Amplicadores de Potencia

J.I.Huircan
Universidad de La Frontera
January 30, 2012
Abstract
Los amplicadores de potencia son convertidores que transforman la
energa de la fuente en seal de potencia de salida. Estos pueden ser tipo
clase A, AB, B y C. Los cuales tienen distintos parmetros de eciencia
y uso.

Introduccin

Un amplicador de potencia convierte la potencia de una fuente de corriente

continua (Polarizacin VCC de un circuito con transitores) a potencia de salida
en forma de seal, lo cual es controlado usando una seal de entrada. Si sobre la
carga se desarrolla una gran cantidad de potencia, el dispositivo deber manejar
una gran excursin en voltaje y corriente. Los puntos de operacin deben estar
en un rea permitida de voltaje y corriente que asegure la mxima disipacin,
(SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar los voltajes de ruptura y efectos trmicos permitidos en los dispositivos de estado slido, las caractersticas
no lineales en el funcionamiento y usar los parmetros para gran seal del dispositivo. La curva de la Fig. 1 muestra las caracteristicas de emisor y colector
de un transistor delimitada por el SOA, que est denido por la PCEM AX . [1].
i

SOA

I C Max
PCE Max

I B=0
V

v
CE
CE Max

Figure 1: Area Segura de Operacin del Transistor.

La corriente iC y el voltaje VCE no podrn sobrepasar los mximos indicados.
1

Clasicacin de los amplicadores de potencia

Existen cuatro clasicaciones bsicas de amplicadores de potencia: A, AB, B

y C. En clase A, el amplicador est polarizado de tal forma que la corriente
por el colector uye durante el ciclo completo de la seal de entrada. Para clase
AB, la polarizacin del amplicador es de tal forma que la corriente de colector
solamente uye para un lapso menor a los 360o y mayor a los 180o de la onda
correspondiente. Para el funcionamiento en clase B, la corriente IC uir solo
durante 180o de la onda de entrada. Finalmente, para funcionamiento en clase
C, el dispositivo conducir durante un periodo inferior a los 180o correspondiente
a la onda de entrada. La Fig. 2, muestra el comportamiento del dispositivo en
las distintas clases.
vBE

iC
Clas e A

Clas e B

Conduccin >

Clase A B

2
Conduccin <

Clas e C

Figure 2: Comportamiento para clase A, AB, B, C.

Los amplicadores tipo AB y B usan conguraciones transistorizadas llamadas push-pull. Cada uno de estos amplicadores posee caractersticas de
eciencia y distorsin distintos, por lo cual, sus aplicacin ser a distintas reas.

Relaciones bsicas en los amplicadores de potencia

Para el anlisis de los amplicadores de potencia se requiere de relaciones asociadas a su funcionamiento y desempeo. Como el amplicador de potencia
convierte la potencia de CC de la fuente de alimentacin en una seal de potencia en la carga, la eciencia de este proceso est dada por
=

PL(CA)
PCC
2

(1)

Donde es la eciencia, PL(CA) , es la potencia media de seal en la carga y

PCC , la potencia media de salida en la fuente de alimentacin.
La potencia media disipada en el dispositivo de amplicacin, considerando
un transistor bipolar como dispositivo de potencia, ser
PCE = PCC

PL

(2)

Donde PCE es la disipacin media de colector, PL es la potencia total, es

decir, PL = PL(DC) + PL(CA) .
Para la determinacin de las potencias se usar (3), donde p es la potencia
instantnea, v e i son el voltaje y la corriente instantneos.
p = vi

(3)

Sean v e i formas de onda periodica, con componente continua (la cual puede
ser cero) y una componente de corriente alterna, no necesariamente sinusoidal
v = VDC + vCA
i = IDC + iCA

(4)
(5)

Luego la potencia media en un periodo T ser

1
2

p d!t

= VDC IDC +

1
2

" PCC

vCA iCA d!t

(6)

" PCA

Donde, PCC es la contribucin de la componente continua y PCA es la

contribucin de la componente alterna a la potencia media. Considerando
vCA = Vm cos !t y iCA = Im cos !t; reemplazando en la ecuacin (6), se tiene

