FASES DEL PROCESO DE

FABRICACION

Ing JULIO GONZALEZ PRADO

Foundry
Es donde las obleas ( WAFER) se
procesan para formar a los CI
Tienen salas de computo para CAD y
de laboratorio para testeo, hornos en
salas con condiciones ambientales
especiales para evitar contaminantes
que daen el proceso
Tecnologias CMOS, BIPOLAR, BICMOS, GaAs.
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Servicios de la Foundry

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Donde se fabrica el IC

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la oblea
Son de 3 a 8 pulgadas de diametro
actualmente de 12
Su espesor es de 15 mil despues que
ha sido pulida qumicamente
Se le introduce en hornos de 1000C
con oxigeno de alta pureza para
formar una capa de dioxido de silicio

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la oblea

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Fbrica con Proceso CMOS

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INTRODUCCION
Se parte de un sustrato (Oblea)
dopado ligeramente de tipo P.
La superficie se somete a un
ambiente rico en Oxigeno para crear
una capa de Oxido (SiO2) que la
protege.

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Proceso Inicial
Dioxido de silicio SiO2

Substrato bulk
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Proceso de Oxidacin

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FASE 1: IMPLANTACION DE POZOS N

FASE 1: IMPLANTACION DE POZOS N:
Por un proceso fotolitogrfico se
genera una mascara para proteger las
regiones del Pozo N y se procede a la
implantacin de Alta energa de
Arsnico (As).

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Capa Fotoresistiva
CAPA FOTORESISTIVA

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Exposicin a La Luz UV
MASCARA
PARTE NO
EXPUESTA

LUZ UV

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Fotolitografa
Usando tcnicas de fotogrfia pero de
mas alta precisin, se imprime sobre
la capa sensibilizada una forma
geomtrica especfica usando luz
ultravioleta

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Fotolitografa

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FASE 1: IMPLANTACION DE POZOS N

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FASE 2: IMPLANTACION DE POZOS P

FASE 2: IMPLANTACION DE POZOS P:
Se genera otra mascara para
implantar el material tipo N para lo
cual se utiliza BORO. Esta mascara es
el complemento de la anterior.

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Dopado por implantacin

inica

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Dopado por implantacin

inica

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FASE 2: IMPLANTACION DE POZOS P

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Transfiriendo el Layout del CI

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FASE 3: CREACION DE LA MASCARA

DE Si3N4
FASE 3: CREACION DE LA MASCARA DE
Si3N4 : Se procede a proteger las regiones
activas mediante una mascara de Si3N4
(Nitruro de Silicio), utilizando las mascaras
de reas activas. Se procede a la
implantacin con Boro (tipo N) para formar
las regiones channel-stop que delimitan el
canal en los transistores NMOS. Se hace
crecer una capa de Oxido Grueso (FOX) y
se provoca la difusin profunda del pozo P.
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Implante Inico

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Horno de
Difusin

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Region Dopada

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FASE 3: CREACION DE LA MASCARA

DE Si3N4

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Vista tridimensional de la interconeccin en un

circuito integrado donde se ha retirado las
diferentes capas de oxido

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FASE 4: FORMACION DE LAS

PUERTAS DE POLISILICIO
FASE 4: FORMACION DE PUERTAS DE
POLISILICIO: Se hace crecer una capa de
oxido fino sobre las reas activas. Se
deposita una capa global de POLISILICIO
(mediante deposicin de vapor qumico) y
se ataca mediante fotolitografia para
obtener una capa de POLISILICIO. Se
elimina el Oxido fino que no queda cubierto
por polisilicio y la estructura que queda
constituye la puerta de los transistores
PMOS y NMOS.
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FASE 4: FORMACION DE LAS

PUERTAS DE POLISILICIO

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FASE 5: IMPLANTACIONES N+

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FASE 6: IMPLANTACIONES P+
FASE 6: IMPLANTACION P+: CON
SUS RESPECTIVAS MASCARAS: La
puerta de Polisilicio acta como
mascara fsica no permitiendo la
implantacin a travs de ella,
logrndose efecto de alineacin.

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FASE 6: IMPLANTACIONES P+

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FASE 7: PERFORACIONES EN EL
OXIDO
FASE 7: PERFORACIONES EN EL
OXIDO: Una vez formados los
transistores, se cubre toda la oblea
con una capa de oxido depositado (a
baja temperatura). Con una mascara
se procede al ataque selectivo para
obtener perforaciones controladas
que permitan establecer los contactos
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FASE 7: PERFORACIONES EN EL
OXIDO

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FASE 8: PRIMER NIVEL DE

METALIZACION
FASE 8: PRIMER NIVEL DE
METALIZACION: Se cubre la oblea
con una capa de Al y se ataca con
proceso fotolitografico para obtener el
trazado del primer nivel de
metalizacin.

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FASE 8: PRIMER NIVEL DE

METALIZACION

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FASE 9: PERFORACIONES DE VIA

FASE 9: PERFORACIONES DE LA VIA:
Se ubican las vas de contacto
externo

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FASE 9: PERFORACIONES DE VIA

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FASE 10: SEGUNDO NIVEL DE

METALIZACION
FASE 10: SEGUNDO NIVEL DE
METALIZACION: Se aplica para ubicar
los terminales Vdd y GND.

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FASE 10: SEGUNDO NIVEL DE

METALIZACION

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FASE FINAL
FASE FINAL: Se aplica una proteccin
de pasivacion (mascara de
pasivacion) que es una capa de Oxido
superior.

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FASE
FINAL

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Deposicin dielctrica y metalizacin

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Prueba elctrica

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Que significa este

Servicio con la Foundry
Toma mas de 100 pasos para construir al
IC
esto equivale de formar de 8 a 20 capas en
la oblea
Todo este proceso hasta obtener el CI
toma de 10 a 30 das fuera de la cola que
debe hacer su pedido hasta que pueda ser
procesado
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Empaquetamiento del producto

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Surface Laminar Circuit

dan reduccin de area y diametro, de
dos a tres veces menor obteniendo
encapsulados que logran exceder los
1,000 pines de I/O
Unidos por finos cables de oro con
pads para contactos, espaciados
cada 60 micrones

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Surface Laminar
Circuit

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Nuevos Materiales
Uso del Al subtractivo por mas de 30 aos
para conectar dispositivos en un CI, ahora
se usa Cu aditivo damascene con grosores
de 270-810nm
15% mas en velocidad
Hasta un 30% de ahorro en costo por
cableado y de 10 a 15 % por toda la oblea.
Los ahorros estimados antes eran de 3 %

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Nuevos
Materiales

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