Universidad Nacional Experimental del Tchira

Vicerrectorado Acadmico
Decanato de Docencia

AMPLIFICADORES CON MLTIPLES TRANSISTORES.

POR
RUBIO PREZ, ANDRS ELOY
CI: V-12.252.420

JULIO DE 2008

UNET. DEPARTAMENTO DE INGENIERA ELECTRNICA

TABLA DE CONTENIDO
Tabla de Contenido ....................................................................................................... 2
Amplificadores con Mltiples Transistores .................................................................. 4
Introduccin. ............................................................................................................. 4
Amplificadores Multietapa. ...................................................................................... 5
Acoplamiento DC entre etapas.............................................................................. 5
Acoplamiento Directo. ...................................................................................... 5
Acoplamiento Capacitivo. ................................................................................. 7
Anlisis AC. .......................................................................................................... 9
Anlisis por Modelo de Pequea Seal Completo. ......................................... 10
Anlisis por Mtodo del Factor de Carga. ...................................................... 11
Mxima Excursin de Entrada y Salida. ............................................................. 16
Tcnicas Avanzadas de Diseo de Amplificadores Multietapa .......................... 24
Desplazadores de Nivel. .................................................................................. 25
Derivacin Activa ........................................................................................... 28
Amplificador Diferencial. ....................................................................................... 32
Amplificador diferencial BJT. ............................................................................ 33
Ganancia en Modo Diferencial. ...................................................................... 34
Ganancia en Modo Comn. ............................................................................ 37
Relacin de Rechazo en Modo Comn. .......................................................... 39
Resistencias de Entrada y Salida del Amplificador Diferencial. .................... 39
Polarizacin del Amplificador Diferencial. .................................................... 42
2

Fuente de Corriente Simple. ............................................................................ 43

Espejo de Corriente. ........................................................................................ 46
Fuente de corriente Widlar. ............................................................................. 49
Anlisis a Gran Seal del Amplificador Diferencial....................................... 54
Intervalo de Entrada de Modo Comn. ........................................................... 57
Amplificador Diferencial con Carga Activa. .................................................. 57
Configuraciones Especiales. ................................................................................... 60
Amplificador Darlington. .................................................................................... 60
Amplificador Cascode......................................................................................... 65
Ejercicios Resueltos. ............................................................................................... 69
Ejercicio 1. Diseo de un amplificador multietapa ............................................ 69
Ejercicio 2. Anlisis de Amplificador Multietapa con Entrada Diferencial. ..... 81
Ejercicio 3. Amplificador Cascode Mixto. ........................................................ 89
Ejercicio 4. Espejo de Corriente Wilson. ........................................................... 94
Ejercicio 5. Amplificador Diferencial con Entrada en Modo Comn. ............... 99
Ejercicio 6. Gran seal del Amplificador Diferencial. ...................................... 102

AMPLIFICADORES CON MLTIPLES TRANSISTORES

INTRODUCCIN.
Iniciaremos nuestro estudio con el tratamiento en detalle de los amplificadores
multietapa, utilizando el mtodo de los factores de carga para su anlisis, tambin
estudiaremos los amplificadores diferenciales y sus modos de operacin, las ventajas
de su utilizacin; las fuentes de corriente como elementos de polarizacin y su
influencia en los amplificadores diferenciales; los desplazadores de nivel y su
importancia en los sistemas multietapas; finalmente se tratarn la configuracin
darlington y cascode.
A lo largo de este material se har uso de ciertas aproximaciones de
ingeniera, como es el caso de la corriente de base, la cual toma como cero, siempre y
cuando la corriente con la cual se esta despreciando sea al menos 20 veces mas
grande, y la resistencia de salida rO , en los transistores BJT se toma de un valor muy
grande y se considera un circuito abierto, siempre que ella sea 20 veces mas grande
que la resistencia con la que se este comparando, en fin, todas las aproximaciones
deben ser comprobadas.
A lo largo de este material se resolvern ejercicios a manera de clarificar lo
expuesto tericamente, para dichos ejercicios a menos que se indique lo contrario, los
valores que se tomarn por defecto son los siguientes: VBE = 0, 7V , = 100 , rO = ,
VT = 25mV y = 1 ,

AMPLIFICADORES MULTIETAPA.
Los amplificadores multietapa no son mas que varios amplificadores sencillos
conectados en cascada, los cuales podemos clasificar en tres etapas, una etapa inicial,
la cual debe tener una gran resistencia de entrada, para evitar prdidas de seal
cuando el amplificador sea alimentado con fuentes que tengan resistencia de salida
alta, las etapas intermedias, las cuales son las encargadas de dar ganancia y tambin
deben desplazar el nivel de voltaje CD a niveles adecuados para evitar la saturacin
en las etapas subsiguientes, y la etapa de salida, la cual debe estar en capacidad de
entregar a la carga la demanda de corriente exigida por ella, adems, estas etapas
presentan una resistencia de salida muy baja.

ACOPLAMIENTO DC ENTRE ETAPAS.

El acoplamiento entre etapas puede ser capacitivo o directo, en el primer caso,
las etapas son aisladas en CD mediante la utilizacin de capacitares, lo que facilita el
anlisis de corriente continua, ya que se hace independiente para cada etapa. En el
acoplamiento directo, la conexin es como su nombre lo indica, directa, lo cual exige
estudiar conjuntamente la polarizacin de todas las etapas, cosa que complica el
anlisis en continua.
ACOPLAMIENTO DIRECTO.
Seguidamente presentamos un ejemplo de un amplificador acoplado
directamente para desarrollar su anlisis de polarizacin.

Figura 1. Amplificado
A
or multietapaa acoplado directamente
d
e.

Ejem
mplo 1.
En ell amplificaddor mostradoo en la Figura 1 observam
mos que hayy acoplamiennto
d
directo,
es un amplificcador que consta
c
de dos
d etapas de BJT, la primera esst
c
configurada
en emisorr comn (N
NPN), la seegunda etapa es un coolector com
mn
m
mediante
un
n PNP, el anlisis de CD se realiza dee la siguiente manera:
Desp
preciando la corriente dee base de ambbos transistoores, tenemoos:
VB1 = VCC

R2
10 K
= 12V
= 2.4V
40 K + 10 K
R1 + R2

VE1 = VB1 VBE = 2.4V 0.7V = 1.7V

I E1 =

VE1 1.7V
=
= 850 A I C1
RE1 2 K

VC1 = VCC I C1 RC = 12V 850 A 6 K = 12V 5.1V = 6.9V

VB 2 = VC1 = 6..9V
VE 2 = VB 2 + VBE = 6.9V + 0.7V = 7.6V
IE2 =

VCC VE 2 12V 7.6V 4.4V

=
= 2.22mA I C 2
=
2K
RE 2
2K

v
para el
Con estos clcullos tenemos todos los valores de coorrientes y voltajes
c
circuito
de laa figura 1.
ACOPLAMIENTO CAPACITIVO.
En el
e siguiente ejemplo veemos un am
mplificador multietapa
m
p
polarizado
c
con
a
acoplamient
to capacitivoo entre las etapas, su anlisis
a
en continua se desarrolla de
f
forma
indiviidual para caada etapa.

Figura
F
2 Am
mplificador multietapa
m
con acoplamieento capacitivo.
Ejem
mplo 2.
El am
mplificador de
d la Figuraa 2 muestra dos
d etapas de BJT acoplladas mediannte
u condensaador, en am
un
mplificadores con este tipo de acooplamiento cada etapa es
p
polarizada
por
p separadoo y su anlisis es individual, el anlisis CD see realiza de la
s
siguiente
forrma:
Anallizamos la prrimera etapaa, despreciam
mos la corriente de base:
7

R2
180 K
= 12V
= 7.71V
R1 + R2
180 K + 100 K

VB1 = VCC

VE1 = VB1 VBE1 = 7.71V 0.7V = 7.01V

I E1 =

VE1
7.01V
=
= 3.5mA I C1
RE1 2.2 K

Ahora se proceder a comprobar que la corriente de base es despreciable con

respecto a la corriente de las resistencias de polarizacin R1 y R2 .
Primero que nada encontraremos el valor de la corriente de base del transistor
1.
I B1 =
I R1 =

I E1
3.5mA
=
= 34.65 A
+ 1 101

VCC VB1 12V 7.71V

=
= 42.9 A
100k
R1

Como podemos ver, las dos corrientes son de valores comparables, por lo
tanto la aproximacin hecha de que la corriente de base es despreciable es falsa,
entonces debemos determinar el punto de polarizacin sin despreciar la corriente de
base.
Aplicamos LCK en la base 1 y tenemos:
VCC VB1 VB1
=
+ I B1
R1
R2

I B1 =

V
V V
I E1
I E1 = E1 = B1 BE1
RE1
RE1
+1 ;

Con estas tres ecuaciones podemos encontrar los valores de polarizacin de la

etapa 1.

VB1 VBE1
VCC VB1 VB1
V VB1 VB1 VB1 VBE1
RE1
=
+
CC
=
+
R1
R2
+1
R1
R2 ( + 1) RE1

V
VBE1
0.7V
12
+ CC
+
( + 1) RE1 R1 =
101 2.2k 100k
= 6.14V
VB1 =
1 1
1
1
1
1
+
+
+
+
R1 R2 ( + 1) RE1 100k 180k 101 2.2k
I E1 =

VB1 VBE1 6.14V 0.7V

=
= 2.47 mA
RE1
2.2k

La segunda etapa la analizaremos de la misma forma que la primera.

Aplicamos LCK en la base 2 y tenemos:
VCC VB 2 VB 2
=
+ IB2
R3
R4

IB2 =

V
V V
IE2
I E 2 = E 2 = B 2 BE 2
RE 2
RE 2
+1 ;

Luego tenemos:

VB 2

V
VBE 2
0.7V
12
+ CC
+
( + 1) RE 2 R3 = 101 860 68k
=
= 2.57V
1
1
1
1
1
1
+ +
+
+
R3 R4 ( + 1) RE 2 68k 22k 101 860
IE2 =

VB 2 VBE 2 2.57V 0.7V

=
= 2.17 mA
860
RE 2

Con esto tenemos todos los valores de los voltajes de polarizacin del
amplificador de la Figura 2.

ANLISIS AC.
Los amplificadores multietapa se pueden analizar de dos formas, la primera
tcnica consiste en dibujar el modelo en pequea seal completo del amplificador
9

m
multietapa,
y hallar los parmetros que lo caracterizan, la otra forma es
e mediante la
u
utilizacin
de
d la tcnica de los factorres de carga.
ANLISIS POR MODELO DE PEQUEA SEAL COMPLETO.
Est tcnica es similar
s
a la usada para analizar unn amplificador sencillo, se
p
procede
a reealizar el modelo de pequuea seal del
d circuito y se realiza el
e anlisis dee la
m
misma
form
ma como se hara para un
u amplificaador de etappa sencilla, est
e tcnica se
t
torna
tediosaa a medida que
q aumenta el nmero de
d etapas dell amplificadoor.
Ejem
mplo 3.
Vam
mos a enconttrar la ganaancia de volltaje del am
mplificador de
d la Figuraa 1
u
usando
el an
nlisis complleto.

Fig
gura 3. Moddelo en pequuea seal deel amplificaddor de la Figuura 1
Usan
ndo la Figuraa 3 para hallaar la ganancia del amplifficador tenem
mos:
VO =

V 2
( + 1) RE 2
r 2

Con un divisor de
d corriente en la ramaa de r 2 y reeflejando la resistencia de
e
emisor
haciaa la base teneemos:

V 2 = g m1V 1

RC
r 2
RC + r 2 + ( + 1) RE 2

El vo
oltaje V 1 se obtiene de un
u divisor dee voltaje en la
l malla de entrada:
e

10

V 1 = VS

R1 R2 r 1
R1 R2 r 1 + RS

Utilizando las tres ecuaciones tenemos:

VO = g m1V 1

RC
( + 1) RE 2
RC + r 2 + ( + 1) RE 2

Sustituyendo V 1 :

R1 R2 r 1
VO = g m1 VS
R1 R2 r 1 + RS

RC
( + 1) RE 2

RC + r 2 + ( + 1) RE 2

Ordenando la expresin para encontrar la ganancia.

R1 R2 r 1
VO
( + 1) RE 2
= g m1 RC
VS
R1 R2 r 1 + RS RC + r 2 + ( + 1) RE 2

Evaluando dicha expresin tenemos:

VO
= 133.29V
V
VS

ANLISIS POR MTODO DEL FACTOR DE CARGA.

Un aspecto importante a tener en cuenta cuando se quiere un amplificador con
buenas prestaciones es la importancia del acoplo de impedancias entre las etapas que
conforman el amplificador, el acoplo de impedancias determina lo que se denomina el
factor de carga entre etapas, para ello es necesario conocer las resistencias de entrada
y salida de cada una de las etapas.
En la siguiente tabla recordaremos las configuraciones bsicas de amplificador
a BJT, y los parmetros que las caracterizan.

11

Tabla 1. Configuraciones bsiicas de ampllificador a BJT de una soola etapa.

