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DEPARTAMENTO DE BIOINGENIERIA
ACADEMIA DE BIOINGENIERIA
Elaborado por:
M. en C. Engelbert Eduardo Linares Gonzlez
PLAN 2006
INDICE
Indice
Prologo
13
22
27
36
42
49
56
66
74
APENDICES
75
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
PROLOGO
El presente manual de prcticas correspondiente a la asignatura terica practica
de Electrnica I plan 2006, comprende la cantidad de nueve prcticas y un
proyecto final definido como practica diez que corresponden al curso de un
semestre de la materia.
Estos ejercicios fueron clasificados como bsicos y describen la operacin de los
elementos electrnicos usuales, las prcticas presentan la operacin y diseo en
ciertas condiciones de trabajo, los dispositivos y la de aplicacin corresponden
tanto a la utilizacin de los dispositivos en prototipos elementales que
ejemplifican el uso de estos, as como a la presentacin de un proyecto personal a
desarrollarse en las ltimas sesiones del laboratorio.
Bajo lo anterior descrito, este manual completa la serie de actividades tericopracticas que proporcionan al alumno de la materia de Electrnica I, las
habilidades necesarias para el manejo de los dispositivos electrnicos ms usuales
en el rea de la Ingeniera en Biomdica.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCIN
Unas cuantas dcadas que han seguido a la introduccin del transistor, hacia finales de
los aos cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la
electrnica. La miniaturizacin que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus
alcances. Sistemas completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces
ms pequea que un solo elemento de las redes iniciales. El tipo ms simple de
dispositivo constituido como un semiconductor es el diodo que desempea un papel
importante en los sistemas electrnicos; Con sus caractersticas que son muy similares a la
de un interruptor, aparece en una amplia variedad de aplicaciones que van desde las ms
sencillas a las ms complejas.
El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos
de la misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante tcnicas especiales. En el
momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la regin de
la unin se combinan, dando por resultado una falta de portadores en la regin cercana a
la unin. A esta regin de iones positivos y negativos descubiertos se le llama regin de
agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de unin, debido a la disminucin de
portadores en ella.
ANODO
CATODO
---------------------->
Figura 1.
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ID= IS [ e KV/T- 1]
ID: es la corriente en el diodo, medida en amperes.
IS: es el valor de la corriente de saturacin inversa, es del orden de los nanoamperes o de
microamperes.
K: es una constante que depende tambin del material del dispositivo, 11600/ con =1
para Ge y =2 para Si.
T: es la temperatura ambiente expresada en K, (K = C + 273).
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
MATERIAL
1 Resistor de 1 K a 1/2 W.
Generador de seales.
Osciloscopio.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. IDENTIFICACIN DE TERMINALES Y PRUEBA DE DIODOS.
a) Por observacin, identifique el nodo y Ctodo de los distintos diodos que esta
utilizando, dibuje y anote sus observaciones.
b) Empleando un MULTIMETRO ANALGICO, como primera prueba, en la
funcin de OHMS compruebe el inciso anterior, conectando el ohmetro en los
extremos del diodo en polarizacin directa y polarizacin inversa, como se indica
en la figura 1, reportando en cada caso la resistencia medida:
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
Figura 2.
b) Partiendo de cero volts, aumente gradualmente la tensin de la fuente V1 en
incrementos de 0.1 volts hasta que el diodo alcance su voltaje de conduccin,
anote los valores de VD e ID, en la tabla 1.
TABLA 1
ID
mA
VD
VOLTS
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VOLTMETRO
XMM2
AMPERMETRO
XMM1
D1
V1
12 V
R1
1.0k
Figura 3:
TABLA 2
ID
mA
VD
VOLTS
e) Repita el inciso b y c, empleando el Diodo Emisor de Luz (LED), como se muestra
en la figura 3 y anote las mediciones en la tabla 3.
Figura 3.
TABLA 3
ID
mA
VD
VOLTS
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
AMPERMETRO
XMM1
VOLTMETRO
XMM2
P1
10 K
1
4
50%
D1
V1
8V
R1
1.0k
Figura 4.
h) Ajuste el valor de la fuente de alimentacin a 8 Volts y utilizando la resistencia
variable de 10K, ajuste esta resistencia desde su valor mximo hasta un valor en
el que se puedan obtener valores de corriente ID.
i)
Obtenga los diferentes valores de voltaje en las terminales del diodo al variar la
resistencia, hasta obtener valore de la tensin de conduccin, registre los valores.
EXPERIMENTO 3. CARACTERIZACIN DE UN
POLARIZACIN INVERSA.
DIODO ZENER EN
R1
VOLTMETRO
XMM2
1.0k
V1
D1
Zener
15 V
0
Figura 5.
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Voltaje de fuente V1
VAB
0.0
2.0
6.0
7.0
10.0
IDmA
RZ
2.0
5
10
20
30
40
50
60
d) Para cada valor de VAB y su correspondiente ID, calcule la resistencia RZ del diodo
( RZ = VAB/ID ), anote sus resultados en la columna correspondiente.
EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIN
POLARIZACIN DIRECTA
DE
UN
DIODO
ZENER
EN
R1
VOLTMETRO
XMM2
1.0k
V1
Zener
D2
15 V
Figura 5
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los 15 volts, obtenga los valores VAB indicados en la parte superior de la tabla 5,
anote los valores de corriente ID correspondiente a cada valor de voltaje VAB
indicadoy obtenga el valor de la resistencia del diodo RZ.
TABLA 5
VAB
I mA
RZ
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
c) Grafique la resistencia del diodo en funcin del voltaje tanto para la configuracin
de polarizacin Directa como en polarizacin Inversa.
EXPERIMENTO 5.
CARACTERISTICAS DEL DIODO DE GERMANIO EN FRECUENCIAS ALTAS.
a) Utilice el diodo de Germanio y construya el circuito que se muestra en la figura 6.
OSCILOSCOPIO
XSC1
GENERADOR DE
SEALES
XFG1
G
T
R1
220
6
Figura 6.
b) Ajuste la salida del generador a una seal senoidal de 5 VPP, partiendo de 10 Hz,
realice incrementos en la frecuencia hasta un maximo de 20 MHz.
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CUESTIONARIO
1. Qu son los materiales semiconductores intrnsecos y extrnsecos?
2. Qu significa polarizacin directa y polarizacin inversa de un diodo?
3. Cul es la importancia de los semiconductores?
4. Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.
5. Explique qu pasa si se aumenta el voltaje de polarizacin inversa a un diodo
semiconductor y se tiene una sobrecarga.
6. Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente.