= VDC IDC
Como 2 =

Z 2
1
[(Vm cos !t) (Im cos !t)] d!t =
2 0
Vm Im
Vm Im
+
= VDC IDC +
2
2

= VDC IDC +

(7)

p p
2 2; entonces

Vm Im
= VDC IDC + p p
2 2
= VDC IDC + Vrms Irms

(8)

Cuando un seal de corriente peridica tiene componente continua se expresa

el valor rms de la forma de onda como
3

Irms =

q
2
IDC
+ I12rms + I22rms + ::: + In2rms

(9)

Donde IDC , es la componente continua de la seal, I1rms es el primer armnico de la seal, Inrms es el n simo armnico de la seal. Para el caso de
una seal sinusoidal con componente continua ser
q
2
2
+ Irms
(10)
Irms = IDC

El amplicador Clase A

En operacin clase A, el amplicador reproduce toda la seal de entrada, la

corriente de colector es distinta de cero todo el tiempo, lo cual se considera muy
ineciente, ya que para seal cero en la entrada, se tiene un ICQ > 0, luego el
transistor disipa potencia.

4.1

Amplicador Emisor comn

Sea la conguracin de emisor comn de la Fig. 3a, la cual funciona en clase

A. Por simplicicidad se hace la resistencia de emisor RE = 0. Se selecciona RL
para mxima potencia de salida, lo que implica que la recta de carga de CA
debe pasar por la curva PCEM AX . El circuito equivalente de CC y CA se indica
en la Fig. 3b-c.
VCC

RB

RL

VCC
RL

RL
v CE
VCC
iC = _
+
RL
RL

vi

(a)

(b)

v CE
VCEQ
iC = _
+
+ I CQ
RL
RL

(c)

Figure 3: (a) Emisor Comn. (b) CC. (c) CA.

Dependiendo del diseo, las rectas de carga estarn en dos puntos de operacin Q; los cuales se intersectan con la curva PCEM ax; de acuerdo a la Fig.
4a, se observa que IC2 ser la mxima corriente permitida para iC y VCE1 ser el
mximo voltaje permitido para vCE : El ptimo elegido ser el punto de reposo
Q1 , debido a que IC1 < IC2 , lo cual implica una menor corriente de colector,
menor distorsin y una menor corriente de base requerida para obtener IC . Para
4

que la realizacin sea factible, VCE1 debe ser menor que VCEO , as se tomar
que VCE1 = VCC . Lo cual puede no ser necesariamente efectivo para otras
conguraciones en clase A.
iC
iC

iC
IC

IC

I C M ax =

I C M ax

PCE Ma x

VC C

PCE Ma x

RL

PCE Ma x

IC Q
Q2

IC Q

Q1

VC EQ
VC E

VC E

v
CE

VC EQ

(a)

CE Max

(b)

(c)

Figure 4: (a) Distintos puntos Q. (b) Punto. Q para mxima excusin simtrica.
(c) Excursin de la corriente y el voltaje.

Para valores arbitrarios ICM ax y VCEM ax , el punto Q estar dado por la

ax
tangente a la curva PCEM ax , en las coordenadas ICQ = ICM
y VCEQ =
2
VCEM ax
de
acuerdo
a
la
Fig.
4b.
Se
asume
que
la
seal
de
entrada
puede
2
manejar el transistor entre el corte y la saturacin, de esta forma para una
variacin en la corriente de base, se tiene la variacin en la corriente de colector,
y una variacin en la potencia. La recta de carga de CA tiene la misma pendiente
que la recta de carga de CC. En la Fig. 4c, se observan la onda de corriente iC
CC
y vCE : Note que la excursin ser simtrica, as de acuerdo se tiene ICQ = V2R
L
.
y VCEQ = VCC
2
La Fig. 5, muestra las formas de onda a travs del tiempo iC , vCE , pCC ,
PCE y PL .
La onda de potencia instantnea de la fuente pCC , estar dada por el producto VCC iC y tiene la misma forma que iC . PCE = ic vCE . Note que la forma
de onda de PCE tiene una frecuencia el doble de las otras formas de onda.
4.1.1

Determinacin de la Eciencia

La potencia en la carga ser

2
PL = ICrms
RL

(11)

Luego de acuerdo a (9), considerando que la corriente tiene componente

continua y alterna, se tiene

= V
CC

CE Max

v
CE

v
CE

iC
ICMax
ICMax

ICQ =

VCC
2R
L

t
v CE
VCE M ax

V
VCEQ = CC

VCE M ax

t
p CC
PCC =VCC CQ
I
t

Figure 5: Curvas de iC , vCE y pCC .