E
Emisor
Com
mn

Av = g m RC
Ai =

RB
RB + r

Rin = RB || r
Rout = RC

Emisor Comn
C
sin Derivacin
D

Av =
Ai =

RC
r + ( + 1) RE

RB
RB + r + ( + 1) RE

Rin = RB || r + ( + 1) RE

Rout = RC
C
Colector
Com
mn
Av =

( + 1) RE
r + ( + 1) RE

( + 1) RB
RB + r + ( + 1) RE
Rin = RB || r + ( + 1) RE
Ai =

r + RB
Rout = RE ||

+1

12

Base Comn

Av = g m RC
Ai =

RE
r + ( + 1) RE

Rin =

r
R
( + 1) E

Rout = RC

Base Comn
C
sin Derivacin

Av =

Ai =

RC
r + RB

RE
RB + r + ( + 1) RE

Rin =

r + RB
R
( + 1) E

Rout = RC

-hhibrido para el
e
determ
minadas utillizando el modelo
m
Estass frmulas estn
t
transistor
BJJT despreciaando el efectto de la resistencia de sallida en pequuea seal ( r0 )
d transistor.
del
Para determinar el factor de carga
c
entre dos
d etapas de
d un circuitoo multietapa se
t
toma
en cuen
nta la siguieente relacin:
13

fC =

Rin
Rin + Rout

Dond
de Rin es la resistenciaa de entradaa de la etappa siguientee y Rout es la
r
resistencia
de
d salida de la
l etapa anteerior.
Adem
ms de esto, la tcnica exige identifiicar el comieenzo y final de cada etappa,
y que la gaanancia de voltaje
ya
v
total del circuitoo se halla meediante el prroducto de las
l
g
ganancias
dee cada una de
d las etapas,, por los facttores de cargga.
Para tratar de explicar esto de
d los factores de carga, supngase que se tiene el
a
amplificador
r de la Figurra 1 y vamos a determinnar su gananncia mediante la tcnica de
l factores de carga.
los

Figura 4. Amplificado
A
or Multietapaa.
Ejem
mplo 4.
En laa Figura 4 se muestra un
u amplificaddor donde claramente estn separaddas
l etapas que
las
q lo confoorman, esto es lo primero que hay que hacer para
p
aplicar el
m
mtodo
de lo
os factores de
d carga.
14

Ahora caracterizamos cada una de las etapas hallando su ganancia de voltaje y

sus resistencias de entrada y salida.
La primera etapa es un amplificador en emisor comn, y la segunda un
amplificador en colector comn, donde sus ganancias, resistencias de entrada y salida
estn determinadas por las siguientes expresiones:
Etapa 1

Etapa 2
Av 2 =

Av1 = g m1 RC

( + 1) RE 2
r 2 + ( + 1) RE 2

Rin 2 = r 2 + ( + 1) RE 2

Rin1 = R1 || R2 r 1

Rout 2 = RE 2 ||

Rout1 = RC

r 2
+1

Como se dijo en los prrafos anteriores la ganancia total queda determinada

por el producto de las ganancias individuales y los factores de carga, entonces
tenemos:
Av = f ci Av1 f c12 Av 2
Luego sustituimos cada uno de los factores de carga y las ganancias
individuales.

Av =

Av =

Rin1
Rin 2
Av1
Av 2
Rin1 + RS
Rin 2 + Rout1
r 2 + ( + 1) RE 2

( + 1) R
E2

r 2 + ( + 1) RE 2 + RC r 2 + ( + 1) RE 2
R1 || R2 r 1 + RS

R1 || R2 r 1
( + 1) RE 2
( g m1 RC )
Av =
R1 || R2 r 1 + RS
r 2 + ( + 1) RE 2 + RC
R1 || R2 r 1

( g m1 RC )

Evaluando para la expresin de la ganancia, tenemos:

Av = 133.29V

V
15

Como podemos observar, esta expresin para la ganancia es exactamente igual

a la ganancia obtenida para el mismo circuito por el anlisis del modelo en pequea
seal.

MXIMA EXCURSIN DE ENTRADA Y SALIDA.

Ahora veremos como mediante un anlisis sistemtico se puede obtener la
mxima excursin de entrada y salida de un amplificador multietapa.
Para realizar un anlisis de este tipo es necesario recordar las regiones de
operacin del transistor, ya que el anlisis de mxima excursin se basa en encontrar
la mxima variacin de voltaje AC, tanto en la entrada como en la salida y que todos
los transistores operen en la regin activa.
Para un BJT NPN, tenemos las siguientes regiones de operacin segn la
polarizacin de sus uniones.
Tabla 2. Regiones de operacin del transistor NPN
Unin BE

Unin BC

Regin de Operacin

Inversa

Inversa

Corte

Directa

Directa

Saturacin

Directa

Inversa

Activa

Inversa

Directa

Activa Inversa

De la tabla anterior deducimos que el voltaje en el colector debe ser mayor

que el voltaje en la base y que el voltaje BE debe superar el umbral del diodo
formado por dicha unin para que un transistor NPN opere en la regin activa.
Con base en estos fundamentos, se proceder a resolver el siguiente ejemplo:
Ejemplo 5.
Para el circuito de la Figura 5 obtenga la mxima excursin de entrada y
16

s
salida
y la mxima
m
excuursin simtrrica de entradda y salida.

Figura 5.
5 Amplificador multiettapa para el ejemplo
e
5
Para poder determinar la mxima
m
excuursin (ME) o la mxiima excursiin
s
simtrica
(M
MES), primero que nadaa debemos determinar
d
laa ganancia de
d cada una de
l etapas to
las
omando en cuuenta la etappa siguiente o la carga, es
e decir, debeemos tomar en
c
cuenta
el faactor de cargga a la horaa de calculaar la gananccia por etapaas, tambin es
n
necesario
conocer
c
los voltajes DC
D de cadda terminal de cada transistor del
d
a
amplificador
r multietapa.
Realiizando el annlisis DC deel amplificaddor, tenemoss:

VB1 = VCC

R2
20 K
= 10V
= 2V
R1 + R2
80 K + 20 K

VE1 = VB1 VBE = 2V 0.7V = 1.3V

I E1 =

VE1
1.3V
=
= 0.7mA I C1
RE1 1.86 K

VC1 = VCC I C1 RC1 = 100V 0.7 mA 2 K = 10V 1.4V = 8.66V

VB 2 = VC1 = 8.6V

17

VE 2 = VB 2 + VBE = 8.6V + 0.7V = 9.3V

IE2 =

VCC VE 2 10V 9.3V 0.7V

=
=
= 0.7 mA I C 2
RE 2
1K
1K
VC 2 = I C 2 RC 2 = 0.7mA 3K = 2.1V

Bien ahora procederemos al anlisis AC del amplificador,

La primera etapa consta de un emisor comn sin derivacin a tierra, donde la
ganancia considerando la resistencia de entrada de la segunda etapa esta dada por la
siguiente expresin:

Av1 =

RC r 2
r 1 + ( + 1) RE1

La segunda etapa consta de un emisor comn con derivacin a tierra, y la

ganancia esta determinada por la siguiente expresin:
Av 2 = g m 2 RC 2
La ganancia total del amplificador viene definida por el producto de las dos
ganancias y el factor de caga en la entrada, el cual esta dado por:
fCi =

R1 R2 ( r 1 + ( + 1) RE1 )
Rin1
=
Rin1 + RS R1 R2 ( r 1 + ( + 1) RE1 ) + RS

Entonces tenemos:

g m1 = g m 2 =

r 1 = r 2 =

I C1 0, 7 mA
=
= 28mS
25mV
VT

VT
25mV
= 100
= 3,571k
IC
0, 7mA

Luego la ganancia total del circuito y por etapas es:

18

R1 R2 ( r 1 + ( + 1) RE1 )
VB1
=
VB
R1 R2 ( r 1 + ( + 1) RE1 ) + RS
80k 20k ( 3,571k + (100 + 1)1,86k )
VB1
=
= 0,3622 V
V
VB 80k 20k ( 3,571k + (100 + 1)1,86k ) + 26k

Av1 =

RC r 2
100 2k 3,571k
VC1
=
=
= 0, 6697 V
V
VB1
r 1 + ( + 1) RE1
3,571k + (100 + 1)1,86k
Av 2 =

VC 2
= g m 2 RC 2 = 28mS 3k = 84 V
V
VB 2
VO VB1 VC1 VO
=
= 20,38V
V
VS VS VB1 VC1

Ahora que tenemos las ganancias etapa por etapa y los voltajes DC de cada
Terminal, entonces procedemos a determinar la ME y la MES.
Primero hablaremos de la nomenclatura usada en este tipo de anlisis, puesto
que vamos a hablar de niveles de voltaje DC, mximas variaciones de voltajes AC y
voltajes instantneos, entonces tenemos:
VC

Nivel de voltaje DC en el colector.

VC

Mxima variacin de voltaje AC en el colector

VCi

Voltaje instantneo en el colector.

Debemos aclarar que el voltaje instantneo es la suma de los voltajes AC y

i
DC, es decir, VC = VC + VC

Ya que estamos claros con la nomenclatura a usar, debemos determinar la

tendencia a corte o saturacin de cada transistor, esto lo haremos de forma grfica,
mediante flechas que indican la polaridad (flecha continua indica variacin de voltaje
AC positiva en la fuente de entrada, flecha punteada indica variacin de voltaje AC
negativa en la fuente de entrada) de la variacin de voltaje en cada nodo del circuito,
19

l
luego
observ
vamos las diirecciones de
d las flechas en el colecctor, la basee y el emisorr y
v
vemos
si el transistor
t
tieende a corte o saturacinn, veamos coomo se hace:

Figura 6. Amplificaddor multietappa indicandoo la polaridadd de las variaciones AC

Colo
ocaremos enn forma de tabla los voltajes
v
DC de cada trransistor y las
l
g
ganancias
dee voltaje entrre cada etapa del amplifficador.
Transistor 1

Transistor 2

VB1 = 2V

VB 2 = 8, 6V

VE1 = 1,3V

VE 2 = 9,3V

VC1 = 8, 6V

VC 2 = 2,1V

VB1
= 0,,3622
VS

VC1
= 0,, 6697
VB1

VC 2
= 84
VB 2

Bien ahora sigam

mos el recorrrido de la seeal desde la entrada haasta la salidaa y
v
veamos
que pasa en los terminales del
d transistorr.
VS > 0

Conssideramos enn este momeento las flechhas continuass.

20

Observemos la Figura 6 y analicemos primero el transistor 1, el voltaje en la

base tiende a aumentar, lo mismo que en el emisor, mientras que en el colector el
voltaje tiende a disminuir, lo que a simple vista vemos es que los voltajes en la base y
colector tienden a acercarse, lo que provocara una posible igualacin de los voltajes
de base y colector llegando de esta forma a la saturacin del transistor.
Ahora en el transistor 2 vemos que la tendencia del voltaje en la base es a
disminuir, lo mismo que en el emisor, mientras que en el colector la tendencia es a
aumentar, observamos como los voltajes de colector y emisor al igual que en el
transistor 1 se acercan, lo que causara una inminente igualacin de los voltajes de
base y colector, llevando al transistor 2 a la regin de saturacin.
Ya que determinamos la tendencia de cada transistor, ahora nos queda elegir
cual de los dos transistores analizamos primero, este mtodo es del tipo ensayo y
error, es decir, primero suponemos que uno de los transistores llega primero a
saturacin y partimos de esa limitante y despus comprobamos que el otro esta en la
regin activa, si es as, la suposicin hecha era cierta y termina el problema, pero si
queda fuera de la regin activa quiere decir que entonces el limitante era el otro
transistor, veamos como se hace.
Suponemos que el transistor 2 llega primero a la saturacin y partimos de ah.
VCi 2 = VBi 2

VC 2 + VC 2 = VB 2 + VB 2
2,1V + VC 2 = 8, 6V + VB 2
Usando las relaciones de las ganancias tenemos:
2,1V 84VB 2 = 8, 6V + VB 2
VB 2 =

6,5V
= 76, 47 mV
85

Luego comprobamos mediante las relaciones de las ganancias que el transistor

21

1 esta en la regin activa.

VC1 = VB 2 = 76, 47mV
VB1 =

VC1
76, 47 mV
=
= 114,19mV
0, 6697
0, 6697

Ahora revisamos los voltajes instantneos en la base y el colector y

verificamos que este en la regin activa.
VCi 1 = VC1 + VC1 = 8, 6V 76, 47 mV = 8,523V
VBi1 = VB1 + VB1 = 2V + 114,19mV = 2,114V

Claramente el voltaje en el colector es mayor que en la base, lo que indica que

el transistor esta en la regin activa.
Ahora procedemos a calcular las variaciones tanto en la entrada como en la
salida.
VS =

VB1
114,19mV
=
= 315, 27 mV
0,3622
0,3622

VO = 84VB 2 = 84 76, 47mV = 6, 42V

VS < 0
Consideramos en este momento las flechas punteadas.
Al igual como se hizo para el semiciclo positivo de la seal de entrada,
analizamos las flechas punteadas del circuito de la Figura 6, y observamos las
siguientes tendencias en el transistor 1: base, disminuir; emisor, disminuir; colector,
aumentar; lo que nos indica claramente un posible corte por emisor o por colector, ya
que alguno de estos pudiera llegar a los niveles de polarizacin, es decir, el colector
llegar a VCC o el emisor a tierra.
Analizando el transistor 2 vemos que tiene la misma tendencia que el
transistor 1 de llegar a corte.
22

Suponemos que el transistor 2 llega a primero a corte, y comenzamos el

anlisis por el emisor:
El emisor esta sobre un nivel DC de 9, 3V y puede aumentar hasta un nivel
mximo de 10V que viene determinado por VCC , entonces la mxima variacin AC
que puede tener el emisor es:
VE 2 = 0, 7V = VB 2
Ahora procedemos a determinar la variacin en el colector mediante la
relacin de la ganancia de la etapa 2.
VC 2 = 84VB 2 = 84 0, 7 = 58,8V
El cual es un valor absurdo, puesto que el colector solo puede disminuir 2,1V ,
ya que esto es lo mximo que permite su nivel DC.
Entonces partimos del colector como limitante y comprobamos el emisor.
VC 2 = 2,1V = VO
VB 2 =

VC 2 2,1V
=
= 25mV = VE 2
84
84

Lo cual es un valor lgico, ya que el emisor pude soportar esa variacin.

Ahora procedemos a comprobar que el transistor 1 se encuentre en la regin
activa.
VC1 = VB 2 = 25mV
VB1 =

VC1
25mV
=
= 37,33mV = VE1
0, 6697 0, 6697

VCi 1 = VC1 + VC1 = 8, 6V + 25mV = 8, 625V

VEi 1 = VE1 + VE1 = 1, 3V 37, 33mV = 1, 2627V

Estos valores instantneos de los terminales del transistor 1 pueden manejar

23

sin que el transistor salga de la regin activa.

