos en la caracterizacin del transductor de 5.0
MHz con Backing compuesto (mezcla de polvo de baquelita y polvo de Tungsteno), en la
figura 13 se observa que se trata de un pulso corto, ligeramente mayor al del transductor
comercial. Este transductor posee un ancho de banda de 124% (Banda ancha) y una muy alta
amplitud de seal de pulso comparado con el transductor comercial, esto sumado a la buena
SNR que posee este transductor (49.22 dB) nos permite decir que es el transductor que
presenta una mejor respuesta de los tres, ya que posee un capacidad de resolucin similar a la
del transductor comercial y un gran sensibilidad.

Tabla 2 Cuadro comparativo entre las respuestas de un transductor

comercial y transductores fabricados en CIDESI, 5.0 MHz

Transductor
comercial 5.0
MHz
CIDESI Backing
con Tungsteno
5.0 MHz
CIDESI Backing
de Baquelita 5.0
MHz

Amplitud

Longitud de
pulso (s)

Resolucin
Max en Acero
(mm)

Ancho de
banda (%)

SNR (dB)

20

0.715

2.1

110.22

34.5166

133

1.005

2.95

124

49.2219

139

1.47

4.33

63.47

49.6103

Los resultados obtenidos demostraron la influencia que tienen los elementos principales de un
transductor (Backing, capa de acoplamiento y elemento piezoelctrico) en la respuesta del
mismo. Los transductores fabricados en CIDESI poseen una mayor relacin amplitud seal y
SNR comparados con el transductor comercial, sin embargo es este ltimo quien posee la
mejor resolucin de los tres. El transductor que logr una mayor amplitud de seal y SNR
(139 Mb y 49.61 dB respectivamente) fue el fabricado con un Backing nicamente de
Baquelita, sin embargo es el que tiene una longitud de pulso mayor, lo que se traduce en una
baja resolucin. Este tipo de transductor puede resultar ideal para aplicaciones donde el
material o el medio presente una alta atenuacin y la resolucin no sea de gran importancia.
Por otra parte prestando atencin a los valores obtenidos del transductor que se fabrico con un
Backing hecho a partir de una mezcla de polvo de Tungsteno y Baquelita, podemos decir que
es este el que mejor prestaciones ofrece de los tres, ya que tiene una alta amplitud de seal
(133 Mb) y una buena SNR (49.22 dB) sin sacrificar en gran medida la resolucin del mismo,
de hecho este transductor pose una longitud de pulso similar a la del transductor comercial
(1.005 s y 0.715 s respectivamente), ocasionando que estos dos tengan capacidades de
resolucin similares (2.95 mm y 2.1 mm respectivamente)

A)

B)

Fig. 14 Fotografa de un Transductor fabricado en CIDESI (A) y un transductor

Panametrics (B). Ambos de de dimetro y 5.0 MHz de frecuencia

4.

Conclusiones

El polvo de Baquelita mezclado con polvo de Tungsteno representa una gran alternativa para
la fabricacin de Backing en la construccin y diseo de transductores de ultrasonido, ya que
el mismo demostr tener una influencia positiva en la respuesta de los transductores.
Otro aspecto importante es el logrado desde el punto de vista de la aplicabilidad de los
transductores, especficamente en el incremento a la resistencia a la presin, ya que se pudo
demostrar el efecto que tiene no llenar el espacio ocupado por aire dentro de los transductores,
ya que de no hacerlo su resistencia a presiones externas se ve mermada significativamente.
Esto ltimo sumado a la estabilidad que presentaron a las temperaturas de funcionamiento del
Diablo, dan la posibilidad de que sean aplicados en el mismo.
Se pudo constatar experimentalmente la gran influencia que tienen los elementos no activos,
especficamente el Backing, en la respuesta de los transductores de ultrasonido.
Por ltimo, el presente trabajo representa la posibilidad a investigadores, inspectores y
personal ligado a los ensayos no destructivos la posibilidad de crear transductores de
ultrasonido para aplicaciones especiales.
Agradecimientos
Este trabajo fue financia por el proyecto QI-0038 del Centro de Ingeniera y Desarrollo
Industrial (CIDESI).

Referencias
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