PL

2s

2 +
= 4 ICQ

2
= ICQ
RL +

VCC
2RL

ICQ
p
2
2
ICQ
RL
2

RL +

32

5 RL
VCC
2RL

RL

(12)

Entonces

PL

2
V2
VCC
+ CC
4RL
8RL
PL(CC) "
" PL(CA)

(13)

Por otro lado, la potencia promedio entregada por la fuente ser

2
VCC
(14)
2RL
Como la potencia disipada en el transistor debe ser la potencia de la fuente
menos la potencia en la carga, se tiene

PCC = VCC ICQ =

PCE

= PCC
2
VCC
=
2RL

PL
2
VCC
V2
+ CC
4RL
8RL
6

2
VCC
4RL

2
VCC
8RL

(15)

Finalmente, la eciencia estar dada por

=

2
VCC
8RL
2
VCC
2RL

= 0:25

(16)

La eciencia de este amplicador es baja, 25%, esto debido principalmente

a que se mantiene una corriente de reposo en la carga, la cual no es usada
(desperdiciada).

4.2

Conguracin emisor comn con transformador de acoplo

Sea el circuito de la Fig. 6a. Una forma de mejorar la eciencia del amplicador
clase A es usar el acoplo de la carga mediante un transformador. Cmo es eso?
VCC

VCC
Np

Ns

RL

'

RL
2

'

RL =

(a)

Np

Ns2

RL

(b)

Figure 6: (a) Amplicador acoplado por transformador. (b) Equivalente.

Para CC y CA se obtienen los circuitos equivalentes de la Fig .7.

VCC

'

RL

v CE
VCEQ
i C =_
+ ' + I CQ
RL'
RL

v CE =VCEQ =V
CC

(a)

(b)

Figure 7: Equivalentes de CC y CA
Al considerar el acoplamiento la recta de carga en CC pasa por VCEQ = VCC ,
pues RCC = 0, luego la recta de carga de CA corta el eje del voltaje en un valor
VCEM ax = 2VCC . Como consecuencia de esto, cuando no hay seal, no existir
corriente por el colector.
7

iC
IC M a x
iC
IC M a x
I C Max =

VCC
RL'

ICQ =

+ ICQ

PCE M ax

VCC
RL'

t
v CE
VCE Max

ICQ

VCEQ= V CC

VCE Max
2

t
p CC

VCEQ=VCC

CE Max

=2 VCC

PCC= V

v
CE

I
CC CQ

(b)

(a)

Figure 8: Rectas de carga de CC y CA.

4.2.1

Determinacin de la Eciencia

La potencia en la carga ser

2
0
PL = ICrms
RL

(17)

Como slo lapcarga recibe componente alterna, la corriente efectiva ser la

amplitud sobre 2; luego
PL =
Como ICQ =

VCC
0 ,
RL

ICQ
p
2

2
0
RL

(18)

2
VCC
0
2RL

(19)

as
PL = PL(CA) =

Dado que la potencia media de la fuente es PCC = VCC ICQ , entonces

VCC
V2
= CC
0
0
RL
RL

PCC = VCC

Finalmente, la eciencia de la conversin ser

PL(CA)
=
=
PCC

2
VCC
0
2RL
2
VCC
0
RL

= 0:5

Finalmente, la potencia disipada por el transistor ser

PCE

= PCC
2
VCC
=
0
RL
8

PL
2
VCC
V2
= CC
0
0
2RL
2RL

(20)

Note que solo existe PL = PL(CA) .