Tenemos pues, que, aplicando la relacin del factor de carga en la entrada
obtenemos la mxima variacin en la fuente de entrada.
VS =

VB1
37,33mV
=
= 103, 06mV
0,3622
0,3622

Ahora bien, la ME de entrada y salida del amplificador es:

103, 06mV VS 315, 27mV
2,1V VO 6, 42V
Y la MES de entrada y salida viene determinada por las siguientes
inecuaciones:

VS 103, 06mV
VO 2,1V

TCNICAS AVANZADAS DE DISEO DE AMPLIFICADORES MULTIETAPA

Con las herramientas dadas hasta este punto del trabajo, se logran analizar y
disear amplificadores multietapa rudimentarios, es decir, acoplando etapas sencillas
en cascada, lo cual puede producir un amplificador con una pobre excursin tanto en
la entrada como en la salida, esto debido a los apilamientos de voltajes causados por
el uso de etapas (de un mismo tipo de dispositivo, sea NPN o PNP) acopladas
directamente,

sabiendo que el voltaje debe ir aumentando o disminuyendo

dependiendo del tipo de dispositivo usado, ya que en un NPN el voltaje en el colector

debe ser mayor que en la base y con varias etapas acopladas directamente el voltaje
en cada colector ser cada vez mayor, provocando que la excursin del amplificador
se vea disminuida. Estos problemas son sorteados usando trasladores o desplazadores
de nivel.

24

Otro problema que presentan estos amplificadores es el uso indiscriminado de

capacitores, estos elementos deben ser evitados al mximo cuando el amplificador va
a ser construido en un circuito integrado, ya que los capacitores ocupan grandes
cantidades de espacio en la pastilla semiconductora, en consecuencia, donde se
usaban los capacitores deben usarse otras tcnicas para evitar su uso. Para evadir los
condensadores de acoplamiento entre etapas se usa el acoplamiento directo, el otro
uso de un capacitor es como elemento de derivacin a tierra del terminal comn de la
etapa sencilla, entonces debemos usar la derivacin activa.
DESPLAZADORES DE NIVEL.
Un desplazador de nivel es un circuito que realiza una traslacin de voltaje
desde un nivel hasta otro, los cuales son usados para darle solucin al problema del
apilamiento de voltaje, adems de esto tambin se emplean para maximizar en lo
posible la excursin del voltaje de salida, esto se logra haciendo que el voltaje de
salida DC del circuito sea la mitad del voltaje de polarizacin, es decir, si se utilizan
fuentes simtricas, entonces, el voltaje DC en la salida debe ser 0V .
Estos circuitos se pueden implementar de varias formas, mediante un diodo
zener, mediante un seguidor de voltaje con fuente de corriente, adems puede ser en
base a un transistor complementario a los que se estn usando en el amplificador, esto
es, si el amplificador esta hecho en base a un NPN, entonces usamos un PNP como
desplazador de nivel.
En el siguiente ejemplo vamos a ver como se implementa un desplazador de
nivel de varias maneras.

25

Figura 7. Multietapa
M
p ejemploo de desplazaador de nivell.
para
Ejem
mplo 6.
En laa Figura 7 see muestra unn amplificaddor multietappa el cual deebemos ajusttar

V , lo primerro que debeemos hacer es

p
para
que el voltaje de salida en DC
D sea 0V
e
encontrar
los valores DC
C del circuitoo.
Para el siguiente circuito empplearemos

VBE = 0, 6V para
p todos loos transistorees.

VB1 = 0V
VE1 = VB1 VBE = 0V 0,
0 6V = 0, 6V
VRE 1 = 0, 6V 7,3V + 10V = 2,1V

I E1 =

VRE1
RE1

2,1V
= 1, 4mA I C1
1,5k

VC1 = VCC I C1 RC1 = 10V 11, 4mA 6, 2k = 10V 8, 68V = 1,32V = VB 2

VE 2 = VB 2 VBE = 1,32V 0, 6V = 0, 72V
7

IE2 =

VE 2 0, 72V
=
= 0,51
0 mA I C 2
RE 2 1, 4k
26

VC 2 = VCC I C 2 RC 2 = 10V 0,51mA 4, 7 k = 10V 2, 4V = 7, 6V = VB 3

VE 3 = VB 3 VBE = 7, 6V 0, 6V = 7V

I E3 =

VE 3 VEEE 7V + 10V
=
= 1, 7mA I C 3
10k
RE 3

V,
Ahorra bien, teneemos que el voltaje DC en la salidaa del amplifficador es 7V
e
entonces
deb
bemos usar un desplazaador de niveel entre la segunda
s
y laa tercera etaapa
p poder lllevar el niveel de voltaje de la salida hasta 0V .
para
Prim
mero usaremoos un desplaazador de nivvel con dioddo zener, el cual es el ms
m
s
sencillo
y fcil de usar,, en la Figurra 8 se mueestra el circuuito con el desplazador
d
de
n
nivel.

Figura 8 Am
mplificador con
c desplazaador de nivell a diodo zenner
o
el desplazaddor de nivel,, el voltaje del
d zener deebe
En laa Figura 8 observamos
s de 7 volltios, que ess el voltaje que se neceesita bajar para
ser
p
tener enn la salida del
d
a
amplificador
r 0 voltios DC.
D
Entonces VZ = 7V , lo que me
m da,
VB 3 = VE 2 VZ = 7, 7V 7V = 0, 7V
27

Luego
VE 3 = VB 3 VBE 3 = 0, 7V 0, 7V = 0V
Para que un diodo zener funcione en la regin inversa, necesita una corriente
mnima, la cual es llamada corriente de saturacin inversa, que dependiendo del
fabricante puede estar entre 50 A y 100 A , a partir de ese valor de corriente el
zener operar con holgura en la regin inversa, la resistencia RZ es la que obliga la
corriente de saturacin inversa, y el valor de sta se determina de la siguiente manera:
RZ =

VB 3 VEE 0, 7V ( 10V )
=
= 214k
IZ
50 A

La implementacin de un desplazador de nivel puede hacerse de otras formas

distintas, una de ellas es usando un transistor PNP para el segundo transistor, en lugar
del NPN, y cuadrando los voltajes en los terminales del transistor se logra que el
voltaje DC en la salida del amplificador de 0 voltios.
DERIVACIN ACTIVA
Al no poder recurrir a las bondades de la derivacin pasiva realizada por los
condensadores, se debe demandar la derivacin activa, que no es ms que realizar el
trabajo que hacia el condensador, pero, ahora con un dispositivo activo.
En la Figura 9 se muestra la configuracin de un emisor comn con
derivacin activa.

28

Figuura 9 Emisor Comn conn derivacin activa.

Para obtener la ganancia
g
de voltaje de este tipo de circuito
c
se deebe procederr a
r
realizar
el modelo
m
en pequea
p
seal, en la Figgura 10 enccontraremos el modelo en
p
pequea
se
al del circuiito completo.

Fiigura 10 Moodelo en peqquea seal del

d EC con derivacin
d
acctiva
Lo primero
p
quee debemos hacer para hallar la ganancia
g
ess encontrar la
r
resistencia
vista
v
hacia el emisor de Q2 , para lo cual colocaamos una fueente de voltaaje
Vx
d prueba y determinam
de
mos la relacin

I x , enn la Figura 11, veremos el circuito con

c

l fuente de prueba.
la

29

Figuraa 11 Circuito para enconttrar la resisteencia vista hacia

h
el emisor de Q2
I x = g m 2V 2

Ix =

V 2
r 2

V 2
( g m 2 r 2 + 1)
r 2

Ix =

V 2
( + 1)
r 2

Vx = V 2
Entonces tenemoos:
Ix =

Vx
( + 1)
r 2

Vx
r
= 2
I x ( + 1)
Ahorra colocamoos esta resistencia en paralelo conn RE (ver Figura 12) y
p
procedemos
a analizar el
e circuito, obteniendo
o
d esta manera la gananncia de voltaaje
de
e pequea seal.
en
s

30

Figura 12 Circuito
C
equuivalente conn la resistenccia sustituidaa.
VO = g m1V 1 RC

r
Vi = V 1 + 1 + g m1V 1 RE 2
+1

r 1
Vi =

V 1

r 2

r 1 + (1 + ) RE
r 1
+ 1

r 1

r
r 1 + ( + 1) RE 2
+1

V 1 = Vi

VO = g m1Vi

VO
=
Vi

r 1
RC

r 2
r 1 + ( + 1) RE
+ 1

RC

r
r 1 + ( + 1) RE 2
+1

mula de la ganancia
g
dee voltaje, peero
Esta es la expreesin exactaa de la frm
u
usando
las aproximacion
a
nes de ingenniera tenemoos:
RE >>

r 2
r
r
RE 2 = 2
+1
+1 +1

Entonces

31

VO
RC
=
r
Vi
r 1 + ( + 1) 2
+1
VO
RC
=
Vi
r 1 + r 2

Ahora bien, recordemos que los transistores son dispositivos en los cuales la
intensidad de corriente es proporcional al rea transversal de la unin base-emisor,
ahora supondremos que ambos transistores son fabricados en idnticas condiciones,
es decir, las reas transversales de sus uniones base-emisor son exactamente iguales,
lo que indica que ambas corrientes de emisor deben ser iguales, independientemente
del valor de las resistencias de colector.
Lo anterior seala que los voltajes de base-emisor en ambos transistores son
iguales, lo que quiere decir que las resistencias de base r son iguales.
Entonces,

VO
R
= C
2r
Vi
VO
g R
= m C
2
Vi

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
En este punto trataremos un circuito con una topologa especial de dos
transistores, la cual se denomina amplificador diferencial. Este tipo de circuito se
encuentra presente en muchos amplificadores, generalmente se usa como entrada de
la mayora de amplificadores a circuito integrado, presenta dos entradas y como su
nombre lo dice es un circuito que amplifica la diferencia del voltaje entre sus
entradas, y la salida puede ser tomada en forma sencilla o en forma diferencial, segn
sea el uso que se requiera.
32

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL BJT.

En laa Figura 13 se observa la topologa bsica dell amplificaddor diferenciial,
s dos entrradas se pueeden trabajarr de dos form
sus
mas, en form
ma diferenciial y en form
ma
c
comn,
y la salida se puuede tomar sencilla (en una
u sola term
minal) o difeerencial, lo que
q
n da distin
nos
ntos tipos de ganancia paara ste tipo de amplificaador.

Figura 13 Topologa
T
bsica del ampplificador diiferencial BJJT
Teneemos entoncees dos tipos de entradas,, las cuales se
s forman poor la diferenccia
y el promediio de sus enttradas sencilllas:
vid = V1 V2
vic =

V1 + V2
2

La saalida entoncees puede serr:

vo1 o vo 2 : Salida sencilla
vod = vo1 vo 2 : Salidaa diferencial

De laas diferentes relacioness entre las entradas

e
y laas salidas see desprende lo
s
siguiente:
33

Amd s1 =

vo1
vid (Salidda sencilla 1 / Entrada differencial)

Amd s 2 =

vo 2
vid (Salidda sencilla 2 / Entrada diiferencial)

Amd dif =

vod
vid (Salida diferenciall / Entrada diferencial)
d

Amc s1 =

vo1
vic (Sallida sencilla 1 / Entrada comn)
c

Amd s 2 =

vo 2
vid (Sallida sencilla 2 / Entrada comn)

Ahorra se procedee a encontraar las gananccias diferenciiales y comuunes, mediannte

e anlisis de
el
d pequea seal
s
de la topologa
t
bsica del am
mplificador diferencial
d
BJT
m
mostrado
en
n la Figura 133.
GANANCIA EN MODO DIIFFERENCIAL.
A co
ontinuacin se
s muestra el modelo en pequea seal con entraada diferenccial
p
pura
corresp
pondiente al circuito de la
l Figura 13..

Figura 14 Modelo en pequea seal de la topologa

t
bsica del ampplificador
T con entradaa diferencial pura.
difeerencial BJT
Com
mo podemos observar enn la Figura 14, las entrradas en moodo diferenccial
p
puro
son igu
uales en maggnitud pero con signos opuestos,
o
lo que hace quue la corriennte
34

fluya desde la fuente de la izquierda hasta la fuente de la derecha para cerrar el

recorrido, sin fluir corriente por la resistencia Rn .
Realizando el recorrido de la malla tenemos:
va + V 1 V 2 va = 0
2va = V 1 V 2 = ib1 r 1 ib 2 r 2
Una condicin importante de los amplificadores diferenciales es que sus dos
transistores deben ser idnticos, es decir, las reas transversales de sus uniones baseemisor deben ser perfectamente iguales, lo que produce que 1 = 2 = y que
r 1 = r 2 = r ,

como

gm =

r , g m1 = g m 2 = g m ; entonces podemos decir que las

corrientes de base son iguales pero en sentido contrario, es decir:

ib1 = ib 2
Esto provoca que los voltajes V 1 = V 2 , quedando la expresin de la malla
de entrada de la siguiente forma:

2va = V 1 ( V 1 ) = 2V 1
V 1 = va
De forma anloga tenemos:
V 2 = va
Ahora analizamos la rama de salida y tenemos:
vo1 = g mV 1 RC
Sustituyendo
vo1 = g m va RC
Recordando que:
35

vid = V1 V2 = va ( va ) = 2va
Entonces dividiendo ambos miembros de la expresin por el voltaje
diferencial de entrada, tenemos:
vo1 g m va RC
=
2va
2va

vo1
g R
= m C
2
vid
Ahora se proceder a determinar la ganancia en la salida del segundo
transistor.
vo 2 = g mV 2 RC

vo 2 = g m ( va ) RC
vo 2 = g m va RC
vo 2 g m va RC
=
2 va
2va

vo 2 g m RC
=
2
vid
Seguidamente tomaremos salida diferencial, vod = vo1 vo 2 , entonces:

vo1 =

g m RC
vid
2

vod =

vo 2 =

g m RC
vid
2

g m RC
g R
vid m C vid = g m RC vid
2
2

Lo que nos da:

vod
= g m RC
vid

36

GANANCIA EN MODO COMN.

el
Conttinuando conn el anlisiss del amplificador difeerencial le corresponde
c
el modelo en
t
turno
a las entradas coomunes purras, en la Figura
F
15 observamos
o
p
pequea
se
al del amplificador diferrencial con entrada
e
comn pura.