7. Describa el comportamiento de un diodo ideal
8. Explique cmo afecta la temperatura a un material semiconductor.
9. Explique que es la regin ZENER.
10. Qu es resistencia esttica y resistencia dinmica?
11. Describa la electroluminiscencia en un LED.
12. Cuales son las diferencias entre un diodo de germanio y un diodo de silicio.
13. Explique la respuesta de conduccin de corriente de un semiconductor sujeto a
frecuencias altas.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
12
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
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M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
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Existen tres configuraciones bsicas de rectificadores que son las siguientes: media onda;
onda completa con derivacin central y onda completa.
Diodo Zener.
El diodo tener es un dispositivo donde la contaminacin se realiza de tal forma que la
tensin caracterstica de ruptura o avalancha, Vz, es muy pronunciada, si la tensin en
inverso excede la tensin de ruptura, el diodo normalmente no se destruye, esto siempre
que la corriente no exceda un mximo predeterminado y el dispositivo no se
sobrecaliente.
Cuando un portador generado en forma trmica atraviesa la barrera de la unin y
adquiere energa del potencial aplicado, el portador choca con iones en el cristal e imparte
suficiente energa para romper un enlace covalente, adems del portador original se
genera un nuevo par electrn-hueco que puede tomar suficiente energa del campo
aplicado para chocar con iones en otro cristal y crear nuevos pares electrn-hueco, esta
accin continua y as se rompen los enlaces covalentes; este proceso se conoce como
multiplicacin por avalancha o ruptura por avalancha.
La caracterstica de un diodo Tener tpico se muestra en la figura 1, el smbolo de circuito
para el diodo tener es diferente del de un diodo regulador y se ilustra en la figura 2, la
mxima corriente inversa IZmx, que puede soportar el diodo depende del diseo y la
construccin de este, la corriente de prdida (IZmin) por debajo del vrtice de la curva
caracterstica generalmente se supone que es 0.1 IZmx, la utilizacin de Izmir asegura que
la curva de avalancha permanezca paralela al eje iD entre IZmax e Izmir, la cantidad de
potencia que el diodo puede soportar es PZ=IZmaxVZ.
Figura 1.
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MATERIAL
Osciloscopio.
Multmetro.
Puntas de prueba.
Generador de seales.
Fuente de voltaje.
1 Clavija.
1 Transformador de 120 VCA a 12VCA 18VCA en el secundario con derivacin
central a 500 mA.
Un puente rectificador a 1 A.
6 Diodos 1N4004.
2 pares de Diodos zener para 3, 9 y 12 volts.
1 Capacitor de 1000 F a 25 V.
2 circuitos integrados LM7812 o LM7808 con hojas de caractersticas.
Resistencias varias, mayores a 1K.
Tablilla de experimentacin (protoboard).
DESARROLLO
EXPERIMENTO 1.
EL DIODO SEMICONDUCTOR COMO RECTIFICADOR DE ONDA.
a) Arme el circuito rectificador de media onda que se muestra en la figura 1.
Figura 1
b) Con en osciloscopio mida la seal de salida en la resistencia de carga y dibuje la
forma de onda, adems, observe la forma de onda en el diodo y dibjela.
c) Con el voltmetro, primero en modo de CD y despus en modo de CA, medir el
voltaje de salida entre los puntos A y B.
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EXPERIMENTO 2.
a) Armar el circuito rectificador de onda completa de la figura 2, empleando la
derivacin central del transformador.
Figura 2
b) Con en osciloscopio, medir la seal de voltaje de salida en los puntos A y B en la
resistencia de carga y dibujar la forma de onda resultante.
c) Con el voltmetro, primero en modo de CD y despus en modo de CA, medir el
voltaje de salida entre los puntos A y B.
d) Repetir los procedimientos b) y c), polarizando los diodos inversamente.
EXPERIMENTO 3.
PUENTE RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA
a) Armar el circuito rectificador de onda completa que se muestra en la figura 3.
Figura 3
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EXPERIMENTO 4.
a) Utilizando las hojas de datos tcnicos de fabricacin, identificar las terminales del
puente rectificador, dibuje e indique a que polaridad corresponde cada terminal,
agregue al circuito rectificador de voltaje el capacitor (Filtro), teniendo cuidado de
respetar la polaridad de las terminales, como se muestra en la figura 4.
Figura 4
b) Con el osciloscopio, medir y dibujar la seal de salida en los puntos A y B.
c) Utilizando el Multmetro en modo de CD, medir el voltaje y la corriente en la
resistencia de carga.
d) Utilizando el osciloscopio, medir el factor de rizo del voltaje de salida.
e) Obtener la diferencia y el porcentaje de error entre el factor de rizo terico y el
medido experimentalmente.
EXPERIMENTO 5.
a) Utilizando las hojas de datos tcnicos de fabricacin, identificar las terminales del
regulador de voltaje.
b) Agregar al circuito del experimento 4, el regulador de voltaje ya identificadas sus
terminales, como se muestra en la figura 5.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
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Figura 5.
c) Con el osciloscopio observe, dibuje y mida las seales que se obtienen entre los
puntos A y B, C y D.
d) Con el osciloscopio, Medir el factor de rizo en la seal de salida en la resistencia
de carga.
EXPERIMENTO 6.
EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE.
a) Seleccione el diodo Zener de 3 volts y construya el circuito de la figura 6.
Figura 6
b) Partiendo de cero volts, vari el voltaje de la fuente de alimentacin hasta obtener
una corriente de 20 mA en el diodo zener, para cada incremento del voltaje de
alimentacin mida el voltaje en la resistencia de carga, mida la corriente en el
diodo zener y en la resistencia de carga, y anote los resultados.
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CUESTIONARIO
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OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCION
Los circuitos recortadores se utilizan para la transmisin de la porcin de onda (forma de
onda) que est situada por encima o por debajo de un nivel de referencia
predeterminado. Los recortadores tambin se llaman limitadores de tensin. .
En el caso de un diodo ideal:
El estado ON (de paso, de polarizacin directa) puede ser considerado como un corto
circuito.
El estado OFF (de bloqueo, de polarizacin inversa) puede ser tratado como un circuito
abierto.
Existe variedad de redes de diodos que se llaman recortadores y tienen la capacidad de
recortar una posicin de la seal de entrada sin distorsionar la parte restante de la forma
de onda alterna.
Existen dos categoras generales de recortadores: serie y paralelo. La configuracin en
serie es donde el diodo est en serie con la carga, mientras que en paralelo tiene un diodo
en una trayectoria paralela a la carga.