Example 1 Sea el amplicador clase A de la Fig.8, sabiendo que a la carga
RL se le entrega una potencia de 2 [W ] :Considere la realcin de transformacin
n:1. Calcular la potencia de la fuente PCC y ICQ para que el transistor trabaje
en clase A:
Dado que el rendimiento es el 50%, se tiene
0:5 =
PCC
Como PL(CA) =
PL =

ICQ
p
2

2
VCC
0
RL

202
0
RL

0
= 2 [W ], entonces RL
= 100 [ ] : Adems, como

0
RL
;

2 [W ] =
ICQ

4.3

PL(CA)
2 [W ]
=
PCC
PCC
4 [W ]

ICQ
p
2
0:2 [A]

100 [ ]

Amplicador con resistencia de emisor

Una variacin del amplicador considera RE 6= 0; de acuerdo a la Fig. 9a.

iC
Recta de carga de CC
VCC
R1

Ns

Np

I C Max

PCE Max

RL

ICQ
R2
RE

Recta de carga de CA

VCEQ=VCC

C E Ma x

v
CE

(b)

(a)

Figure 9: (a) Ampilcador con RE :(b) Rectas de carga amplicador modicado.

Para esta situacin se tiene que la recta de CC no es del todo innita dado
el valor de RE como se indica en la Fig. 9b. La recta de CA ser lvemente
modicada. Sin embargo, el rendimiento permanece igual.
Example 2 Sea el amplicador de la Fig.10, determine la potencia en la carga,
la potencia entregada por la fuente y la potencia disipada por el transistor. Considere la relacin de transformacin n : 1, RE = 1 [ ] ; RL = 8 [ ] :
9

+10 [V]
RL

R1
n:1

R2
RE

CE

Figure 10: Amplicador con RE y CE .

Para CC, se tiene

10 [V ] = ICQ 1 [ ] + VCEQ
Para CA,
vCE

iC

0
iC RL
VCEQ
vCE
+
+ ICQ
0
0
RL
RL

La maxima excursin se dar cuando cuando

0
VCEQ = ICQ RCA = ICQ RL

Luego reemplazando ICQ en la recta de carga de CC, se tiene 10 [V ] =

] + VCEQ ; as se obtiene

VCEQ
1[
0
RL

VCEQ

ICQ

10 [V ]
1[ ]
0
RL

+1

10 [V ]
= 8:88 [V ]
1
8 +1

10 [V ]
10 [V ]
0 = 8 [ ] + 1 [ ] = 1:11 [A]
1 [ ] + RL

Para el clculo de las potencias se tiene

PL(CA)
PCC

2
2
ICQ
ICQ
0
0
p
RL
=
RL
= 4:93 [W ]
2
2
= 10 [V ] 1:11 [A] = 11:11 [W ]

2
0
= ICrms
RL
=

= VCC ICQ

La potencia disipada por el transistor ser

PCE =

2
VCC
0 = 6:25 [W ]
2RL

10

El amplicador Clase B

En esta operacin, se usa un transistor para amplicar el ciclo positivo de la

seal de entrada, mientras un segundo dispositivo se preocupa del ciclo negativo.
La conguracin se conoce como push-pull.

Q1
+

Np

VCC

Ns

RL

Np

Q2

Figure 11: Amplicador clase B.

Se requieren dos transistores para producir la onda completa. Cada transistor se polariza en al punto de corte en lugar del punto medio del intervalo
de operacin. Si el voltaje de entrada es positivo, de acuerdo a la conexin
del transformador se tiene que Q1 conduce y Q2 est en corte. Si el voltaje de
entrada es negativo Q1 no conduce y Q2 conduce. Esto permitir obtener la
onda de salida de acuerdo a la Fig.12.

Q1

Np

VCC
+

_
+
_

Ns

RL

Ns

RL

Np

Q2

(a)

Q1

+
_
+

Np

VCC

Np

Q2

(b)

Figure 12: Conduccin de los transistores.