Figura 15 Modelo en pequea seal de la topologa

t
bsica del ampplificador
diiferencial BJJT con entraada comn puura.
Obseervando el circuito
c
del modelo veemos que ahhora las fueentes de seal
g
generan
corrrientes en el mismo sentido, es decirr, las corrientes de base son
s iguales.
ib1 = ib 2
Entonces las coorrientes fluyyen hacia la
l resistencia Rn , de manera
m
que el
v
voltaje
en su
us terminaless queda deteerminado porr la siguientee expresin:
VRn = I Rn Rn

I Rn = gm1V 1 +

V 1
V
+ gm
g 2V 2 + 2
r 1
r 2

Reco
ordando que los transistoores son idnnticos, y quee por ende sus
s parmetrros
s iguales tenemos:
son
t

I Rn = 2 g mV + 2

V
V
V
= 2 ( g m r + 1) = 2 ( + 1)
r
r
r

VRn = 2 ( + 1)

V
Rn
r
37

Recorremos la malla por cualquiera de las entradas del amplificador y

obtenemos:
vb = V + VRn

vb = V + 2 ( + 1)

vb =

V
Rn
r

V
( r + 2 ( + 1) Rn )
r

Despejando V tenemos:
V =

r + 2 ( + 1) Rn

vb

Al recorrer la malla de la salida de Q1 se obtiene:

vo1 = g mV RC
Al sustituir la ecuacin de V obtendremos la ganancia en modo comn.
vo1 = g m

r + 2 ( + 1) Rn

vb RC

vo1
RC
=
vb
r + 2 ( + 1) Rn
De igual manera hacemos con el segundo transistor y obtendremos la
ganancia.
vo 2 = g mV RC
vo 2 = g m

r + 2 ( + 1) Rn

vb RC

vo 2
RC
=
vb
r + 2 ( + 1) Rn
38

Por simple inspeccin de las ecuaciones da ganancia en modo comn en

ambas salidas, notamos que son iguales, lo que nos dice que en modo comn no hay
salida diferencial.
RELACIN DE RECHAZO EN MODO COMN.
Un amplificador diferencial debe cumplir un compromiso entre la ganancia
diferencial y la ganancia comn, la primera debe ser amplificada en un factor grande,
en tanto que la segunda a su vez debe ser minimizada todo lo que sea posible. Se
define la relacin entre estas dos ganancias como la relacin de rechazo en modo
comn o RRMC y queda determinada por la siguiente frmula:

RRMC =

Amd s1
Amc s1

g m RC
g m RC ( r + 2 ( + 1) Rn )
2
RRMC =
=
RC
2 RC
r + 2 ( + 1) Rn
RRMC =

Si

>> 1 2 ( + 1) Rn >> r

r + 2 ( + 1) Rn
2r

entonces:

RRMC = g m Rn
Entonces vemos una dependencia lineal de la RRMC con Rn , mientras ms
grande sea sta resistencia ms grande resulta la RRMC, lo cual es conveniente en un
amplificador diferencial.
RESISTENCIAS DE ENTRADA Y SALIDA DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
Como se sabe, el amplificador diferencial responde a seales de entradas
diferenciales y comunes, y por ende tiene resistencia de entrada en modo diferencial y
en modo comn.
39

Las resistencias de entrada vistas por fuentes de seales en modo diferencial

puras, estn definidas por:

ren md =

ib1 =

v1 v2
ib1
V
r

Anteriormente se demostr que:

V = va
Tenemos entonces:
ren md =

va ( va ) 2 va r
=
va
va
r

ren md = 2r
Ahora en modo comn,
ren mc =

( v1 + v2 )

ib1

i1 = ib1 =

V
r

Al igual que en el caso diferencial, antes demostramos que:

V =

r + 2 ( + 1) Rn

vb

Tenemos entonces:

ren mc =

( vb + vb )
vb

r + 2 ( + 1) Rn

vb ( r + 2 ( + 1) Rn )
vb

40

ren mcc = r + 2 ( + 1) Rn
La reesistencia dee salida del amplificador
a
r diferencial tiene dos foormas distinttas
d verse, cuaando se tom
de
ma salida sencilla, es deciir, ya sea la resistencia vista
v
desde vo1
vo 2 y la viista en formaa diferenciall, vo = vo1 vo 2 .
Para salida senciilla la resistencia vista desde
d
cualquuiera de los terminales de
s
salida
es idntica a la reesistencia vissta desde el Terminal
T
dee salida de unn amplificaddor
e emisor co
en
omn, es deccir, la resisteencia queda Rsal se1 = RC y Rsal se 2 = RC .
VX y se
Para salida diferrencial se colocara unaa fuente de prueba de valor
v

VX
d
determinar
la relacin I X , con lo cual
c quedar determinadda la resistenncia de salidaa.

Figura 16 Circuito equuivalente paara el clculoo de la resisteencia de saliida en modo

diferenciall
mo podemos observar en
e la Figurra 16, los controles de
d las fuenttes
Com
ddependientes quedan aislados de laa fuente prueeba que se coloc para determinar la
entonces elllas se pueden modelar como
r
resistencia,
c
circuittos abiertos, entonces soolo
RC de ambbos colectorees, lo que daa una resisteencia de saliida
q
quedan
las resistencias
r
d
diferencial
de:
d
Rsal dif = 2 RC

41

POLARIZACIN DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

Figurra 17 Amplifficador diferrencial polariizado por resistencia de emisor.

Obseervando la Figura 13 vemos quee los transistores estn polarizaddos
m
mediante
un
na fuente de corriente quue es comnn a los emisoores de amboos transistorees,
c
como
es bieen sabido, las
l fuentes de corrientee como elem
mentos indeependientes no
e
existen
fsiccamente, perro si, podem
mos construiir circuitos en
e base a trransistores que
q
g
generen
unaa corriente fiija independdientemente del
d valor de la carga, a estos circuittos
s les conoce como fuenntes de corrieentes.
se
ms tambinn se puede polarizar un amplificador
a
r diferenciall mediante una
u
Adem
r
resistencia
(ver
(
Figura 15), esta forma
f
de polarizacin
p
no afecta el modelo en
Rn ,
p
pequea
se
al ya que laa resistencia de emisor RE hace las veces
v
de la resistencia
r
e es la forrma ms senncilla y econnmica de poolarizar un amplificador
esta
a
r diferencial, la
c
corriente
en cada rama del
d amplificaador se puedde determinarr de la siguieente forma:
I C1 = I C 2 = I C =

I O VRE
=
2 2 RE

VRE = VE VEE

VE = VB VBE
B
42

En laa base de cuualquiera de los transistoores el voltaaje CD es ceero (0) voltioos,

VB = 0 , las ecuaciones
e
q
quedan:
VE = VBE
IC =

VBE VEE
2 RE

Las fuentes dee corriente juegan un

u papel muy
m
imporrtante en los
l
a
amplificador
res diferenciiales, ya quee si bien un amplificadoor puede ser polarizado de
f
forma
ms econmica mediante una
u simple resistencia
r
d emisor, las
de
l fuentes de
c
corriente
prroporcionan una mayorr resistenciaa de salidaa, y como determinam
mos
a
anteriorment
te, la RRMC
C es directam
mente propoorcional a la resistencia de
d emisor o en
e
este
caso a la resistenccia de salidaa de la fuennte de corrieente, entoncces, entre ms
m
g
grande
sea dicha
d
resistenncia, mayor es la RRMC
C, lo que favorece al ampplificador.
Ahorra procedereemos a analizzar algunas fuentes de corriente
c
clssicas, entre las
l
q podemo
que
os nombrar la fuente de
d corriente simple, el espejo de corriente y la
W
Widlar,
donde se enconntrar la corrriente de pollarizacin y la resistenciia de salida en
p
pequea
se
al para cadaa una de estaas fuentes com
menzando por
p la simple.
FUENTE DE CORRIENTE SIMPLE.

Fiigura 18 Fueente de corrieente simple con

c las corriientes sealaadas.

43

En sta fuente, la corriente de salida se calcula mediante las siguientes

ecuaciones:
I1 = I 2 + I B
VCC + I1 R1 + VBE + VRE + VEE = 0

I1 =

VCC VEE VBE VRE

R1
I2 =

VBE + VRE
R2

VRE = I E RE

I1 =

VCC VEE VBE I E RE

R1
I2 =

VBE + I E RE
R2

I E = ( + 1) I B
I1 =

VCC VEE VBE ( + 1) I B RE

R1
I2 =

VBE + ( + 1) I B RE
R2

VCC VEE VBE ( + 1) I B RE VBE + ( + 1) I B RE

=
+ IB
R1
R2

R2 (VCC VEE VBE ( + 1) I B RE ) = R1 (VBE + ( + 1) I B RE ) + R1 R2 I B

I B ( R1 R2 + ( + 1) RE ( R1 + R2 ) ) = R2 (VCC VEE VBE ) RV
1 BE
IB =

R2 (VCC VEE VBE ) R1VBE

R1 R2 + ( + 1) RE ( R1 + R2 )

44

I E = ( + 1)

R2 (VCC VEEE VBE ) R1VBE

R1 R2 + ( + 1) RE ( R1 + R2 )

IO = IC =

R2 (VCC VEEE VBE ) R1VBE

R1 R2 + ( + 1) RE ( R1 + R2 )

Esta es la forma exacta de caalcular la corriente de saalida, la form

ma aproximaada
e mediante las siguientees ecuacionees:
es
VB =

VCC R1 + VEE
E R2
R1 + R2

VRE = VE VEE

VE = VB VBE
B
VRE =

VCCC R1 + VEE R2
VBE VEE
R1 + R2

V R +V R
I O  I E = CCC 1 EE 2 VBE VEE RE
R1 + R2

En la
l fuente de
d corriente simple la resistencia de salida se determiina
c
colocando
una
u fuente de
d prueba y se determina la relacinn de la corriiente generaada
p la fuentte de pruebaa y el voltaj
por
aje de dicha fuente, el modelo
m
de pequea
p
seal
d
donde
se mu
uestra la fuennte de prueba queda de la
l siguiente forma:
f

Figura 19 Modelo
M
en peequeas seaal de la fuentte de corriennte simple coon la fuente de
d
pruebba para el cllculo de la reesistencia dee salida.
Dond
de
45

RP = R1 R2
Realizando anlisis de nodos y mallas tenemos:
VX = Vo + VRE

Vo = io ro
io = I X g mV
V = I X

RE
r
r + RP + RE

io = I X + g m I X

io = I X

Vo = I X

RE
r
r + RP + RE

r + RP + ( + 1) RE
r + RP + RE
r + RP + ( + 1) RE
ro
r + RP + RE

VRE = I X ( RE ( r + RP ) )

VX = I X

Rn =

r + RP + ( + 1) RE
ro + I X ( RE ( r + RP ) )
r + RP + RE

r + RP + ( + 1) RE
VX
= RE ( r + RP ) + ro
IX
r + RP + RE

ESPEJO DE CORRIENTE.
El espejo de corriente es otro circuito que funciona como fuente de corriente,
se usan dos (2) transistores en lugar de uno (1), y sus ecuaciones son ms sencillas
que la de la fuente de corriente simple. En la Figura 20 se muestra la configuracin
de sta fuente.

46

Figura 20
2 Espejo dee corriente
En laa figura 21 se muestra el
e espejo dee corriente con
c todas lass corrientes de
r
rama
marcaadas, con la finalidad de
d calcular de forma exxacta la relacin entre la
c
corriente
de referencia y la corrientee de salida.

gura 21 Espeejo de corrieente con las corrientes

c
dee rama marcaadas.
Fig
Haciendo ecuaciones de noddo logramos encontrar laa relacin dee las corrienttes
d entrada y salida.
de
I REF
EF = I C 2 + I B 2 + I B1
I REF =

+1

IE2 +

IE2
I
I + I
I
+ E1 = E 2 E 2 + E 1
+1 +1
+1
+1

I REF =

( + 1) I E 2 + I E1
+1
47

Com
mo ambos traansistores soon idnticoss, los voltajes bese-emiisor de ambbos
t
transistores
son iguales, lo que noss da corrienntes de emisor idnticas, por lo tantto;
I E1 = I E 2
I REF = I E 2

I REF = I C 2

+1 + 2
+1

I REF = I C 2
IO
I REF

+2
+1

+2

+2

madamente la
l unidad, y el
Si es grande, la gananciaa de corrientte es aproxim
e
espejo
de co
orriente reflejja la corriennte de la ramaa de referenccia en la ram
ma de salida.
Ahorra se procedee a determinnar el valor de
d la resistenncia de salidaa del espejo de
c
corriente,
paara esto se reealiza primerro el modeloo en pequeaa seal del ciircuito.

Figura 22 Modelo
M
en pequea
p
seaal del espejo de corrientee.
En laa Figura 22 se
s muestra el
e modelo enn pequea seal del espejjo de corriennte
c la fuentee de prueba colocada dee manera tal que se puedda determinarr fcilmentee la
con
r
resistencia
de
d salida, veemos que laa rama dondde estn loss controles de las fuenttes
d
dependiente
s de corriennte quedan aislados
a
y sin
s polarizaccin, entoncces las fuenttes
d
dependiente
s se abren, quedando
q
enn la rama de salida solo la resistencia de salida del
d
t
transistor,
lo
o que nos da:
Rn = rO =

VA
IO

48

Vem
mos entoncess que la ressistencia es directamentte proporcioonal al voltaaje
e
early,
el cual es un paarmetro intrrnseco del transistor, y no se pueede manipular,
a
adems
de ser
s de un vaalor no muyy grande com
mo sera deeseado para una fuente de
c
corriente
ideeal, esta es laa principal desventaja
d
dee esta fuente de corrientee.
FUENTE DE CORRIENTE WIDLAR.
Una alternativa para
p
salvar la desventaja del espejoo de corrientte es la fuennte
w
widlar
(ver Figura 23), ella presentta un resistorr adicional en
e el emisorr del transisttor
Q1 , esta con
nfiguracin, como
c
se verra ms adelannte, mejora la
l resistenciaa de salida.

