Fsica de los Semiconductores

Introduccin a la Electrnica

Estructura atmica
De acuerdo al modelo mecanocuntico del tomo, existen niveles energticos
discretos en los cuales pueden residir los electrones.
o de estos niveles
ve es est representado
ep ese tado por
po un
u conjunto
co ju to de nmeros
e os
Cada uuno
cunticos:

n = nivel principal
l = subnivel azimutal (0, 1, 2, 3)

m = momento magntico
s = spin (sentido de giro)
Principio de Exclusin de Pauli: 2 electrones no pueden tener el mismo
nmero cuntico (n,l,m,s).
Introduccin a la Electrnica

Estructura atmica del Si

El silicio tiene nmero atmico 14; es decir que posee 14 electrones.
Distribucin de electrones:

Orbital 1s 2
Orbital 2s 2
Orbital 2p 6
Orbital 3s 2
Orbital 3p 2

Electrones de valencia (nivel de energa 3) 4

Los electrones de valencia son los que con la menor energa posible pueden
abandonar el ncleo al que pertenecen, y por ende forman enlaces covalentes
o inicos con los tomos que estn alrededor.
Introduccin a la Electrnica

Estructura atmica del Si

De acuerdo a las posibles combinaciones de nmeros cunticos, la cantidad
mxima de estados por subnivel es:
s 1 2 electrones
s=1
p=2 6 electrones
d=3 10 electrones

Observando la estructura del tomo de Si, se nota que el ltimo subnivel est
incompleto. Esto origina la posibilidad de enlaces covalentes con tomos
vecinos.
Existe la posibilidad que un electrn cambie su nivel energtico. Para esto
debe ganar o perder energa, lo cual puede producirse por agitacin
trmica o impacto de un fotn (dualidad onda-corpsculo).

Introduccin a la Electrnica

Bandas de Energa
g
El tomo aislado posee niveles de energa discretos donde pueden residir los
electrones.
o a est
estructuras
uctu as cristalinas,
c sta as, hay
ay interaccin
te acc entre
e t e los
os campos
ca pos elctricos
e ct cos
Al formar
de los tomos vecinos, y debido al principio de Exclusin de Pauli, los niveles
de energa cambian ligeramente dentro del cristal, formando entonces bandas
de energa :

Introduccin a la Electrnica

Modelo de Enlace

Modelo de enlace del silicio:

Representacin
R
i en 2D

Cada par de lneas indica el

enlace entre 2 tomos.
Modelo simplificado (no cuntico)
Ion de Silicio con carga +4q
A 0K se comporta como aislante pues
no hay electrones libres
libres. Todos los enlaces
estn completos.

Introduccin a la Electrnica

Electrones y Huecos
A mayor temperatura se producen vibraciones
en la red cristalina que pueden dar como
resultado que algunos electrones de valencia
rompan el enlace (generacin trmica) y pasen
a la banda de conduccin, transformndose en
portadores.
q se
Esto hace qque existan electrones libres que
desplazan dentro del cristal
Los electrones dejan puestos vacantes que
sern cubiertos por otros electrones en
movimiento lo cual se puede pensar como
movimiento,
una vacante mvil llamada hueco.

Introduccin a la Electrnica

Generacin y Recombinacin
Los electrones pueden moverse de la banda de valencia a la de conduccin
u da e ta e te por
po agitacin
ag tac trmica
t ca e impacto
pacto con
co fotones.
oto es.
fundamentalmente
Tasa de generacin total:
G = Gth(T) + Gop [1/cm3*seg]

Recombinacin es el p
proceso de balance natural p
por el cual los enlaces
incompletos por los electrones que abandonan los tomos son
reconstituidos.
R = k*(n*p)
[1/cm3*seg]
En
E condiciones
di i
ambientales
bi
l constantes ((temperatura, radiacin
di i
ptica,
i
campos elctricos) se cumple:
G=R

La recombinacin puede ser trmica (calentamiento cristal) u ptica

(emisin de fotones en GaAs).
Introduccin a la Electrnica

Silicio intrnseco
Densidad atmica del Si: 5x1022/cm3
Concentracin electrones de valencia: 2x10233/cm3
En el silicio intrnseco en condicin de equilibrio trmico n = p
n0*pp0 = n02 = p02 = ni2(T)
ni(T) = concentracin intrnseca = 1010 [1/cm3] a 27C
ni(T) se duplica cada 10C
ni2((T)) = 1020 [[1/cm
/ 3]