RECORTADOR SERIE:
Cuando se tiene el diodo en forma directa sugiere que la seal de entrada debe ser
positiva para encenderlo. La fuente DC requiere que el voltaje de entrada sea mayor que
el voltaje en el circuito. La regin negativa de la seal de entrada est presentando al
diodo hacia el estado apagado, soportado ms aun por la fuente DC.
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21
Para un voltaje mayor de entrada que el de la fuente interna del circuito el diodo est en
estado de corto circuito, mientras que para los valores de entrada menores esta en circuito
cerrado o apagado.
RECORTADOR PARALELO:
El anlisis de la configuraciones en paralelo es muy similar a la que se aplica a las
configuraciones en serie.
La polaridad de la fuente DC y la direccin del diodo sugieren que el diodo est en
estado encendido para la regin negativa de la seal de entrada.
Debido a que la fuente DC se encuentra obviamente presionando al diodo para
permanecer en estado de circuito cerrado, el voltaje de entrada debe ser mayor que el de
la fuente interna para que el diodo este en estado apaga. Cualquier voltaje de entrada
menor que el de la fuente interna hace que el diodo este en corto circuito.
CAMBIADORES DE NIVEL:
Una red cambiador de nivel es la que cambia una seal a un nivel diferente. La red debe
tener un capacitor, un diodo y un elemento resistivo; pero tambin puede usar una fuente
de DC independiente para introducir un cambio de nivel de de adicional.
La magnitud de R y C debe elegirse de tal formar que la constante de tiempo t = RC es lo
suficiente grande para asegurar que el voltaje a travs del capacitor no se descargue de
manera significativa, durante el intervalo en que el diodo no esta conduciendo. A travs
de todo el anlisis se asumir que para propsitos prcticos, el capacitor se cargara o
descargar totalmente en cinco constantes de tiempo.
Durante el periodo en que el diodo esta en estado encendido, se asumir que el capacitor
se cargar de manera instantnea al nivel de voltaje que determine la red.
Se supondr que cuando el diodo esta en estado apagado el capacitor se mantendr en el
nivel de voltaje que se establece. A travs de todo el anlisis debe mantenerse un
continuo cuidado de la posicin y la polaridad de referencia para la salida, para asegurar
que los niveles correctos de salida se estn obteniendo.
Se debe tener en mente la regla general de que la excursin total de voltaje de salida debe
ser igual a la excursin de voltaje de la seal de entrada.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1. CAMBIADOR DE NIVEL
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 1, verificando la polaridad
correcta del diodo.
Figura 1
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d) Remplace la fuente V1 de 1.5 volts por otra de 3 volts, en serie con el diodo,
auxilindose con el osciloscopio, observe la seal de salida en los extremos del
diodo y la fuente en serie y dibuje la seal obtenida. Bajo esta nueva condicin
mida el voltaje pico a pico en la resistencia R1.
e) Calcule la seal de salida en el arreglo serie fuente diodo para ambos casos y
determine el porcentaje de error entre la seal experimental y la calculada.
EXPERIMENTO 2.
RECORTADOR POLARIZADO
a) Construya el circuito Recortador Polarizado en paralelo que se muestra en la
figura 2.
Figura 2
b) Verifique que los interruptores S1 y S2 sean normalmente abiertos y ajuste el
voltaje de la fuente de CD a un valor de 3 volts.
c) Ajuste la perilla del potencimetro de tal forma que el voltaje en cada extremo del
potencimetro sea igual.
d) Cierre el interruptor S1 y por medio del osciloscopio observe y mida el voltaje
pico a pico de la seal de salida en los puntos A y B grafique las formas de onda
obtenidas.
e) Abra el interruptor S1 y cierre el interruptor S2 y mida nuevamente el voltaje pico
a pico de la seal de salida en los puntos A y b, grafique las formas de onda
obtenidas.
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Figura 3
b) Calcular los valores de la resistencia y del capacitar de tal manera que la constante
de tiempo del circuito , sea equivalente a la frecuencia de 60Hz, con este clculo
se obtiene que el capacitor no descargue antes de que la seal de entrada
complete el ciclo.
Nota:
T >> 5
c) Mida la seal de salida en el diodo, anotar la forma de voltaje que tiene la seal de
salida y dibuje la forma de onda.
d) Calcule el voltaje de salida en el diodo y compare los resultados obtenidos
experimentalmente.
e) Calcule el porcentaje de error en los resultados tericos cuando se analiza el
circuito con el modelo del diodo ideal y los resultados experimentales.
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Figura 4
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CUESTIONARIO
1. Explique la relacin que existe entre el voltaje de salida en un recortador
polarizado con respecto a la polarizacin del diodo.
2. Explique la diferencia entre las formas de onda de salida de los recortadores de
tipo positivo y los recortadores de tipo negativo.
3. Explique la relacin entre la seal de salida y los voltajes de polarizacin de los
diodos en un circuito recortador polarizado tipo positivo con doble diodo.
4. Calcule la corriente mxima que pasa a travs del potencimetro de 2.5 K .
5. Explique que sucede cuando a travs del potencimetro se obtiene un
desequilibrio de voltaje entre la rama positiva y la rama negativa.
6. Explique en que etapa del experimento 2, se requiere obtener la mxima corriente
en el potencimetro.
7. Explique porque es necesario elegir correctamente los valores del capacitor y la
resistencia en los circuitos de cambio de nivel.
8. Investigue dos aplicaciones de circuitos de cambio de nivel en instrumentacin
Biomdica.
9. Explique en que momento se observa directamente en el osciloscopio el cambio de
nivel.
10. Cmo contribuye la fuente de voltaje en serie con el diodo en el cambio de nivel?
11. Se puede disear un cambiador de nivel de tal manera que pueda modificar el
nivel tanto positiva como negativamente?
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INTRODUCCIN
El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura 1:
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Esto hace que en las uniones entre las zonas N y P generen iones positivos y negativos.
Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una barrera
de potencial de a 0.7 V (para el Si). Se crean dos uniones una unin E-B y otra unin CB.
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se obtienen
resultados nuevos e inesperados. Hay 3 configuraciones:
Zona ACTIVA:
UE en Directa y Uc en Inversa.
AMPL FICADORES
Zona de SATURACIN:
UE en Directa y Uc en Directa.
CONMUTACIN
Zona de CORTE:
UE en Inversa y Uc en Inversa.
CONMUTACIN
UE en Inversa y Uc en Directa.
SIN UTILIDAD
Con esto vemos que el transistor puede trabajar de cuatro formas diferentes.
El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que cruzan la UE.
Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la base sin recombinarse.