Figura 23 Fuuente de Corriente Widllar

Reco
orriendo la malla
m
de los emisores
e
de Q1 y Q2 de la figura 24 tenemos:
VBE
B 2 = VBE1 + I E1 RE
Reco
ordando las ecuaciones
e
d la corrientte a travs dee una unin PN tenemoss:
de
VBE VT

IE = IE0 e
1

Obseervando la ecuacin
e
de la corrientee a travs dee una uninn PN podem
mos
o
observar
qu
ue el voltajee base-emisoor es variass veces mayyor (aproxim
madamente 28
v
veces)
que el producto VT , por lo
l tanto esaa exponenciaal da un nmero positiivo

49

mucho ms grande que uno (1), por lo que esta ecuacin puede escribirse de la
siguiente manera:
VBE

IE = IE0 e

VT

Despejando de esta ecuacin el voltaje base-emisor tenemos:

I
VBE = VT Ln E
IE0
Ahora procedemos a utilizar este resultado para sustituirlo en la ecuacin de la
malla de los emisores.

IE2
I E1
= VT Ln
+ I E1 RE
IE0
IE0

VT Ln

Manipulando algebraicamente la ecuacin obtenemos lo siguiente:

IE2
I E1
VT Ln
= I E1 RE
IE0
IE0

VT Ln

IE2
I E1
Ln
= I E1 RE
IE0
IE0

VT Ln

Aplicando propiedades de los logaritmos

VT Ln

IE2
IE0
I E1
IE0

=I R
E1 E

IE2
= I E1 RE
I E1

VT Ln

Si despreciamos el efecto de las corrientes de base, tenemos que la corriente

de colector es igual a la corriente de emisor, es decir:
I E IC I B 0
50

Tenemos entonces:
I E 2 = I REF I E1 = I O
La ecuacin queda de la siguiente manera:

I
I O RE = VT Ln REF
IO
Donde
IO

: Corriente de salida
I REF =

VCC VEE VBE 2

RREF

I REF

: Corriente de referencia

VT

: Voltaje trmico (valor por defecto 25mV )

: Factor exponencial de idealidad (Por lo general se toma como 1)

Como se puede observar, es una ecuacin trascendental que no tiene solucin

matemtica, solo puede ser solucionable por mtodos numricos iterativos como el
mtodo de newton-rapson o el mtodo de la secante.
Sin embargo, ahora pueden usarse calculadoras programables para obtener la
solucin numrica de este tipo de ecuaciones.
Para determinar la resistencia de salida de esta fuente, se procede de manera
similar a lo hecho en los dos tipos de fuentes de corrientes anteriores, primero se
realiza el circuito equivalente del modelo lineal en pequea seal y luego se procede
a colocar una fuente de prueba, para posteriormente realizar el anlisis de la
resistencia de salida.
En la Figura 24 se muestra el modelo de pequea seal junto con la fuente de
prueba.

51

Fig
gura 24 Moddelo equivaleente de pequuea seal dee la fuente widlar
w
Si ob
bservamos la parte dereecha del circcuito (desde r 1 en adellante), vem
mos
q es exacttamente el mismo
que
m
circuito de la Figuura 19, entonnces lo nico que tenem
mos
q hacer ess encontrar la resistenciia equivalente de la partte izquierda del circuitoo y
que
s
sustituir
su valor
v
por el de la resisteencia RP en la ecuacin que muestraa la resistenccia
d salida dell modelo moostrado en laa Figura 19.
de
En laa Figura 25 se
s muestra el
e modelo eqquivalente dee pequea seeal de la parrte
i
izquierda
dee la fuente widlar
w
con suu fuente de prueba paraa determinarr su resistenccia
e
equivalente.

5 Circuito eqquivalente coorrespondiennte a la partee izquierda de

d la fuente
Figura 25
widlar.

Figura 266 Circuito sim

mplificado.
En laa Figura 26 se muestra el
e circuito siimplificado de la parte izquierda
i
de la
f
fuente
widlaar, partiendo de dicho cirrcuito y realiizando un annlisis de nodos tenemoss:

I X = g m 2V 2 +

V 2
RREFF rO 2 r 2
52

c
poddemos obserrvar que la fuente
f
de vooltaje V X essta en paraleelo
Del circuito
c el voltajje V 2 , entonnces V X = V 2 .
con

1
1

I X = V X
+
rO 2 r 2
R
1 g m 2 R REF
VX
=
IX

1
1
1
+
1 g m 2 R REFF rO 2 r 2

VX
= R REF rO 2 r 2 1 g m 2
IX
Llam
memos a estaa resistenciaa R A y la suubstituimos en el modelo en pequeea
s
seal,
el cuaal se mostrar en la Figurra 27.

Figura 27
7 Circuito eqquivalente dee pequea seeal de la fueente de corriiente widlar
donde
d
se susttituy el trannsistor 2 porr su resistenccia equivalennte.
Com
mo se dijo arrriba, si obseervamos el circuito
c
de laa Figura 27 vemos que es
i
igual
al mod
delo equivaleente de pequuea seal deel circuito dee la Figura 19,
1 por lo tannto
e anlisis necesario
el
n
paara encontraar la resisteencia de sallida es el mismo,
m
lo que
q
h
haremos
serr tomar el resultado
r
deel anlisis heecho para deeterminar la resistencia de
s
salida
de la Figura
F
19 y lo adaptarem
mos a la Figuura 27.
Rn = RE ( r 1 + RA ) + ro1

r 1 + RA + ( + 1) RE
r 1 + RA + RE

Existten otros tippos de fuenntes de corriiente, pero el anlisis necesario

n
paara
53

encontrar la corriente de polarizacin y la resistencia de salida es el mismo que

hemos usado para estas tres fuentes de corriente.
ANLISIS A GRAN SEAL DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.
Al igual que los amplificadores de un solo transistor, los amplificadores
diferenciales tienen un mximo voltaje de entrada para que ambos transistores operen
en la regin activa.
Consideremos el amplificador diferencial de la Figura 28 al cual le haremos
un anlisis de gran seal para encontrar su mximo voltaje diferencial de entrada en
funcin de algunos parmetros internos de los transistores.

Figura 28 Amplificador diferencial alimentado por fuentes diferenciales puras.

Consideremos las corrientes que circulan por los emisores de ambos

transistores, recordemos que la unin base-emisor fsicamente es una unin PN, en la
cual la corriente queda determinada por la siguiente expresin:
vbe

ie = I S e VT 1

Para cada emisor las corrientes quedan de la siguiente manera:

54

ie1 = I S e

vbe1

VT

ie 2 = I S e

vbe 2

VT

Donde
ie1

Corriente en el emisor 1.

ie 2

Corriente en el emisor 2.

IS

Corriente de saturacin de la unin.

vbe1 , vbe 2 :

Voltaje de la unin base emisor para cada transistor.

Observemos que en la expresin falta el trmino de la sustraccin

cual es despreciable debido a que vbe >> VT lo que hace que e

vbe

VT

( 1)

, el

>> 1 .

Recorriendo una malla en la entrada tenemos:

vd
v
+ vbe1 vbe 2 d = 0
2
2

Lo que nos da lo siguiente:

vd = vbe1 vbe 2
Despejando los voltajes de las uniones nos da lo siguiente:
vbe1 = vd + vbe 2

vbe 2 = vbe1 vd

Sustituyendo las ecuaciones de los voltajes de las uniones en cada una de las
corrientes de las uniones base-emisor tenemos:

ie1 = I S e
ie1 = I S e

vbe 2

vd + vbe 2

VT

ie1 = ie 2 e

vd

VT

e
VT

vd

VT

ie 2 = I S e
ie 2 = I S e

vbe1

vbe1 vd

VT

ie 2 = ie1 e

VT

vd

vd

VT

VT

55

Ahorra vamos a escribir

e
la corriente de salida en fuuncin de lass corrientes de
l emisoress,
los
I o = ie1 + ie 2

I o = ie1 + ie1 e

I o = ie1 + ie 2

vd

VT

v
d

I o = ie1 1 + e VT

ie1 =

Io
1+ e

vd

I o = ie 2 e

VT

+ ie 2

vd

I o = ie 2 1 + e VT

ie 2 =

VT

vd

Io
1+ e

vd

VT

Supo
ongamos ahoora despreciable la corrriente de base
b
de cadaa transistor, y
c
calculemos
el
e voltaje enn cada colector.
VC1 = VCC RC ic1

VC1 = VCC

RC I o
1+ e

vd

VT

VC 2 = VCC RC ic 2
VC 2 = VCC

RC I o
1+ e

vd

VT

Figura 29 Grfica
G
de loss voltajes dee salida del amplificador
a
e funcin del
d
diferencial en
v
voltaje
de enntrada en moodo diferenciial.
En laa Figura 29 se puede obbservar la grfica
g
de caada uno de los
l voltajes de
56

salida del amplificador diferencial, en ella se puede observar que la parte lineal del
voltaje de salida de los colectores ocurre entre VT y VT , para valores normales
esto es, 25mV < vd < 25mV .
Podemos notar en la misma grfica que el voltaje en los colectores del
amplificador diferencial es siempre mayor a cero, y observando la Figura 28 vemos
que el voltaje en los emisores es de 0, 7V , por lo tanto podemos decir que los
transistores de un amplificador diferencial nunca entran en saturacin, lo que permite
un procesamiento de las seales de entrada mucho ms rpido que con un
amplificador de un solo transistor, esto constituye una ventaja en aplicaciones a
frecuencias altas.
INTERVALO DE ENTRADA DE MODO COMN.
El intervalo del voltaje de entrada comn en un amplificador diferencial
determina el rango dentro del cual el amplificador se comporta linealmente para
seales comunes de entrada. El lmite superior del intervalo viene determinado por
los colectores del par diferencial, ya que cuando el voltaje en las bases sean iguales a
los colectores, el par entra en saturacin, por lo tanto, el lmite superior vendra
determinado por el voltaje cd de los colectores. En tanto que el lmite inferior viene
determinado por el transistor de la fuente de corriente que sirve de polarizacin al
amplificador diferencial, y sera igual al voltaje cd de la base de dicho transistor mas
el voltaje de la unin base emisor.
AMPLIFICADOR DIFERENCIAL CON CARGA ACTIVA.
Los dispositivos activos (transistores) ocupan mucho menos rea de silicio
que los resistores de valores medios y altos, Por esta razn, muchos circuitos
integrados usan cargas activas BJT en lugar de cargas resistivas. En estos circuitos
los transistores suelen conectarse en configuracin de fuente de corriente constante y
entonces presentan al amplificador una resistencia de carga de valor muy elevado (la
resistencia de salida de la fuente de corriente). Por lo tanto, los amplificadores que
utilizan cargas activas pueden alcanzar ganancias ms altas que los que utilizan
57

c
cargas
resisttivas, lo quee repercute en mejoras para los am
mplificadoress de mltiplles
t
transistores.
En la Figura 300 podemos observar unn amplificaddor diferenccial con carrga
a
activa
en su forma ms sencilla. Loos transistorres Q1 y Q2 forman un par
p diferencial
p
polarizado
con
c corrientee constante I O . El circuuito de cargaa consta de los
l transistorres
Q3 y Q4 conectados enn una configuuracin de espejo
e
de corrriente. La salida se tom
ma
a
asimtrica
del
d colector de
d Q2
Para el anlisis de
d corriente directa, quee es el caso cuando no se
s aplica seal
d voltaje en
de
e la entradda, es decir,, ambas enttradas estn conectadass a tierra. La
c
corriente
I O se divide en partes igguales entree los transisttores Q1 y Q2 , que es la
m
misma
corriente que cirrcula por el espejo,
e
esto es, I C1 = I C 3 =
t
tenemos
IC 2 = IC 4 =

IO
de laa misma form
ma
2

IO
, sin embarggo, debe notarse que el voltaje
v
de CD
C del nodo de
2

s
salida
viene determinadoo por la etappa siguiente.

Figura 30 Amplificcador diferenncial con carrga activa.

mplificador, el
Ahorra se procedder al anlissis en modoo diferencial de dicho am

58

c
cual
es alimentado con una
u fuente de
d voltaje de seal de vaalor Vd , que es equivalennte
a tener dos fuentes de valor Vd 2 tal como se muestra en la Figurra 30, en los
l
c
colectores
de
d ambos transistores
t
del diferenncial las seeales de corrientes soon:
iC1 = g mV 1 e iC 2 = g mV 2 , por simplle inspeccinn del circuitoo notamos que
q V 1 = Vd 2
y V 2 = Vd 2 quedanddo entonces las corrientees iC1 = g m (Vd 2 ) e iC 2 = g m (Vd 2 ) ,

g m (Vd 2 ) enn el colector de

e espejo de corriente repproduce la corriente
el
c
de referencia
r
Q4 . Entoncces, en el noodo de salidaa tenemos dos
d seales de
d corriente que se sum
man
p
para
produccir una seaal total de corriente
c
de g mVd . Enn la Figura 31 se pueede
o
observar
el amplificador con carga activa con las corrientees de seal marcadas
m
y su
r
respectiva
po
olaridad.

diferencial con carga acctiva mostranndo las corriientes de seal

Figura 31 Amplificador
A
La seal de voltaje en la salida
s
del am
mplificador viene determ
minada por la
s
seal
total de
d corriente ( g mVd ) y ell total de resistencia enttre el terminnal de salidaa y
t
tierra,
RO ; esto
e es,
VO = g mVd RO

59

Donde la resistencia de salida RO es el equivalente del paralelo de la

resistencia de salida del transistor Q2 y la resistencia de salida del transistor Q4 ,
como Q2 esta operando como emisor comn la resistencia de salida es rO 2 . Q4 es el
transistor de salida de un espejo de corriente el cual por anlisis previos sabemos que
tiene una resistencia de salida igual a rO 4 . Entonces

RO = rO 2 rO 4
Para el caso en que los transistores estn fabricados de forma idntica, sus
resistencias de salida son iguales, es decir, rO 2 = rO 4 = rO , entonces:
RO =

rO
2

y el voltaje de seal de salida ser

VO = g mVd

rO
2

que lleva a una ganancia de voltaje de

VO g m rO
=
Vd
2

Para valores tpicos esta ganancia puede llegar a ser de un valor de 2000.
En algunos casos la resistencia de entrada de la etapa subsiguiente es del
mismo orden de RO y por lo tanto debe ser tomada en cuenta cuando se vaya a
determinar la ganancia de voltaje total.