Relacin portadores a 27C respecto a densidad atmica = 2x10-13 Sin

uso prctico
Introduccin a la Electrnica

Dopado
p
Dopado
Se agregan impurezas ya sea del grupo III o grupo V
Se incrementa la cantidad de huecos o electrones disponibles
Donantes
D
(V)
(V): F
Fsforo
f
(P),
(P) Arsnico
A i (As),
(A ) Antimonio
A i
i (Sb)
Aceptores (III): Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga), Indio (In)
p
bajo:
j 1 en 5000.000.000 ((1013 [[1/cm3])
Dopado
Dopado alto: 1 en 5.000 (1019 [1/cm3])

Introduccin a la Electrnica

Dopado
p
((donantes))
Al utilizar elementos del grupo V, 4 de los 5 electrones de valencia forman
enlaces con los tomos vecinos de silicio. El 5 electrn queda dbilmente
ligado al tomo donante y puede moverse fcilmente, dejando un in
positivo +q

Introduccin a la Electrnica

Dopado
p
((donantes))
El semiconductor dopado sigue manteniendo su neutralidad elctrica:
q*(p0-n0+ND+) = 0
ni2/n
/ 0-n0+ND = 0
2

4n
ND ND
n0

1 i2
2
2
ND

Como ND >>ni
n0 ND
La generacin trmica de electrones se puede despreciar.
La concentracin de electrones es igual a la cantidad de tomos donantes.
La concentracin de
d huecos
h
es:
p0 = 1020/ND [1/cm3]

Material tipo N. Los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos
los minoritarios.
minoritarios
Introduccin a la Electrnica

Dopado
p
((aceptores)
p
)
Al utilizar elementos del grupo III, los 3 electrones de valencia forman
enlaces con los tomos vecinos de silicio. Sin embargo queda una vacante
que puede ser llenada fcilmente por un electrn. El hueco puede as
moverse, dejando
d
d un in negativo q.

Introduccin a la Electrnica

Dopado
p
((aceptores)
p
)
El semiconductor dopado sigue manteniendo su neutralidad elctrica:
q*(p0-n0-NA-) = 0
ni2/n
/ 0-n0-N
NA = 0
NA NA
p0

2
2

4n
1 i2
NA

Como NA >>ni
p0 NA
La generacin trmica de electrones se puede despreciar.
La concentracin de huecos es igual a la cantidad de tomos donantes.
La concentracin de
d electrones
l
es:
n0 = 1020/NA [1/cm3]

Material tipo P. Los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones
los minoritarios.
minoritarios
Introduccin a la Electrnica

Dopado
p

Introduccin a la Electrnica

Densidad de estados
Existen bandas de energa permitidas (valencia conduccin). Las bandas
contienen tantos estados de energa como 4*N tomos contenga el cristal;
pero en realidad existe una distribucin de niveles que vienen dadas por:

h = 6.62x10-34 [J seg]
gc y gv son las densidades de estados para cierto nivel de energa E.
m*n y m
m
m*p son las masas efectivas de electrones y huecos (equivalente clsico
de un fenmeno cuntico).
Introduccin a la Electrnica

Distribucin de Fermi
La ocupacin de los diferentes estados energticos obedece una ley
probabilstica:

k = cte Boltzmann = 8.62x10-5 [ev/K]

EF = Nivel de Fermi
Introduccin a la Electrnica

Factor de ocupacin
p
La distribucin de portadores o factor
de ocupacin ser:
n gc(E)*f(E)
p gv(E)*(1-f(E))
Dependiendo del dopaje del
semiconductor, el nivel de energa de
Fermi se ubica cerca de la banda de
conduccin o cerca de la banda de
valencia

Introduccin a la Electrnica

Velocidad de desplazamiento
p
A temperatura ambiente, los electrones y huecos en el silicio se mueven
aleatoriamente, a una velocidad llamada velocidad trmica. Vte107 [cm/seg]
(1/3000 de c).
En su movimiento los electrones y huecos chocan entre s, o con la superficie
del material, o son capturados por tomos ionizados.
Tiempo de colisin promedio: c = 0.1pseg.
Trayectoria
y
libre promedio:
p
= c x Vte = 10nm

Introduccin a la Electrnica

Velocidad de desplazamiento
p
En equilibrio trmico, los huecos y electrones no
tienen movimiento neto dentro de la red cristalina; es
decir que la posicin de los mismos no cambia en
el tiempo.
Esto es vlido siempre que no haya campos elctricos
aplicados: E = 0
Se cumple que:

x
x

f1

xi x f 2 xi x f 3 xi
3

0
Introduccin a la Electrnica

Velocidad de desplazamiento
p
La situacin es diferente si hay un campo elctrico
aplicado.
Notacin: E>0 en sentido de crecimiento del eje x.
El movimiento neto ahora no ser nulo debido a la
presencia de E

x
x

f1

xi x f 2 xi x f 3 xi
3

Los electrones sern atrados hacia el potencial (+)

del campo elctrico

Introduccin a la Electrnica

Velocidad de desplazamiento
p
Velocidad de desplazamiento de electrones:
vdn

x
t

0 si E 0

vdn n*E
n = movilidad del electrn [cm2/V seg]
La movilidad depende de la temperatura y del dopado que tenga el
semiconductor.
La movilidad disminuye con el aumento de la temperatura debido a la
agitacin trmica que provoca mayores colisiones, disminuyendo c
vdp p*E
Introduccin a la Electrnica