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Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera de potencial de la UE, despus ese
electrn baja la barrera de potencial de la Uc para salir por el colector.
Este es el efecto transistor de N a P tiene que subir la barrera de potencial pero luego es
ms de los electrones emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombinan en
la base y un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor figura 3.
La palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge, eso es el
"Efecto transistor", la base es muy estrecha y adems est muy poco impurificada, esa es
la razn de que la probabilidad de que un electrn se recombine sea muy pequea (por
ejemplo el 1%), el emisor emite electrones, el colector los recoge, y la base es un
dispositivo de control.
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DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1 IDENTIFICACIN FSICA DEL TRANSISTOR.
2N2222
Figura 1.
EXPERIMENTO 2 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR NPN.
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 2.
Figura 2
b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ;
para cada incremento de R1 mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor
mximo del potencimetro.
c) Construya una tabla y grafique los resultados con ejes R1 vs IE y R1 vs IC.
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Figura 3
b) Con los valores de voltaje VEE y VCC constante, ajuste el potencimetro R1 con la
perilla a su valor mnimo, posteriormente haga incrementos en el orden de 500 ,
a cada incremento mida las corrientes IE e IC, hasta llegar al valor mximo del
potencimetro.
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Figura 4
c) Con el Multmetro mida el valor del voltaje VBE en los puntos A y B, el valor del
voltaje de salida VCE, el voltaje VBC y las corrientes IB e IC.
d) Anote sus lecturas y haga sus observaciones.
EXPERIMENTO 5
a) Construye el circuito que se muestra en la figura 5.
b) Calcule el valor de las resistencias de polarizacin RC y RB.
c) Alimente el circuito con el generador de seales ajustndolo a una onda tipo
cuadrada de 3 Hz de frecuencia y un valor de amplitud de 7 volts pico a pico.
d) Partiendo de la frecuencia de 3 Hz realice incrementos en el orden de 10 Hz hasta
un valor de 100 Hz.
e) Con el osciloscopio, para cada incremento de la frecuencia, observe y mida el
voltaje de salida colector emisor, observe el comportamiento del LED y explique
lo que sucede.
f) Con el Multmetro mida los voltajes VBE, Vc y las corrientes IB e IC para cada
incremento de frecuencia.
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33
Figura 5.
CUESTIONARIO
1. Indique en que seccin de las curvas de operacin del transistor se encuentran las
zonas de saturacin y de corte.
2. Explique porque en cada una de las curvas de operacin del transistor existe una
relacin de voltaje con respecto a la corriente.
3. Indique cuales son los parmetros que se deben considerar para variar la regin
de trabajo en un transistor.
4. Explique a que se le denomina corriente de fuga en un transistor.
5. De las corrientes que circulan a travs del transistor, Cul es la mayor, cual es la
menor y cuales son relativamente cercanas en magnitud?
6. Explique cual es la utilidad de conocer los puntos de operacin del transistor.
7. Explique en que consiste polarizar correctamente al transistor y mencione cuantas
configuraciones de polarizacin se pueden realizar.
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OBJETIVO GENERAL
Comprobar experimentalmente el funcionamiento de las distintas configuraciones de
polarizacin para transistores BJT.
OBJETIVO PARTICULAR
INTRODUCCIN.
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos
capas de material tipo N y una capa tipo P, o bien, de dos capas de material tipo P
y una tipo N. al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo
transistor PNP figura 1.
Transistor
Transistor
NPN
PNP
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M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
36
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1
a) Construya el circuito de polarizacin fija que se muestra en la figura 2.
Figura. 2
38
EXPERIMENTO 2
a) Construya el circuito de Polarizacin con divisor de voltaje que se muestra en
la figura 3.
Figura. 3
b) Calcule los valores de las resistencias de polarizacin R1, R2, RC Y RB, de tal
manera que el transistor se encuentre operando en la regin activa.
c) Calcule tericamente el valor de las corrientes de base, colector y emisor,
adems el voltaje VcE.,
d) Con el Multmetro mida en el circuito el valor de las variables calculadas
anteriormente, con los valores experimentales compare los resultados tericos y
obtenga el porcentaje de error.
e) Calcule tericamente el valor de los factores de estabilidad Si, Sv del
experimento.
f) Muestre en una tabla los resultados obtenidos, as como el clculo del
porcentaje de error.
EXPERIMENTO 3
a) Construya el circuito de Polarizacin con Retroalimentacin que se muestra en
la figura 4.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
39
Figura. 4
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
40
CUESTIONARIO
1. Explique de qu manera se ve afectada la corriente de base en cada una de las
polarizaciones desarrolladas en esta prctica.
2. Explique qu es una configuracin estable.
3. Cmo se comprueba que el circuito est polarizado?
4. Cmo se puede obtener el parmetro hfe en forma experimental?
5. Explique la relacin que existe entre la corriente de base y la corriente de emisor
y explique cmo se pueden obtener en forma experimental.
6. Dibuje los diagramas de los circuitos de la prctica para configuracin de
colector comn y para configuracin de base comn.
7. Explique cmo se comportan los factores de estabilidad SI , Sv , SB, en cada uno
de los experimento realizados.
8. Que representa el parmetro BETA en un transistor y cual es el efecto que ejerce
la temperatura sobre el transistor.
9. Explique el efecto de la corriente de saturacin inversa.
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41
OBJETIVOS PARTICULARES
INTRODUCCIN
CIRCUITO AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
El circuito amplificador diferencial es una conexin extremadamente comn utilizada
en circuitos integrados esta conexin se puede describir al considerar el amplificador
diferencial bsico que se muestra en la figura 1.
- vcc
RC
RC
V1
V2
T1
VI 1
T2
VI 2
+
RE
-VEE
Figura. 1
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
42
Observe que el circuito posee dos entradas separadas, dos salidas separadas y los
emisores estn conectados entre si, mientras que la mayora de los circuitos
amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar
utilizando solo una de ellas. Es posible obtener un nmero de combinaciones de
seales de entrada si una seal de entrada se aplica a cualquier entrada con la otra
entrada conectada a tierra, la operacin se denomina " terminal simple'.
Si se aplican dos seales de entrada de polaridad opuesta, la operacin se denomina
"terminal doble'. Si la misma entrada se aplica a varias entradas, la operacin se
denomina " modo comn'. En una operacin de terminal simple, se aplica, una sola
seal de entrada. Sin embargo, gracias a la configuracin de emisor comn, la seal de
entrada operar en ambos transistores, lo que da como resultado una salida en ambos
colectores.