CONFIGURACIONES ESPECIALES.
AMPLIFICADOR DARLINGTON.
Es una configuracin de dos transistores conectados en cascada como se pude

60

ver en la Figura 33 ah podemos observar la configuracin Darlington, inicialmente

procedemos a determinar relaciones entre los parmetros de ambos transistores.
Recordando las relaciones entre las corrientes de un transistor tenemos:

IC =

IE =

+1

IE

; IC = I B

+1
I
C ; I E = ( + 1) I B

IB =

IE
+1 ;

IB =

IC

Figura 32 Configuracin darlington

Para el Darlington tenemos:
I B1 =

I E1
+1 ;
I B1 =

I C1 =

+1

I E1 =

IB2
+1

+1

I C1 =

I E1 = I B 2 =

I E1 = I B 2

IB2 =

IC 2

+1

IC 2
+1

IC 2

IE2

+1

61

IE2
+1

I E1 =

g m1 =

I C1
IC 2
=
VT ( + 1) VT

g m1 =

r 1 =

gm2
+1

VT
V
V
= T = ( + 1) T
I
I C1
IC 2
C2
+1
r 1 = ( + 1) r 2

V 1 = I B1 r 1 =

IB2
( + 1) r 2
+1

V 1 = V 2
En la siguiente figura se presenta un Darlington usado como amplificador en
emisor comn con capacitor de desvo en la resistencia de emisor.

Figura 33 Par Darlington conectado en emisor comn.

Con las relaciones entre los parmetros del darlington, se procede a realizar el
62

a
anlisis
de pequea
p
seaal del amplifficador de laa Figura 33. En la Figuura 34 tenem
mos
e modelo de
el
d pequea seal del Darlington
D
e emisor comn,
en
c
a partir de diccho
m
modelo
se obtiene las eccuaciones quue rigen su comportamie
c
ento en pequuea seal paara
d
determinar
la ganancia de
d voltaje.

Figu
ura 34 Modeelo en pequeea seal del Darlington en emisor coomn.

VO = ( g m1V 1 g m 2V 2 ) RC RL
g

VO = m 2 V 2 + g m 2V 2 RC RL

+1
+2
VO = g m 2V 2
RC RL
+1
V 1 + V 2 = VS

V 2 + V 2 = VS

R1 R2 r 1 + ( + 1) r 2
R1 R2 r 1 + ( + 1) r 2 + RS

R1 R2 ( + 1) r 2 + ( + 1) r 2
R1 R2 ( + 1) r 2 + ( + 1) r 2 + RS

2V 2 = VS

R1 R2 2 ( + 1) r 2

R1 R2 2 ( + 1) r 2 + RS

V
R1 R2 2 ( + 1) r 2
VO = g m 2 S
2 R1 R2 2 ( + 1) r 2 + RS

+ 2
R R

+ 1 C L

63

R1 R2 2 ( + 1) r 2 + 2
g R R
VO
= m2 C L
VS
2
R1 R2 2 ( + 1) r 2 + RS + 1

Existte una modificacin parra la conexin del Darlinngton, la cuaal es mostraada

e la Figura 35. Para ell anlisis de dicho circuiito se procedde de igual forma
en
f
que paara
e circuito original,
el
o
entoonces proceedemos a dibbujar el modelo de peqquea seal, el
c es mosttrado en la Figura
cual
F
36.

Figura 355 Darlington modificado

Figura
F
36 Moodelo en peqquea seal del
d Darlington modificaado.

VO = g m 2V 2 RC RL
V 1 + V 2 = VS

R1 R2 r 1 + ( + 1) r 2
R1 R2 r 1 + ( + 1) r 2 + RS

64

V 2 + V 2 = VS

R1 R2 ( + 1) r 2 + ( + 1) r 2
R1 R2 ( + 1) r 2 + ( + 1) r 2 + RS

2V 2 = VS

R1 R2 2 ( + 1) r 2

R1 R2 2 ( + 1) r 2 + RS

V
R1 R2 2 ( + 1) r 2
VO = g m 2 S
2 R1 R2 2 ( + 1) r 2 + RS

RC RL

R1 R2 2 ( + 1) r 2
g R R
VO
= m2 C L
VS
2
R1 R2 2 ( + 1) r 2 + RS

El Darlington adems puede ser conectado en cualquiera de las otras

configuraciones de amplificador, base comn y colector comn.

AMPLIFICADOR CASCODE.
En la Figura 37 se muestra un amplificador de dos etapas en cascada, la
primera etapa consta de un transistor conectado en emisor comn y la segunda etapa
de un base comn, la primera etapa sirve de polarizacin a la segunda, es decir, la
corriente de colector de la primera etapa es la misma corriente de emisor de la
segunda.
Primeramente procedemos al anlisis DC del amplificador.

65

Figura 37 Amplificador cascode

Asumimos que las corrientes de base de ambos transistores son muy pequeas
con relacin a la corriente que circula por las resistencias R1 , R2 y R3 , por lo tanto,
es vlido entonces calcular los voltajes en las bases de los transistores utilizando
divisores de voltaje.
VB1 = VCC

R3
R1 + R2 + R3

VB 2 = VCC

R2 + R3
R1 + R2 + R3

I E1 =

VE1 VB1 VBE1

=
RE
RE

Como I B1 0 I B 2 0
Entonces
I E1 = I C1 = I E 2 = I C 2
VC1 = VE 2 = VB 2 VBE 2

66

VE1 = VB1 VBE1

VC 2 = VCC I C 2 RC
Una vez determinado el punto de operacin de ambos transistores se procede
al anlisis de pequea seal del amplificador, en la siguiente figura observamos el
modelo circuital de pequea seal para el amplificador cascode.

Figura 38 Modelo de pequea seal del amplificador cascode

Con el modelo del amplificador determinamos la ganancia del circuito.

VO = g m 2V 2 RC RL
Como las corrientes de ambos transistores son iguales entonces los g m y los
r de ambos transistores tambin son iguales.
Encontrando una relacin entre V 1 y V 2 tenemos:
g m1V 1 +

V 2
+ g m 2V 2 = 0
r 2

V 2
(1 + g m 2 r 2 ) = g m1V 1
r 2

V 2 ( + 1) = g m1r 2V 1
V 2 ( + 1) = V 1
V 2 =

( + 1)

V 1

Haciendo un recorrido de la malla de entrada tenemos lo siguiente:

67

V 1 = VS

R2 R3
R2 R3 + RS

Luego,
V 2 =

( + 1)

VS

R2 R3
R2 R3 + RS

Sustituyendo en la ecuacin de salida obtenemos:

R2 R3

VO = g m 2
VS
( + 1) R2 R3 + RS

RC RL

R2 R3
VO

= g m 2 RC RL
VS
( + 1) R2 R3 + RS

Asumiendo  1 entonces:
R2 R3
VO
= g m 2 RC RL
VS
R2 R3 + RS

68

EJERCICIOS RESUELTOS.
A co
ontinuacin se presentaan una seriee de ejerciccios resueltoos tratando de
a
abarcar
todaas las configuuraciones annalizadas en este materiaal.

EJERCICIO 1. DISEO DE UN AMPLIFICADOR MULTIETAPA

Dise
e un amplificador adeccuado para la fabricacinn en circuitoo integrado, es
d
decir,
sin co
ondensadorees ni conexiiones a tierrra, que tengga la mismaa topologa en
p
pequea
se
al que el amplificador
a
r de la Figgura 39.

Suuponga que tambin essta

d
disponible
una
u fuente dee alimentaciin de VEE = 15V . El amplificadoor deber tenner
u ganancia de aproxim
una
madamente 75. Determ
mine la mxim
ma excursin simtrica en
l fuente dee entrada y la mxima excursin simtrica
la
s
en la salida. Nota: Para el
t
transistor
dee este ejerciccio, utilice loos parmetroos dados por el fabricantee en la hoja de
d
datos
adjuntta.

F
Figura
39 Am
mplificador del ejercicioo 1

69

Solucin:
Muchas configuraciones pueden dar solucin al problema, aqu se presenta
una forma de resolverlo, al circuito original se le hicieron algunas modificaciones,
que lo hacen ms eficiente para una posible construccin en circuito integrado por la
ausencia de capacitores y conexiones a tierra.
En la primera etapa se elimina la red de polarizacin, lo que asegura 0V DC
en la base del primer transistor, en la segunda etapa se usar una derivacin activa lo
que asegura buena ganancia. Seguidamente se usar un desplazador de nivel con
diodo Zener para asegurar 0 voltios en la salida y de esta manera maximizar la
excursin de salida del amplificador.
En la Figura 40 se muestra el circuito modificado a fin de cumplir con las
especificaciones del enunciado del ejercicio 1.

Figura 40 Amplificador modificado del ejercicio 1

Los parmetros de los transistores deben ser tomados de la hoja de datos del
dispositivo, para mayor facilidad, en el diseo usaremos la misma corriente de
polarizacin para cada transistor I c I E = 1mA , entonces con este valor de corriente
nos vamos a la hoja de datos del fabricante y tomamos los distintos parmetros
70

necesarios para el desarrollo del problema.

A continuacin se presenta una serie de grficas tomadas de forma idntica
como aparecen en la hoja de datos del fabricante donde se observarn los valores de
distintos de los parmetros usados para modelar un transistor.

Grfica 1 Ganancia de Corriente en directo Vs. Corriente de colector

Grfica 2 Ganancia de Corriente AC Vs. Corriente de Colector.

71

Grfica 3 Voltaje base=emisor de encendido Vs. Corriente de colector.

Grfica 4 Impedancia de entrada Vs. Corriente de Colector.

72

Grfica 5 Admitancia de salida Vs. Corriente de colector.

En las grficas mostradas arriba todos los parmetros son presentados en
funcin de la corriente de colector, la Grfica 1 muestra la ganancia de corriente en
directo ( hFE o DC ) , la Grfica 2 la ganancia de corriente AC ( AC ) , en tanto que la
Grfica 3 muestra el voltaje de encendido de la unin base-emisor (VBEon ) , en la
Grfica 4 se puede ver la impedancia de entrada del transistor ( hie o r ) , por ltimo
se observa en la Grfica 5 la admitancia de salida del transistor ( h oe ) , parmetro con
el cual se calcula la resistencia de salida del transistor.
Observando las grficas tenemos los siguientes datos:

DC = 230 ; AC = 130 ; VBE = 0, 67V ; hie = 3, 6 K y hoe = 8, 6

clculo obtenemos ro =

por

1
= 116,3K
hoe

Ahora empezamos por la primera etapa,

VB1 = 0V
VE1 = VB1 VBE = 0 0, 67V = 0, 67V

73

RE1 =

VE1 VEE 0, 67V + 15V

=
= 14,33K
1mA
IE

Para obtener ganancia en la primera etapa la resistencia de colector debe ser

ms grande que la de emisor lo que provocara un voltaje negativo en el colector
llevando el transistor 1 a saturacin.
Es por esto que el valor de RE1 se elije de manera arbitraria.
RE1 = 3,3K
Entonces el voltaje del diodo zener 1 queda determinado por la siguiente
ecuacin.
VD1 = VEE VBE VRE1 = 15V 0, 67V 3,3K 1mA = 11, 03V
De manera arbitraria se elije
VC1 = 8,8V , entonces

RC1 =

VCC VC1 15V 8,8V

=
= 6, 2 K
1mA
1mA

VE 2 = VC1 VBE = 8,8V 0, 67V = 8,13V

RE 2 =

VE 2 VEE 8,13V + 15V

=
= 11,565K
2mA
I
IE2 = IE4 =

I
= 1mA
2

En la base 4 debe haber un voltaje DC igual que en la base 2, entonces se

coloca un diodo zener con un valor de:
VD 2 = VB 2 VEE = 8,8V + 15V = 23,8V
Como se utilizar un desplazador de nivel entre la segunda y tercera etapa, el
nivel de voltaje en el colector del transistor 2 no es de mucha importancia, y elijo la
resistencia de acuerdo a la ganancia, esta ganancia debe ser grande, ya que el factor
74

de carga entre la primera y segunda etapa es pequeo, por lo tanto se elige para una
ganancia de -75.

75 =

g m RC
h
150
3, 6 K
RC 2 =
= 150 ie = 150
= 4,154 K
2
130

gm

VC 2 = VCC RC 2 I C 2 = 15V 4,154 K 1mA = 10,846V

El valor del diodo zener del desplazador de nivel que asegure 0V en la salida
es:
VD 3 = VC 2 + VBE = 10,846V 0, 67V = 10,176V

RE 3 =

VE 3 VEE 0 + 15
=
= 15K
IE3
1mA

Las resistencias de polarizacin de los diodos se calculan de manera tal que

circulen por los diodos I DS = 50 A .