Movilidad a Tamb

Introduccin a la Electrnica

Velocidad vs E

Introduccin a la Electrnica

Corriente de desplazamiento
p
Los portadores se desplazan a lo largo del semiconductor, al aplicar un campo
elctrico externo.
p y los electrones en sentido
Los huecos se mueven en direccin al campo
inverso.
Este movimiento o transporte de cargas genera una corriente de
desplazamiento a travs del semiconductor.
Se cuantifica
ntifi con
on un
np
parmetro
rmetro llllamado
m do Densidad de Corriente J.
J

Jpdr

Jndr

Introduccin a la Electrnica

Densidad de corriente desplazamiento

p
Clculo de J para huecos:

Clculo de J p
para electrones:

Introduccin a la Electrnica

Ejemplo
j p
Dibujar J en funcin del campo elctrico para un trozo de silicio de tipo N,
dopado con ND = 1017 [1/cm3]. Considerar Tamb = 27C.
Para campos
p elctricos chicos,, es vlido:
J ndr qn n E ( vdn vsat )

n = Nd
La saturacin ocurre para E 104 [V/cm]
n 800 [cm2/VSeg]
J = 12,8 E [A/cm2]
Jmax 128
128 [kA/cm
[kA/ 2]
Imax = 32 [mA]
Vmax = 104[V/cm]*1[m] = 1[V]
Imax (huecos) = 480 [pA]

OJO

Introduccin a la Electrnica

Resistencias integradas
g

Trozo de silicio dopado N o P con

contactos metlicos y potencial elctrico
aplicado.
Campo elctrico (en la direccin de x)
dentro del silicio:
E = V/L [V/cm]

Densidad de corriente de desplazamiento

originada por este campo elctrico:

La corriente circulante vendr dada por el producto de J y el rea transversal:

Introduccin a la Electrnica

Resistencias integradas
g
Por ende la resistencia del material semiconductor es:

Al p
primer trmino se lo conoce como resistividad () [cm]
[
]

Para dopajes N entre 1013 y 1019 [1/cm3] se logran resistividades entre 500
[cm] y 5 [mcm ] (cobre = 1,7 [cm ])

Introduccin a la Electrnica

Difusin
Es el proceso natural en el cual la existencia de un gradiente provoca una
accin tendiente a anularlo.
An en ausencia de un campo elctrico, los portadores se mueven hacia
regiones de menor concentracin.
Este movimiento establece una circulacin de corriente adicional al proceso de
despl z miento
desplazamiento.
Esta corriente existir hasta tanto no se logre la uniformidad.

Introduccin a la Electrnica

Densidad de corriente de difusin

Cuanto mayor sea la no uniformidad en la concentracin de portadores, mayor
ser la corriente resultante:
Si cada portador tiene una carga q y el semiconductor tiene una seccin
transversal A, tendremos:
Dn = cte de Difusin [cm2/Seg] para electrones. Dp para huecos.
Dn = 34 [cm2/Seg] y Dp = 12[cm2/Seg] para silicio intrnseco.
intrnseco
Normalizando respecto al rea transversal:

Introduccin a la Electrnica

Convencin de signos
g

Introduccin a la Electrnica

Relacin de Einstein
Los coeficientes de difusin dependen del dopaje del semiconductor y
temperatura, pues son funcin del tiempo de colisin (c) y de la trayectoria
libre promedio ().
Existe una relacin que los une con los coeficientes de movilidad, llamada
Relacin de Einstein:

k = Cte Boltzmann = 1.38x10-23 [J/K]

El coeficiente de difusin puede obtenerse a travs de la movilidad.
La relacin kT/q se la conoce por definicin como Tensin trmica
q
(V
( th) y su valor es de 26mV a temperatura
p
ambiente.
equivalente
Introduccin a la Electrnica

Densidad de corriente total

Los huecos y electrones se desplazan debido a la presencia de un campo
elctrico y se difunden por gradientes en la concentracin.
La densidad de corriente total en un semiconductor ser la suma de las 4
componentes:

Introduccin a la Electrnica