La corriente de colector es cero cuando la seal de entrada es cero, por lo
11

tanto el transistor no disipa potencia en reposo. En CC, el VCEQ = VCC , y en

CA, la variacin de iC ser solo positiva, considerando que la recta de carga es
V
iC = vRCE
+ CEQ
+ ICQ ; de la curva se tiene que ICQ = 0, luego para iC = 0,
0
0
RL
L
la recta corta en vCE = VCC , de acuerdo a la Fig.13.
iC
I C Max =

VCC
PC E M ax

RL'
I C Max
2

Q
VCC

=V

CE Max

v
CE
CC

Figure 13: Rectas de Carga CA y CC del amplicador clase B.

Al considerar seal positiva en la base, el vCE disminuye a partir de VCC
como se muestra en la Fig.14.
iC

Es ta c ur va c or r es ponde a un trans is tor (Q1)

I C M ax

PCE Ma x

I C M ax
2

Q
VC C

=V

v
CE

C E M ax C C

Figure 14: Variacin en torno al punto de operacin

De la curva dada en la Fig. 13, se obtiene
ICM ax =

VCEM ax
VCC
= 0
0
RL
RL

Luego, la potencia en la carga ser nuevamente la indicada en (11). En este

caso, cada transistor opera durante un semi-ciclo, por lo tanto, el valor efectivo
ax
: As, la potencia total en la carga por cada transistor ser
de la onda ser ICM
2
PL =

ICM ax
2

2
0
RL
=

12

VCC
0
2RL

2
0
RL
=

2
VCC
0
4RL

(21)

i C1
ICM ax

i C2
ICM ax

t
iC

ICM ax
ICC Prom ed io

ICC

Figure 15: Curvas de corriente.

Luego, la potencia total en la carga suministrada por ambos transistores

PL(CA) =

2
VCC
0
2RL

(22)

Para determinar la potencia entregada por la fuente PCC , se requiere determinar la corriente media consumida, la cual se llamar ICC . De acuerdo
a la Fig. 15, la onda de corriente producida sera la superposicin de los dos
semiciclos aportados por la conduccin de los dos transistores.

ICC

ICM ax sin (!t) d!t

Z
2ICM ax
ICM ax
sin (!t) d!t =
0

As se tiene que

PCC

= VCC

2ICM ax

= VCC

2
2VCC
V2
= 0:636 CC
0
0
RL
RL

2 VCC
0
RL
(23)

Finalmente, se tiene el redimiento

=

2
VCC
0
2RL
2
2VCC
0
RL

= 0:785

(24)

Lo que corresponde a un 78.5% de eciencia en la conversin. Por otro lado,

la potencia disipada por el colector ser

13

PCE =

5.1

2
VCC
2 R0
L

Amplicador de Simetra Complementaria

Sea el circuito de la Fig. 16 que corresponde a un amplicador de simetria

complementaria. La carga ser de acoplamiento directo.
+V
CC

vi
RL

+
vo
_

-VCC

Figure 16: Amplicador de simetra complementaria, con acoplamiento directo.

Cuando la seal de entrada es positiva, el voltaje en el emisor de Q1 es
levemente menor que en la entrada, haciendo conducir este y dejando en corte
Q2 . Cuando el voltaje de entrada es negativo, conduce Q2 , quedando en corte
Q1 , como se muestra en la Fig. 17.
+V
CC

vi

+V
CC

RL

-V

vi

+
vo
_

+
_
Q

-V

CC

RL

+
vo
_

CC

Figure 17: Funcionamiento del simetra complementaria.

El problema de la distorsin

El problema de la conguracin es que la onda de salida tiene distorsin debido

a que los transistores no empiezan a conducir inmediatamente, dado que la seal

14

en la base debe sobrepasar el umbral VBE : El semi-ciclo de la salida no es una

sinusoide perfecta.
vo (t)

Figure 18: Distorsin de la onda de salida.

La versin propuesta en [3] para el amplicador con transformador se muestra en la Fig. 19. Para este caso en CC, se tiene la base polarizada a travs de
VBB y RB .

RB

Np

VCC

VBB

Ns

RL

Np

Figure 19: Modicacin para atenuar la distorsin.