RZ 2 =

RZ 3 =

VEE VB 4 15V 8,8V

=
= 124 K
50 A
I DS

VB 3 VEE 0, 67V + 15V

=
= 313, 4 K
I DS
50 A

Ahora se calcular la ganancia total para ver si se cumple con la ganancia

exigida.
ATotal = FC1 A1 FC 2 A2 FC 3 A3

Rin1 = r 1 + ( + 1) RE1 = 435,9 K

Rout1 = RC1 ro1 = 6, 2 K 116,3K = 5,89 K

r
Rin 2 = r 2 + ( + 1) RE 2 4 = 7,19k
+ 1

Rout 2 RC 2 = 4,154 K
75

Rin 3 = RZ 3 r 3 + ( + 1) RE 3 = 270, 4 K

FC1 =

Rin1
= 0,9998
Rin1 + RS

FC 2 =

Rin 2
= 0,5497
Rin 2 + Rout1

FC 3 =

Rin3
= 0,9849
Rin 3 + Rout 2

A1 =

RC1
6, 2 K
=
= 1,8787
3,3K
RE1

A2 =
A3 =

A3 =

g m RC 2
= 75
2

( + 1) RE 3
r 3 + ( + 1) RE 3

(130 + 1)15 K
= 0,9982
3, 6 K + (130 + 1)15 K
ATotal = 76,13V

Lo cual es un resultado bastante aceptable tratndose de un diseo, con lo cual

que determinado el cumplimiento del objetivo del ejercicio, ahora continuando con el
trabajo debido se debe calcular la mxima excursin simtrica de la fuente de voltaje
de la entrada y del voltaje de salida del amplificador.
Primero que nada se debe tener a mano todos los voltajes de CD de cada
Terminal de los transistores y las variaciones de seal entre cada etapa.
En la siguiente tabla se muestran los valores de los voltajes de corriente
directa en cada uno de los terminales de los transistores del amplificador objeto de
estudio.

76

Tabla 3 Voltajes DC de cada terminal de los transistores.

Transistor 1

Transistor 2

Transistor 3

Transistor 4

VB1 = 0V

VB 2 = 8,8V

VB 3 = 0, 67V

VB 4 = 8,8V

VE1 = 0, 67V

VE 2 = 8,13V

VE 3 = 0V

VE 4 = 8,13V

VC1 = 8,8V

VC 2 = 10,846V

VC 3 = 15V

VC 4 = 15V

VB1
= 0,9998
VS

VC1
= 1, 033
VB1

VC 2
= 73,868
VB 2

VC 3
= 0,9982
VB 3

Iniciamos con el semiciclo positivo de la fuente de entrada VS > 0 .

Figura 41 Amplificador con las tendencias de voltaje de seal para VS > 0

Observando la Figura 41 en la cual se muestran las tendencias del voltaje de
seal en cada transistor vemos que los transistores presentan las siguientes
posibilidades:
77

Q1 Saturacin
Q2 Corte
Q3 Saturacin
Partiendo en el anlisis que Q2 es el limitante por tener mayor ganancia
tenemos:
Analizando el corte por el colector
VC 2 = VCC VC 2 = 15V 10,846V VC 2 = 4,154V = VB 3 = VE 3
VB 2 =

VC 2
4,154
=
= 56, 24mV = VC1
73,868 73,8678

VB1 =

VC1
56, 24mV
=
= 54, 44mV
1, 033
1, 033

Comprobando Q1
Limite de saturacin
VCi 1 > VBi1

VC1 + VC1 > VB1 + VB1

56, 24mV + 8,8V > 54, 44mV + 0V
8, 7438V > 54, 44mV Por lo tanto Q1 esta activo.

Comprobando Q3
Limite de saturacin
VCi 3 > VBi 3

VC 3 + VC 3 > VB 3 + VB 3
0V + 15V > 4,154V + 0, 67V

78

15V > 4,824V Por lo tanto Q3 esta activo.

Entonces
VS =

VB1
54, 44mV
=
= 55, 45mV
0,9998
0,9998
V0 = VC 3 = 4,154V

Continuando con el clculo de la excursin podemos observar en la Figura 42

las tendencias de los voltajes de seal para el semiciclo negativo de la seal de
entrada. VS < 0 .

Figura 42 Amplificador con las tendencias de voltaje de seal para VS < 0

Observando la disposicin de las flechas podemos decir que:
Q1 Corte
Q2 Saturacin
Q3 Corte
Partiendo en el Anlisis que Q2 es el limitante por tener mayor ganancia
79

tenemos:
VCi 2 = VBi 2

VC 2 + VC 2 = VB 2 + VB 2
73,868 VB 2 + 10,846V = VB 2 + 8,8V
74,868 VB 2 = 10,846V 8,8V
VB 2 =

2, 0468V
= 27,34mV = VC1
74,868

VC 2 = 73,868 VB 2 = 73,868 27,34mV = 2, 02V = VB 3

VB1 =

VC1
27,34mV
=
= 26, 47mV = VE1
1, 033
1, 033

Comprobando Q1
Corte por el colector
VCi 1 = VC1 + VC1
VCi 1 = 27,34mV + 8,8V = 8,827V Activo

Corte por el emisor

VEi 1 = VE1 + VE1
VEi 1 = 26, 47 mV 0, 67V = 696, 47 mV Activo

Comprobando Q3
Corte por el emisor
VEi 3 = VE 3 + VE 3
VEi 3 = 2, 02V + 0V = 2, 02V Activo

Entonces
80

VS =

VB1
26, 47 mV
=
= 27, 48mV
0,9998
0,9998
Vo = VE 3 = 2, 02V

La mxima excursin de la fuente de voltaje de entrada es

26, 48mV < VS < 55, 45mV
La mxima excursin de la fuente de voltaje de entrada es
2, 02V < Vo < 4,154V
La mxima excursin simtrica de la fuente de voltaje de entrada es

VS < 26, 48mV

La mxima excursin simtrica del voltaje de salida es:

Vo < 2, 02V

EJERCICIO 2. ANLISIS DE AMPLIFICADOR MULTIETAPA CON ENTRADA

DIFERENCIAL.
Para el circuito de la Figura 43 determine la ganancia en modo diferencial, en
modo comn y la relacin de rechazo en modo comn (RRMC). Para el BJT se tiene

= 120 y ro = 100 K ; para el JFET se tiene I DSS = 6mA y VTR = 2,5V , adems
2

V
V
I
recuerde que I D = I DSS 1 GS y g m = DSS 1 GS
VTR 2 VTR
VTR

81

Figura 43 Amplificador multietapa con entrada diferencial.

Solucin:
Procedemos a calcular de manera inicial los voltajes y corrientes de
polarizacin.
Inicialmente calcularemos la corriente de salida de la fuente de corriente
formada por los transistores Q3 y Q4 .
IC 4 = I B 4
IB4 = IE3 I2

I E 3 = ( + 1) I B 3
I B 3 = I1 I C 4

I E 3 = ( + 1)( I1 I C 4 )
I B 4 = ( + 1)( I1 I C 4 ) I 2
82

I C 4 = ( + 1)( I1 I C 4 ) I 2

I C 4 = ( + 1) I1 ( + 1) I C 4 I 2
I C 4 ( ( + 1) + 1) = ( + 1) I1 I 2

IC 4 =

( + 1) I1 I 2
( + 1) + 1

Evaluando para las corrientes I1 e I 2 tenemos:

I1 =

VCC VEE 2VBE

= 461, 29 A
RREF

I2 =

IC 4 =

VBE 4
= 2mA
RE 3

120 (120 + 1) 461.29 A 120 2mA

120 (120 + 1)

= 444.73 A

I B 3 = 461.29 A 444.73 A = 16.56 A

I C 3 = I B 3 = 120 16.56 A = 1.99mA 2mA
Luego la corriente de colector de cada transistor del amplificador diferencial
es de 1mA.
Despreciamos la corriente que circula por la resistencia de 1M y calculamos
el voltaje compuerta fuente del JFET.
VC1 = Vcc I C1 RC1 = 15V 1mA 12 K = 3V
Procedemos a aplicar LVK en la malla compuerta fuente, la unin base
emisor y el resistor RE5.
VC1 = VG = VGS + VBE 5 + I E 5 RE 5

I E 5 = ( + 1) I B 5 = ( + 1) I D
83

 V
I D = I DSS 1 GS
VTR
IE5

V
= I DSS ( + 1) 1 GS
VTR

V
+ I DSS ( + 1) 1 GS RE 5
VTR

VG = VGS + VBE

Por calculadora se obtuvo: un valor de -2 para VGS.

2

V
2

I D = I DSS 1 GS = 6mA 1
= 240 A = I B 5
V
2.5

TR

I E 5 = ( + 1) I B 5 = (120 + 1) 240 A = 29mA

Una vez que tenemos todas las corrientes de polarizacin, procedemos a
calcular:

g m1 = g m 2 =

gm3 =

gm4 =

g mF =

I C1
1mA
=
= 40mS
VT 25mV

IC 3
2mA
=
= 80mS
VT
25mV

I C 4 444.73 A
=
= 17.79mS
VT
25mV

I DSS VGS
1
VTR 2 VTR
gm5 =

2V
2 6mA
=
1
2.5V 2.5V

= 960 S

I C 5 29mA
=
= 1.16S
VT
25mV

r 1 = r 2 =

VT
25mV
= 120
= 3K
1mA
I C1

84

r 3 =

VT
25mV
= 120
= 1.5K
2mA
IC 3

VT
25mV
= 120
= 6.75K
444.73 A
IC 4

r 4 =

r 5 =

VT
25mV
= 120
= 103.45
29mA
IC 5

Ahora determinamos la ganancia de voltaje en modo diferencial.

AV 1 =

g m1 RC1
40mS 12 K
=
= 240
2
2

La ganancia de la segunda etapa viene dada por el anlisis del modelo de

pequea seal mostrado en la Figura 44.

Figura 44 Modelo de pequea seal de la segunda etapa del ejercicio 2.

Del circuito de la figura podemos deducir:

Vo = ( g mF VGS + ib 5 ) RC 5
ib 5 = g mF VGS

Vo = ( + 1) ib5 RC 5
Vi 2 = VGS + ib5 r 5 + ( + 1) ib5 RE 5

85

Vi 2 =

ib 5
+ ib 5 r 5 + ( + 1) ib5 RE 5
g mF

+ r 5 + ( + 1) RE 5
Vi 2 = ib 5
g mF

g mF ( + 1) RC 5
Vo
=
Vi 2
1 + g mF ( r 5 + ( + 1) RE 5 )

AV 2 = 0.63
Ahora se determinan el factor de carga de la entrada y el de la primera y
segunda etapa, determinamos las resistencias de entrada y salida de cada etapa por
separado.
Rin1 = 2r 1 = 6 K
Rout1 = RC1 = 12 K
Rin 2 = 1M
Rout 2 = RC 5 = 100

FC1 =

Rin1
6K
=
= 0.97
Rin1 + Rg1 + Rg 2 6 K + 200

FC 2 =

Rin 2
1M
=
= 0.99
Rin 2 + Rout1 1M + 12 K

AVd = FC1 AV 1 FC 2 AV 2 = 143.92

La ganancia en modo comn viene dada por la siguiente expresin:
AC1 =

RC1
r 1 + Rg + 2 ( + 1) rn

Ahora para determinar la ganancia en modo comn, procedemos a determinar

la resistencia de salida en pequea seal de la fuente de corriente.
86

Figura 45 Modelo de pequea seal de la fuente de corriente.

Del modelo en pequea seal observado en la Figura 45 podemos deducir:

V 4 = ( ib 3 + ix ) RP 2
ib3 = g m 4V 4

V 3 + V 4
RP

V 3 = ib 3 r 3

ib3 = g m 4V 4

ib3 r 3 + V 4
RP

1
ib3 1 + 3 = V 4 g m 4 +

RP
RP

1
gm4 +

RP

ib 3 = V 4
r 3
1 +

RP

ib3 = V 4

( g m 4 RP + 1)
( RP + r 3 )

87

V 4

1
gm4 +

RP

= V 4
RP 2 + ix RP 2
r 3
1 +

RP

( g m 4 RP + 1)

V 4 1 +
RP 2 = ix RP 2

( RP + r 3 )

V 4 = ix

ib 3 = ix

RP 2 ( RP + r 3 )

RP + r 3 + ( g m 4 RP + 1) RP 2
RP 2 ( g m 4 RP + 1)

RP + r 3 + ( g m 4 RP + 1) RP 2
Vx = Vro 3 + V 4
Vro 3 = iro 3 ro 3
iro 3 = ix g m3V 3
iro 3 = ix g m 3 ib 3 r 3
iro 3 = ix 3 ib 3

Vro3 = ( ix 3ib 3 ) ro 3

RP 2 ( g m 4 RP + 1)
Vro 3 = ix + 3 ix

RP + r 3 + ( g m 4 RP + 1) RP 2

RP 2 ( g m 4 RP + 1)
Vx = i x + 3 i x

RP + r 3 + ( g m 4 RP + 1) RP 2

RP 2 ( g m 4 RP + 1)
Vx
= 1 + 3

ix
RP + r 3 + ( g m 4 RP + 1) RP 2

ro 3

RP 2 ( RP + r 3 )
ro 3 + ix
RP + r 3 + ( g m 4 RP + 1) RP 2

RP 2 ( RP + r 3 )
ro 3 +
RP + r 3 + ( g m 4 RP + 1) RP 2

Rn = 10.23M

88

La ganancia en modo comn queda entonces:

AC1 =

RC1
= 581.85 106
r 1 + Rg + 2 ( + 1) rn

La RRMC es entonces:

RRMC =

FC1 AV 1
= 399.17 103
AC1

En decibelios es:
RRMC = 20 Log ( 399.17 103 ) = 112dB

EJERCICIO 3. AMPLIFICADOR CASCODE MIXTO.

Tomado del libro N. R. Malik Circuitos Electrnicos. Anlisis, diseo y
simulacin. Primera edicin. Captulo 7 problema 7.68 con modificacin propia.
En el amplificador de la Figura 46 se tiene = 200 , K = 2 mA V 2 ,
R1 = R2 = 10K y VA = 100V para ambos transistores. Considere ideal la fuente de
corriente de polarizacin.
Obtenga la ganancia de tensin y las resistencias de entrada y salida del
circuito.
Ahora conecte una resistencia de carga RL en la salida del circuito y
determine de nuevo la ganancia de tensin.