En la operacin de terminal doble, se aplican dos seales de entrada, la diferencia de
las dos entradas ocasiona las salidas de ambos colectores debido a la diferencia de las
seales aplicadas a ambas entradas. En la operacin de modo comn, la seal de
entrada comn resulta en seales opuestas en cada colector; estas seales se cancelan
de forma que la seal de salida resultante es cero. Como una cuestin prctica las
seales opuestas no se cancelan del todo y se obtiene una pequea seal resultante.
La principal caracterstica del amplificador diferencial es la ganancia muy alta que se
tiene cuando se aplican seales opuestas a las entradas, en comparacin con la
ganancia tan pequea que se obtiene de las entradas comunes. La relacin de esta
ganancia diferencial a la ganancia comn se denomina rechazo de modo comn.
Un osciloscopio.
Un generador de seales
2 Fuente regulada de 0 a 30 VCD.
2 Resistencias de 1 K, 47 K, 10 K y otros valores.
2 Capacitores de 1 F, 470 F, 12 nF.
6 Transistor 2N222.
6 Transistores BC547 o BC548.
1 Transformador de 127 VCA a 12 VCA a 500mA con derivacin central.
2 Potencimetros de 10 K y 50 K.
Protoboard
Multmetro.
Un juego de cables para conexin.
Tres puntas para osciloscopio.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
43
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1 IDENTIFICACIN DEL TRANSISTOR.
a) Seleccione CUATRO pares de transistores, con el Multmetro mida su beta (hfe)
y reportar en la siguiente tabla.
Tabla 1. Valores experimentales y tericos de las betas de los transistores.
TRANSISTOR
TIPO NUMERO
FABRICANTE
VALOR hfe
IC2
RC
Vo
IB1
------------>
VI 1
<------------
IE1
T2
IE2
---------->
RC
IB2
T1
-
<-----------
IC1
<------------
+ vcc=15V
V2
<----------+
RE
<-------------
IEE
-VEE = 15V
Figura. 2
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
44
b) Con el Multmetro mida el voltaje de salida V0, las corrientes de emisor IE1, 1E2,
IEE, las corrientes de colector Ic1, Ic2 y las corrientes de base IB1, IB2; para los
siguientes casos:
1) V1 = V2 = 1.5 volts (Utilizando una sola fuente de voltaje)
2) V1 > V2 (V1 = 3.0V, V2 = 1.5V)
3) V1 < V2 (V1 = 1.5V, V2 = 3V)
c) Registre los datos obtenidos en una tabla.
EXPERIMENTO 3
a) Construya el circuito mostrado en la figura 3, utilizando valores de Rc2 = RE = 12 k,
y valores de RB1 = RB2 = 27 K.
IC
IB1
<------------
+VCC = 15V
IB2
V0
T2
<------------
T1
----------->
RC
IE 1
---------->
IE 2
<---------RB2
RE
<------------
RB1
IEE
-VEE = 15
Figura. 3
b) Calcule tericamente las corrientes de emisor IE1, IE2, IEE , la corriente de colector
IC, y las corrientes de base IB1, IB2,
c) Con el Multmetro mida en el circuito las corrientes anteriormente indicadas.
d) Elabore una tabla indicando los valores de corriente obtenidos tericamente y
los valores experimentales y determine el porcentaje de error.
e) Empleando transistores con beta (hfe) distinta, repetir los incisos anteriores.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
45
Figura. 4
b) Ajuste la salida del generador de seales a una onda senoidal de 10 Hz, a su
mnima amplitud de salida y conctelo al devanado primario del
transformador.
c) Partiendo del valor mnimo del generador de seales, ajuste la salida hasta
obtener una amplitud de 5 volts pico a pico en el devanado secundario del
transformador.
d) Con el osciloscopio obtenga las formas de onda y los valores pico a pico de
voltaje VBE1, VBE2, VCE1, VCE2.
e) Obtenga la forma de onda del voltaje de salida (Vsal) pico a pico entre los puntos
A y B, anote sus observaciones.
f) Calcule la ganancia de los transistores Q1 y Q2 (Vsal/V1 y Vsal/V2).
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
46
c) Partiendo del valor mnimo del generador de seales, ajuste la salida hasta
obtener una amplitud de 5 volts pico a pico en el devanado secundario del
transformador.
d) Con el osciloscopio observe y mida el valor pico a pico del voltaje de las bases
de los transistores Q1, Q2 respecto a tierra y comprelos con la seal de entrada.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
47
Figura 5.
ANALISIS DEL EXPERIMENTO
Anexar el anlisis terico del experimento, indique bajo que ecuaciones se relaciona el
resultado experimental.
CUESTIONARIO
1. Cual es la aplicacin de un amplificador diferencial.
2. Explique los efectos que produce la resistencia de emisor RE de un amplificador
diferencial.
3. Cuando V1 es menor que V2 en el amplificador diferencial del experimento 2,
Cul es la polaridad de V0 y por qu?
4. En el experimento 2 indique de que otra manera se le llama a la entrada V1.
5. Explique qu es el CMRR de un amplificador diferencial y cmo debe ser
numricamente.
6. Explique que es la ganancia en modo comn y ganancia en modo diferencial.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
48
INTRODUCCIN:
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolar (NPN y PNP), llamados as
porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos
polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran
nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
su impedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que
pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de
cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor
de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material P N, llamada
canal, que rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que
forma con el canal una unin P-N.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas
respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada
puerta (g-gate) en el collar figura 1.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
49
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la
tensin, ya que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara
substancialmente de su valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin
aumenta tambin la polarizacin inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la
conductancia de ste disminuye.
El ritmo de incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un
momento en que el canal se ha hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero
que un incremento de Vds apenas tiene efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces
se dice que el transistor est trabajando en la zona de estriccin (pinch-off),
llamndose tensin de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el
comportamiento casi lineal y el casi saturado.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
50
1 Generador de funciones
1 Osciloscopio.
3 puntas para osciloscopio.
1 Fuente de voltaje variable.
6 Transistores 2N5457, 2N5458 2N5484.
Resistencias de 12 K, 27 1/2watt.
3 Bateras de 1.5 V.
1 Portapilas.
Tablilla de experimentacin (Protoboard).
Multimetro Digital.
1 Juego de alambre para conexin.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
51
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1 POLARIZACIN DEL TRANSISTOR I.
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 4.
Figura. 1
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
52
Figura 5.
h) Partiendo de cero volts, ajuste la fuente VGG hasta obtener un valor de - 0.5
volts en las terminales G y S (VGS = -- 0.5 volts).
i)
j)
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
53
Figura.3
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
54
CUESTIONARIO
7. Explique la diferencia entre un transistor BJT y un transistor FET.
8. Indique los elementos que determinan el punto de trabajo en un transistor FET.
9. Enuncie tres ejemplos de aplicacin para transistores FET.
10. Explique la operacin del FET en las zonas de corte y saturacin en las curvas
de caractersticas.