En rigor puede ser implementada de acuerdo al circuito de la Fig.20 se considera que R1 R2 entregan un voltaje en la base en torno a VBEON . Lo cual
permite la conduccin del transistor al inicio de la onda de entrada.

Np

VCC

R2

Ns

RL

Np

R1

Figure 20: Disminucin de la distorsin.

Para este caso, la conduccin de ambos transistores ser mayor a 180 ; lo
que hace que su funcionamiento sea llamado Clase AB.
15

VBB

IB

R1
VCC
R 1 + R2
VBB VBE
VBB VBE
=
R1 jjR2
RB

Esta red resitiva puede ser modicada usando un diodo, el cual permitir
obtener el voltaje requerido para la base del transistor.
VCC

VCC
R1

R1

+
R2

D1

VBB
_

VBB
_

Figure 21: Red de polarizacin.

Amplicadores Clase AB

Se dice que este amplicador posee un comportamiento en clase A y clase B [2].

En este amplicador, el funcionamiento del dispositivo de potencia es mayor a
los 180 y menor a 360 :
El amplicador de simetra complementaria puede ser modicado de acuerdo
al esquema indicado en la Fig. 22. Para lo cual se requiere que VBB
2 = VBE =
VEB : lo que asegure que ambos transistores queden al borde de la conduccin.
+VCC

VBB

2
vi

VBB

RL

+
vo
_

-VCC

Figure 22: Amplicador Clase AB de simetra complementaria.

Luego un pequeo voltaje positivo hara que conduzca ale transistor NPN,
de forma anloga el transistor funcionar con un pequeo voltaje negativo en
la entrada.
16

De acuerdo a esto se indican las variantes de la Fig. 23, esto permite que
los transistores entren en operacin al recibir la seal de entrada.
+VCC

+VCC

+VCC

R1

R1

R2
vi

vi
R2

RL

+
vo
_

R1

R1

R2

D1

R2

RL

R1

+
vo
_

vi
D2

RL

R1

-VCC

-VCC

(a)

(b)

-VCC
(c)

Figure 23: Modicacin del amplicador con simetra complementaria (a) Divisor de voltaje. (b) alternativo. (c) con diodos.

Amplicador de simetria complementaria con

acoplamiento capacitivo

El circuito de la Fig.24 ser un amplicador de simetra complementaria con

acoplamiento capacitivo. Para este caso se tiene que la alimentacin de cada
transistor es VCC
2 y la carga ser RL .
+V
CC

vi
RL

+
vo
_

Figure 24: Amplicador de simetra complementaria con acoplamiento capacitivo.

De esta forma a partir de las relaciones del clase B push-pull, (22), (23) y
0
(24) , reeemplazando VCC por VCC
2 y RL por RL , se puede determinar

17

+
vo
_

PCC

PL

PCE

2
2VCC
4RL
2
VCC
8RL
2
VCC
2 4R
L

Luego el rendimiento ser

=

8.1

2
VCC
8RL
2
2VCC
4RL

= 0:785

Modicacin del amplicador de simetria complementaria con acople capacitivo

Debido a que este amplicador trabaja con una sola fuente, es posible modicarlo de acuerdo a la Fig. 25a-b.
+VCC

+VCC

R1

R1

D1

R2
vi

vi
RL

R2

+
vo
_

R1

D2

RL

+
vo
_

R1

(b)

(a)

Figure 25: (a) Modicacin con malla resistiva. (b) Usando diodos.

Conclusiones

Se han planteado algunos conceptos bsicos de amplicadores de potencia. Las

magnitudes ms importantes a considerar son la eciencia, la potencia en la
carga y la potencia disipada en el transistor. Cada una de las conguraciones
tiene un rendimiento diferente, es importante determinar las magnitudes asociadas a las variables de tal forma de ocupar las ecuaciones adecuadas tanto para
anlisis como para diseo.
18

References
[1] Cuttler, P. (1972). Linear Electronics Circuits, McGraw-Hill.
[2] Savant, Roden, Carpenter (1993). Diseo Electrnico. Addison-Wesley.
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Englewood Clis, N.J. : Prentice-Hall
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19