89

Figura 46 Amplificador Cascode del ejercicio 3

Solucin:
El circuito tal como se presenta consta de dos etapas conectadas en
configuracin cascode, donde la primera etapa se basa en un BJT en configuracin de
emisor comn, que sirve de alimentacin a la segunda etapa, la cual usa un MOSFET
incremental canal p en compuerta comn, donde la fuente de corriente de
polarizacin se considera ideal, lo que me dice que su resistencia de salida es infinita,

( RN = ) .
A partir de los datos de polarizacin calcularemos los parmetros que
caracterizan los transistores.
Para el BJT
r =

VT
IC

g mB =

200 25mV
= 5K
1mA
=

200
= 40mS
5K

90

rOB =

VA 100V
=
= 100 K
I C 1mA

Para el MOSFET
g mF = 2 kI D = 2 2 mA V 2 1mA = 2.83 mA V
rOF =

VA 100V
=
= 100 K
I D 1mA

En la Figura 47 vemos el modelo en pequea seal del circuito.

Figura 47 Modelo de pequea seal del amplificador cascode mixto.

Redibujando el modelo, intercambiando los signos del control y cambiando el
sentido de la corriente de la fuente dependiente g mFVgs , obtenemos el circuito de la
Figura 48.

Figura 48 Modelo redibujado del cascode mixto.

Haciendo uso de la ley de voltajes de kirchoff para obtener el voltaje de salida
VO , tenemos:
91

VO = g mFVgs rOF + Vgs

VO = Vgs ( g mF rOF + 1)
Como el circuito no tiene carga las corrientes de las fuentes dependientes
quedan atrapadas cada una a travs de su resistencia de salida respectiva, por lo tanto,
el voltaje Vgs queda determinado por la siguiente expresin:
Vgs = g mBV rOB

Ahora sustituimos esta expresin en la del voltaje de salida:

VO = g mBV rOB ( g mF rOF + 1)

Observando el circuito vemos que:
Vi = V
Entonces:

VO = g mBVi rOB ( g mF rOF + 1)

Luego la ganancia del circuito viene dada por:
VO
= g mB rOB ( g mF rOF + 1)
Vi

Evaluando la ganancia con los valores hallados previamente tenemos:

VO
= 40mS 100 K ( 2.83mS 100 K + 1) = 1.136 106 V
V
Vi

Ahora para determinar la resistencia de salida del circuito colocamos una

fuente de voltaje de prueba v X que genera una corriente iX entre los terminales
donde queremos hallar la resistencia equivalente y encontramos la relacin

vX
.
iX

92

Figura 49 Modelo visto desde el drenador del MOSFET para el clculo de la

resistencia.

vx = g mFVgs + ix rOF + Vgs

Vgs = ix rOB

Combinando estas dos expresiones obtenemos la resistencia de salida del

circuito.

vx = ( g mF ix rOF + ix ) rOF + ix rOB

vx = ix ( g mF rOF rOB + rOB + rOF )
RO =

vx
= g mF rOF rOB + rOF + rOB
ix

Evaluando obtenemos el valor de la resistencia de salida.

RO = 2.83mS 100 K 100 K + 100 K + 100 K = 28.48M
Ahora para determinar la ganancia del circuito con una carga ( RL = 10 K )
conectada, procedemos a usar el mtodo de los factores de carga.
AV = g mB rOB ( g mF rOF + 1)

AV = 1.13 106

RL
RL + RO

10 K
= 398.46 V
V
10 K + 28.48M

93

EJERCICIO 4. ESPEJO DE CORRIENTE WILSON.

Tomado del libro M. N. Horenstein. Microelectrnica: Circuitos y
Dispositivos. Segunda edicin. Capitulo
En el espejo de corriente Wilson mostrado en la Figura 50, un cuarto transistor
es conectado, primero en paralelo con Q1 y luego en paralelo con Q2 . En cada caso,
en trminos de . Simplifique su
encuentre una expresin para la relacin I O I
REF
expresin tanto como sea posible para que puedas sacar algunas conclusiones acerca
de la sensibilidad del espejo de corriente Wilson modificado con respecto al valor de
.

Figura 50 Espejo de corriente Wilson. Ejercicio 4

Solucin:
En la Figura 51 vemos la primera modificacin del espejo de corriente, donde
colocamos el cuarto transistor en paralelo al primero.

94

Figura 51 Espejo de
d corriente Wilson
W
moddificado 1
a
Obseervando el circuito y realizando su anlisiss circuital procedemos
p
d
determinar
la relacin reequerida.
I REF = I C 2 + I B 3

I REFF =

+1

IE2 +

IC 3

Com
mo I C 3 = I O teenemos:
I REF =

+1

IE2 +

IO

(1)

I E 3 = I B 2 + I B1 + I B 4 + I C1 + I C 4

IE3 =

1
1
1

IE2 +
I E1 +
IE4 +
I E1 +
I
+1 E4
+1
+1
+1
+1

Por el
e efecto del espejo tenem
mos que
I E 2 = I E1 = I E 4

IE3 =

3 + 2
I
+1 E2

Lueg
go

95

 +1
3 + 2
IC 3 =
I

+1 E2

( 3 + 2 )

IO =

( + 1)2

I E 2 = IO

IE2

( + 1)2
( 3 + 2 )

Sustituyendo en la ecuacin (1) tenemos:

I REF =

IO

+1

I REF = I O

( + 1) 2 + I O
( 3 + 2 )

( + 1) + IO
( 3 + 2 )

( + 1)
1
I REF = I O
+
( 3 + 2 )

( + 1) + 3 + 2
( 3 + 2 )

I REF = I O

I REF = I O

2 + + 3 + 2
3 + 2 2

I REF = I O

IO
I REF

2 + 3 + 3
2 2 + 3

2 2 + 3
2 + 3 + 3

Realizando aproximaciones razonables, determinamos lo siguiente:

IO
I REF

2 2 + 3
2 + 3 ( + 1)

Considerando que  1 entonces obtenemos:

96

IO

I REF
R
IO
I REF

( 2 + 3)
( + 3)

( 2 + 3)
( + 3)

Conssiderando quue  3 tennemos:

IO
I REF

=2

Para que esta aprroximacin sea

s correcta debe ser igual o mayyor que 60.
Prosiiguiendo coon el desarrollo del ejeercicio mosttramos en la
l

el circuito

m
modificado
con
c el transiistor adicionnal colocado en paralelo al transistor Q2 .

Figura 52 Espejo de
d corriente Wilson
W
modiificado 2.
I REFF = I C 4 + I C 2 + I B 3

I REFF =

I
2
IE 2 + C3
+1

Com
mo I C 3 = I O teenemos:
I REF =

I
2
I E 2 + O (1)
+1

I E 3 = I B 2 + I B1 + I B 4 + I C1

97

IE3 =

1
1
1

IE2 +
I E1 +
IE4 +
I
+1
+1
+1
+ 1 E1

Por el efecto del espejo tenemos que

I E 2 = I E1 = I E 4

I E3 =

3+
I
+1 E2

Luego
+1
3+
IC 3 =
I

+1 E2
IO =

(3 + )

( + 1)2

IE2

2
+ 1)
(
I E 2 = IO
(3 + )

Sustituyendo en la ecuacin (1) tenemos:

I REF =

+1

IO

I REF = I O

( + 1) 2 + I O
(3 + )

2 ( + 1)

(3 + )

IO

2 ( + 1) 1
I REF = I O
+
( 3 + )

I REF = IO

I REF = I O

2 ( + 1) + 3 +

(3 + )

2 2 + 2 + 3 +

I REF = I O

3 + 2

2 2 + 3 + 3
2 + 3

98

IO

I REF

2 + 3
2 2 + 3 + 3

Al igual que para la primera parte del ejercicio, realizamos aproximaciones

razonables y obtenemos lo siguiente:
IO
I REF

IO

2 + 3
2 2 + 3 ( + 1)
=

I REF
IO
I REF

( + 3)
( 2 + 3)

( + 3)
( 2 + 3)

IO
I REF

1
2

Para que esta aproximacin sea correcta debe ser igual o mayor que 60.

EJERCICIO 5. AMPLIFICADOR DIFERENCIAL

CON

ENTRADA

EN

MODO

COMN.
Tomado del libro M. N. Horenstein. Microelectrnica: Circuitos y
Dispositivos. Segunda edicin. Capitulo
Uno de los compromisos disponibles en el diseo de un circuito amplificador
diferencial bsico, como el mostrado en la Figura 53, radica entre el valor de la
ganancia de voltaje y el rango de voltaje de entrada en modo comn.
a)

Determine la corriente en los colectores de Q1 y Q2 correspondiente a una

seal de entrada diferencial de 5mV .

Asuma que toma un valor muy

elevado. Encuentre la ganancia diferencial en trminos de I RC .

b)

Halle el valor permitido mximo para el voltaje de entrada en modo comn de

tal forma que los transistores operen cmodamente en la regin activa con
VCB = 0V . Exprese el valor mximo hallado para el voltaje de entrada en modo
comn en trminos de VCC y de la ganancia diferencial.

Posteriormente

99

demuestre que, para un valor de VCC dado, una mayor ganancia diferencial se
logra para un rango del voltaje de entrada en modo comn ms bajo.

Figura 53 Amplificador Diferencial con entrada comn pura.

Solucin:
I = iE 2 + iE 2

iE1 =
1+ e

vd

VT

iE 2 =

1+ e

vd

VT

Como es muy grande tenemos:

iC1 = iE1
iC 2 = iE 2

Para una entrada diferencial de Vd = 5mV ; = 1 VT = 25mV

iC1 =

I
1+ e

iC 2 =

= 0,5498 I
25

I
1+ e

= 0, 4502 I
25

100

vod
= g m RC
vd

gm =

IC
VT

IC =

I
2

vod
IR
IRC
= C =
vd
2VT
2 25mV
vod
= 20 I RC
vd

Se tiene que:
VCB = 0 VC = VB = VMC max

Luego
VMC max = VCC I C RC

Ad =

IC RC
VT

IC =

Ad VT
RC

Sustituyendo tenemos:
VMC max = VCC + Ad VT

Luego
Ad =

VMC max VCC

VT

Observando esta frmula vemos que si VMC max disminuye, la ganancia

diferencial se hace cada vez ms grande (en valor absoluto)

101

EJERCICIO 6. GRAN SEAL DEL AMPLIFICADOR DIFERENCIAL.

Tomado del libro M. N. Horenstein. Microelectrnica: Circuitos y
Dispositivos. Segunda edicin. Capitulo
Utilizando el anlisis de gran seal del amplificador diferencial como punto
de partida, determine el rango de entrada vIDM, expresado en funcin del voltaje
trmico VT, por encima del cual el modelo lineal en pequea seal predice con
precisin la ganancia diferencial del circuito de la Figura 28 dentro del 5%. Suponga
una condicin de polarizacin bajo la cual IORC=0.8VCC. Repita el anlisis para una
precisin del 20%.
Solucin:
Partiendo de la ecuacin del voltaje de salida del modela a gran seal
tenemos:

Vout1 = Vcc

I O RC
1+ e

VIDM

VT

Usando el modelo lineal que siempre hemos usado tenemos:

I R
g R
Vout1 = Vcc O C m C vIDM
2
2

I R
I R
Vout1 = Vcc O C O C vIDM
2
4VT

Los dos primeros trminos de la ecuacin anterior corresponden al voltaje

cuando vIDM = 0 , es decir el voltaje en DC, y el tercer trmino corresponde a la
aproximacin de pequea seal.
Para cumplir con lo requerido en el enunciado del ejercicio, debemos cumplir
la siguiente ecuacin:
Vout1 Vout1 = 0.05 Vout1

Entonces tenemos:

Vcc

I O RC
1+ e

VIDM

Vcc +
VT

I O RC I O RC
+
vIDM = 0.05 Vcc 0.05
2
4VT

I O RC
1+ e

VIDM

VT

102

Desarrollando algebraicamente la ecuacin anterior obtenemos:

1
0.05
1
1
= 0.05 Vcc
I O RC
v
+
+
+
IDM
V
V
1 + e IDM VT 1 + e IDM VT 2 4VT

0.95

1+ e

VIDM

+
VT

1
1
Vcc
vIDM = 0.05
+
2 4VT
I O RC

Como dato del problema tenemos que

Vcc
1
=
= 1.25
I O RC 0.8

Sustituyendo:

3.8
1+ e

VIDM

+2+
VT

vIDM
=
VT

1
v
= 0.25
VT IDM

3.8
1+ e

VIDM

1.75
VT

Resolviendo esta ecuacin trascendental mediante el uso de calculadora

programable, encontramos el valor para:
vIDM = 1.1034 VT
De la misma forma se procede para trabajar el problema para la precisin del
20%.
Vout1 Vout1 = 0.2 Vout1

Entonces tenemos:

Vcc

I O RC
1+ e

VIDM

Vcc +
VT

I O RC I O RC
vIDM = 0.2 Vcc 0.2
+
2
4VT

I O RC
1+ e

VIDM

VT

Desarrollando algebraicamente la ecuacin anterior obtenemos:

103

1
0.2
1
1
= 0.2 Vcc
I O RC
v
+
+
+
IDM
V
V
1 + e IDM VT 1 + e IDM VT 2 4VT

0.8
1+ e

VIDM

+
VT

1
1
Vcc
vIDM = 0.2
+
2 4VT
I O RC

Vcc
1
=
= 1.25
I O RC 0.8

Sustituyendo:

3.2
1+ e

VIDM

+2+
VT

vIDM
=
VT

1
v
=1
VT IDM

3.2
1+ e

VIDM

1
VT

Resolviendo esta ecuacin trascendental mediante el uso de calculadora

programable, encontramos el valor para:
vIDM = 1.7098 VT

104