11. Explique porqu un FET tiene alta impedancia de entrada.
12. Enuncie los tipos de FET que conoce.
13. Describa la ecuacin de SHOCKLEY.
14. Cuales son las ventajas que presenta el FET con respecto a un BJT.
15. Explique cual es el efecto que tiene la carga esttica en el FET.
16. Explique como opera el FET en la regin de agotamiento.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
55
INTRODUCCIN
Diodos de Potencia
Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad ( o de
recuperacin rpida) y Schottky, los diodos de uso general estn disponibles hasta
3000V, a 3500, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar
hasta 3000 V, 1000 A, el tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 S, los
diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores
de potencia a altas frecuencias, un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo,
los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de
recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga
aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A, un diodo
conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada
de voltaje en directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.2 V, si el
voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en
modo de bloqueo.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
56
Tiristor (SCR)
Es un dispositivo electrnico que tiene dos estados de funcionamiento: conduccin y
bloqueo, posee tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y compuerta (G), la conduccin
entre nodo y ctodo es controlada por la terminal de compuerta, se dice que es un
dispositivo unidireccional, debido a que el sentido de la corriente es nico.
Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de silicio
con una tercera terminal para efecto de control, se escogi el silicio debido a sus
propiedades de alta temperatura y potencia, la operacin bsica del SCR es diferente a
la del diodo semiconductor de dos capas, cuenta con cuatro capas y una tercera
terminal denominada compuerta, determina cuando el rectificador conmuta del estado
de circuito abierto al de circuito cerrado, se debe tener en cuenta que no basta con la
polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo, en la regin de conduccin la
resistencia dinmica del SCR es tpicamente de 0.01 a 0.1 ohms, la resistencia inversa es
tpicamente de 100 K ohms o ms.
Figura 2. SCR
La interpretacin directa de la curva del tiristor nos dice lo siguiente: cuando la tensin
entre nodo y ctodo es cero, la intensidad de nodo tambin lo es, hasta que no se
alcance la tensin de bloqueo (VBo), el tiristor no se dispara, cuando se alcanza dicha
tensin, se percibe un aumento de la intensidad en nodo (IA), disminuye la tensin
entre nodo y ctodo, comportndose as como un diodo polarizado directamente.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
57
Figura 4. DIAC
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
58
Figura 6. TRIAC
Para cada direccin de conduccin posible hay una combinacin de capas de
semiconductor cuyo estado ser controlado por la seal aplicada a la terminal de
compuerta.
Un osciloscopio.
Un generador de seales
2 Fuentes reguladas de voltaje 0 a 30VCD.
2 Resistencias de 220, 470, 560, 1K, 5.1K, 10K, 15, 100 y otros
valores.
2 Fotorresistencias.
2 Presets o potencimetros de 10K, 500K, 1M.
2 Capacitores de 0.027F, 0.33F, 33F, 47F, 100F, 220F, 470 F, 12 nF.
2 Diodos rectificadores 1N4002
4 Diodos Rectificadores 1N4004
3 Diodos LED varios colores.
2 SCR MCR106 o C106 o TIC106 .
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
59
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1 MULTIPLICADOR DE VOLTAJE
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 8, verifique la polaridad
correcta de los capacitores.
C
C1
C3
5
+
Linea de
alimentacin
127 VCA
47uF-POL
220uF-POL
D2
1N4004
D1
1N4004
12 O 18
VCA
D3
1N4004
D4
1N4004
MULTIMETRO
XMM1
C2
C4
100uF-POL
470uF-POL
Figura 8.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
60
a)
C1
D3
5
33uF-POL
MULTIMETRO
XMM1
1N4004
D1
1N4004
C3
33uF-POL
+
Linea de
alimentacin
127 VCA
12 O 18
VCA
+
SALIDA
-
D2
1N4004
C4
33uF-POL
C2
D4
1N4004
33uF-POL
Figura 9.
b) Calcule el voltaje de salida.
c) Con el Multmetro mida el voltaje de salida.
d) Compare sus valores experimentales con sus valores tericos y obtenga el
porcentaje de error.
EXPERIMENTO 3 SCR
d) Construya el circuito mostrado en la figura 10.
R3
220
LED1
S1
4
R1
560
S2
7
R2
G
6
V1
12 V
10K
50%
Figura 10.
e) Alimente el circuito con la fuente de voltaje a un valor de 12 volts y ajuste R2
para que no exista cada de voltaje en ella.
f) Mida el voltaje entre el nodo y el ctodo del SCR y anote el resultado.
g) Cierre los interruptores S1 y S2, y compruebe que est encendido el SCR ( el
LED debe de encender).
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
61
h) Verifique que el voltaje en las terminales del SCR decrece a un valor muy bajo,
alrededor de 0.1 a 3 volts.
i)
j)
Realice las mediciones de IG, VAK e IK, desde 0 volts hasta que el LED enciende y
construya la grafica correspondiente al SCR.
EXPERIMENTO 4
a) Construya el circuito de la figura 11.
LED2
S2
A1
16
R1
560
S1
9
127 VCA
12 o 18
VCA
15
R3
220
V1
12 V
10K
50%
11
5
R2
R4
5.1k
R5
1.1k
Figura. 11
b) Ajuste la fuente de voltaje a 12 volts, cierre el interruptor S1 y deje abierto el
interruptor S2, y observe con el osciloscopio la seal entre los puntos A y C,
dibuje la forma de esta seal.
c) Cierre el interruptor S2, a partir de cero vari poco a poco el potencimetro R2,
y observe con el osciloscopio en los puntos B y C el efecto que existe en la seal.
d) Anote los ngulos de conduccin, mida IG, IK para tres diferentes ngulos y
comente sus observaciones.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
62
EXPERIMENTO 4 TRIAC
a) Arme el circuito que se muestra en la figura 12.
LED1
S1
R2
R1
510
MT1
560
50%
10K
VGG
12 V
R3
VDD
12 V
2
MT2
0
Figura 12.
b) Con el interruptor S1 abierto, ajuste la fuente de voltaje VDD a 12 volts, as como
la fuente VGG a 12 volts, posteriormente cierre el interruptor S1.
c) Con la perilla ajuste el potencimetro R2 a su valor mximo, y verifique que el
TRIAC no se encuentre en conduccin, de no ser as, abra y cierre el interruptor
S1 hasta que el TRIAC retorne a su estado de bloqueo.
d) En caso de que con este procedimiento no se logre que el TRIAC no retorne al
estado de bloqueo, apague la fuente VDD y encindala nuevamente.
e) Disminuya el valor del potencimetro R2 lentamente, con el multmetro mida
la corriente de compuerta y la tensin con respecto a tierra, anote los valores
para cada decremento.
f) Determine el valor del voltaje en el que el TRIAC entra en conduccin.
g) Mida el voltaje y la corriente entre las terminales MT1 y MT2.
EXPERIMENTO 5 CONTROL EN CA.
a) Construya el circuito que se muestra en la figura 13.
S1
F1
1
2 Amp
SCR
Neon
R1
10k
V1
120 V
60 Hz
0Deg
R2
500 K
50%
SALIDA
MOTOR
LAMPARA
C1
0.33uF-POL
250V
Figura 13.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
63
F1
1
6
L1
100W
2 Amp
V1
120 V
60 Hz
0Deg
LDR
3
R1
1M
50%
R2
5
100k
D2
7
R3
15k
1N4002
SCR
R5
1.1k
Figura 14.
j)
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
64
CUESTIONARIO
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
65
INTRODUCCIN
Foto Diodos
El foto diodo, se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial; es un dispositivo que conduce una cantidad de
corriente elctrica de acuerdo a la cantidad de luz que incide sobre el, esta corriente
elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo (est corriente se llama,
corriente de fuga), en sentido opuesto a la corriente en los diodos semiconductores
normales.
La foto diodos se pueden utilizar como dispositivos de deteccin de luz, que
convierten la luz incidente en energa elctrica. Si el foto diodo queda conectado de
manera que circule por el una corriente en el sentido de la flecha, la luz que lo incide
no tendr efecto sobre el, y se comportara como un diodo semiconductor normal, la
mayora de los fotodiodos estn equipados con una lente que concentra la cantidad de
luz incidente, de manera que su reaccin a la luz ser mas evidente.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
66
Foto Transistor
Un fototransistor es en esencia, lo mismo que un transistor normal, slo que puede
trabajar de dos maneras diferentes:
1. Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo comn).
2. Como foto transistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces
de corriente de base (IB) (mudo iluminacin).
Se pueden utilizar las dos formas de empleo del fototransistor simultneamente,
aunque el fototransistor se utiliza principalmente con la terminal de base sin conectar
(IB=0), si se desea aumentar la sensibilidad del transistor debido a la baja iluminacin,
se puede incrementar la corriente de base (IB) con ayuda de alguna polarizacin
externa, el circuito equivalente de un fototransistor, es un transistor comn con un
fotodiodo conectado entre la base y el colector con el ctodo del foto diodo conectado
al colector del transistor y el nodo a la base.
El foto transistor es muy utilizado en aplicaciones donde la deteccin de iluminacin
es muy importante, como el foto diodo tiene un tiempo de respuesta muy corto,
teniendo un flujo de corriente mucho mayor que el foto diodo.
En la figura 2, se aprecia el circuito equivalente de un foto transistor, se observa que
esta compuesto por un foto diodo y un transistor, la corriente que entrega el foto diodo
circula hacia la base del transistor, se amplifica veces y es la corriente que puede
entregar el dispositivo.
Nota: , es la ganancia de corriente del foto transistor.
COLECTOR
PHOTODIODE
NPN1
BASE
Ib
EMISOR
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
67
CIRCUITOS INTEGRADOS
La rpida expansin de requerimientos de circuitos ms pequeos, livianos y
complejos provoc la necesidad de colocar no uno sino cientos de transistores en una
sola pastilla de silicio, cuando se coloca ms de un elemento en un circuito integrado, el
dispositivo resultante se conoce como Circuito Integrado (CI) figura 3.
El termino sin modificar, CI, se utiliza para describir aquellos circuitos integrados
compuestos de menos de 60 elementos, si un circuito integrado contiene ms de 60
pero menos de 300 elementos, se utiliza el termino escala de integracin media (MSI,
mdium-scale integration), si el nmero de elementos es mayor que 300 pero menor que
1000, el circuito es de escala de integracin grande (LSI, Large-scale integration), la escala
de integracin muy grande (VLSI, Very large scale integration) se refiere a aquellos
circuitos integrados con ms de 1000 elementos.
Los circuitos integrados pueden ser lineales o no lineales, dependiendo de la relacin
entre formas de onda en la salida y en la entrada. Los circuitos integrados lineales (CIL)
se disean para reemplazar circuitos estndar y se utilizan como bleques para construir
sistemas ms complejos, uno de los circuitos analgicos ms utilizados es el
amplificador operacional (amp-op) de manera ideal, este amplificador tiene ganancia
infinita, impedancia de entrada infinita e impedancia de salida cero, los amplificadores
operacionales prcticos tienen caractersticas de desempeo que se acercan bastante a
las de los amplificadores operacionales ideales.
Se puede fabricar un circuito complejo en un circuito integrado simple de silicio, tal
circuito puede estar compuesto de transistores, resistores y capacitares, todos ellos lo
bastante pequeos como para caber en el circuito integrado.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
68
DESARROLLO EXPERIMENTAL
EXPERIMENTO 1
ACOPLE OPTICO.
S1
R2
100 K
1
2
R1
220
V1
12 V
VCC
VCC 5V
VCC 5V
R3
680
R5
680
Q1
6
50%
R4
1.0k
D1
IR
LED1
FT
2N2222
0
0
0
3 cm
Figura 4.
f) Situ el LED Infrarrojo (emisor) frente al receptor a una distancia de 3 a 5
centmetros.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
69
j)
VOLTAJE
Transmisor
VOLTAJE
Receptor
CORRIENTE
Transmisor
CORRIENTE
Receptor
EXPERIMENTO 2
k) Construya el circuito de la figura siguiente, lo cual se obtiene conectando el
circuito armado anteriormente, con el acoplamiento con la etapa de potencia
indicada en la figura.
l)
S1
R1
220
V1
12 V
R3
680
R5
680
D2
1N4001
S2
CR
LED1
2N2222
12
V2
0
FT
L1
100 W
10
Q2
1.0k
D1
IR
R6
2M 50%
Q1
50%
5V
VCC
R4
11
VCC
5V
R2
100 K
VCC
5V
2N2222
0
120 V
60 Hz
0Deg
13
0
0
0
Figura 5.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
70
Transistor
Q1
Sin
obstruccin
Con
obstruccin
Transistor
Q2
Sin
obstruccin
Con
obstruccin
EXPERIMENTO 3
Corriente de Base
IB
Corriente de Colector
Voltaje Base-Emisor
IC
VBE
Corriente de Base
IB
Corriente de Colector
Voltaje Base-Emisor
IC
VBE
50%
CI 4093B
R1
10k
10
9
12
11
13
T1
R2
V1
12 V
C2
100uF-POL
0
0
C1
47k
47nF
0
0
10
R3
220
6
B
0
MOC
Figura 6.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
71
R3
1.1M
P2
5M
50%
R2
47k
R1
1.1M
RST
DIS
THR
TRI
CON
R4
1.0k
Q2
Q3
10
C2
220uF-POL
C1
33uF-POL
V1
12 V
2N2222
GND
2N2222
1
OUT
LM555CM
Q1
U1
VCC
R5
220
2N2222
B
0
11
OPTOTRIAC
V2
9
120 V
60 Hz
0Deg
L1
0
12
M1
MOTOR
5V_1W
100 W
Figura 7.
f) Con las hojas de datos de fabricacin, identifique las especificaciones de cada
uno de los semiconductores mostrados, y explique el significado de cada
terminal de los circuitos integrados.
g) Ajuste las fuentes de voltaje de alimentacin a los valores que se muestran en
los diagramas. Ajuste la sensibilidad del circuito mostrado en la figura 6 por
medio del potencimetro P1.
h) Ajuste la sensibilidad del circuito mostrado en la figura 7 por medio del
potencimetro P2. Acople las terminales de salida marcadas como A y B en el
MOC (figura 6) con las entradas A y B del circuito mostrado en la figura 7,
guardando la debida correspondencia.
i)
Dirija el haz luz del control remoto hacia el fototransistor T1, observe el efecto
sobre el motor al presionar cualquier tecla.
j)
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
72
CUESTIONARIO
17. Explique que es el efecto fotoelctrico.
18. Comente el efecto fotoelctrico en un semiconductor.
19. Explique que es la electroluminiscencia.
20. Enuncie cinco componentes fotoelctricos que no se hayan visto en la prctica.
21. En el experimento 2, cuando no existe obstruccin en el paso de luz entre el
emisor y el receptor, el transistor Q1 se encuentra________________y el
transistor Q2 est________________, por lo tanto el relevador est
_________________, por consecuencia el foco est_________________.
22. En el experimento 2, al obstruir el paso de luz entre el emisor y el receptor los
estados de los transistores cambian, por consecuencia el relevador
________________ y el foco__________________.
23. Explique el rango de la luz visible en el espectro electromagntico.
24. Determine las longitudes de onda para los diodos Infrarrojo, azul y verde.
25. Explique que es el LASER.
26. Describa que es un circuito integrado.
27. Explique la diferencia entre los circuitos integrados Lineales y los circuitos
integrados No Lineales.
28. Explique las tecnologas de diseo de circuitos integrados MSI, LSI y VLSI.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
73
INTRODUCCIN
Indicar y justificar el porque del proyecto elegido, puede ahondarse en el tema con un
prembulo histrico.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
Indicar la serie de pruebas que se realizaron antes de la puesta en marcha del
prototipo, anexar tablas, graficas de funcionamiento, fotos, etc.
BIBLIOGRAFIA
Anexar las referencias consultadas en la realizacin del prototipo.
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
74
APENDICE A
REGLAMENTO INTERNO DE LOS LABORATORIOS
DEL DEPARTAMENTO DE BIOELECTRNICA
1) Para tener acceso al laboratorio en horas de clase y tiempo libre, es
indispensable el uso de bata, material de trabajo y herramienta mnima necesaria.
2) La tolerancia de entrada al laboratorio es de 10 min. Posteriormente se
prohibir el acceso.
3) Colocar las mochilas en los anaqueles correspondientes. Prohibido colocarlas en
pasillos y mesas de trabajo.
4) Al inicio de la sesin de laboratorio se deber revisar el correcto funcionamiento
de los equipos electrnicos, reportando de inmediato cualquier anomala a los
profesores encargados del laboratorio.
5)
8)
Multimetro.
Protoboard.
Pinzas y desarmadores necesarios.
3 puntas de osciloscopio (sin atenuar).
3 pares de puntas banana caimn.
Traer un trozo de franela por equipo.
75
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
76
APENDICE B
0.10
0.11
0.12
0.13
0.15
0.16
0.18
0.20
0.22
0.24
0.27
0.30
0.33
0.36
0.39
0.43
0.47
0.51
0.56
0.62
0.68
0.75
0.82
0.91
1.0
1.1
1.2
1.3
1.5
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
KILOHMS K
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
1000
1100
1200
1300
1500
1600
1800
2000
2200
2400
2700
3000
3300
3600
3900
4300
4700
5100
5600
6200
6800
7500
8200
9100
MEGAOHMS M
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
39
43
47
51
56
62
68
75
82
91
100
110
120
130
150
160
180
200
220
240
270
300
330
360
390
430
470
510
560
620
680
750
820
910
1.0
1.1
1.2
1.3
1.5
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.7
3.0
3.3
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
910
10
11
12
13
15
16
18
20
22
77
APENDICE C
VALORES TIPICOS DE CONDENSADORES
MARCADO
COMERCIAL
PICOFARADIOS
NANOFARADIOS
MICRO
FARADIOS
1
10
47
100
470
102
152
182
222
272
332
362
392
432
472
562
682
822
103
153
223
333
393
473
563
683
823
104
154
224
334
474
564
684
824
105
225
1
10
47
100
470
1.000
1.500
1.800
2.200
2.700
3.300
3.600
3.900
4.300
4.700
5.600
6.800
8.200
10.000
15.000
22.000
30.000
39.000
47.000
56.000
68.000
82.000
100.000
150.000
220.000
330.000
470.000
560.000
680.000
820.000
1.000.000
2.200.000
1P
10P
47P
0.000001
0.000010
0.000047
0.0001
0.00047
.001
0.0015
0.0018
0.0022
0.0027
0.0033
0.0036
0.0039
0.0043
0.0047
0.0056
0.0068
0.0082
0.01
0.015
0.022
0.033
0.039
0.047
0.056
0.068
0.082
0.1
0.15
0.22
0.33
0.47
0.56
0.68
0.82
1.0
2.0
M.enC.EngelbertE.LinaresGonzlez
1n
1n5
1n8
2n2
2n7
3n3
3n6
3n9
4n3
4n7
5n6
6n7
8n2
10n
15n
22n
33n
39n
47n
56n
68n
82n
100n
150n
220n
330n
470n
560n
680n
820n
1M
2M2
78